KR20110105554A - 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치 - Google Patents

플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110105554A
KR20110105554A KR1020100024759A KR20100024759A KR20110105554A KR 20110105554 A KR20110105554 A KR 20110105554A KR 1020100024759 A KR1020100024759 A KR 1020100024759A KR 20100024759 A KR20100024759 A KR 20100024759A KR 20110105554 A KR20110105554 A KR 20110105554A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
substrate
region
plasma gas
center
Prior art date
Application number
KR1020100024759A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101209899B1 (ko
Inventor
윤능구
유연상
Original Assignee
주식회사 소로나
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 소로나 filed Critical 주식회사 소로나
Priority to KR1020100024759A priority Critical patent/KR101209899B1/ko
Publication of KR20110105554A publication Critical patent/KR20110105554A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101209899B1 publication Critical patent/KR101209899B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

플라즈마 처리 장치에 관하여 기술된다. 개시된 플라즈마 처리 장치는 기판 전체적으로 플라즈마 영역과 기판 사이의 쉬스(sheath)의 왜곡을 감소시키는 구조를 갖추며 이로써 기판에 대한 고른 에칭을 유도한다. 또한 플라즈마 영역에 대한 플라즈마 가스의 고르게 공급/분포 시킬 수 있는 디스트리뷰터를 가진다.

Description

플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치{a plasma-gas distributor and plasma apparatus adopting the same}
플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치에 관련하여 기술된다.
플라즈마 장치는 전자 제품의 제조에 있어 다양하게 응용된다. 특히 디스플레이나 반도체 소자 등의 제조에 있어 건식 식각 장치로 널리 이용된다.
이러한 플라즈마 장치는 기판이 로딩된 챔버 내에 플라즈마를 발생시킴으로써 기판에 대한 다양한 형태의 식각을 행한다. 일반적으로 챔버의 하부 측에 처킹장치가 마련되어 여기에 기판이 장착되며 그 상방에 플라즈마가 형성된다. 플라즈마 영역의 주위에는 쉬스(sheath)가 존재하게 되는데, 이 영역은 잘 알려진 바와 같이 전자가 고갈되어 전자에 의한 이온화가 거의 발생하지 않는 영역으로서 암부에 해당한다. 플라즈마 영역과 기판 사이에 존재하는 쉬스는 기판 및 기판을 고정하는 처킹 장치들에 의해 비평면적 표면 형상 구조, 즉 기판 및 이를 고정하는 척킹 장치 표면들에 의해 형성되는 지오그래픽 프로파일(geographic profile)에 영향을 받아 왜곡되게 된다. 쉬스의 왜곡은 결과적으로 기판에 대한 플라즈마 이온의 공급의 불균일을 의미하며, 따라서 기판에 대한 부분별 에칭 상태가 다르게 나타난다.
고른 플라즈마 처리를 위해서는 쉬스의 균일화뿐 아니라 플라즈마 밀도의 균일화도 필요하다. 플라즈마 밀도의 균일화는 적절한 자기장 형성과 더불어 고른 플라즈마 가스의 공급을 요구한다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 영역 내에 플라즈마 가스를 고르게 공급 및 분포시킬 수 있는 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치가 제공된다.
본 발명의 한 유형에 따르면,
플라즈마 장치 내에 플라즈마 영역을 감싸는 것으로 그 내부에 외부로부터 공급된 플라즈마 가스가 유동하는 몸체; 그리고
상기 플라즈마 영역을 마주 대하는 상기 몸체의 내측 부분에 마련되는 것으로, 상기 플라즈마 영역의 중심을 벗어난 영역으로 상기 플라즈마 가스를 토출하는 노즐을 다수 포함하는 노즐판;을 구비하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터가 제공된다.
