JP2611434B2 - ショットキーバリアダイオードの製造方法 - Google Patents
ショットキーバリアダイオードの製造方法Info
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- JP2611434B2 JP2611434B2 JP1161338A JP16133889A JP2611434B2 JP 2611434 B2 JP2611434 B2 JP 2611434B2 JP 1161338 A JP1161338 A JP 1161338A JP 16133889 A JP16133889 A JP 16133889A JP 2611434 B2 JP2611434 B2 JP 2611434B2
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- Japan
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- schottky barrier
- layer
- electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板の表面にショットキーバリア金
属層が接触し、その上に１層以上の電極金属層が被着す
るショットキーバリアダイオードの製造方法に関する。
属層が接触し、その上に１層以上の電極金属層が被着す
るショットキーバリアダイオードの製造方法に関する。
〔従来の技術〕 ショットキーバリアダイオードの半導体基板上へのバ
リア金属層および電極金属層の積層は、通常同一真空蒸
着槽内での連続した蒸着によって行われる。従来はMoな
どのバリア金属の蒸着の際には、輻射加熱で基板温度を
340〜350℃に正確に制御して、それにつづくAl電極層お
よび必要により積層される他の金属の電極層の蒸着の際
には、基板を加熱しないかせいぜい150℃程度に加熱し
ていた。
リア金属層および電極金属層の積層は、通常同一真空蒸
着槽内での連続した蒸着によって行われる。従来はMoな
どのバリア金属の蒸着の際には、輻射加熱で基板温度を
340〜350℃に正確に制御して、それにつづくAl電極層お
よび必要により積層される他の金属の電極層の蒸着の際
には、基板を加熱しないかせいぜい150℃程度に加熱し
ていた。
従来の方法でバリア金属層および電極金属層を蒸着し
て製造していたショットキーバリアダイオードでは、蒸
着ロット間で逆方向特性ガ大きくばらつくという問題が
ある。
て製造していたショットキーバリアダイオードでは、蒸
着ロット間で逆方向特性ガ大きくばらつくという問題が
ある。
本発明の目的は、バリア金属層および電極金属層の蒸
着ロット間における逆方向特性のばらつきの少ないショ
ットキーバリアダイオードを経済的に製造する方法を提
供することにある。
着ロット間における逆方向特性のばらつきの少ないショ
ットキーバリアダイオードを経済的に製造する方法を提
供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、半導体基板
の表面に接触するショットキーバリア金属層と、該ショ
ットキーバリア金属層に接触するアルミニウムからなる
電極金属層とをそれぞれ蒸着によって形成するショット
キーバリアダイオードの製造方法において、ショットキ
ーバリア金属層上にアルミニウムからなる電極金属層を
蒸着により積層する際に半導体基板の温度を210℃〜270
℃の範囲に制御するものとする。
の表面に接触するショットキーバリア金属層と、該ショ
ットキーバリア金属層に接触するアルミニウムからなる
電極金属層とをそれぞれ蒸着によって形成するショット
キーバリアダイオードの製造方法において、ショットキ
ーバリア金属層上にアルミニウムからなる電極金属層を
蒸着により積層する際に半導体基板の温度を210℃〜270
℃の範囲に制御するものとする。
ショットキーバリアダイオードの逆方向特性のばらつ
きは、半導体基板とバリア金属層間およびバリア金属層
と電極金属層間の密着度のばらつき、ならびにバリア金
属層と電極金属層間の機械的応力のばらつきによる。本
発明に基づき、バリア金属層上に積層されるAl電極層の
蒸着時に、半導体基板を適切な温度に制御することによ
り、Al層とバリア金属層との密着度が向上すると共に均
一になり、バリア電極層とAl層間の機械的応力が小さく
なり均一化される。さらに、半導体基板とバリア金属層
間の密着度を均一化し、これらによって逆方向漏れ電流
が小さくなり、逆方向特性が均一化する。
きは、半導体基板とバリア金属層間およびバリア金属層
と電極金属層間の密着度のばらつき、ならびにバリア金
属層と電極金属層間の機械的応力のばらつきによる。本
発明に基づき、バリア金属層上に積層されるAl電極層の
蒸着時に、半導体基板を適切な温度に制御することによ
り、Al層とバリア金属層との密着度が向上すると共に均
一になり、バリア電極層とAl層間の機械的応力が小さく
なり均一化される。さらに、半導体基板とバリア金属層
間の密着度を均一化し、これらによって逆方向漏れ電流
が小さくなり、逆方向特性が均一化する。
第２図，第３図は、製造の際に本発明が実施されるシ
ョットキーバリアダイオードの二つの例を示す。第２図
においては、N+母板11上にＮ層12をエピタクシャル成長
させたシリコン基板１の表面にガードリングとしての環
状ｐ層13が形成されている。このガードリング13の設け
られる表面を酸化膜２で覆ったのち、ガードリングの中
央からの内側に開口部を明け、Moを蒸着してバリア金属
層３とする。さらにその上にAl電極層４を蒸着する。Mo
層３およびAl層４は全面蒸着の後、ガードリング13の外
側上方に周縁があるようにパターニングする。第３図に
おいては、Al電極層４の上にさらにAlとAuの合金化を防
ぐNi電極層5,はんだ付け性のよいAu電極層６が積層され
ている。
ョットキーバリアダイオードの二つの例を示す。第２図
においては、N+母板11上にＮ層12をエピタクシャル成長
させたシリコン基板１の表面にガードリングとしての環
