JP2532586B2 - 低速電子線励起蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
低速電子線励起蛍光体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2532586B2 JP2532586B2 JP63149602A JP14960288A JP2532586B2 JP 2532586 B2 JP2532586 B2 JP 2532586B2 JP 63149602 A JP63149602 A JP 63149602A JP 14960288 A JP14960288 A JP 14960288A JP 2532586 B2 JP2532586 B2 JP 2532586B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- group
- electron beam
- activator
- excited phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高輝度の低速電子線励起蛍光体及びその製
造方法に関する。
造方法に関する。
［従来の技術］ 低速電子線を用いる表示管は、VTR、オーディオ、乗
用車、家庭用電化製品等の表示に多用されている。低速
電子線は、電子のエネルギーが低いので、通常の蛍光体
では殆ど発光しない。そのため、低速電子線によっても
蛍光体を発光させるため、従来、In2O3、SnO2、TiO2、Z
nO、WO3等の導電性酸化物の粉末を蛍光体に混合し、蛍
光体に導電性を持たせることが提案されている（特開昭
52−10873号、特開昭52−10875号等）。但し、これらの
導電性酸化物の中で、実用化されているのはIn2O3のみ
である。
用車、家庭用電化製品等の表示に多用されている。低速
電子線は、電子のエネルギーが低いので、通常の蛍光体
では殆ど発光しない。そのため、低速電子線によっても
蛍光体を発光させるため、従来、In2O3、SnO2、TiO2、Z
nO、WO3等の導電性酸化物の粉末を蛍光体に混合し、蛍
光体に導電性を持たせることが提案されている（特開昭
52−10873号、特開昭52−10875号等）。但し、これらの
導電性酸化物の中で、実用化されているのはIn2O3のみ
である。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来、蛍光体に導電性を持たせるために用い
られていたIn2O3は、粒子が不ぞろいなため、蛍光体と
混合しても蛍光体粒子表面に均一に付着されず、また体
色が黄色いため、蛍光体の輝度を充分にとりだせないと
いう欠点があった。
られていたIn2O3は、粒子が不ぞろいなため、蛍光体と
混合しても蛍光体粒子表面に均一に付着されず、また体
色が黄色いため、蛍光体の輝度を充分にとりだせないと
いう欠点があった。
［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、低速電子線励起蛍光体について鋭意研
究を重ねた結果、所定のチタン酸インジウム化合物を蛍
光体と混合し、蛍光体粒子表面に付着せしめることによ
り、従来のものに比べ輝度が大幅に高い、低速電子線励
起蛍光体が得られることを見出だし、本発明をなすに至
った。
究を重ねた結果、所定のチタン酸インジウム化合物を蛍
光体と混合し、蛍光体粒子表面に付着せしめることによ
り、従来のものに比べ輝度が大幅に高い、低速電子線励
起蛍光体が得られることを見出だし、本発明をなすに至
った。
即ち、本発明の低速電子線励起蛍光体は、一般式In2T
ixMyO5（０＜ｘ≦４、０≦ｙ≦２、ＭはSn、Sb、Ｗ、Z
n、Cd、Nb、およびＫからなる群から選ばれた少なくと
も一種を示す）で表わされる、粒径が0.01〜５μｍのチ
タン酸インジウム化合物からなる導電性付与物質粒子
を、蛍光体粒子表面に0.1〜25重量％被覆してなること
を特徴とする低速電子線励起蛍光体を提供する。
ixMyO5（０＜ｘ≦４、０≦ｙ≦２、ＭはSn、Sb、Ｗ、Z
n、Cd、Nb、およびＫからなる群から選ばれた少なくと
も一種を示す）で表わされる、粒径が0.01〜５μｍのチ
タン酸インジウム化合物からなる導電性付与物質粒子
を、蛍光体粒子表面に0.1〜25重量％被覆してなること
を特徴とする低速電子線励起蛍光体を提供する。
上述の一般式において、ｘは４以下であり、４を越え
るとIn2O3のみを用いた場合に比べ輝度が低下し、好ま
しくない。
るとIn2O3のみを用いた場合に比べ輝度が低下し、好ま
