JP2805618B2 - エミッタ結合型非安定マルチバイブレータ - Google Patents
エミッタ結合型非安定マルチバイブレータInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はFM変調器に適用して好適なエミッタ結合型非
安定マルチバイブレータに関する。 〔発明の概要〕 本発明は、交互にオンオフする第１及び第２のトラン
ジスタを備えるエミッタ結合型非安定マルチバイブレー
タにおいて、電源と上記第１及び第２のトランジスタの
各コレクタとの間に、夫々第３及び第４のトランジスタ
のコレクタ・エミッタ間を接続し、第５のトランジスタ
のベースを第３及び第４のトランジスタの各ベースに接
続し、エミッタを第１の基準電位点に接続し、第１の基
準電位点及び第２の基準電位点間に抵抗器を接続し、こ
の抵抗器の抵抗値並びに上記第１及び第２の基準電位点
の各電位により決まる電流が、第５のトランジスタのエ
ミッタ電流と成るように構成すると共に、抵抗器の抵抗
値を選定して、発振周波数の温度特性を除去するように
したことにより、発振周波数の温度特性を容易に除去で
きると共に、電源電圧の利用率を向上させるようにした
ものである。 〔従来の技術〕 以下に、第２図を参照して、VTRの記録系のFM変調器
に用いられる従来の非安定マルチバイブレータ（エミッ
タ結合型非安定マルチバイブレータ）について説明す
る。この非安定マルチバイブレータは、半導体集積回路
で構成されている。（１）、（２）は交互にオンオフす
るNPN形トランジスタで、その各エミッタ間にコンデン
サ（その容量をＣとする）（３）が接続される。トラン
ジスタ（１）、（２）の各エミッタは、夫々互いに等し
い定電流の定電流源（その定電流をIO/2とする）（1
1）、（12）を通じて接地される。そして、この定電流
源（11）、（12）の各電流値IO/2を、映像信号等によっ
て同時に変調する。 （９）、（10）はバッファ用のNPN形トランジスタ
で、トランジスタ（９）、（10）の各ベースが、夫々ト
ランジスタ（１）、（２）のコレクタに接続され、各コ
レクタが電源（その電圧をVccとする）＋Ｂに接続さ
れ、その各エミッタが夫々互いに等しい定電流の定電流
源（13）、（14）を通じて接地される。 そして、トランジスタ（９）、（10）の各エミッタか
ら、被FM変調映像信号が取り出される。 （４）、（５）はNPN形トランジスタで、トランジス
タ（１）、（２）を飽和させないようにして、非安定マ
ルチバイブレータの動作を速くするためのものである。
トランジスタ（４）、（５）の各エミッタが、夫々トラ
ンジスタ（１）、（２）のコレクタに接続され、その各
コレクタが電源＋Ｂに接続される。（６）はダイオード
接続のNPN形トランジスタで、そのコレクタ及びベース
が電源＋Ｂに接続され、そのエミッタが夫々抵抗値の等
しい抵抗器（その抵抗値をＲとする）、（７）、（８）
を通じて、トランジスタ（４）、（５）のエミッタに接
続される。（17）は、トランジスタ（４）、（５）のベ
ースにバイアス電圧Vcc−Vrを与える抵抗電圧分圧器
で、電源＋Ｂ及び接地間に直列接続された抵抗器（1
5）、（16）から構成され、その接続中点がトランジス
タ（４）、（５）の各ベースに接続される。 この非安定マルチバイブレータの発振周波数FOは次式
の如く表される。 FO＝IO/4Vab・Ｃ ここで、Vabは、非安定マルチバイブレータの反転直
前のトランジスタ（１）、（２）の各エミッタａ、ｂ間
の電圧を示す。この電圧Vabは、抵抗器（15）の両端の
降下電圧Vrに近似した電圧である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この従来の非安定マルチバイブレータでは、トランジ
スタ（４）、（５）及び（６）のベース・エミッタ間電
圧VBEが、温度の変化に対し同じ方向に変化するので、
これによって、トランジスタのベース・エミッタ間電圧
VBEの温度特性による発振周波数FOの温度特性が補償さ
れる。しかし、トランジスタ（４）、（５）及び（６）
のエミッタ電流（又はコレクタ電流）I1、I2、I3の違い