본 발명의 다른 유형에 따르면,
피가공물이 장착되는 테이블;
상기 테이블을 수용하는 플라즈마 챔버; 그리고
상기 챔버의 내부 상방에 플라즈마 영역을 감싸도록 마련되는 플라즈마 가스 디스트리뷰터;를 포함하며,
상기 플라즈마 가스 디스트리뷰터:는
그 내부에 외부로부터 공급된 플라즈마 가스가 유동하는 몸체; 그리고 상기 플라즈마 영역을 마주 대하는 상기 몸체의 내측 부분에 마련되는 것으로, 상기 플라즈마 영역의 중심을 벗어난 영역으로 상기 플라즈마 가스를 토출하는 노즐을 다수 포함하는 노즐판;을 구비하도록 되어 있는 플라즈마 장치가 제공된다.
다른 실시 예에 따르면, 상기 노즐들은 복수의 그룹으로 나뉘며, 각 그룹의노즐들은 각 그룹별 지향 방향을 향하여 플라즈마 가스를 토출한다.
복수의 서로 다른 방향으로의 가스 토출 지향성을 가지는 복수의 그룹으로 분류된다.
또 다른 실시 예에 따르면, 상기 각 그룹들은, 상기 플라즈마 영역의 중심을축으로 하는 어느 한 회전 방향으로 플라즈마 가스의 선회류(旋回流)를 유도하는 방향으로 플라즈마 가스를 토출한다.
상기 각 그룹은 상기 상기 플라즈마 영역의 중심부분으로 플라즈마 가스를 토출하는 노즐을 더 포함할 수 있다.
상기 각 그룹의 노즐들은 각 그룹별 지향 방향으로 플라즈마 가스를 토출하되, 각 그룹의 노즐들은 상호 소정 각도 유지하는 적어도의 두개 방향으로 플라즈마 가스를 토출한다.
실시 예들에 의한 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용하는 플라즈마 장치에따르면, 플라즈마 공간에 내에서의 플라즈마 가스의 분포의 균일도를 향상하며, 따라서, 피가공물에 대한 고른 플라즈마 처리가 가능하게 된다. 이러한 피가공물의 고른 플라즈마 처리는 피가공물로부터 얻어지는 최종 산물의 품질 산포를 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 홀더의 개략적 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 홀더의 개략적 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 홀더의 부분확대도로서 기판 안착부와 위도우의 관계를 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 홀더에 기판이 장착된 상태를 보이는 개략적 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 홀더에서 윈도우 내주 가장자리에 형성되는 기판 가압용 핑거의 배치 구조를 도시한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 플라즈마 가스 디스트리뷰터에 의한 가스 분사를 설명하기 위한 개략적 평면도이다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 플라즈마 가스 디스트리뷰터에 의한 가스 선회류의 발생을 설명하는 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 다양한 실시 예들에 대해 설명한다.
도 1은 플라즈마 장치의 구조를 개략적으로 도시한다. 도 1는 플라즈마 장치의 일례로서 플라즈마 에칭 장치를 예시하며, 공지의 구성 요소 등은 생략하고 주요 요소들에 의한 얼개만 도시한다. 본 발명의 기술적 범위는 공지의 요소들에 의해 제한되지 않는다. 그리고 실시 예의 설명되는 기판은 플라즈마에 피처리 대상으로서 그 재질이나 형상에 국한되지 않는다. 피처리 대상으로서는 대표적으로 반도체, 사파이어 또는 유리등으로 된 웨이퍼 또는 기판이며, 플라즈마 처리는 웨이퍼 또는 기판 그 자체에 대해 수행될 수 있고, 또한 웨이퍼 또는 기판 위에 형성되는 적층에 대해 수행될 수 있다. 이하의 설명에서는 다양한 재료 및/또는 형상의 피처리 대상을 기판이라 통칭한다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 챔버(12)는 바닥(11a)과 천정(11b), 벽체(11c)등을 포함하는 하우징(11, 또는 콘테이너)에 의해 마련된다. 플라즈마 챔버(12, 이하 챔버) 내부 하방에 일반적으로 척(chuck)이라 호칭되는 테이블(14)이 마련되고 그 위에 기판 홀더(13)가 마련된다. 기판 홀더(13)에는 피처리 대상인 다수의 기판들을 장착되어 있다. 상기 기판 홀더(13)는, 별도의 클램핑 부품(clamping parts)등의 고정 요소(15)에 의해, 테이블(14)상에 밀착 고정된다. 테이블(14)에는 일반적으로 바이어스용 제 1 RF 전원(19a)에 연결되며, 잘 알려진 바와 같이 그 내부에 액체 및 기체 쿨런트(coolant, 18)가 공급된다. 액체 쿨런트(18a)는 챔버(12) 외부, 일반적으로는 테이블(14)의 하부로부터 공급된 후 테이블(14) 내부의 순환을 거쳐 배출된다. 기체 쿨런트(18b)는 주로 He이며, 기판 홀더(13) 내부에 까지 공급되어 기판과 홀더 간의 열교환을 돕는다. 한편, 천정(11b)위에는 제 2 RF 전원(19b)에 연결되는 스파이럴형 고주파 안테나(14)가 배치된다. 안테나(14)는 강한 자기장에 의해 챔버 내에 유도 결합 플라즈마(ICP, Inductively coupled plasma)를 유도한다.
