JP2022520210A - プラズマ処理装置における角度付けられたインジェクタを備えたガス供給器 - Google Patents

Abstract

プラズマ処理装置および関連する方法が提供される。例示的な一実現形態では、プラズマ処理装置は、誘導結合プラズマ処理装置などのプラズマ処理装置の処理室内にガス供給器を含むことができる。ガス供給器は、１つ以上のインジェクタを含むことができる。１つ以上のインジェクタの各々は、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。このようなガス供給器は、プロセスの均一性、ワークピースのエッジの限界寸法の調整、ガスイオン化効率、および／または処理室内の対称的な流れを向上させて、ワークピースへのパーティクルの堆積を低減することができ、また、停滞流からの熱の局在化を低減することもできる。

Description

優先権主張
本出願は、出願日が２０１９年２月７日である米国特許出願第１６／２７０，０６３号に基づいており、その優先権の利益を主張し、同号を参照により本明細書に援用するものとする。

本開示は、一般に、プラズマ処理装置およびプラズマ処理システム用のガス供給器に関する。

プラズマ処理ツールは、集積回路、マイクロメカニカルデバイス、フラットパネルディスプレイ、およびその他のデバイスなどのデバイスの製造に使用することができる。最新のプラズマエッチング用途および／またはプラズマストリップ用途で使用されるプラズマ処理ツールは、高いプラズマ均一性と、独立したプラズマ分布制御、プラズマ密度制御、およびイオンエネルギー制御を含む複数のプラズマ制御とを提供するために必要である。プラズマ処理ツールは、場合によっては、ウェーハに対する良好かつ一様な被覆率と、ウェーハのエッジの限界寸法の調整の良好な制御とを提供する必要がある。

本開示の実施形態の態様および利点は、以下の説明に部分的に記載されるか、または説明から習得することができ、または実施形態の実施を通じて習得することができる。

本開示の例示的な一態様は、プラズマ処理装置に関する。プラズマ処理装置は、ワークピース支持体を有する処理室を含むことができる。ワークピース支持体は、プラズマ処理中にワークピースを支持することができる。プラズマ処理装置は、処理室内のプロセスガスにプラズマを誘導するための誘導結合プラズマ源を含むことができる。プラズマ処理装置は、プロセスガスを処理室に給送するためのガス供給器を含むことができる。ガス供給器は、１つ以上のインジェクタを含むことができる。１つ以上のインジェクタの各々は、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。

本開示の例示的な別の態様は、ワークピースを処理する方法に関する。この方法は、ワークピースを処理室内のワークピース支持体に設置することを含むことができる。この方法は、処理室内にガス供給器を介してプロセスガスを入れることを含むことができる。この方法は、処理室内のプロセスガスにプラズマを生成することを含むことができる。この方法は、プラズマによって生成された１つ以上の種にワークピースを曝露することを含むことができる。ガス供給器は、１つ以上のインジェクタを含むことができる。１つ以上のインジェクタの各インジェクタは、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられており、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。

本開示の例示的な実施形態に対して、変形および修正を行うことができる。

様々な実施形態の上記のかつその他の特徴、態様および利点は、以下の説明および添付の特許請求の範囲を参照することにより、よりよく理解される。本明細書に組み込まれ、その一部を構成する添付の図面は、本開示の実施形態を例示し、説明とともに、関連する原理を説明するのに役立つ。

当業者に向けられた実施形態の詳細な議論は、添付の図面に関連する本明細書に記載されている。

本開示の例示的な実施形態による例示的なプラズマ処理装置を示す図である。 本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器を示す図である。 本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器を示す図である。 本開示の例示的な実施形態による例示的なプラズマ処理装置を示す図である。 本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器を示す図である。 本開示の例示的な実施形態によるエッジガスインジェクタの例示的な断面図である。 本開示の例示的な実施形態によるエッジガスインジェクタの例示的な断面図である。 本開示の例示的な実施形態による例示的なプラズマ処理装置を示す図である。 本開示の例示的な実施形態による例示的な方法の流れ図である。 ガス供給器と、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器との間のガス速度の比較例を示す図である。 ガス供給器と、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器との間の質量分率の比較例を示す図である。 ガス供給器と、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器との間のワークピース表面分布におけるガス質量分率の比較例を示す図である。

ここで、実施形態を詳細に参照し、その１つ以上の実施例を図面に示す。各実施例は、実施形態の説明として提供され、本開示に限定されない。実際、本開示の範囲または精神から逸脱することなく、実施形態に対して様々な修正および変形を行うことができることは当業者には明らかである。例えば、一実施形態の一部として図示または説明された特徴を別の実施形態とともに使用して、さらに別の実施形態を生成することができる。したがって、本開示の態様は、そのような修正および変形を包含することが意図されている。

本開示の例示的な態様は、プラズマ処理装置および関連する方法に関する。プラズマ処理装置は、誘導結合プラズマ処理装置などのプラズマ処理装置の処理室内にガス供給器を含むことができる。ガス供給器は、１つ以上のインジェクタ（例えば、ガスノズル）を含むことができる。１つ以上のインジェクタの各々は、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。ガス供給器のインジェクタは、ワークピースのエッジに対して法線方向ではなく、かつインジェクタは、対称的なガス噴射パターンで配置されていないため、このようなガス供給器は、プロセスの均一性（例えば、ワークピース全体の均一性、ワークピースのエッジでの方位エッチングの均一性、ワークピース表面でのエッチャントの質量分率の均一性、および／またはワークピース表面での流速の均一性）、ワークピースのエッジの限界寸法の調整、ガスイオン化効率、および／または処理室内の対称的な流れを向上させて、ワークピースへのパーティクルの堆積を低減することができ、また、停滞流からの熱の局在化を低減することもできる。