しくない。
また、導電性付与物質粒子の被覆量は0.1〜25重量％
であり、0.1重量％未満では被覆の効果がなく、25重量
％を越えると輝度が低下し、好ましくない。
であり、0.1重量％未満では被覆の効果がなく、25重量
％を越えると輝度が低下し、好ましくない。
更に本発明は、In及びTiを炭酸塩、シュウ酸塩、コハ
ク酸塩または水酸化物として共沈させる工程、沈澱を焼
成して、粒径が0.01〜５μｍのチタン酸インジウム化合
物粉末を得る工程、及びこのチタン酸インジウム化合物
粉末により低速電子線励起蛍光体を被覆する工程を具備
する低速電子線励起蛍光体の製造方法を提供する。前記
In及びTiに加え、さらにSn、Sb、Ｗ、Zn、Cd、Nb、およ
びＫからなる群から選ばれた少なくとも一種を共沈させ
てもよい。
ク酸塩または水酸化物として共沈させる工程、沈澱を焼
成して、粒径が0.01〜５μｍのチタン酸インジウム化合
物粉末を得る工程、及びこのチタン酸インジウム化合物
粉末により低速電子線励起蛍光体を被覆する工程を具備
する低速電子線励起蛍光体の製造方法を提供する。前記
In及びTiに加え、さらにSn、Sb、Ｗ、Zn、Cd、Nb、およ
びＫからなる群から選ばれた少なくとも一種を共沈させ
てもよい。
前記沈澱の焼成は、600〜1800℃の温度で１〜12時間
行なうことが好ましい。
行なうことが好ましい。
次に、本発明の蛍光体の製造方法についてより具体的
に説明する。
に説明する。
まず、本発明の蛍光体の粒子表面に付着されるチタン
酸インジウム化合物を、次のようにして製造する。即
ち、InCl3、In（NO3）３、In2（SO4）３等と、TiCl4、T
i（NO3）４、Ti（SO4）２等とを、重炭酸アンモニウ
ム、シュウ酸、コハク酸、NH4OH等と反応させて共沈さ
せ、乾燥した後、600〜1800℃の温度で１〜12時間焼成
する。次に、必要に応じてガラスビーズミルを施し、水
洗およびふるい分けを行なった後、乾燥してふるい分け
し、粒径を５μｍ以下、好ましくは0.1〜２μｍに調整
する。InとTiのモル比は、Ti/In＝0.0005〜２で有効で
あるが、0.1〜1.5の範囲がより好ましい。なお、Inおよ
びTiの他に、Sn、Sb、Ｗ、Zn、Cd、NbおよびＫのうちの
少なくとも一種を加えて共沈させてもよい。なお、この
場合には、BaCO3、H3BO3等の融剤を用いて焼成してもよ
い。
酸インジウム化合物を、次のようにして製造する。即
ち、InCl3、In（NO3）３、In2（SO4）３等と、TiCl4、T
i（NO3）４、Ti（SO4）２等とを、重炭酸アンモニウ
ム、シュウ酸、コハク酸、NH4OH等と反応させて共沈さ
せ、乾燥した後、600〜1800℃の温度で１〜12時間焼成
する。次に、必要に応じてガラスビーズミルを施し、水
洗およびふるい分けを行なった後、乾燥してふるい分け
し、粒径を５μｍ以下、好ましくは0.1〜２μｍに調整
する。InとTiのモル比は、Ti/In＝0.0005〜２で有効で
あるが、0.1〜1.5の範囲がより好ましい。なお、Inおよ
びTiの他に、Sn、Sb、Ｗ、Zn、Cd、NbおよびＫのうちの
少なくとも一種を加えて共沈させてもよい。なお、この
場合には、BaCO3、H3BO3等の融剤を用いて焼成してもよ
い。
次に、以上のようにして得たチタン酸インジウム化合
物を蛍光体粒子表面に被覆する。この付着は、チタン酸
インジウム化合物と蛍光体とを、例えば水中で分散し、
HAC、NaOH等によりpH調整するか、又はアクリルエマル
ジョン等の有機化合物を接着剤として用いることにより
行なうことが出来る。
物を蛍光体粒子表面に被覆する。この付着は、チタン酸
インジウム化合物と蛍光体とを、例えば水中で分散し、
HAC、NaOH等によりpH調整するか、又はアクリルエマル
ジョン等の有機化合物を接着剤として用いることにより
行なうことが出来る。
本発明は、ZnS、（ZnCd）ＳまたはCdSを母体とし、A
g、Zn、Cu、AuおよびMnからなる群から選ばれた少なく
とも一種を付活剤とし、Cl、Br、Ｉ、Ｆ及びAlからなる
群から選ばれた少なくとも一種を第一の共付活剤とし、
Na、Ｋ、Li、Rb、Cs、Ga、In、Sn、Pb、Tb、Ce、Eu、
Ｂ、Ｐ、Ge、Si、Ti、Ba、Mg、Ca及びSrからなる群から
選ばれた少なくとも一種を第二の共付活剤とする硫化物
系蛍光体、ZnO、SnO2、In2O3、Al2O3、Y3Al5O12、Zn2Si
O4、Y3（Al・Ga）5O12、Y2O3、（Ｙ・Gd）2O3、Gd2O3、