테이블(14)의 상방의 천정(11b) 가까이에는 Ar 등의 플라즈마 가스를 챔버(12) 내로 공급하는 디스트리뷰터(17)가 마련되어 있다. 플라즈마 영역(12a)을 감싸는 디스트리뷰터(17)의 몸체 안쪽에는 플라즈마 영역(12a)으로 플라즈마 가스를 분사(또는 토출)하는 노즐판(17a')이 마련되며, 여기에 다수의 노즐(17a)이 소정 간격으로 형성된다. 상기 디스트리뷰터(17)는 일반적으로 사각단면을 가지는 환상체로서, 그 내부에 외부로부터 공급된 플라즈마 가스가 유동한다. 지금까지 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치에 대략적으로 설명하였다.
이하, 도 2를 참조하면서 기판 홀더(13)에 대해 설명한다.
기판 홀더(13)는 베이스(13a)와 홀딩 부재(13b)를 구비한다. 베이스(13a)에는 기판(10)이 삽입되는 안착 홈(131)을 다수 구비하며, 홀딩 부재(13b)는 상기 안착 홈(131)내에 기판(10)을 고정하는 것으로 처리대상 표면인 기판(10)의 일측면을 노출시키는 윈도우(132)를 갖춘다. 그리고, 홀딩 부재(13b)에는 베이스(13a)에 홀딩부재(13b)를 고정하기 위한 나사 체결공(133)이 마련되어 있다.
좀 더 구체적으로 살펴보면, 도 3에 도시된 바와 같이 베이스(13a)와 홀딩 부재(13b)를 체결부품, 예를 들어 윗면이 편평한 접시머리 볼트(136, 또는 나사)에 의해 상호 고정된다. 베이스(13a)에는 전술한 바와 같이 우물형태의 기판 안착 홈(131)이 다수 마련되어 있다. 그리고 안착 홈(131)들을 중심으로 안착 홈(131)이 없는 부분들이 소정 깊이 제거되고 기판의 이탈을 방지하기 위한 일정 두께의 원통형 벽체(131a)가 남아 있다. 이러한 구조에 따라, 마치 안착 홈(131)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 나직한 기둥의 정상면 중앙에 기판(10)을 수용할 수 있는 정도의 직경과 깊이로 형성된 것과 같은 형상이 나타난다. 안착 홈(131)의 바닥의 깊이에 비해 원통형 벽체(131a)의 바깥쪽의 영역은 벽체(131a)의 상면에 해당하는 원래의 판재의 표면부분을 소정 깊이 제거한 부분이다. 이 부분은 기존의 기판 홀딩 부재의 얇은 부분을 보강하기 위하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 홀딩 부재(13b)의 아래 부분(도면에서 점선 아래 부분)에 마련되는 두꺼운 보강부(134)를 위치시키기 위한 영역이다. 종래의 구조에서는, 평면상의 베이스에 안착 홈만 마련되고, 그 위에 판상의 얇은 홀딩 부재가 얹힌 상태에서 별도의 클램핑 구조물이 홀딩 부재 위로 돌출되게 형성되어 있었다. (특허등록번호 10-0856019, 공개번호 10-2009-0102258 참조). 이러한 구조는 기판 주위 부분에서의 쉬스 영역을 공간적으로 왜곡시키며 따라서 기판 주변부에 대한 표면 처리, 예를 들어 에칭 상태가 달라지게 된다.