本開示の例示的な態様によれば、ガス供給器は、プラズマ処理室の側壁に統合することができる。ガス供給器は、ワークピースのエッジの限界寸法の調整および／または均一性の調整のために、方位対称のガス噴射パターンで配置されたインジェクタを有することができる。幾つかの実施形態では、ガス供給器は、１つ以上のガスマニホールドを含むことができる。各ガスマニホールドは、プラズマ処理室のシールドおよび／またはライナに統合することができる。各ガスマニホールドは、ワークピース平面と平行であってよい。ガスマニホールドとワークピース平面との間の距離は、計算および／または様々なプロセス試験結果を通じて決定することができる。各ガスマニホールドは、ワークピースの周囲または周辺に向かってガス流を給送するために、１つ以上のガスインジェクタを含むことができる。各ガスマニホールド内の各インジェクタは、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられており、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。一例として、インジェクタは、時計回りの方向または反時計回りの方向に角度付けられており、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対して時計回りのガス流または反時計回りのガス流を生成することができる。各インジェクタと、ワークピースの半径に対して平行な方向との間の角度は、約６０°以下であり、例えば約１５°～４５°であってよい。幾つかの実施形態では、ガスマニホールドの少なくとも１つのインジェクタは、ワークピースに対して上向きまたは下向きに角度付けることができる。幾つかの実施形態では、ガスマニホールドのインジェクタは、ワークピース平面に向かって対角線方向であってよい。

幾つかの実施形態では、プラズマ処理室ライナは、１つのガスマニホールドを有することができる。ガスマニホールドは、インジェクタのセット（例えば、約４個から約３０個の個別のインジェクタ）を含むことができる。インジェクタは、ワークピースのエッジを狙うように配置することができ、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けることができる。インジェクタは、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成するために、ワークピース平面に対して下向きに角度付けることもできる。これは、ワークピースのエッジ近くのガス流濃度を調整または微調整する方法になり得る。また、トップガス流の噴射とエッジガス流の噴射とを組み合わせて、室内流条件を変更することもできる。

幾つかの実施形態では、少なくとも入口ポートを円形のガスマニホールドに使用することができる。例えば、２つの入口を使用して、ガスをガスマニホールドに流すことができる。２つの入口ポートは互いに近接して構成することができるため、小さなサイズのＴ字形アダプタ／フィッティングを使用して単一の給送ラインからガスを給送することができる。ガスマニホールド内では、各入口ポートからのガス粒子を衝突させることができるかまたは互いに押し退けることができる。その結果、２ポート設計は、単一のガスポート設計よりも優れたガス分配性をインジェクタに提供することができる。

本開示の例示的な態様によれば、ガス供給器は、プラズマ処理室の天井（例えば、処理室のトップドーム上）に位置していてよい。インジェクタは、ガス供給器の中心および／または１つ以上のエッジに位置していてよい。インジェクタは、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対して方位対称のガス噴射パターンで配置することができる。例えば、各インジェクタは、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。一例として、インジェクタは、時計回りの方向または反時計回りの方向に角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対して時計回りのガス流または反時計回りのガス流を生成することができる。各インジェクタと、ワークピースの半径に対して平行な方向との間の角度は、約６０°以下であり、例えば約１５°～４５°であってよい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのインジェクタは、ワークピースに対して上向きまたは下向きに角度付けることができる。

本開示の例示的な一態様は、プラズマ処理装置に関する。処理室は、プラズマ処理中にワークピースを支持するためのワークピース支持体を含むことができる。処理室は、処理室内のプロセスガスにプラズマを誘導するための誘導結合プラズマ源を含むことができる。処理室は、プロセスガスを処理室に給送するためのガス供給器を含むことができる。ガス供給器は、１つ以上のインジェクタを含むことができる。１つ以上のインジェクタの各々は、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。

幾つかの実施形態では、ガス供給器は、処理室の側壁に統合することができる。幾つかの実施形態では、ガス供給器は、少なくとも１つのガスマニホールドを含むことができ、少なくとも１つのガスマニホールドは、１つ以上のインジェクタを含むことができる。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのインジェクタは、誘導結合プラズマ源から下流側の位置にプロセスガスを給送することができる。幾つかの実施形態では、インジェクタは、時計回りの方向または反時計回りの方向に角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対して時計回りのガス流または反時計回りのガス流を生成することができる。各インジェクタと、ワークピースの半径に対して平行な方向との間の角度は、約６０°以下であり、例えば約１５°～約４５°であってよい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのインジェクタは、ワークピースに対して上向きまたは下向きに角度付けることができる。

本開示の例示的な一態様は、ワークピースを処理する方法に関する。この方法は、ワークピースを処理室内のワークピース支持体に設置することを含むことができる。この方法は、処理室内にガス供給器を介してプロセスガスを入れることを含むことができる。この方法は、処理室内のプロセスガスにプラズマを生成することを含むことができる。この方法は、プラズマによって生成された１つ以上の種にワークピースを曝露することを含むことができる。ガス供給器は、１つ以上のインジェクタを含むことができる。１つ以上のインジェクタの各インジェクタは、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。

本開示の例示的な態様は、多くの技術的効果および技術的利点を提供することができる。例えば、プラズマ処理におけるガス供給器のインジェクタは、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。そのため、このようなガス供給器によって、より広いプロセスウィンドウで、エッチング量と限界寸法の方位対称性とを向上させることができる。ガス供給器により、ワークピースのエッジの限界寸法の調整可能性、ワークピース全体の均一性、および室壁のプラズマドライクリーニング効率も向上させることができる。ガスは、ワークピースへのパーティクルの堆積と、ワークピースの移動またはステップ移行中のガスパージ時間を短縮することもできる。

本開示の例示的な態様は、図示および説明の目的で、誘導プラズマ源を参照して説明されている。本明細書で提供される開示を使用する当業者は、本開示の範囲から逸脱することなく他のプラズマ源を使用することができることを理解されたい。例えば、プラズマ処理装置は、静電シールドを備えた誘導結合プラズマ源を含むことができる。プラズマ処理装置は、静電シールドなしで誘導結合プラズマ源を含むことができる。プラズマ処理装置は、（例えば、台座またはワークピース支持体に配置されたバイアスを用いた）容量結合プラズマ源を含むことができる。