La2O3、Y2SiO5またはYVO4を母体とし、Zn、Eu、Tb、C
e、Cr及びMnからなる群から選ばれた少なくとも一種を
付活剤とする酸化物、アルミネート又はシリケート系蛍
光体、Y2O2S、（Ｙ・Gd）2O2S、Gd2O2SまたはLa2O2Sを
母体とし、Eu、Tb、Dy及びPrからなる群から選ばれた少
なくとも一種を付活剤とする酸硫化物系蛍光体、または
（ZnCa）３（PO4）２若しくはLaPO4を母体とし、Mn、Ce
及びTbからなる群から選ばれた少なくとも一種を付活剤
とする燐酸塩系蛍光体等、低速電子線に用いられるすべ
ての蛍光体に適用可能である。
g、Zn、Cu、AuおよびMnからなる群から選ばれた少なく
とも一種を付活剤とし、Cl、Br、Ｉ、Ｆ及びAlからなる
群から選ばれた少なくとも一種を第一の共付活剤とし、
Na、Ｋ、Li、Rb、Cs、Ga、In、Sn、Pb、Tb、Ce、Eu、
Ｂ、Ｐ、Ge、Si、Ti、Ba、Mg、Ca及びSrからなる群から
選ばれた少なくとも一種を第二の共付活剤とする硫化物
系蛍光体、ZnO、SnO2、In2O3、Al2O3、Y3Al5O12、Zn2Si
O4、Y3（Al・Ga）5O12、Y2O3、（Ｙ・Gd）2O3、Gd2O3、
La2O3、Y2SiO5またはYVO4を母体とし、Zn、Eu、Tb、C
e、Cr及びMnからなる群から選ばれた少なくとも一種を
付活剤とする酸化物、アルミネート又はシリケート系蛍
光体、Y2O2S、（Ｙ・Gd）2O2S、Gd2O2SまたはLa2O2Sを
母体とし、Eu、Tb、Dy及びPrからなる群から選ばれた少
なくとも一種を付活剤とする酸硫化物系蛍光体、または
（ZnCa）３（PO4）２若しくはLaPO4を母体とし、Mn、Ce
及びTbからなる群から選ばれた少なくとも一種を付活剤
とする燐酸塩系蛍光体等、低速電子線に用いられるすべ
ての蛍光体に適用可能である。
上記酸化物系蛍光体としては、ZnO/Zn、SnO2/Eu、Y2O
3/En、Gd2O3/En、In2O3等があり、アルミネート系蛍光
体としては、Y3Al5O12/Tb、Y3（Al・Ga）5O12/Tb、Y3Al
5O12/Ce、Y3（Al・Ga）5O12/Ce等があり、シリケート系
蛍光体としては、Zn2SiO4/Mn、Zn2SiO4/Mn・As、Y2SiO5
/Yb等があり、酸硫化物系蛍光体としては、Y2O2S/Eu、Y
2O2S/Tb、Gd2O2S/Tb等があり、燐酸塩系蛍光体として
は、（Zn・Ca）３（PO4）2/Mn、Cd5Cl（PO4）3/Mn等が
ある。
3/En、Gd2O3/En、In2O3等があり、アルミネート系蛍光
体としては、Y3Al5O12/Tb、Y3（Al・Ga）5O12/Tb、Y3Al
5O12/Ce、Y3（Al・Ga）5O12/Ce等があり、シリケート系
蛍光体としては、Zn2SiO4/Mn、Zn2SiO4/Mn・As、Y2SiO5
/Yb等があり、酸硫化物系蛍光体としては、Y2O2S/Eu、Y
2O2S/Tb、Gd2O2S/Tb等があり、燐酸塩系蛍光体として
は、（Zn・Ca）３（PO4）2/Mn、Cd5Cl（PO4）3/Mn等が
ある。
（作用） In及びTiを炭酸塩、シュウ酸塩、コハク酸塩または水
酸化物として共沈させ、沈澱を焼成すると、粒子の形の
そろった、体色が黄白色のチタン酸インジウム化合物粉
末が得られる。このチタン酸インジウム化合物粉末によ
って低速電子線励起蛍光体を被覆することにより、チタ
ン酸インジウム化合物粉末は蛍光体表面に均一に付着
し、高輝度の低速電子線励起蛍光体が得られる。
酸化物として共沈させ、沈澱を焼成すると、粒子の形の
そろった、体色が黄白色のチタン酸インジウム化合物粉
末が得られる。このチタン酸インジウム化合物粉末によ
って低速電子線励起蛍光体を被覆することにより、チタ
ン酸インジウム化合物粉末は蛍光体表面に均一に付着
し、高輝度の低速電子線励起蛍光体が得られる。
（効果） 本発明によると、電子エネルギーが低い低速電子線に
よっても容易に発光する、従来の蛍光体に比べ大幅に輝
度が高い、低速電子線励起蛍光体が提供される。
よっても容易に発光する、従来の蛍光体に比べ大幅に輝
度が高い、低速電子線励起蛍光体が提供される。
［実施例］ 以下、本発明の種々の実施例を示し、本発明の効果を
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
実施例１ １モルのInCl3と１モルのTi（NO3）４とを含有する20
％水溶液を調製し、一方、シュウ酸の20％溶液を調製
し、これらを80℃の温度下で撹拌しながら反応させ、
（In・Ti）２（C2O4）３・xH2Oを共沈させた。沈澱を分