본 발명에서는 안착 홈(131)에 장착된 기판(10)에 표면 처리 조건, 예를 들어 에칭 조건을 최대한으로 균일화 하기 위하여 쉬스의 왜곡을 불러오는 돌출구조물을 판상 홀딩 부재 위 부분으로부터 제거하여 기판(10) 상방에서 쉬스가 전반적으로 평탄하게, 달리 표현하면 쉬스의 두께가 일정하게 형성될 수 있도록 한다. 그런데, 판상 홀딩 부재는 얇기 때문에 기계적인 강도 보강이 필요하다. 이를 위하여 보강부를 홀딩 부재(13b)의 밑면에 마련함으로써 쉬스 영역에 대한 영향을 방지한다. 이러한 보강부(134)가 홀딩 부재(13b)의 저면에 형성되어 있으므로 이에 대응하도록 베이스(13a)에는 이 보강부(134)를 수용할 공간을 갖는 보강부 결합홈(135)이 마련된 것이다. 이러한 공간 즉, 결합홈(135)은 기판이 장착되는 안착홈(131) 주위 부분을 적절히 제거함으로써 마련될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따라 기존의 돌출 구조물이 제거된 상태를 보이는 기판 홀더(13)의 개략적 단면 구조를 보인다. 도 5에 도시된 바와 같이 기판(10)을 안착홈(131)에 고정시키는 홀딩 부재의 표면 위의 영역이 전체적으로 평탄하다. 이러한 구조는 종래 기판 홀더(“기판 트레이”라고도 불리움)에 대비된다. 또한, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따라, 홀딩 부재(13b)를 베이스(13a)에 고정하는 부품 역시 홀딩 부재의 표면으로부터 돌출되지 않게 접시머리 볼트(136)를 적용하고, 나사 체결공(133) 위 부분에 볼트의 머리(136a)에 대응하는 접시형 확개부(133a)가 마련되어 있다. 안착홈(131)에 장착된 기판(10)의 상면 가장자리는 윈도우(132) 가장자리 부분(132a)에 의해 눌려져 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 것으로 기판(10)을 누르는 핑거(132b)가 윈도우(132)의 내주면을 따라 형성되는 홀딩 부재(13b)를 도시한다. 윈도우(132)의 직경은 기판(10)보다 크며 따라서 윈도우(132)의 가장자리 부분(132a)은 기판(10)의 가장자리 부분을 가압하지 않는다. 그 대신에 윈도우(132) 안쪽으로 복수의 핑거(132b)가 윈도우(132)의 중심을 향하여 연장되어 있다. 이 핑거(132b)의 선단부들을 통과하는 임의의 원의 직경은 기판(10)의 직경보다 작다. 따라서 핑거(132b)들은 기판(10)의 가장자리 부분을 가압한다. 이러한 구조에서는 윈도우(132)의 직경을 충분히 크게 하여 윈도우 가장자리에 의한 기판(10) 주위의 쉬스 왜곡을 감소시키는 고려도 바람직하다. 이러한 핑거(132b)들에 의하면 기판(10)에서의 유효면적이 증대되게 된다. 즉, 전술한 실시 예에서와 같이 윈도우(132)의 가장자리(132b)가 기판(10)의 가장자리를 가압하는 경우, 기판(10)의 가장자리의 일정 폭 모두가 사용할 수 없게 되는데, 본 실시 예의 경우 기판(10)을 누르는 부분이 복수의 핑거(132b)에 의하므로 이들에 의해 실효(失效)되는 영역의 면적이 최소화된다. 이러한 구조에서 핑거(132b)는 불가피한 요소로서 이에 의한 쉬스의 왜곡은 허용될 수 밖에 없다. 그러나, 핑거(132b)의 기계적 강도를 충분히 키우고, 얇게 함으로써 이를 저감할 수 있다.