本開示の態様は、図示および説明の目的で、「半導体ウェーハ」である「ワークピース」を参照して説明されている。本明細書で提供される開示を使用する当業者は、本開示の実施例の態様が、任意の半導体基板または他の適切な基板と関連して使用することができることを理解されたい。さらに、「約」という用語を数値と組み合わせて使用することは、記載された数値の１０パーセント（１０％）以内を指すことを意図している。「台座」とは、ワークピースを支持するために使用することができる任意の構造を指す。

図１は、本開示の例示的な実施形態による例示的なプラズマ処理装置１００を示す。プラズマ処理装置１００は、内部空間１０２を画定する処理室を含む。台座またはワークピースホルダ１０４は、内部空間１０２内で、半導体ウェーハなどのワークピース１０６を支持するために使用される。誘電体窓１１０は、ワークピースホルダ１０４の上方に位置する。誘電体窓１１０は、比較的平坦な中央部分１１２および角度付けられた周辺部分１１４を含む。誘電体窓１１０は、中央部分１１２に、プロセスガスを内部空間１０２に供給するためのシャワーヘッド１２０用の空間を含む。

装置１００は、内部空間１０２に誘導プラズマを生成するための、一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０などの複数の誘導素子をさらに含む。誘導素子１３０，１４０は、ＲＦ電力が供給されると、プラズマ処理装置１００の内部空間１０２内のプロセスガスにプラズマを誘導するコイル素子またはアンテナ素子を含むことができる。例えば、第１のＲＦ発生器１６０は、整合ネットワーク１６２を介して一次誘導素子１３０に電磁エネルギーを提供するように構成することができる。第２のＲＦ発生器１７０は、整合ネットワーク１７２を介して二次誘導素子１４０に電磁エネルギーを提供するように構成することができる。

本開示は、一次誘導および二次誘導に言及しているが、当業者は、一次および二次という用語が便宜上の目的でのみ使用されることを理解されたい。二次コイルは一次コイルとは独立して動作することができ、その逆も可能である。

本開示は、一次誘導および二次誘導に言及しているが、当業者は、装置がそれらすべてを含む必要はないことを理解されたい。装置は、一次誘導素子および二次誘導素子のうちの１つ以上（例えば、１つまたは２つ）を含むことができる。

装置１００は、二次誘導素子１４０の周りに配置された金属シールド部分１５２を含むことができる。金属シールド部分１５２は、一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０とを分離して、誘導素子１３０，１４０間のクロストークを低減する。装置１００は、一次誘導素子１３０と誘電体窓１３０との間に配置されたファラデーシールド１５４をさらに含むことができる。ファラデーシールド１５４は、一次誘導素子１５４と処理室１０２との間の容量結合を低減するスロット付きの金属シールドとすることができる。図示のように、ファラデーシールド１５４は、誘電体シールド１１０の角度付けられた部分に適合することができる。

特定の実施形態では、金属シールド１５２およびファラデーシールド１５４は、製造および他の目的を容易にするために単一構造体１５０を形成することができる。一次誘導素子１３０のマルチターンコイルは、単一構造体である金属シールド／ファラデーシールド１５０のファラデーシールド部分１５４に隣接して位置することができる。二次誘導素子１４０は、金属シールド部分１５２と誘電体窓１１０との間など、金属シールド／ファラデーシールド単一構造体１５０の金属シールド部分１５２に近接して位置することができる。

一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０を金属シールド１５２の互いに反対側に配置することにより、一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０は、別個の構造構成を有し、異なる機能を実行することができる。例えば、一次誘導素子１３０は、処理室の周辺部分に隣接して位置するマルチターンコイルを含むことができる。一次誘導素子１３０は、本質的に過渡的な点火段階中の基本的なプラズマ生成および信頼できる始動のために使用することができる。一次誘導素子１３０は、強力なＲＦ発生器および高価な自動調整整合ネットワークに結合することができ、約１３．５６ＭＨｚのような増加したＲＦ周波数で動作させることができる。

二次誘導素子１４０は、修正機能および支持機能のために、ならびに定常状態動作中のプラズマの安定性を向上させるために使用することができる。二次誘導素子１４０は、主に、修正機能および支持機能のために、ならびに定常状態動作中のプラズマの安定性を向上させるために使用することができるので、二次誘導素子１４０は、第１の誘導素子１３０ほど強力なＲＦ発生器に結合する必要はなく、以前の設計に関連する困難を克服するために、異なる方法で高い費用対効果にて設計することができる。場合によっては、二次誘導素子１４０は、約２ＭＨｚなどのより低い周波数で動作することもでき、二次誘導素子１４０を非常にコンパクトにし、誘電体窓の上の限られたスペースに収めることができる。

一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０は、異なる周波数で動作させることができる。一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０との間のクロストークを低減するために、周波数を十分に異ならせることができる。一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０とに適用することができる周波数が異なるため、誘導素子１３０，１４０間の干渉が低減される。より具体的には、誘導素子１３０，１４０間のプラズマ内の唯一の相互作用は、プラズマ密度によるものである。したがって、一次誘導素子１３０に結合されたＲＦ発生器１６０と、二次誘導素子１４０に結合されたＲＦ発生器１７０との間の位相同期の必要はない。電力制御は、誘導素子間で独立している。付加的に、誘導素子１３０，１４０は明確に異なる周波数で動作するので、プラズマへの電力給送を整合させるためにＲＦ発生器１６０，１７０の周波数を調整することが実用的であり、追加の整合ネットワークの設計およびコストを大幅に簡素化する。

例えば（図１には示されていない）、第２の誘導素子１４０は、平面コイルと磁束コンセントレータとを含むことができる。磁束コンセントレータは、フェライト材料で作製することができる。適切なコイルを備えた磁束コンセントレータを使用すると、二次誘導素子１４０の高いプラズマ結合性および良好なエネルギー伝達効率が得られ、金属シールド１５０へのプラズマ結合が大幅に減少する。二次誘導素子１４０に約２ＭＨｚなどのより低い周波数を使用すると、スキン層が増加し、これによりプラズマ加熱効率も向上する。