状ｐ層13が形成されている。このガードリング13の設け
られる表面を酸化膜２で覆ったのち、ガードリングの中
央からの内側に開口部を明け、Moを蒸着してバリア金属
層３とする。さらにその上にAl電極層４を蒸着する。Mo
層３およびAl層４は全面蒸着の後、ガードリング13の外
側上方に周縁があるようにパターニングする。第３図に
おいては、Al電極層４の上にさらにAlとAuの合金化を防
ぐNi電極層5,はんだ付け性のよいAu電極層６が積層され
ている。
第１図は、第２図に示したショットキーバリアダイオ
ードの逆方向漏れ電流とAl層３の蒸着時に輻射加熱で加
熱したシリコン基板温度との関係を示し、基板を210℃
より低い温度で保持した場合、あるいは270℃より高い
温度で保持した場合には、逆方向漏れ電流が大きくなっ
てしまう事が認められる。このような関係は電極金属層
が３層の第３図に示した構造のダイオード製造時のAl層
４の蒸着についても認められた。
ードの逆方向漏れ電流とAl層３の蒸着時に輻射加熱で加
熱したシリコン基板温度との関係を示し、基板を210℃
より低い温度で保持した場合、あるいは270℃より高い
温度で保持した場合には、逆方向漏れ電流が大きくなっ
てしまう事が認められる。このような関係は電極金属層
が３層の第３図に示した構造のダイオード製造時のAl層
４の蒸着についても認められた。
本発明によれば、半導体基板上に、バリア金属層を蒸
着したのちにAl電極層を蒸着する際、バリア金属層とAl
電極層および半導体基板の間の密着性の向上，均一化、
バリア金属層とAl電極層の間の機械的応力の発生の防止
のために基板を適切な温度に加熱することにより、製造
されたショットキーバリアダイオードの逆方向漏れ電流
を小さくし、逆方向特性を安定化させることができた。
着したのちにAl電極層を蒸着する際、バリア金属層とAl
電極層および半導体基板の間の密着性の向上，均一化、
バリア金属層とAl電極層の間の機械的応力の発生の防止
のために基板を適切な温度に加熱することにより、製造
されたショットキーバリアダイオードの逆方向漏れ電流
を小さくし、逆方向特性を安定化させることができた。
第１図はショットキーバリアダイオードの逆方向漏れ電
流とAl電極層蒸着時の半導体基板温度との関係線図、第
２図はショットキーバリアダイオードの一例の断面図、
第３図は他の例の断面図である。 1:シリコン基板、3:バリア金属層、4:Al電極層。
流とAl電極層蒸着時の半導体基板温度との関係線図、第
２図はショットキーバリアダイオードの一例の断面図、
第３図は他の例の断面図である。 1:シリコン基板、3:バリア金属層、4:Al電極層。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板の表面に接触するショットキー
バリア金属層と、該ショットキーバリア金属層に接触す
るアルミニウムからなる電極金属層とをそれぞれ蒸着に
よって形成するショットキーバリアダイオードの製造方
法において、ショットキーバリア金属層上にアルミニウ
ムからなる電極金属層を蒸着により積層する際に前記半
導体基板の温度を210℃〜270℃の範囲に制御することを
特徴とするショットキーバリアダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161338A JP2611434B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161338A JP2611434B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325977A JPH0325977A (ja) | 1991-02-04 |
| JP2611434B2 true JP2611434B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=15733183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1161338A Expired - Fee Related JP2611434B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611434B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196723A (ja) * | 1992-04-28 | 1994-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236220B2 (ja) * | 1973-05-19 | 1977-09-14 | ||
| JPS5132953A (en) * | 1974-09-13 | 1976-03-19 | Tokuriki Honten Kk | Rozukeyosetsutenhen no seizohoho |
| JPS59125621A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS6024044A (ja) * | 1983-05-19 | 1985-02-06 | Hitachi Cable Ltd | イオン化蒸着法によるリ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPS62281366A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Tdk Corp | シヨツトキバリヤ形半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1161338A patent/JP2611434B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325977A (ja) | 1991-02-04 |
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