によって、発振周波数FOが、 （kT/q）ln（I3/I1） の温度特性を持ってしまう。尚、この式において、ｋは
ボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷であ
る。 そこで、従来は、抵抗器（15）の両端の降下電圧Vrに
上述と逆の温度特性を持たせるようにしていた。この場
合は、外部で温度特性を変化させることが困難であると
いう欠点があった。 更に、この非安定マルチバイブレータでは、トランジ
スタ（６）があるために、そのベース・エミッタ間電圧
VBEだけ、電源電圧の利用率が悪く成る。 かかる点に鑑み、本発明は発振周波数の温度特性を容
易に除去できると共に、電源電圧の利用率を向上させる
ことのできるエミッタ結合型非安定マルチバイブレータ
を提案しようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、交互にオンオフする第１及び第２のトラン
ジスタ（１）、（２）を備えるエミッタ結合型非安定マ
ルチバイブレータにおいて、電源＋Ｂと第１及び第２の
トランジスタ（１）、（２）の各コレクタとの間に夫々
コレクタ・エミッタ間が接続された第３及び第４のトラ
ンジスタ（４）、（５）と、この第３及び第４のトラン
ジスタ（４）、（５）の各ベースに、ベースが接続さ
れ、エミッタが第１の基準電位点に接続された制御用の
第５のトランジスタ（41）と、第１の基準電位点及び第
２の基準電位点間に接続された抵抗器（42）とを有し、
この抵抗器（42）の抵抗値並びに第１及び第２の基準電
位点の各電位により決まる電流が、第５のトランジスタ
（41）のエミッタ電流と成るように構成すると共に、抵
抗器（42）の抵抗値を選定して、発振周波数の温度特性
を除去するようにしたものでる。 〔作用〕 かかる本発明によれば、抵抗器（42）の抵抗値を適当
に設定することによって、発振周波数の温度特性が除去
される。 〔実施例〕 以下に、第１図を参照して、本発明の実施例を説明す
るも、第１図において第２図と対応する部分には同一符
号を付して説明する。この実施例も、VTRの記録系のFM
変調器に用いられる非安定マルチバイブレータ（エミッ
タ結合型非安定マルチバイブレータ）である。この非安
定マルチバイブレータは、半導体集積回路で構成されて
いる。 AMBは非安定マルチバイブレータ本体を示し、以下こ
れについて説明する。（１）、（２）は交互にオンオフ
するNPN形トランジスタで、その各エミッタ間にコンデ
ンサ（その容量をＣとする）（３）が接続される。トラ
ンジスタ（１）、（２）の各エミッタは、夫々互いに等
しい定電流の定電流源（その定電流をIO/2とする）（1
1）、（12）を通じて接地される。これら定電流源（1
1）、（12）は、夫々NPN形トランジスタ（21）、（23）
及びその各エミッタに接続された抵抗器（22）、（24）
から構成される。そして、端子（25）からの映像信号
が、抵抗器（26）を通じて、夫々トランジスタ（21）、
（23）の各ベースに供給されて、その定電流IO/2が同時
にその映像信号に基づいて変化せしめられ、これによっ
て、発振周波数が変化せしめられる。 （９）、（10）はバッファ増幅器で、トランジスタ
（１）のコレクタがバッファ増幅器（９）を通じて、ト
ランジスタ（２）のベースに接続され、トランジスタ
（２）のコレクタがバッファ増幅器（10）を通じて、ト
ランジスタ（１）のベースに接続される。 そして、トランジスタ（１）、（２）の各コレクタか
ら、被FM変調映像信号が取り出される。 （４）、（５）はNPN形トランジスタで、トラジスタ
（１）、（２）を飽和させないようにして、非安定マル
チバイブレータの動作を速くするためのものである。ト
ランジスタ（４）、（５）の各エミッタが、夫々トラン
ジスタ（１）、（２）のコレクタに接続され、その各コ
レクタが電源＋Ｂ（その電圧をVccとする）に接続され
る。そして、電源＋Ｂが、夫々抵抗値の等しい抵抗器
（その抵抗値をＲとする）（７）、（８）を通じて、ト
ランジスタ（４）、（５）のエミッタに接続される。以
上が、非安定マルチバイブレータ本体AMBの構成であ
る。 （41）はNPN形の制御用トランジスタで、そのコレク
タが電源＋Ｂに接続され、そのベースが、トランジスタ