幾つかの実施形態では、異なる誘導素子１３０および誘導素子１４０は、異なる機能を担うことができる。具体的には、一次誘導素子１３０のみが、点火時のプラズマ生成と二次誘導素子１４０に十分なプライミングを提供するという最も重要な機能を実行する必要がある。この一次誘導素子１３０は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ツールの動作に関与することができ、プラズマ電位を安定させるために、プラズマとグランドシールドとの両方に結合する必要がある。第１の誘導素子１３０に関連するファラデーシールド１５４は、窓のスパッタリングを回避することができ、グランドに結合するために使用することができる。

図１に示されるように、本開示の例示的な態様によれば、ガス供給器１９０は、プロセスガスを処理室１０２に給送する。ガス供給器１９０は、処理室１０２の側壁に統合されている。ガス供給器１９０は、供給ガスポートを備えた複数のガスインジェクタ１２２を含む。各インジェクタは、ワークピース１０６の半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピース１０６の中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。幾つかの実施形態（図１には示されていない）では、ガス供給器１９０は、１つ以上のガスマニホールドを含むことができる。各ガスマニホールドは、処理室１０２のシールドおよび／またはライナに統合することができる。各ガスマニホールドは、ワークピース１０６に対して平行にすることができる。ガスマニホールドとワークピース１０６との間の距離は、計算および／または様々なプロセス試験結果を通じて決定することができる。各ガスマニホールドは、ワークピース１０６の周囲または周辺に向かってガス流を給送するために、１つ以上のガスインジェクタ１２２を含むことができる。一例として、インジェクタ１２２は、時計回りの方向または反時計回りの方向に角度付けられていて、ワークピース１０６の中心に対して垂直な方向に対して時計回りのガス流または反時計回りのガス流を生成することができる。各インジェクタと、ワークピース１０６の半径に対して平行な方向との間の角度は、約６０°以下であり、例えば１５°～約４５°の範囲内にあってよい。幾つかの実施形態では、ガスマニホールドの少なくとも１つのインジェクタは、ワークピースに対して上向きまたは下向きに角度付けることができる。幾つかの実施形態では、ガスマニホールドのインジェクタ１２２は、ワークピース平面に向かって対角線方向であってよい。実施例が、図２および図３にさらに記載されている。

幾つかの実施形態（図１には示されていない）では、少なくとも入口ポートを円形のガスマニホールドに使用することができる。例えば、２つの入口ポートを使用してガスをガスマニホールドに流すことができる。２つの入口ポートは互いに近接して構成することができるため、小さなサイズのＴ字形アダプタ／フィッティングを使用して単一の給送ラインからガスを給送することができる。ガスマニホールド内では、各入口ポートからのガス粒子を衝突させることができるかまたは互いに押し退けることができる。その結果、２ポート設計は、単一のガスポート設計よりもより良いガス分配性をインジェクタに提供することができる。実施例が、図２および図３にさらに記載されている。

図２は、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器２００を示している。ガス供給器２００は、図１に示されたガス供給器１９０の実施形態の１つであってよい。ガス供給器２００は、ガスマニホールド２１０を含む。ガスマニホールド２１０は、ガスインジェクタ２２０のセット（例えば、約１５個のガスインジェクタ）を含む。インジェクタ２２０は、ワークピース（例えば、図１に示されるワークピース１０６）のエッジを狙うように配置されている。各インジェクタ２２０は、ワークピースの半径に対して平行な方向２５０に対して角度付けられている。例えば、インジェクタ２２０と、ワークピースの半径に対して平行な方向２５０との間の角度２５５は、約６０°以下であり、例えば１５°～約４５°の範囲内にあってよい。図２に示されるように、インジェクタ２２０は、反時計回りの方向に角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向２６０に対して反時計回りのガス流２３０を生成する。幾つかの実施形態（図２には示されていない）では、１つ以上のインジェクタ２２０は、ワークピースに対して上向きまたは下向きに角度付けられていて、反時計回りのガス流２３０を生成することができる。幾つかの実施形態（図２には示されていない）では、インジェクタ２２０は、ワークピースに向かって対角線方向であってよい。これは、ワークピースのエッジ近くのガス流濃度を調整または微調整する方法になり得る。

図２に示されるように、ガスマニホールド２１０は、２つの入口２４０を含む。２つの入口２４０は、ガスをガスマニホールド２１０に流すために使用される。２つの入口ポート２４０は互いに近接しているので、小さなサイズのＴ字形アダプタ／フィッティングを使用して、単一の給送ラインからガスを給送することができる。ガスマニホールド内では、各入口ポートからのガス粒子を衝突させることができるかまたは互いに押し退けることができる。その結果、２ポート設計により、インジェクタ２２０のガス分配性を向上させることができる。

図３は、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器３００を示す。ガス供給器３００は、図１に示されたガス供給器１９０の実施形態の１つであってよい。ガス供給器３００は、ガスマニホールド３１０を含む。ガスマニホールド３１０は、ガスインジェクタ３２０のセット（例えば、約１５個のガスインジェクタ）を含む。インジェクタ３２０は、ワークピース（例えば、図１に示されるワークピース１０６）のエッジを狙うように配置されている。各インジェクタ３２０は、ワークピースの半径に対して平行な方向３５０に対して角度付けられている。例えば、インジェクタ３２０と、ワークピースの半径に対して平行な方向３５０との間の角度３５５は、約６０°以下であり、例えば１５°～約４５°の範囲内にあってよい。図３に示されるように、インジェクタ３２０は、時計回りの方向に角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向３６０に対して時計回りのガス流３３０を生成する。幾つかの実施形態（図３には示されていない）では、１つ以上のインジェクタ３２０は、時計回りのガス流３３０を生成するために、ワークピースに対して上向きまたは下向きに角度付けることができる。幾つかの実施形態（図３には示されていない）では、インジェクタ３２０は、ワークピースに向かって対角線方向であってよい。これは、ワークピースのエッジ近くのガス流濃度を調整または微調整する方法になり得る。

