JP2666955B2 - ＳｉＣ部品の製造方法およびＳｉＣ部品焼結用容器 - Google Patents
ＳｉＣ部品の製造方法およびＳｉＣ部品焼結用容器Info
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- JP2666955B2 JP2666955B2 JP63080560A JP8056088A JP2666955B2 JP 2666955 B2 JP2666955 B2 JP 2666955B2 JP 63080560 A JP63080560 A JP 63080560A JP 8056088 A JP8056088 A JP 8056088A JP 2666955 B2 JP2666955 B2 JP 2666955B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はSiC焼結体の製造方法に関し、特に、各種構
造用セラミック部品、摺動部品などに好適なSiC部品の
製造方法に関する。
造用セラミック部品、摺動部品などに好適なSiC部品の
製造方法に関する。
（従来の技術） 従来、各種ガイドに用いられる摺動部材としてはSiC
を主体とするカーボン系セラミック材料が多く用いられ
ている。
を主体とするカーボン系セラミック材料が多く用いられ
ている。
これらSiC系のセラミック材料は、所定形状に成形し
たのち、特定の焼結用容器内に装入されて焼結炉で焼結
処理が施され目的のセラミック部品が製造される。従来
このような焼結に用いる焼結用容器としては、SiCやカ
ーボン、あるいはA1N、A12O3などのセラミック材料から
なる容器（サヤ）が用いられていた。
たのち、特定の焼結用容器内に装入されて焼結炉で焼結
処理が施され目的のセラミック部品が製造される。従来
このような焼結に用いる焼結用容器としては、SiCやカ
ーボン、あるいはA1N、A12O3などのセラミック材料から
なる容器（サヤ）が用いられていた。
（発明が解決しようとする課題） SiC系のセラミック材料を2000℃以上の高温度で焼結
する場合、従来のA1N製やA12O3製の焼結容器では、得ら
れる焼結体の状態は、焼結肌が荒く不均一で品質の悪い
ものしか得られないという問題がある。
する場合、従来のA1N製やA12O3製の焼結容器では、得ら
れる焼結体の状態は、焼結肌が荒く不均一で品質の悪い
ものしか得られないという問題がある。
一方、SiCやカーボンからなる焼結用容器は、2000℃
以上の高温度下での焼結に充分耐え得る特性を有してお
り、SiC系のセラミック部材の焼結用容器としては有効
なものであるが、本発明者の研究によれば、これらSiC
やカーボンからなる焼結用容器を用いた場合であって
も、必ずしも高品質のSiC焼結体が得られるとは限らな
いことが判明している。すなわち、従来の焼結用容器に
よって焼結処理を行って得たSiC焼結体は、焼結密度も
比較的低いものしか得られず、また焼結肌の状態も良好
なものを得ることは困難であった。このように、表面状
態が粗く焼結密度も低い焼結体は、これを摺動部材に用
いる場合には、部品への加工工程で特殊な研削ないし研
磨処理が必要となり、そのため工程も繁雑化し、製造コ
ストの増大化を招くなどの問題点がある。
以上の高温度下での焼結に充分耐え得る特性を有してお
り、SiC系のセラミック部材の焼結用容器としては有効
なものであるが、本発明者の研究によれば、これらSiC
やカーボンからなる焼結用容器を用いた場合であって
も、必ずしも高品質のSiC焼結体が得られるとは限らな
いことが判明している。すなわち、従来の焼結用容器に
よって焼結処理を行って得たSiC焼結体は、焼結密度も
比較的低いものしか得られず、また焼結肌の状態も良好
なものを得ることは困難であった。このように、表面状
態が粗く焼結密度も低い焼結体は、これを摺動部材に用
いる場合には、部品への加工工程で特殊な研削ないし研
磨処理が必要となり、そのため工程も繁雑化し、製造コ
ストの増大化を招くなどの問題点がある。
本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みてなされた
ものであり、品質、特に材質が均一で焼結密度が高く、
しかも表面状態の良好なSiC部品を得るための方法を提
供することを目的としている。
ものであり、品質、特に材質が均一で焼結密度が高く、
しかも表面状態の良好なSiC部品を得るための方法を提
供することを目的としている。
（課題を解決するための手段） 本発明に係るSiC部品の製造方法は、見掛密度が1.3g/
cm3以上のカーボン系セラミックスからなる焼結用容器
中で焼結処理を行うことを特徴としている。
cm3以上のカーボン系セラミックスからなる焼結用容器
中で焼結処理を行うことを特徴としている。
本発明者は、焼結に用いる焼結用容器として特定の見