（４）、（５）の各ベースに接続される。そして、トラ
ンジスタ（41）のエミッタが、外付けの抵抗器（42）を
通じて接地される。 次に、レベル比較回路LCPについて説明する。このレ
ベル比較回路LCPは、トランジスタ（41）のエミッタの
電圧がVcc−Vrと成るようにトランジスタ（４）、
（５）及び（41）の各ベースの電圧Vxを制御する回路で
ある。因に、この電圧Vxは次式のように表される。 Vx＝Vcc−Vr＋（kT/q）ln（Ix/Iss） ここで、Ixはトランジスタ（41）のエミッタ電流、Is
sはこのトランジスタ（41）のコレクタ飽和電流を示
す。 （43）、（44）は、レベル比較回路LCPの主たるトラ
ンジスタとしてのNPN形トランジスタである。（65）
は、トランジスタ（44）のベースにVcc−Vrの基準電圧
を与えるための抵抗電圧分圧器で、電源＋Ｂ及び接地間
に直列接続された抵抗器（66）、（67）から構成され、
その接続中点がトランジスタ（44）のベースに接続され
る。そして、トランジスタ（43）のベースが、トランジ
スタ（41）のエミッタに接続される。トランジスタ（4
1）のコレクタ・ベース間には、抵抗器（60）及びコン
デンサ（61）の並列回路が接続される。（62）、（63）
はダイオードで、ダイオード（62）のカソードが電源＋
Ｂに接続され、そのアノードがトランジスタ（41）のベ
ースに接続され、ダイオード（63）のカソードが電源＋
Ｂに接続され、そのアノードがトランジスタ（41）のエ
ミッタに接続される。 （45）はカレントミラー回路で、ダイオード接続のPN
P形トランジスタ（46）及びPNP形トランジスタ（47）か
ら構成される。そして、トランジスタ（46）、（47）の
各エミッタが電源＋Ｂに接続され、トランジスタ（46）
のベースが、トランジスタ（43）、（44）の各コレクタ
に接続される。 トランジスタ（43）、（44）の各エミッタが、夫々PN
P形トランジスタ（48）、（49）のエミッタに接続され
る。トランジスタ（48）、（49）の各コレクタが、カレ
ントミラー回路（50）を構成するNPN形トランジスタ（5
1）及びダイオード接続のNPN形トランジスタ（52）の各
コレクタ・エミッタ間を通じて接地される。 又、（53）はカレントミラー回路で、ダイオード接続
のNPN形トランジスタ（55）並びにNPN形トランジスタ
（54）及びそのエミッタに接続された抵抗器（56）から
構成される。そして、トランジスタ（56）のコレクタ
が、トランジスタ（47）のコレクタ及びトランジスタ
（48）、（49）のベースに接続され、エミッタは抵抗器
（56）を通じて接地される。トランジスタ（55）のコレ
クタは、抵抗器（57）を通じて電源＋Ｂに接続され、そ
のエミッタは接地される。 NPN形トランジスタ（58）、（59）が設けられ、トラ
ンジスタ（58）のコレクタが電源＋Ｂに接続され、その
エミッタがトランジスタ（59）のベースに接続され、そ
のベースがトランジスタ（51）のコレクタに接続され
る。トランジスタ（59）のコレクタがトランジスタ（4
1）のベースに接続されると共に、外付けコンデンサ（6
4）を通じて接地され、そのエミッタが接地される。 この非安定マルチバイブレータの発振周波数FOは次式
の如く表される。 FO＝IO/4Vab・Ｃ ここで、Vabは、非安定マルチバイブレータの反転直
前のトランジスタ（１）、（２）の各エミッタａ、ｂ間
の電圧を示す。この電圧Vabは、抵抗器（66）の両端の
降下電圧Vrに近似した電圧である。次に、この周波数FO
を表す式中のVabを導出する。ここでは、トランジスタ
（１）がオン、トランジスタ（２）がオフの状態から、
その逆の状態に切り替わる寸前の各部の電圧を求め、そ
れから電圧Vabを求める。尚、以下の式で、Issはトラン
ジスタ（１）、（２）、（４）、（５）の飽和コレクタ
電流、αはトランジスタ（１）、（２）、（４）、
（５）のベース接地電流増幅率、IE1はトランジスタ
（１）、（４）のエミッタ電流、IE2はトランジスタ
（２）、（５）のエミッタ電流（微少電流）である。 先ず、トランジスタ（１）、（２）の各コレクタｃ、