離した後、石英ルツボに充填し、900℃で10時間焼成し
た。焼成粉末をルツボから取出した後、水洗し、ふるい
分けして、粒径0.9μｍ、比重5.64のIn2TiO5粉末を得
た。
％水溶液を調製し、一方、シュウ酸の20％溶液を調製
し、これらを80℃の温度下で撹拌しながら反応させ、
（In・Ti）２（C2O4）３・xH2Oを共沈させた。沈澱を分
離した後、石英ルツボに充填し、900℃で10時間焼成し
た。焼成粉末をルツボから取出した後、水洗し、ふるい
分けして、粒径0.9μｍ、比重5.64のIn2TiO5粉末を得
た。
この粉末の顕微鏡写真（10,000倍）を第１図に示す。
一方、従来、導電性付与物質として用いられていたIn2O
3の顕微鏡写真（10,000倍）を第２図に示す。第１図と
第２図との比較から、本実施例で得たIn2TiO5の形状
は、In2O3に比較し丸いことがわかる。
一方、従来、導電性付与物質として用いられていたIn2O
3の顕微鏡写真（10,000倍）を第２図に示す。第１図と
第２図との比較から、本実施例で得たIn2TiO5の形状
は、In2O3に比較し丸いことがわかる。
第３図はIn2O3のＸ線回折図、第４図はTiO2のＸ線回
折図、第５図は以上のようにして得たIn2TiO5のＸ線回
折図である。第５図と第３図及び第４図との比較から、
本実施例で得たIn2TiO5は、明らかにIn2O3及びTiO2とは
異なる化合物であることがわかる。
折図、第５図は以上のようにして得たIn2TiO5のＸ線回
折図である。第５図と第３図及び第４図との比較から、
本実施例で得たIn2TiO5は、明らかにIn2O3及びTiO2とは
異なる化合物であることがわかる。
また、本実施例で得たIn2TiO5とIn2O3の反射率を測定
したところ、第６図に示す結果を得た。第６図におい
て、実線は本実施例で得たIn2TiO5の反射率を示し、破
線はIn2O3の反射率を示す。第６図のグラフから、本実
施例で得たIn2TiO5はIn2O3に比べ、より白い体色である
ことがわかる。
したところ、第６図に示す結果を得た。第６図におい
て、実線は本実施例で得たIn2TiO5の反射率を示し、破
線はIn2O3の反射率を示す。第６図のグラフから、本実
施例で得たIn2TiO5はIn2O3に比べ、より白い体色である
ことがわかる。
次に、以上のIn2TiO5120gと（ZnCd）S/Au・Alからな
る黄色発光蛍光体1kgとを2.5の水中で充分分散し、HA
CによりpH5に調整した後、分離および乾燥し、蛍光体粒
子表面にIn2TiO5が被覆された蛍光体を得た。一方、比
較のため、本実施例と同一の（ZnCd）S/Au・Al蛍光体に
平均粒径１μｍのIn2O3を12重量％混合して、蛍光体を
得た。
る黄色発光蛍光体1kgとを2.5の水中で充分分散し、HA
CによりpH5に調整した後、分離および乾燥し、蛍光体粒
子表面にIn2TiO5が被覆された蛍光体を得た。一方、比
較のため、本実施例と同一の（ZnCd）S/Au・Al蛍光体に
平均粒径１μｍのIn2O3を12重量％混合して、蛍光体を
得た。
以上の２種類の蛍光体について、低速電子線ディマン
タブル装置により、電圧50V、電流密度2mA/cm2の条件で
輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対輝
度は120％であり、従来のIn2O3を含む蛍光体の相対輝度
100％に対し20％高かった。
タブル装置により、電圧50V、電流密度2mA/cm2の条件で
輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対輝
度は120％であり、従来のIn2O3を含む蛍光体の相対輝度
100％に対し20％高かった。
次に、In2TiO5の被覆量、In2O3の混合量を種々変化さ
せて、それによる蛍光体の輝度の変化を測定した。その
結果を第７図に示帆。第７図において、実線は本実施例
で得たIn2TiO5を被覆した場合を示し、破線はIn2O3を混
合した場合を示す。第７図のグラフから、0.1〜25重量
％の被覆量において、本実施例の蛍光体は従来の蛍光体
に比べ、高い輝度を示すことがわかる。
せて、それによる蛍光体の輝度の変化を測定した。その
結果を第７図に示帆。第７図において、実線は本実施例
で得たIn2TiO5を被覆した場合を示し、破線はIn2O3を混
合した場合を示す。第７図のグラフから、0.1〜25重量
％の被覆量において、本実施例の蛍光体は従来の蛍光体
に比べ、高い輝度を示すことがわかる。