掛密度のものを選ぶことによって焼結体の品質が格段に
向上することを見出している。従来、SiC部品を焼結す
る際の焼結用容器に関しては、格別の関心は抱かれてお
らず、その見掛密度に関しては、たとえば1.0〜1.2g/cm
3程度のものが用いられているにすぎなかった。本発明
者の知見によれば、焼結工程における焼結用容器の通気
性ならびに見掛密度が、得られる焼結体の品質、特に焼
結密度、表面状態、内部組織の良否に重要な影響を与え
ることが判明している。
掛密度のものを選ぶことによって焼結体の品質が格段に
向上することを見出している。従来、SiC部品を焼結す
る際の焼結用容器に関しては、格別の関心は抱かれてお
らず、その見掛密度に関しては、たとえば1.0〜1.2g/cm
3程度のものが用いられているにすぎなかった。本発明
者の知見によれば、焼結工程における焼結用容器の通気
性ならびに見掛密度が、得られる焼結体の品質、特に焼
結密度、表面状態、内部組織の良否に重要な影響を与え
ることが判明している。
本発明の方法は、たとえば、2000℃以上の高温度下で
焼結処理が必要なSiCないしSiCを主体とするセラミック
部材（たとえば、炭化ケイ素−炭化ホウ素−炭素系材
料）の製造に好適である。
焼結処理が必要なSiCないしSiCを主体とするセラミック
部材（たとえば、炭化ケイ素−炭化ホウ素−炭素系材
料）の製造に好適である。
本発明の方法において、焼結処理に際して、見掛密度
が1.3g/cm3以上のカーボン系セラミックスからなる焼結
用容器を用いることが肝要である。見掛密度が1.3g/cm3
未満の場合は通気性が大きく、焼結雰囲気、特に焼結炉
の中の存在物からの発生ガスの影響（焼結対象材料中に
ガスないし揮発性物質が混入するなどする）を受け易く
なり、これに起因して焼結対象物に悪影響が生じるので
ある。本発明者の研究によれば、2000℃以上の高温度焼
結においては、真空度を上げるなどして焼結雰囲気条件
をかなり厳格に制御したとしても、このような発生ガス
に起因する焼結体の品質の劣化は防止することはできな
い。
が1.3g/cm3以上のカーボン系セラミックスからなる焼結
用容器を用いることが肝要である。見掛密度が1.3g/cm3
未満の場合は通気性が大きく、焼結雰囲気、特に焼結炉
の中の存在物からの発生ガスの影響（焼結対象材料中に
ガスないし揮発性物質が混入するなどする）を受け易く
なり、これに起因して焼結対象物に悪影響が生じるので
ある。本発明者の研究によれば、2000℃以上の高温度焼
結においては、真空度を上げるなどして焼結雰囲気条件
をかなり厳格に制御したとしても、このような発生ガス
に起因する焼結体の品質の劣化は防止することはできな
い。
本発明においては、焼結用容器がSiCからなる場合に
おいては、その見掛密度は、好ましくは2.0g/cm3以上、
さらに好ましくは2.5g/cm3以上である。
おいては、その見掛密度は、好ましくは2.0g/cm3以上、
さらに好ましくは2.5g/cm3以上である。
また、焼結用容器がカーボンからなる場合において
は、その見掛密度は、好ましくは1.5g/cm3以上、さらに
好ましくは1.7g/cm3以上である。また、カーボンを焼結
用容器として用いた場合には、カーボン中の不純物（但
し灰分を除く）の含有量は、3000ppm以下が好ましい。
なお、灰分の含有量は、2000ppm以下であることが好ま
しい。
は、その見掛密度は、好ましくは1.5g/cm3以上、さらに
好ましくは1.7g/cm3以上である。また、カーボンを焼結
用容器として用いた場合には、カーボン中の不純物（但
し灰分を除く）の含有量は、3000ppm以下が好ましい。
なお、灰分の含有量は、2000ppm以下であることが好ま
しい。
本発明の方法においては、上記のような焼結用容器を
用いているので、焼結工程時において、焼結対象物中に
揮発性ガスなどが混入するのを防止することができ、こ
のため焼結密度は向上し、しかも滑らかな焼結表面を得
ることができる。さらに、本発明の方法で得られた焼結
体は、焼結体組織が均一であり、特に焼結体の外表面と
内部と組織ならびに品質が共に良好で均質なものとな
る。
用いているので、焼結工程時において、焼結対象物中に
揮発性ガスなどが混入するのを防止することができ、こ
のため焼結密度は向上し、しかも滑らかな焼結表面を得
ることができる。さらに、本発明の方法で得られた焼結
体は、焼結体組織が均一であり、特に焼結体の外表面と
内部と組織ならびに品質が共に良好で均質なものとな
る。
（実施例） 以下本発明を、実施例および比較例に基づいて説明す
る。
る。
SiC−1B4C−2Cの組成からなる原料セラミック材料か
ら焼結部品を製造した。焼結前の成形品の形状は、50mm
×50mm×5mmであり、焼結処理は、2150℃の温度におい
て４時間行った。
ら焼結部品を製造した。焼結前の成形品の形状は、50mm
×50mm×5mmであり、焼結処理は、2150℃の温度におい