ｄの電圧Vc、Vdを求める。 Vc＝Vx−（kT/q）ln〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕 Vd＝Vcc−Ｒ・αIE2 次に、トランジスタ（１）、（２）の各エミッタａ、
ｂの電圧Va、Vbを求める。 Va＝Vd−（kT/q）ln（IE1/Iss） ＝Vcc−Ｒ・αIE2−（kT/q）・ln（IE1/Iss） Vd＝Vc−（kT/q）ln（IE2/Iss） ＝Vx−（kT/q）ln〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕 −（kT/q）・ln（IE2/Iss） ＝Vcc−Vr＋（kT/q）・ln（Ix/Iss）−（kT/q）・ ln〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕−（kT/q）ln（IE2/Iss） 従って、Vabは次式の如く表される。 Vab＝Va−Vb ＝Vcc−Ｒ・αIE2−（kT/q）・ln（IE1/Iss） −Vcc＋Vr−（kT/q）・ln（Ix/Iss）＋（kT/q）・ln 〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕＋（kT/q）ln（IE2/Iss） ＝Vr−Ｒ・αIE2＋（kT/q） ・ln〔（αIE1−Vr/R）/IE1〕−（kT/q）ln（Ix/IE2） この電圧Vabの第２項〜第４項は温度特性を有してい
る。尚、第２項が温度特性を有しているのは、αが温度
特性を有しているからである。 従って、この電圧Vab式の第４項のIxを適当な値にす
ることにより、この電圧Vabの温度特性を除去すること
ができる。このトランジスタ（41）のエミッタ電流Ix
は、抵抗器（42）の抵抗値を選定することによって、適
当値に設定することができる。 かかる実施例の非安定マルチバイブレータによれば、
発振周波数の温度特性を容易に除去できると共に、従来
例のダイオード接続のトランジスタ（６）は不要と成る
ので、電源電圧の利用率を向上させることができる。 〔発明の効果〕 上述せる本発明によれば、発振周波数の温度特性を容
易に除去できると共に、電源電圧の利用率を向上させた
エミッタ結合型非安定マルチバイブレータを得ることが
できる。
安定マルチバイブレータに関する。 〔発明の概要〕 本発明は、交互にオンオフする第１及び第２のトラン
ジスタを備えるエミッタ結合型非安定マルチバイブレー
タにおいて、電源と上記第１及び第２のトランジスタの
各コレクタとの間に、夫々第３及び第４のトランジスタ
のコレクタ・エミッタ間を接続し、第５のトランジスタ
のベースを第３及び第４のトランジスタの各ベースに接
続し、エミッタを第１の基準電位点に接続し、第１の基
準電位点及び第２の基準電位点間に抵抗器を接続し、こ
の抵抗器の抵抗値並びに上記第１及び第２の基準電位点
の各電位により決まる電流が、第５のトランジスタのエ
ミッタ電流と成るように構成すると共に、抵抗器の抵抗
値を選定して、発振周波数の温度特性を除去するように
したことにより、発振周波数の温度特性を容易に除去で
きると共に、電源電圧の利用率を向上させるようにした
ものである。 〔従来の技術〕 以下に、第２図を参照して、VTRの記録系のFM変調器
に用いられる従来の非安定マルチバイブレータ（エミッ
タ結合型非安定マルチバイブレータ）について説明す
る。この非安定マルチバイブレータは、半導体集積回路
で構成されている。（１）、（２）は交互にオンオフす
るNPN形トランジスタで、その各エミッタ間にコンデン
サ（その容量をＣとする）（３）が接続される。トラン
ジスタ（１）、（２）の各エミッタは、夫々互いに等し
い定電流の定電流源（その定電流をIO/2とする）（1
1）、（12）を通じて接地される。そして、この定電流
源（11）、（12）の各電流値IO/2を、映像信号等によっ
て同時に変調する。 （９）、（10）はバッファ用のNPN形トランジスタ
で、トランジスタ（９）、（10）の各ベースが、夫々ト
ランジスタ（１）、（２）のコレクタに接続され、各コ
レクタが電源（その電圧をVccとする）＋Ｂに接続さ
れ、その各エミッタが夫々互いに等しい定電流の定電流