実施例２ 実施例１と同様にして調製された平均粒径1.2μｍのI
n2TiO5150gとZnS/Cu・Al,Liからなる緑色発光蛍光体1kg
とを2.5の水中で充分分散し、NaOHによりpH9に調製し
た後、分離および乾燥し、蛍光体粒子表面にIn2TiO5が
被覆された蛍光体を得た。一方、比較のため、本実施例
と同一のZnS/Cu・Al,Li発光蛍光体に平均粒径１μｍのI
n2O3を15重量％混合して、蛍光体を得た。
n2TiO5150gとZnS/Cu・Al,Liからなる緑色発光蛍光体1kg
とを2.5の水中で充分分散し、NaOHによりpH9に調製し
た後、分離および乾燥し、蛍光体粒子表面にIn2TiO5が
被覆された蛍光体を得た。一方、比較のため、本実施例
と同一のZnS/Cu・Al,Li発光蛍光体に平均粒径１μｍのI
n2O3を15重量％混合して、蛍光体を得た。
以上の２種類の蛍光体について、実施例１と同様にし
て輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対
輝度は115％であり、従来のn22O3を含む蛍光体の相対輝
度100％に対し15％高かった。
て輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対
輝度は115％であり、従来のn22O3を含む蛍光体の相対輝
度100％に対し15％高かった。
実施例３ 実施例１と同様にして調製された平均粒径２μｍのIn
2TiO5100gと、ZnS/Ag・Cl・Mg・Ｂからなる青色発光蛍
光体1kgと、２％K2SiO320ccとを水中で充分分散しなが
ら２％Al（NO3）210ccを加え、NH4OHによりpH7.0に調整
した後、分離および乾燥し、蛍光体粒子表面にIn2TiO5
が被覆された蛍光体を得た。一方、比較のため、本実施
例と同一のZnS/Ag・Cl・Mg・Ｂ蛍光体に平均粒径２μｍ
のIn2O3を10重量％混合して、蛍光体を得た。
2TiO5100gと、ZnS/Ag・Cl・Mg・Ｂからなる青色発光蛍
光体1kgと、２％K2SiO320ccとを水中で充分分散しなが
ら２％Al（NO3）210ccを加え、NH4OHによりpH7.0に調整
した後、分離および乾燥し、蛍光体粒子表面にIn2TiO5
が被覆された蛍光体を得た。一方、比較のため、本実施
例と同一のZnS/Ag・Cl・Mg・Ｂ蛍光体に平均粒径２μｍ
のIn2O3を10重量％混合して、蛍光体を得た。
以上の２種類の蛍光体について、実施例１と同様にし
て輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対
輝度は112％であり、従来のIn2O3を含む蛍光体の相対輝
度100％に対し12％高かった。
て輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対
輝度は112％であり、従来のIn2O3を含む蛍光体の相対輝
度100％に対し12％高かった。
実施例４ １モルのInCl4と、0.5モルのTi（NO3）４と、0.1モル
のSnCl2とを含有する20％水溶液を調製し、一方、シュ
ウ酸の20％溶液を調製し、これらを80℃の温度下で撹拌
しながら反応させ、（In・Ti）２（C2O4）３・xH2Oを共
沈させた。沈澱を分離した後、石英ルツボに充填し、90
0℃で2.5時間焼成した。焼成粉末をルツボから取出した
後、ガラスビーズミルを施して粉砕した後、水洗し、ふ
るい分けして、粒径0.5μｍのIn2TiSnO5粉末を得た。
のSnCl2とを含有する20％水溶液を調製し、一方、シュ
ウ酸の20％溶液を調製し、これらを80℃の温度下で撹拌
しながら反応させ、（In・Ti）２（C2O4）３・xH2Oを共
沈させた。沈澱を分離した後、石英ルツボに充填し、90
0℃で2.5時間焼成した。焼成粉末をルツボから取出した
後、ガラスビーズミルを施して粉砕した後、水洗し、ふ
るい分けして、粒径0.5μｍのIn2TiSnO5粉末を得た。
次に、以上のIn2TiSnO5160gとZnS/Znからなる青色発
光蛍光体1kgとを2.5の水中で充分撹拌しながら40％ア
クリルエマルジョン10ccを加え、HACによりpH5に調整し
た後、分離および乾燥し、蛍光体粒子表面にIn2TiSnO5
が被覆された蛍光体を得た。一方、比較のため、本実施
例と同一のZnS/Zn蛍光体に平均粒径0.6μｍのIn2O3を16
重量％混合して、蛍光体を得た。
光蛍光体1kgとを2.5の水中で充分撹拌しながら40％ア
クリルエマルジョン10ccを加え、HACによりpH5に調整し
た後、分離および乾燥し、蛍光体粒子表面にIn2TiSnO5
が被覆された蛍光体を得た。一方、比較のため、本実施
例と同一のZnS/Zn蛍光体に平均粒径0.6μｍのIn2O3を16
重量％混合して、蛍光体を得た。
以上の２種類の蛍光体について、低速電子線ディマン
タブル装置により、電圧30V、電流密度1mA/cm2の条件で
輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対輝
度は118％であり、従来のIn2O3を含む蛍光体の相対輝度
100％に対し18％高かった。
タブル装置により、電圧30V、電流密度1mA/cm2の条件で
輝度を測定したところ、本実施例に係る蛍光体の相対輝
度は118％であり、従来のIn2O3を含む蛍光体の相対輝度
100％に対し18％高かった。
次に、In2TiSnO5の被覆量、In2O3の混合量を種々変化
させて、それによる蛍光体の輝度の変化を測定した。そ
の結果を第８図に示す。第８図において、実線は本実施
例で得たIn2TiSnO5を被覆した場合を示し、破線はIn2O3
を混合した場合を示す。第８図のグラフから、0.1〜25
重量％の被覆量において、本実施例の蛍光体は従来の蛍
光体に比べ、高い輝度を示すことがわかる。
させて、それによる蛍光体の輝度の変化を測定した。そ
の結果を第８図に示す。第８図において、実線は本実施
例で得たIn2TiSnO5を被覆した場合を示し、破線はIn2O3
を混合した場合を示す。第８図のグラフから、0.1〜25
重量％の被覆量において、本実施例の蛍光体は従来の蛍
光体に比べ、高い輝度を示すことがわかる。
第１図は本発明の一実施例において得られたIn2TiO粉末
の粒子構造を示す顕微鏡写真図、第２図は従来のIn2O3
粉末の粒子構造を示す顕微鏡写真図、第３図はIn2O3の
Ｘ線回折図、第４図はTiO2のＸ線回折図、第５図はIn2T
iO5のＸ線回折図、第６図は本発明の一実施例に係る蛍
光体の反射率を示す特性図、第７図および第８図は、本
発明の蛍光体と従来の蛍光体の輝度を比較して示す特性
図。
の粒子構造を示す顕微鏡写真図、第２図は従来のIn2O3
粉末の粒子構造を示す顕微鏡写真図、第３図はIn2O3の
Ｘ線回折図、第４図はTiO2のＸ線回折図、第５図はIn2T
iO5のＸ線回折図、第６図は本発明の一実施例に係る蛍
光体の反射率を示す特性図、第７図および第８図は、本
発明の蛍光体と従来の蛍光体の輝度を比較して示す特性
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 11/62 9280−4Ｈ Ｃ０９Ｋ 11/62 11/64 9280−4Ｈ 11/64 11/66 9280−4Ｈ 11/66 11/71 ＣＰＷ 9280−4Ｈ 11/71 ＣＰＷ 11/78 9280−4Ｈ 11/78 11/79 9280−4Ｈ 11/79 11/80 ＣＰＭ 9280−4Ｈ 11/80 ＣＰＭ 11/81 9280−4Ｈ 11/81 11/82 ＣＱＡ 9280−4Ｈ 11/82 ＣＱＡ 11/84 ＣＰＤ 9280−4Ｈ 11/84 ＣＰＤ // Ｈ０１Ｊ 31/15 Ｈ０１Ｊ 31/15 Ｅ (56)参考文献 特開 昭56−11984（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−4887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−10875（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−10873（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−284583（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−105074（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】一般式In2TixMyO5（０＜ｘ≦４、０≦Ｙ≦
２、ＭはSn、Sb、Ｗ、Zn、Cd、Nb、およびＫからなる群
から選ばれた少なくとも一種を示す）で表わされる、粒
径が0.01〜５μｍのチタン酸インジウム化合物からなる
導電性付与物質粒子を、蛍光体粒子表面に0.1〜25重量
％被覆してなる低速電子線励起蛍光体。 - 【請求項２】前記蛍光体は、ZnS、（ZnCd）ＳまたはCdS
を母体とし、Ag、Zn、Cu、AuおよびMnからなる群から選
ばれた少なくとも一種を付活剤とし、Cl、Br、Ｉ、Ｆ及