図３に示されるように、ガスマニホールド３１０は、２つの入口３４０を含む。２つの入口３４０は、ガスをガスマニホールド３１０に流すために使用される。２つの入口ポート３４０は互いに近接しているので、小さなサイズのＴ字形アダプタ／フィッティングを使用して、単一の給送ラインからガスを給送することができる。ガスマニホールド内では、各入口ポートからのガス粒子を衝突させることができるかまたは互いに押し退けることができる。結果として、２ポート設計は、インジェクタ３２０により良好なガス分配性を提供することができる。

図４は、本開示の例示的な実施形態による例示的なプラズマ処理装置４００を示す。プラズマ処理装置４００は、図１のプラズマ処理装置１００と同様である。

より具体的には、プラズマ処理装置４００は、内部空間１０２を画定する処理室を含む。台座またはワークピースホルダ１０４は、半導体ウェーハなどのワークピース１０６を内部空間１０２内で支持するために使用される。誘電体窓１１０は、ワークピースホルダ１０４の上方に位置している。誘電体窓１１０は、比較的平坦な中央部分１１２と、角度付けられた周辺部分１１４とを含む。誘電体窓１１０は、中央部分１１２に、プロセスガスを内部空間１０２に供給するためのガス供給器４１０用の空間を含む。

装置１００は、内部空間１０２に誘導プラズマを生成するための、一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０などの複数の誘導素子をさらに含む。誘導素子１３０，１４０は、ＲＦ電力が供給されると、プラズマ処理装置１００の内部空間１０２内のプロセスガスにプラズマを誘導するコイル素子またはアンテナ素子を含むことができる。例えば、第１のＲＦ発生器１６０は、整合ネットワーク１６２を介して一次誘導素子１３０に電磁エネルギーを提供するように構成することができる。第２のＲＦ発生器１７０は、整合ネットワーク１７２を介して二次誘導素子１４０に電磁エネルギーを提供するように構成することができる。

装置１００は、二次誘導素子１４０の周りに配置された金属シールド部分１５２を含むことができる。金属シールド部分１５２は、一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０とを分離して、誘導素子１３０，１４０間のクロストークを低減する。装置１００は、一次誘導素子１３０と誘電体窓１３０との間に配置されたファラデーシールド１５４をさらに含むことができる。ファラデーシールド１５４は、一次誘導素子１５４と処理室１０２との間の容量結合を低減するスロット付きの金属シールドとすることができる。図示のように、ファラデーシールド１５４は、誘電体シールド１１０の角度付けられた部分に適合することができる。

特定の実施形態では、金属シールド１５２およびファラデーシールド１５４は、製造および他の目的を容易にするために単一構造体１５０を形成することができる。一次誘導素子１３０のマルチターンコイルは、単一構造体である金属シールド／ファラデーシールド１５０のファラデーシールド部分１５４に隣接して位置することができる。二次誘導素子１４０は、金属シールド部分１５２と誘電体窓１１０との間など、金属シールド／ファラデーシールド単一構造体１５０の金属シールド部分１５２に近接して位置することができる。

一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０を金属シールド１５２の互いに反対側に配置することにより、一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０は、別個の構造構成を有し、異なる機能を実行することができる。例えば、一次誘導素子１３０は、処理室の周辺部分に隣接して位置するマルチターンコイルを含むことができる。一次誘導素子１３０は、本質的に過渡的な点火段階中の基本的なプラズマ生成および信頼できる始動のために使用することができる。一次誘導素子１３０は、強力なＲＦ発生器および高価な自動調整整合ネットワークに結合することができ、約１３．５６ＭＨｚのような増加したＲＦ周波数で動作させることができる。

二次誘導素子１４０は、修正機能および支持機能のために、ならびに定常状態動作中のプラズマの安定性を向上させるために使用することができる。二次誘導素子１４０は、主に、修正機能および支持機能のために、ならびに定常状態動作中のプラズマの安定性を向上させるために使用することができるので、二次誘導素子１４０は、第１の誘導素子１３０ほど強力なＲＦ発生器に結合する必要はなく、以前の設計に関連する困難を克服するために、異なる方法で高い費用対効果にて設計することができる。場合によっては、二次誘導素子１４０は、約２ＭＨｚなどのより低い周波数で動作することもでき、二次誘導素子１４０を非常にコンパクトにし、誘電体窓の上の限られたスペースに収めることができる。

一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０は、異なる周波数で動作させることができる。一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０との間のクロストークを低減するために、周波数を十分に異ならせることができる。一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０とに適用することができる周波数が異なるために、誘導素子１３０，１４０間の干渉が低減される。より具体的には、誘導素子１３０，１４０間のプラズマ内の唯一の相互作用は、プラズマ密度によるものである。したがって、一次誘導素子１３０に結合されたＲＦ発生器１６０と、二次誘導素子１４０に結合されたＲＦ発生器１７０との間の位相同期の必要はない。電力制御は、誘導素子間で独立している。付加的に、誘導素子１３０，１４０は明確に異なる周波数で動作するので、プラズマへの電力給送を整合させるためにＲＦ発生器１６０，１７０の周波数を調整することが実用的であり、追加の整合ネットワークの設計およびコストを大幅に簡素化する。

例えば（図４には示されていない）、第２の誘導素子１４０は、平面コイルと磁束コンセントレータとを含むことができる。磁束コンセントレータは、フェライト材料で作製することができる。適切なコイルを備えた磁束コンセントレータを使用すると、二次誘導素子１４０の高いプラズマ結合性および良好なエネルギー伝達効率が得られ、金属シールド１５０へのプラズマ結合が大幅に減少する。二次誘導素子１４０に約２ＭＨｚなどのより低い周波数を使用すると、スキン層が増加し、これによりプラズマ加熱効率も向上する。

幾つかの実施形態では、異なる誘導素子１３０および誘導素子１４０は、異なる機能を担うことができる。具体的には、一次誘導素子１３０のみが、点火時のプラズマ生成と二次誘導素子１４０に十分なプライミングを提供するという最も重要な機能を実行する必要がある。この一次誘導素子１３０は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ツールの動作に関与することができ、プラズマ電位を安定させるために、プラズマとグランドシールドとの両方に結合する必要がある。第１の誘導素子１３０に関連するファラデーシールド１５４は、窓のスパッタリングを回避することができ、グランドに結合するために使用することができる。