源（13）、（14）を通じて接地される。 そして、トランジスタ（９）、（10）の各エミッタか
ら、被FM変調映像信号が取り出される。 （４）、（５）はNPN形トランジスタで、トランジス
タ（１）、（２）を飽和させないようにして、非安定マ
ルチバイブレータの動作を速くするためのものである。
トランジスタ（４）、（５）の各エミッタが、夫々トラ
ンジスタ（１）、（２）のコレクタに接続され、その各
コレクタが電源＋Ｂに接続される。（６）はダイオード
接続のNPN形トランジスタで、そのコレクタ及びベース
が電源＋Ｂに接続され、そのエミッタが夫々抵抗値の等
しい抵抗器（その抵抗値をＲとする）、（７）、（８）
を通じて、トランジスタ（４）、（５）のエミッタに接
続される。（17）は、トランジスタ（４）、（５）のベ
ースにバイアス電圧Vcc−Vrを与える抵抗電圧分圧器
で、電源＋Ｂ及び接地間に直列接続された抵抗器（1
5）、（16）から構成され、その接続中点がトランジス
タ（４）、（５）の各ベースに接続される。 この非安定マルチバイブレータの発振周波数FOは次式
の如く表される。 FO＝IO/4Vab・Ｃ ここで、Vabは、非安定マルチバイブレータの反転直
前のトランジスタ（１）、（２）の各エミッタａ、ｂ間
の電圧を示す。この電圧Vabは、抵抗器（15）の両端の
降下電圧Vrに近似した電圧である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この従来の非安定マルチバイブレータでは、トランジ
スタ（４）、（５）及び（６）のベース・エミッタ間電
圧VBEが、温度の変化に対し同じ方向に変化するので、
これによって、トランジスタのベース・エミッタ間電圧
VBEの温度特性による発振周波数FOの温度特性が補償さ
れる。しかし、トランジスタ（４）、（５）及び（６）
のエミッタ電流（又はコレクタ電流）I1、I2、I3の違い
によって、発振周波数FOが、 （kT/q）ln（I3/I1） の温度特性を持ってしまう。尚、この式において、ｋは
ボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷であ
る。 そこで、従来は、抵抗器（15）の両端の降下電圧Vrに
上述と逆の温度特性を持たせるようにしていた。この場
合は、外部で温度特性を変化させることが困難であると
いう欠点があった。 更に、この非安定マルチバイブレータでは、トランジ
スタ（６）があるために、そのベース・エミッタ間電圧
VBEだけ、電源電圧の利用率が悪く成る。 かかる点に鑑み、本発明は発振周波数の温度特性を容
易に除去できると共に、電源電圧の利用率を向上させる
ことのできるエミッタ結合型非安定マルチバイブレータ
を提案しようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、交互にオンオフする第１及び第２のトラン
ジスタ（１）、（２）を備えるエミッタ結合型非安定マ
ルチバイブレータにおいて、電源＋Ｂと第１及び第２の
トランジスタ（１）、（２）の各コレクタとの間に夫々
コレクタ・エミッタ間が接続された第３及び第４のトラ
ンジスタ（４）、（５）と、この第３及び第４のトラン
ジスタ（４）、（５）の各ベースに、ベースが接続さ
れ、エミッタが第１の基準電位点に接続された制御用の
第５のトランジスタ（41）と、第１の基準電位点及び第
２の基準電位点間に接続された抵抗器（42）とを有し、
この抵抗器（42）の抵抗値並びに第１及び第２の基準電
位点の各電位により決まる電流が、第５のトランジスタ
（41）のエミッタ電流と成るように構成すると共に、抵
抗器（42）の抵抗値を選定して、発振周波数の温度特性
を除去するようにしたものでる。 〔作用〕 かかる本発明によれば、抵抗器（42）の抵抗値を適当
に設定することによって、発振周波数の温度特性が除去
される。 〔実施例〕 以下に、第１図を参照して、本発明の実施例を説明す
るも、第１図において第２図と対応する部分には同一符
号を付して説明する。この実施例も、VTRの記録系のFM
変調器に用いられる非安定マルチバイブレータ（エミッ
タ結合型非安定マルチバイブレータ）である。この非安
定マルチバイブレータは、半導体集積回路で構成されて