びAlからなる群から選ばれた少なくとも一種を第一の共
付活剤とし、Na、Ｋ、Li、Rb、Cs、Ga、In、Sn、Pb、T
b、Ce、Eu、Ｂ、Ｐ、Ge、Si、Ti、Ba、Mg、Ca及びSrか
らなる群から選ばれた少なくとも一種を第二の共付活剤
とする硫化物系蛍光体、ZnO、SnO2、In2O3、Al2O3、Y3A
l5O12、Zn2SiO4、Y3（Al・Ga）5O12、Y2O3、（Ｙ・Gd）
2O3、Gd2O3、La2O3、Y2SiO5またはYVO4を母体とし、Z
n、Eu、Tb、Ce、Cr及びMnからなる群から選ばれた少な
くとも一種を付活剤とする酸化物、アルミネート又はシ
リケート系蛍光体、Y2O2S、（Ｙ・Gd）2O2S、Gd2O2Sま
たはLa2O2Sを母体とし、Eu、Tb、Dy及びPrからなる群か
ら選ばれた少なくとも一種を付活剤とする酸硫化物系蛍
光体、または（ZnCa）３（PO4）２またはLaPO4を母体と
し、Mn、Ce及びTbからなる群から選ばれた少なくとも一
種を付活剤とする燐酸塩系蛍光体である請求項１に記載
の低速電子線励起蛍光体。 - 【請求項３】In及びTiを炭酸塩、シュウ酸塩、コハク酸
塩または水酸化物として共沈させる工程、沈澱を焼成し
て、粒径が0.01〜５μｍのチタン酸インジウム化合物粉
末を得る工程、及びこのチタン酸インジウム化合物粉末
により低速電子線励起蛍光体を被覆する工程を具備する
低速電子線励起蛍光体の製造方法。 - 【請求項４】前記In及びTiに加え、さらにSn、Sb、Ｗ、
Zn、Cd、Nb、およびＫからなる群から選ばれた少なくと
も一種を共沈させる請求項３に記載の低速電子線励起蛍
光体の製造方法。 - 【請求項５】前記チタン酸インジウム化合物は、一般式
In2TixMyO5（０＜Ｘ≦４、０≦ｙ≦２、ＭはSn、Sb、
Ｗ、Zn、Cd、Nb、およびＫからなる群から選ばれた少な
くとも一種を示す）で表わされる請求項３または４に記
載の低速電子線励起蛍光体の製造方法。 - 【請求項６】前記沈澱の焼成は、600〜1800℃の温度で
１〜12時間行われる請求項３に記載の低速電子線励起蛍
光体の製造方法。 - 【請求項７】前記共沈させる工程は、In化合物及びTi化
合物を重炭酸アンモニウム、シュウ酸、コハク酸または
水酸化アンモニウムと反応させることにより行なわれる
請求項３に記載の低速電子線励起蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149602A JP2532586B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 低速電子線励起蛍光体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149602A JP2532586B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 低速電子線励起蛍光体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01318078A JPH01318078A (ja) | 1989-12-22 |
| JP2532586B2 true JP2532586B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=15478793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63149602A Expired - Lifetime JP2532586B2 (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 低速電子線励起蛍光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532586B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333185A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びその製造方法 |
| NL9200939A (nl) * | 1991-05-31 | 1992-12-16 | Hughes Aircraft Co | In het ver-rode gebied emitterend luminescerend materiaal voor kathodestraalbuizen. |
| KR100315106B1 (ko) * | 1994-07-26 | 2002-02-19 | 김순택 | 표시소자 |
| JP2001058820A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Sony Corp | 蛍光体組成物及びその製造方法、並びに、表示装置 |
| ES2283674T3 (es) | 2003-04-30 | 2007-11-01 | Centrum Fur Angewandte Nanotechnologie (Can) Gmbh | Nanoparticulas de cucleos/recubrimientos luminiscentes. |
| ATE346898T1 (de) * | 2003-04-30 | 2006-12-15 | Nanosolutions Gmbh | Kern-mantel nanoteilchen für (f) ret- testverfahren |
| WO2007086311A1 (en) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting material, light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
| WO2007086310A1 (en) | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting material, light emitting device, and electronic device |
| KR100766585B1 (ko) * | 2006-04-18 | 2007-10-11 | 장상구 | 표시소자용 형광체 및 그의 제조방법 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP63149602A patent/JP2532586B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01318078A (ja) | 1989-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5032316A (en) | Fluorescent composition | |
| JP2784255B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた放電ランプ | |
| JPH08504871A (ja) | 基体粒子上に発光組成物を被覆することによって製造される発光物質 | |
| EP0019710B1 (en) | Filter-coated phosphor | |
| JP2532586B2 (ja) | 低速電子線励起蛍光体及びその製造方法 | |
| US5369331A (en) | Pigment-attached blue-emitting phosphor and color cathode-ray tube | |
| JP2525649B2 (ja) | 発光組成物 | |
| JP3874508B2 (ja) | 蛍光体複合物 | |
| JP2656769B2 (ja) | 蛍光ランプ | |
| JPH0717901B2 (ja) | ホウ酸インジウム蛍光体および陰極線管 | |
| JP3425470B2 (ja) | 赤色発光組成物 | |
| JP3320762B2 (ja) | 青色顔料の製造方法及び顔料付青色発光蛍光体 | |
| JP3181635B2 (ja) | 蛍光体用青色顔料の製造方法及び顔料付青色発光蛍光体 | |
| JP3205085B2 (ja) | 青色顔料及び顔料付青色発光蛍光体 | |
| JP3007893B2 (ja) | 低速電子線用発光組成物 | |
| JPH0841454A (ja) | 希土類酸硫化物蛍光体発光組成物 | |
| JPS6121582B2 (ja) | ||
| JPS6243474B2 (ja) | ||
| JPH0794658B2 (ja) | 高演色性蛍光ランプ | |
| JPH07110942B2 (ja) | 発光組成物 | |
| JP4242732B2 (ja) | 赤色発光蛍光体および発光組成物 | |
| JPH0662945B2 (ja) | シリケート系蛍光体 | |
| JPS61243640A (ja) | 映像管 | |
| JPS6144116B2 (ja) | ||
| JPS6234079B2 (ja) |