한편, 전술한 실시 예들에서 상기 보강부(134)가 윈도우(132) 및 이 둘레의 일정부분을 제외한 모든 영역에 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시 예에 따르면, 기계적 강도의 보강이 요구되는 부분에 국부적으로 형성될 수 있다. 강도의 보강이 필히 요구되는 부분으로서는 체결 볼트(136)가 장착되는 체결 홈(133) 형성 부분과 그리고 윈도우(132)의 가장자리 부분을 에워싸는 영역이다. 이러한 강도 보강 구조는 기판 홀더의 설계 조건에 따라 적절히 설계 배치될 수 있다. 상기와 같은 전면적 또는 국부적인 보강부(134)는 베이스(13a)의 결합 홈에 대해 상보적인 결합구조, 즉 상기 베이스(13a)의 표면에 마련된 결합홈(1345)이 상기 보강부(134)에 암수자웅하는 형태로 가공됨으로써 홀딩 부재(13b)와 베이스(13a)가 완전 또는 부분적 끼워맞춤이 가능한 결합구조로 설계될 수 있을 것이다. 이러한 서로 끼워지고 맞물리는 구조는 그 자체로서 전체 기판 홀더의 기계적 강도를 높이고 안정시킬 수 있게 된다.
또한, 전술한 실시 예들에서는 보강부가 홀딩 부재(13b)와 일체적으로 형성되는 것으로 도시되고 설명되었는데, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 별도의 몸체로 형성된 후 하나로 결합될 수도 있다.
한편, 본 발명에 따른 플라즈마 장치의 또 다른 특징부로서 플라즈마 가스 디스트리뷰터(17)는 도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 영역(12a)을 감싸는 그 내측에 노즐판(17a’)이 마련되고, 여기에 다수의 노즐(17a)이 소정 간격으로 형성된다. 이들 노즐(17a)에 의한 플라즈마 가스의 분사 방향이 플라즈마 영역(12a)의 중심(12b)을 벗어난 방향을 향하고 있다. 즉, 종래의 가스 디스트리뷰터의 경우 노즐이 모두 플라즈마 영역의 중심을 향하도록 되어 있었는데, 이 경우 플라즈마 가스가 플라즈마 영역 중심에 집중적으로 공급되는 관계로 전체 플라즈마 영역에서의 밀도 분포가 고르지 않았고, 특히 중심부에서의 밀도가 높았다. 이러한 중심부의 높은 밀도에 따르면 결과적으로 플라즈마 영역에서의 플라즈마 밀도의 불균일이 초래하며, 따라서 피가공물에 대해 플라즈마 처리(예를 들어 에칭)의 불균일성이 나타나게 된다.
본 발명에서는 전술한 바와 같은 쉬스의 불균일 해소와 더불어 플라즈마 가스의 고른 분포에 따른 플라즈마 밀도의 균일화를 꾀한다. 이러한 균일화는 플라즈마 영역 전체적으로 플라즈마 가스를 고루 공급하는 것에 의해 달성되는데, 도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 가스가 플라즈마 영역(12a)의 중심(12b)을 향하지 않고 중심(12b)을 엇비슷하게 벗어난 영역으로 분출하는 노즐(17a)가 플라즈마 영역(12a)을 향하는 디스트리뷰터(17) 몸체 내측면에 마련된 노즐판(17a’)에 형성된다. 이때에 바람직한 실시 예에 따라, 노즐(17a)들이 소정 개수씩(도면에서는 4개씩) 그룹화하여 실질적으로 동일방향으로 가스를 분사하는 지향성을 가진다. 즉, 각 그룹은 동일방향을 향하여 대략적으로 평행한 방향으로 가스를 분사하는 노즐(17a)을 포함한다. 이때에 각 그룹에서 일측 외곽의 노즐(17a)은 플라즈마 영역(12b)의 중심을 향할 수 있고, 그 나머지의 노즐(17a)들은 상호 나란한 방향으로 가스를 토출한다. 여기에서, 각 그룹별 평균적 가스 분사방향을 고려해보면 도 8에 도시된 바와 같이 평균적인 가스 분사방향(17c)이 플라즈마 영역의 중심(12b)을 기준으로 공히 같은 방향을 향하고 있으며, 따라서, 이들 분사방향(17c)에 의해 플라즈마 영역의 중심(12b) 주위를 회전하는 플라즈마 가스 볼텍스(vortex) 또는 선회류(12c)가 발생한다. 이러한 선회류에 따르면, 플라즈마 가스는 원심력에 의해 외곽방향으로 분산되며 결과적으로 플라즈마 가스가 플라즈마 영역의 중심과 주변에 고르게 분포될 수 있게 된다.