いる。 AMBは非安定マルチバイブレータ本体を示し、以下こ
れについて説明する。（１）、（２）は交互にオンオフ
するNPN形トランジスタで、その各エミッタ間にコンデ
ンサ（その容量をＣとする）（３）が接続される。トラ
ンジスタ（１）、（２）の各エミッタは、夫々互いに等
しい定電流の定電流源（その定電流をIO/2とする）（1
1）、（12）を通じて接地される。これら定電流源（1
1）、（12）は、夫々NPN形トランジスタ（21）、（23）
及びその各エミッタに接続された抵抗器（22）、（24）
から構成される。そして、端子（25）からの映像信号
が、抵抗器（26）を通じて、夫々トランジスタ（21）、
（23）の各ベースに供給されて、その定電流IO/2が同時
にその映像信号に基づいて変化せしめられ、これによっ
て、発振周波数が変化せしめられる。 （９）、（10）はバッファ増幅器で、トランジスタ
（１）のコレクタがバッファ増幅器（９）を通じて、ト
ランジスタ（２）のベースに接続され、トランジスタ
（２）のコレクタがバッファ増幅器（10）を通じて、ト
ランジスタ（１）のベースに接続される。 そして、トランジスタ（１）、（２）の各コレクタか
ら、被FM変調映像信号が取り出される。 （４）、（５）はNPN形トランジスタで、トラジスタ
（１）、（２）を飽和させないようにして、非安定マル
チバイブレータの動作を速くするためのものである。ト
ランジスタ（４）、（５）の各エミッタが、夫々トラン
ジスタ（１）、（２）のコレクタに接続され、その各コ
レクタが電源＋Ｂ（その電圧をVccとする）に接続され
る。そして、電源＋Ｂが、夫々抵抗値の等しい抵抗器
（その抵抗値をＲとする）（７）、（８）を通じて、ト
ランジスタ（４）、（５）のエミッタに接続される。以
上が、非安定マルチバイブレータ本体AMBの構成であ
る。 （41）はNPN形の制御用トランジスタで、そのコレク
タが電源＋Ｂに接続され、そのベースが、トランジスタ
（４）、（５）の各ベースに接続される。そして、トラ
ンジスタ（41）のエミッタが、外付けの抵抗器（42）を
通じて接地される。 次に、レベル比較回路LCPについて説明する。このレ
ベル比較回路LCPは、トランジスタ（41）のエミッタの
電圧がVcc−Vrと成るようにトランジスタ（４）、
（５）及び（41）の各ベースの電圧Vxを制御する回路で
ある。因に、この電圧Vxは次式のように表される。 Vx＝Vcc−Vr＋（kT/q）ln（Ix/Iss） ここで、Ixはトランジスタ（41）のエミッタ電流、Is
sはこのトランジスタ（41）のコレクタ飽和電流を示
す。 （43）、（44）は、レベル比較回路LCPの主たるトラ
ンジスタとしてのNPN形トランジスタである。（65）
は、トランジスタ（44）のベースにVcc−Vrの基準電圧
を与えるための抵抗電圧分圧器で、電源＋Ｂ及び接地間
に直列接続された抵抗器（66）、（67）から構成され、
その接続中点がトランジスタ（44）のベースに接続され
る。そして、トランジスタ（43）のベースが、トランジ
スタ（41）のエミッタに接続される。トランジスタ（4
1）のコレクタ・ベース間には、抵抗器（60）及びコン
デンサ（61）の並列回路が接続される。（62）、（63）
はダイオードで、ダイオード（62）のカソードが電源＋
Ｂに接続され、そのアノードがトランジスタ（41）のベ
ースに接続され、ダイオード（63）のカソードが電源＋
Ｂに接続され、そのアノードがトランジスタ（41）のエ
ミッタに接続される。 （45）はカレントミラー回路で、ダイオード接続のPN
P形トランジスタ（46）及びPNP形トランジスタ（47）か
ら構成される。そして、トランジスタ（46）、（47）の
各エミッタが電源＋Ｂに接続され、トランジスタ（46）
のベースが、トランジスタ（43）、（44）の各コレクタ
に接続される。 トランジスタ（43）、（44）の各エミッタが、夫々PN
P形トランジスタ（48）、（49）のエミッタに接続され
る。トランジスタ（48）、（49）の各コレクタが、カレ
ントミラー回路（50）を構成するNPN形トランジスタ（5
1）及びダイオード接続のNPN形トランジスタ（52）の各
コレクタ・エミッタ間を通じて接地される。 又、（53）はカレントミラー回路で、ダイオード接続