て４時間行った。
焼結用容器（サヤ材）としては下記第１表のものを各
々用いた。得られた焼結体の焼結密度ならびに焼結肌の
状態を下記に示す。
々用いた。得られた焼結体の焼結密度ならびに焼結肌の
状態を下記に示す。
〔発明の効果〕 本発明の方法においては、見掛密度が1.3g/cm3以上の
カーボン系セラミックスからなる焼結用容器中で焼結処
理を行うようしたので、品質、特に材質が均一で焼結密
度が高く、しかも表面状態の良好なSiC部品を得ること
ができるというすぐれた効果を有している。
カーボン系セラミックスからなる焼結用容器中で焼結処
理を行うようしたので、品質、特に材質が均一で焼結密
度が高く、しかも表面状態の良好なSiC部品を得ること
ができるというすぐれた効果を有している。
Claims (4)
- 【請求項１】見掛密度が1.3g/cm3以上のカーボン系セラ
ミックスからなる焼結用容器中で焼結処理を行うことを
特徴とする、SiC部品の製造方法。 - 【請求項２】前記カーボン系セラミックスからなる焼結
用容器が、見掛密度1.7g/cm3以上のSiCからなる、請求
項１の方法。 - 【請求項３】前記カーボン系セラミックスからなる焼結
用容器が、見掛密度1.7g/cm3以上のカーボンからなる、
請求項１の方法。 - 【請求項４】見掛密度が1.3g/cm3以上のカーボン系セラ
ミックスからなることを特徴とする、焼結用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080560A JP2666955B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | ＳｉＣ部品の製造方法およびＳｉＣ部品焼結用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080560A JP2666955B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | ＳｉＣ部品の製造方法およびＳｉＣ部品焼結用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01252580A JPH01252580A (ja) | 1989-10-09 |
| JP2666955B2 true JP2666955B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=13721722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63080560A Expired - Lifetime JP2666955B2 (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | ＳｉＣ部品の製造方法およびＳｉＣ部品焼結用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666955B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004292197A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61191575A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-26 | イビデン株式会社 | 多孔質炭化珪素焼結体とその製造方法 |
| JPS61291461A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-22 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素焼結体の焼成方法 |
| JPS6256372A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | 株式会社東芝 | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
| JPH01157465A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Ngk Insulators Ltd | 高密度炭化ケイ素焼結体の製造法 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63080560A patent/JP2666955B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01252580A (ja) | 1989-10-09 |
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