한편, 전술한 바와 같이 각 그룹별로 노즐(17a)에 의한 가스 분사방향은 상호 나란하며, 나른 실시 예에 따르면, 그룹 별도로 지향성은 유지하되, 각 노즐 상호 소정 각도 기울어 질 수 있다. 즉, 그룹별도 노즐(17a)들이 동일방향으로 가스를 분사하는 지향성은 유지하되 모든 노즐(17a)의 분사방향이 평행할 수 도 있고, 그렇지 않을 수 도 있다.
이러한 실시 예에 따른 기판 홀더는 전술한 바와 같은 플라즈마 에칭 장치외의 다양한 플라즈마 처리장치에 적용이 가능할 것이다. 따라서, 이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시 예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 플라즈마 장치 내에 플라즈마 영역을 감싸는 것으로 그 내부에 외부로부터 공급된 플라즈마 가스가 유동하는 몸체; 그리고
    상기 플라즈마 영역을 마주 대하는 상기 몸체의 내측 부분에 마련되는 것으로, 상기 플라즈마 영역의 중심을 벗어난 영역으로 상기 플라즈마 가스를 토출하는 노즐을 다수 포함하는 노즐판;을 구비하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐은 서로 다른 방향으로의 플라즈마 분사 지향성을 가지는 복수의 그룹으로 분류되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 노즐들은, 상기 플라즈마 영역의 중심 주위를 회전하는 플라즈마 가스 선회류를 형성하는 방향으로 상기 플라즈마 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 그룹 별로, 상기 노즐들은 상호 나란한 방향으로 플라즈마 가스를 토출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터.
  5. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 그룹은 상기 플라즈마 영역의 중심 방향으로 플라즈마 가스를 분사하는 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터.
  6. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 그룹들은 상기 플라즈마 영역의 중심 주위를 회전하는 플라즈마 가스 선회류를 형성하는 방향으로 상기 플라즈마 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 노즐판은 상기 몸체와 일체적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 가스 디스트리뷰터.
  8. 피가공물을 홀딩하는 기판 홀더;
    상기 기판 홀더가 장착되는 테이블;
    상기 테이블을 수용하는 플라즈마 챔버; 그리고
    상기 챔버의 내부 상방에 형성되는 플라즈마 영역을 감싸도록 마련되는 플라즈마 가스 디스트리뷰터;를 포함하며,
    상기 디스트리뷰터는:
    그 내부에 챔버 외부로부터 공급된 플라즈마 가스가 유동하는 몸체; 그리고
    상기 플라즈마 영역을 마주 대하는 상기 몸체의 내측 부분에 마련되는 것으로, 상기 플라즈마 영역의 중심을 벗어난 영역으로 상기 플라즈마 가스를 토출하는 노즐을 다수 포함하는 노즐판;을 구비하는 플라즈마 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 홀더는:
    상기 피가공물이 장착되는 베이스; 그리고
    상기 기판을 베이스에 대해 고정하는 것으로 베이스 상의 기판에 대응하는 윈도우를 다수 가지는 기판 홀딩 부재:를 구비하며,
    상기 베이스의 상면에 대면하는 홀딩 부재의 하부에 홀딩 부재의 강도를 보강하는 보강부가 마련되고,
    상기 베이스의 상면에는 상기 보강부에 대응하는 보강부 결합홈이 마련되어 있는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 윈도우의 내주 가장자리에 상기 기판의 가장자리를 가압하는 핑거가 다수 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 윈도우의 내주 가장자리는 상기 기판의 가장자리를 가압하도록 기판에 비해 작은 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치.