のNPN形トランジスタ（55）並びにNPN形トランジスタ
（54）及びそのエミッタに接続された抵抗器（56）から
構成される。そして、トランジスタ（56）のコレクタ
が、トランジスタ（47）のコレクタ及びトランジスタ
（48）、（49）のベースに接続され、エミッタは抵抗器
（56）を通じて接地される。トランジスタ（55）のコレ
クタは、抵抗器（57）を通じて電源＋Ｂに接続され、そ
のエミッタは接地される。 NPN形トランジスタ（58）、（59）が設けられ、トラ
ンジスタ（58）のコレクタが電源＋Ｂに接続され、その
エミッタがトランジスタ（59）のベースに接続され、そ
のベースがトランジスタ（51）のコレクタに接続され
る。トランジスタ（59）のコレクタがトランジスタ（4
1）のベースに接続されると共に、外付けコンデンサ（6
4）を通じて接地され、そのエミッタが接地される。 この非安定マルチバイブレータの発振周波数FOは次式
の如く表される。 FO＝IO/4Vab・Ｃ ここで、Vabは、非安定マルチバイブレータの反転直
前のトランジスタ（１）、（２）の各エミッタａ、ｂ間
の電圧を示す。この電圧Vabは、抵抗器（66）の両端の
降下電圧Vrに近似した電圧である。次に、この周波数FO
を表す式中のVabを導出する。ここでは、トランジスタ
（１）がオン、トランジスタ（２）がオフの状態から、
その逆の状態に切り替わる寸前の各部の電圧を求め、そ
れから電圧Vabを求める。尚、以下の式で、Issはトラン
ジスタ（１）、（２）、（４）、（５）の飽和コレクタ
電流、αはトランジスタ（１）、（２）、（４）、
（５）のベース接地電流増幅率、IE1はトランジスタ
（１）、（４）のエミッタ電流、IE2はトランジスタ
（２）、（５）のエミッタ電流（微少電流）である。 先ず、トランジスタ（１）、（２）の各コレクタｃ、
ｄの電圧Vc、Vdを求める。 Vc＝Vx−（kT/q）ln〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕 Vd＝Vcc−Ｒ・αIE2 次に、トランジスタ（１）、（２）の各エミッタａ、
ｂの電圧Va、Vbを求める。 Va＝Vd−（kT/q）ln（IE1/Iss） ＝Vcc−Ｒ・αIE2−（kT/q）・ln（IE1/Iss） Vd＝Vc−（kT/q）ln（IE2/Iss） ＝Vx−（kT/q）ln〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕 −（kT/q）・ln（IE2/Iss） ＝Vcc−Vr＋（kT/q）・ln（Ix/Iss）−（kT/q）・ ln〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕−（kT/q）ln（IE2/Iss） 従って、Vabは次式の如く表される。 Vab＝Va−Vb ＝Vcc−Ｒ・αIE2−（kT/q）・ln（IE1/Iss） −Vcc＋Vr−（kT/q）・ln（Ix/Iss）＋（kT/q）・ln 〔（αIE1−Vr/R）/Iss〕＋（kT/q）ln（IE2/Iss） ＝Vr−Ｒ・αIE2＋（kT/q） ・ln〔（αIE1−Vr/R）/IE1〕−（kT/q）ln（Ix/IE2） この電圧Vabの第２項〜第４項は温度特性を有してい
る。尚、第２項が温度特性を有しているのは、αが温度
特性を有しているからである。 従って、この電圧Vab式の第４項のIxを適当な値にす
ることにより、この電圧Vabの温度特性を除去すること
ができる。このトランジスタ（41）のエミッタ電流Ix
は、抵抗器（42）の抵抗値を選定することによって、適
当値に設定することができる。 かかる実施例の非安定マルチバイブレータによれば、
発振周波数の温度特性を容易に除去できると共に、従来
例のダイオード接続のトランジスタ（６）は不要と成る
ので、電源電圧の利用率を向上させることができる。 〔発明の効果〕 上述せる本発明によれば、発振周波数の温度特性を容
易に除去できると共に、電源電圧の利用率を向上させた
エミッタ結合型非安定マルチバイブレータを得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例のエミッタ結合型非安定マルチ