図４に示されるように、本開示の例示的な態様によれば、ガス供給器４１０は、処理室１０２の天井（例えば、処理室１０２のトップドーム上）に位置する。ガス供給器４１０は、１つ以上のガスインジェクタ（図４には示されていない）を含むことができる。インジェクタは、ガス供給器４１０の中心および／または１つ以上のエッジに位置していてよい。インジェクタは、ワークピース１０６の中心に対して垂直な方向４２０に対して方位対称のガス噴射パターンで配置することができる。例えば、インジェクタの各々は、ワークピース１０６の半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、方向４２０に対する回転ガス流を生成することができる。一例として、インジェクタは、時計回りの方向または反時計回りの方向に角度付けられていて、方向４２０に対して時計回りのガス流または反時計回りのガス流を生成することができる。各インジェクタと、ワークピースの半径に対して平行な方向との間の角度は、約６０°以下であり、例えば１５°～約４５°の範囲内にあってよい。幾つかの実施形態では、少なくとも１つのインジェクタは、ワークピース１０６に対して上向きまたは下向きに角度付けることができる。

図５は、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器５１０を示している。ガス供給器５１０は、図４に示されるガス供給器４２０の実施形態の１つであってよい。図５は、軸線方向断面図を示している。軸線方向断面図に示されるように、ガス供給器５１０は、エッジガスインジェクタ５１２と、センターガスインジェクタ５１４およびセンターガスインジェクタ５１６とを含む。エッジガスインジェクタ５１２は、ワークピース（例えば、図４のワークピース１０６）の中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成することができる。センターガスインジェクタ５１４およびセンターガスインジェクタ５１６は、ワークピースの中心に向かってガス流を生成することができる。幾つかの実施形態（図５には示されていない）では、エッジガスインジェクタ５１２は、反時計回りの方向に配置することができる。幾つかの実施形態（図５には示されていない）では、エッジインジェクタ５１２を時計回りの方向に配置することができる。幾つかの実施形態（図５には示されていない）では、１つ以上のインジェクタ５１２は、ワークピースに対して上向きまたは下向きに角度付けられていて、反時計回りのガス流５２８または時計回りのガス流５３８を生成することができる。

図６は、本開示の例示的な実施形態によるエッジガスインジェクタの例示的な断面図５２０を示している。エッジガスインジェクタ５１２は、反時計回りの方向に配置することができる。断面図５２０に示されるように、エッジガスインジェクタ５２２は、エッジガスインジェクタ５１２の一実施形態であってよい。エッジガスインジェクタ５１２の各々は、ワークピースの半径に対して平行な方向５２４に対して角度付けられている。例えば、インジェクタ５２２と方向５２４との間の角度５２６は、約６０°以下であり、例えば１５°～約４５°の範囲内にあってよい。エッジガスインジェクタ５２２は、反時計回りの方向に角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向５１８（図５にも示されている）に対して反時計回りのガス流５２８を生成する。

図７は、本開示の例示的な実施形態によるエッジガスインジェクタの例示的な断面図５３０を示す。エッジインジェクタ５１２は、時計回りの方向に配置することができる。断面図５３０に示されるように、エッジガスインジェクタ５３２は、エッジガスインジェクタ５１２の一実施形態であってよい。エッジガスインジェクタ５３２の各々は、ワークピースの半径に対して平行な方向５２４に対して角度付けられている。例えば、インジェクタ５３２と方向５２４との間の角度５２６は、約６０°以下であり、例えば１５°～約４５°の範囲内にあってよい。エッジガスインジェクタ５３２は、時計回りの方向に角度付けられていて、方向５１８に対して時計回りのガス流５３８を生成する。

図８は、本開示の例示的な実施形態による例示的なプラズマ処理装置６００を示している。プラズマ処理装置６００は、図１のプラズマ処理装置１００および図４のプラズマ処理装置４００と同様である。

より具体的には、プラズマ処理装置４００は、内部空間１０２を画定する処理室を含む。台座またはワークピースホルダ１０４は、半導体ウェーハなどのワークピース１０６を内部空間１０２内で支持するために使用される。誘電体窓１１０は、ワークピースホルダ１０４の上方に位置している。誘電体窓１１０は、比較的平坦な中央部分１１２と、角度付けられた周辺部分１１４とを含む。誘電体窓１１０は、中央部分１１２に、プロセスガスを内部空間１０２に供給するためのガス供給器４１０用の空間を含む。

装置１００は、内部空間１０２に誘導プラズマを生成するための、一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０などの複数の誘導素子をさらに含む。誘導素子１３０，１４０は、ＲＦ電力が供給されると、プラズマ処理装置１００の内部空間１０２内のプロセスガスにプラズマを誘導するコイル素子またはアンテナ素子を含むことができる。例えば、第１のＲＦ発生器１６０は、整合ネットワーク１６２を介して一次誘導素子１３０に電磁エネルギーを提供するように構成することができる。第２のＲＦ発生器１７０は、整合ネットワーク１７２を介して二次誘導素子１４０に電磁エネルギーを提供するように構成することができる。ガス供給器１９０は、処理室１０２の側壁に統合されている。

装置１００は、二次誘導素子１４０の周りに配置された金属シールド部分１５２を含むことができる。金属シールド部分１５２は、一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０とを分離して、誘導素子１３０，１４０間のクロストークを低減する。装置１００は、一次誘導素子１３０と誘電体窓１３０との間に配置されたファラデーシールド１５４をさらに含むことができる。ファラデーシールド１５４は、一次誘導素子１５４と処理室１０２との間の容量結合を低減するスロット付きの金属シールドとすることができる。図示のように、ファラデーシールド１５４は、誘電体シールド１１０の角度付けられた部分に適合することができる。

特定の実施形態では、金属シールド１５２およびファラデーシールド１５４は、製造および他の目的を容易にするために単一構造体１５０を形成することができる。一次誘導素子１３０のマルチターンコイルは、単一構造体である金属シールド／ファラデーシールド１５０のファラデーシールド部分１５４に隣接して位置することができる。二次誘導素子１４０は、金属シールド部分１５２と誘電体窓１１０との間など、金属シールド／ファラデーシールド単一構造体１５０の金属シールド部分１５２に近接して位置することができる。

一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０を金属シールド１５２の互いに反対側に配置することにより、一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０は、別個の構造構成を有し、異なる機能を実行することができる。例えば、一次誘導素子１３０は、処理室の周辺部分に隣接して位置するマルチターンコイルを含むことができる。一次誘導素子１３０は、本質的に過渡的な点火段階中の基本的なプラズマ生成および信頼できる始動のために使用することができる。一次誘導素子１３０は、強力なＲＦ発生器および高価な自動調整整合ネットワークに結合することができ、約１３．５６ＭＨｚのような増加したＲＦ周波数で動作させることができる。

二次誘導素子１４０は、修正機能および支持機能のために、ならびに定常状態動作中のプラズマの安定性を向上させるために使用することができる。二次誘導素子１４０は、主に、修正機能および支持機能のために、ならびに定常状態動作中のプラズマの安定性を向上させるために使用することができるので、二次誘導素子１４０は、第１の誘導素子１３０ほど強力なＲＦ発生器に結合する必要はなく、以前の設計に関連する困難を克服するために、異なる方法で高い費用対効果にて設計することができる。場合によっては、二次誘導素子１４０は、約２ＭＨｚなどのより低い周波数で動作することもでき、二次誘導素子１４０を非常にコンパクトにし、誘電体窓の上の限られたスペースに収めることができる。

一次誘導素子１３０および二次誘導素子１４０は、異なる周波数で動作させることができる。一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０との間のクロストークを低減するために、周波数を十分に異ならせることができる。一次誘導素子１３０と二次誘導素子１４０とに適用することができる周波数が異なるために、誘導素子１３０，１４０間の干渉が低減される。より具体的には、誘導素子１３０，１４０間のプラズマ内の唯一の相互作用は、プラズマ密度によるものである。したがって、一次誘導素子１３０に結合されたＲＦ発生器１６０と、二次誘導素子１４０に結合されたＲＦ発生器１７０との間の位相同期の必要はない。電力制御は、誘導素子間で独立している。付加的に、誘導素子１３０，１４０は明確に異なる周波数で動作するので、プラズマへの電力給送を整合させるためにＲＦ発生器１６０，１７０の周波数を調整することが実用的であり、追加の整合ネットワークの設計およびコストを大幅に簡素化する。

例えば（図８には示されていない）、第２の誘導素子１４０は、平面コイルと磁束コンセントレータとを含むことができる。磁束コンセントレータは、フェライト材料で作製することができる。適切なコイルを備えた磁束コンセントレータを使用すると、二次誘導素子１４０の高いプラズマ結合性および良好なエネルギー伝達効率が得られ、金属シールド１５０へのプラズマ結合が大幅に減少する。二次誘導素子１４０に約２ＭＨｚなどのより低い周波数を使用すると、スキン層が増加し、これによりプラズマ加熱効率も向上する。

幾つかの実施形態では、異なる誘導素子１３０および誘導素子１４０は、異なる機能を担うことができる。具体的には、一次誘導素子１３０のみが、点火時のプラズマ生成と二次誘導素子１４０に十分なプライミングを提供するという最も重要な機能を実行する必要がある。この一次誘導素子１３０は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ツールの動作に関与することができ、プラズマ電位を安定させるために、プラズマとグランドシールドとの両方に結合する必要がある。第１の誘導素子１３０に関連するファラデーシールド１５４は、窓のスパッタリングを回避することができ、グランドに結合するために使用することができる。

図９は、本開示の例示的な実施形態による例示的な方法（７００）の流れ図を示している。方法（７００）は、例として、図１のプラズマ処理装置１００を参照して説明される。この方法（７００）は、任意の適切なプラズマ処理装置で実施することができる。図９は、図示と説明のために特定の順序で実行される手順を示している。本明細書で提供される開示を使用する当業者は、本開示の範囲から逸脱することなく、様々な方法で、本明細書に記載の方法のいずれかの様々なステップを省略、拡張、同時実行、再配置、および／または修正できることを理解されたい。さらに、本開示の範囲から逸脱することなく、様々なステップ（図示せず）を実行することができる。

（７１０）において、この方法は、ワークピースを処理室内のワークピース支持体に設置することを含むことができる。例えば、ワークピース１０６は、処理室１０２内のワークピース支持体１０４内に設置することができる。

（７２０）において、この方法は、処理室内にガス供給器を介してプロセスガスを入れることを含むことができる。例えば、処理室１０２の側壁に統合されたガス供給器１９０、および／または処理室１０２の天井のガス供給器４１０は、処理室１０２内にプロセスガスを入れることができる。ガス供給器１９０またはガス供給器４１０は、１つ以上のインジェクタを含むことができる。各インジェクタは、ワークピース１０６の半径に対して平行な方向に対して角度付けることができる（例えば、時計回りの方向または反時計回りの方向）。インジェクタのそのような配置は、ワークピース１０６の中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流（例えば、時計回りのガス流または反時計回りのガス流）を生成することができる。

（７３０）において、この方法は、処理室内のプロセスガスにプラズマを生成することを含むことができる。例えば、一次誘導素子１３０および／または二次誘導素子１４０は、処理室１０２内のプロセスガスにプラズマを生成することができる。

（７４０）において、この方法は、プラズマによって生成された１つ以上の種にワークピースを曝露することを含むことができる。例えば、ワークピース１０６は、プラズマによって生成された１つ以上の種に曝露することができる。

図１０は、ガス供給器１０１０と、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器１０２０との間のガス速度の比較例を示す。図１０から分かるように、ガス供給器１０１０は、センターガスインジェクタと、エッジガスインジェクタと、サイドガスインジェクタとを含む。エッジガスインジェクタおよび／またはサイドガスインジェクタは、ワークピースの半径に対して平行な方向に配置されている。本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器１０２０は、センターガスインジェクタと、エッジガスインジェクタと、サイドガスインジェクタとを含む。エッジガスインジェクタおよび／またはサイドガスインジェクタは、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成する。図１０から分かるように、例示的なガス供給器１０２０は、停滞ガス流領域を減少させることができる。

図１１は、ガス供給器１１１０と、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器１１２０との間の質量分率の比較例を示す。ガス供給器１１１０は、ワークピースの中心線に向かう標準的なサイドガスインジェクタを含む。例示的なガス供給器１１２０は、サイドガスインジェクタであって、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成するサイドガスインジェクタを含む。図１１から分かるように、例示的なガス供給器１１２０は、処理室内の質量分率の差を低減することができる。

図１２は、ガス供給器と、本開示の例示的な実施形態による例示的なガス供給器との間のワークピース表面分布における質量分率の比較例を示す。ワークピース１２１０に関連するガス供給器は、ワークピースの中心線に向かう標準的なサイドガスインジェクタを含む。ワークピース１２２０に関連するガス供給器の例は、サイドガスインジェクタであって、ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成するサイドガスインジェクタを含む。図１２に示されるように、ワークピース１２２０に関連する例示的なガス供給器は、ワークピース１２１０の表面における質量分率の不均一性を低減することができる。

本主題は、その特定の例示的な実施形態に関して詳細に説明されてきたが、当業者は、前述の理解を達成すると、そのような実施形態の変更、変形、および同等物を容易に生成できることが理解される。したがって、本開示の範囲は、限定ではなく例によるものであり、主題の開示は、当業者に容易に明らかであるような、現在の主題へのそのような修正、変形、および／または追加の包含を排除するものではない。

Claims (20)

1. プラズマ処理装置であって、
   ワークピース支持体を有する処理室であって、前記ワークピース支持体は、プラズマ処理中にワークピースを支持するように構成されている、処理室と、
   前記処理室内のプロセスガスにプラズマを誘導するように構成された誘導結合プラズマ源と、
   前記プロセスガスを前記処理室に給送するように構成されたガス供給器であって、該ガス供給器は、１つ以上のインジェクタを備え、該１つ以上のインジェクタの各々は、前記ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、前記ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成する、ガス供給器と、
   を備える、プラズマ処理装置。
2. 前記ガス供給器は、前記プロセスガスを前記処理室の頂部から前記処理室内に給送するように、前記処理室の天井に位置している、請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記ガス供給器は、前記処理室の側壁に統合されている、請求項１記載のプラズマ処理装置。
4. 前記１つ以上のインジェクタのうちの少なくとも１つのインジェクタは、前記誘導結合プラズマ源から下流側の位置に前記プロセスガスを給送する、請求項３記載のプラズマ処理装置。
5. 前記１つ以上のインジェクタのうちの少なくとも１つのインジェクタは、前記ワークピースに対して上向きに角度付けられている、請求項１記載のプラズマ処理装置。
6. 前記ガス供給器は、前記１つ以上のインジェクタを備える少なくとも１つのガスマニホールドを備える、請求項１記載のプラズマ処理装置。
7. 前記１つ以上のインジェクタは、時計回りの方向に角度付けられていて、前記ワークピースの前記中心に対して垂直な方向に対して時計回りのガス流を生成する、請求項１記載のプラズマ処理装置。
8. 前記１つ以上のインジェクタの各インジェクタと、前記ワークピースの前記半径に対して平行な方向との間の角度が、約６０°以下である、請求項７記載のプラズマ処理装置。
9. 前記１つ以上のインジェクタは、反時計回りの方向に角度付けられていて、前記ワークピースの前記中心に対して垂直な方向に対して反時計回りのガス流を生成する、請求項１記載のプラズマ処理装置。
10. 前記１つ以上のインジェクタの各インジェクタと、前記ワークピースの前記半径に対して平行な方向との間の角度が、約６０°以下である、請求項９記載のプラズマ処理装置。
11. ワークピースを処理する方法であって、
    ワークピースを処理室内のワークピース支持体に設置することと、
    前記処理室内にガス供給器を介してプロセスガスを入れることと、
    前記処理室内の前記プロセスガスにプラズマを生成することと、
    前記プラズマによって生成された１つ以上の種に前記ワークピースを曝露することと、
    を含み、
    前記ガス供給器は、１つ以上のインジェクタを備え、該１つ以上のインジェクタの各インジェクタは、前記ワークピースの半径に対して平行な方向に対して角度付けられていて、前記ワークピースの中心に対して垂直な方向に対する回転ガス流を生成する、方法。
12. 前記ガス供給器は、前記プロセスガスを前記処理室の頂部から前記処理室内に給送するように、前記処理室の天井に統合されている、請求項１１記載の方法。
13. 前記ガス供給器は、前記処理室の側壁に統合されている、請求項１１記載の方法。
14. 前記１つ以上のインジェクタのうちの少なくとも１つのインジェクタは、前記プラズマを誘導するプラズマ源から下流側の位置に前記プロセスガスを給送する、請求項１３記載の方法。
15. 前記１つ以上のインジェクタのうちの少なくとも１つのインジェクタは、前記ワークピースに対して上向きに角度付けられている、請求項１１記載の方法。
16. 前記ガス供給器は、前記１つ以上のインジェクタを備える少なくとも１つのガスマニホールドを備える、請求項１１記載の方法。
17. 前記１つ以上のインジェクタは、時計回りの方向に角度付けられていて、前記ワークピースの前記中心に対して垂直な方向に対して時計回りのガス流を生成する、請求項１１記載の方法。
18. 前記１つ以上のインジェクタの各インジェクタと、前記ワークピースの前記半径に対して平行な方向との間の角度が、約６０°以下である、請求項１１記載の方法。
19. 前記１つ以上のインジェクタは、反時計回りの方向に角度付けられていて、前記ワークピースの前記中心に対して垂直な方向に対して反時計回りのガス流を生成する、請求項１１記載の方法。
20. 前記１つ以上のインジェクタの各インジェクタと、前記ワークピースの前記半径に対して平行な方向との間の角度が、約６０°以下である、請求項１１記載の方法。

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