KR1020100024759A 2010-03-19 2010-03-19 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치 KR101209899B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100024759A KR101209899B1 (ko) 2010-03-19 2010-03-19 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100024759A KR101209899B1 (ko) 2010-03-19 2010-03-19 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110105554A true KR20110105554A (ko) 2011-09-27
KR101209899B1 KR101209899B1 (ko) 2012-12-10

Family

ID=44955881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100024759A KR101209899B1 (ko) 2010-03-19 2010-03-19 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101209899B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200258718A1 (en) * 2019-02-07 2020-08-13 Mattson Technology, Inc. Gas Supply With Angled Injectors In Plasma Processing Apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000248364A (ja) 1999-03-02 2000-09-12 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
KR100690447B1 (ko) * 2005-07-28 2007-03-09 (주)인텍 이온 발생 장치 및 이를 이용한 박막 증착 장치
KR100839190B1 (ko) 2007-03-06 2008-06-17 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR100905278B1 (ko) * 2007-07-19 2009-06-29 주식회사 아이피에스 박막증착장치, 박막증착방법 및 반도체 소자의 갭-필 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200258718A1 (en) * 2019-02-07 2020-08-13 Mattson Technology, Inc. Gas Supply With Angled Injectors In Plasma Processing Apparatus
CN112437969A (zh) * 2019-02-07 2021-03-02 玛特森技术公司 等离子体处理设备中具有成角度的喷嘴的气体供给装置
KR20210112412A (ko) * 2019-02-07 2021-09-14 매슨 테크놀로지 인크 플라즈마 처리 장치 내의 각을 이룬 인젝터를 갖는 가스 공급부
JP2022520210A (ja) * 2019-02-07 2022-03-29 マトソン テクノロジー インコーポレイテッド プラズマ処理装置における角度付けられたインジェクタを備えたガス供給器

Also Published As

Publication number Publication date
KR101209899B1 (ko) 2012-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7718007B2 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus
KR102553629B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
CN110730999B (zh) 具有多气体注入区的等离子体剥离工具
US8829387B2 (en) Plasma processing apparatus having hollow electrode on periphery and plasma control method
US20140141619A1 (en) Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density
KR20110056406A (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 낮은 경사의 엣지 링
KR20060101302A (ko) 기판 유지 부재 및 기판 처리 장치
KR20150078475A (ko) 기판처리장치
US8342121B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101590897B1 (ko) 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101686564B1 (ko) 체결 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR101253296B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR101209899B1 (ko) 플라즈마 가스 디스트리뷰터 및 이를 적용한 플라즈마 장치
KR20140102798A (ko) 플라즈마 반응기
KR101073834B1 (ko) 플라즈마 처리장치 및 처리방법
KR101008680B1 (ko) 세라믹 돔 구조체 및 이를 이용하는 플라즈마 처리 장치
KR102178407B1 (ko) 샤워 헤드 및 진공 처리 장치
KR101124167B1 (ko) 플라즈마 처리용 기판 홀더 및 이를 적용한 플라즈마 장치
JP2019140357A (ja) 被処理体の載置装置及び処理装置
KR101176616B1 (ko) 플라즈마 처리용 기판 처킹 장치 및 이를 적용한 플라즈마 장치
KR101173643B1 (ko) 다중 플라즈마 발생 영역을 갖는 플라즈마 반응기
KR20090046552A (ko) 플라즈마 기판 처리 장치
KR101509379B1 (ko) 플라즈마 발생 시스템의 노즐
KR101231048B1 (ko) 플라즈마 처리장치
KR102667942B1 (ko) 피처리체의 탑재 장치 및 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161108

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181217

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191203

Year of fee payment: 8