バイブレータを示す回路図、第２図は従来のエミッタ結
合型非安定マルチバイブレータを示す回路図である。 （１）、（２）は第１及び第２のトランジスタ、
（４）、（５）は第３及び第４のトランジスタ、（41）
は制御用の第５のトランジスタ、（42）は抵抗器であ
る。
バイブレータを示す回路図、第２図は従来のエミッタ結
合型非安定マルチバイブレータを示す回路図である。 （１）、（２）は第１及び第２のトランジスタ、
（４）、（５）は第３及び第４のトランジスタ、（41）
は制御用の第５のトランジスタ、（42）は抵抗器であ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名)
H03K 3/282
G11B 20/06
H03C 3/00 - 3/42
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．交互にオンオフする第１及び第２のトランジスタを
備えるエミッタ結合型非安定マルチバイブレータにおい
て、 電源と上記第１及び第２のトランジスタの各コレクタと
の間に夫々コレクタ・エミッタ間が接続された第３及び
第４のトランジスタと、 該第３及び第４のトランジスタの各ベースに、ベースが
接続され、エミッタが第１の基準電位点に接続された制
御用の第５のトランジスタと、 上記第１の基準電位点及び第２の基準電位点間に接続さ
れた抵抗器とを有し、 該抵抗器の抵抗値並びに上記第１及び第２の基準電位点
の各電位により決まる電流が、上記第５のトランジスタ
のエミッタ電流となるように構成すると共に、上記抵抗
器の抵抗値を選定して、発振周波数の温度特性を除去す
るようにしたことを特徴とするエミッタ結合型非安定マ
ルチバイブレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311569A JP2805618B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | エミッタ結合型非安定マルチバイブレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62311569A JP2805618B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | エミッタ結合型非安定マルチバイブレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151815A JPH01151815A (ja) | 1989-06-14 |
| JP2805618B2 true JP2805618B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=18018810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62311569A Expired - Fee Related JP2805618B2 (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | エミッタ結合型非安定マルチバイブレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2805618B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52114251A (en) * | 1976-03-22 | 1977-09-24 | Hitachi Ltd | Emitter jointed multivibrator circuit |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62311569A patent/JP2805618B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01151815A (ja) | 1989-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |