JP2024502686A - 表示パネル、表示装置及び表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

本願は、表示パネル、表示装置及び表示パネルの製造方法を提供する。本願によれば、積層された複数のサブ金属層と積層された第１サブパッシベーション層及び第２サブパッシベーション層について、前記第１サブパッシベーション層は、金属層と第２サブパッシベーション層との間に設けられ、第１サブパッシベーション層は、材料が窒化ケイ素を含み、モリブデンチタン合金薄層の端部の非平坦領域を被覆することにより、パッシベーション層にクラックが発生することを回避するとともに、表示パネルの製造プロセスを簡略化し、コンタクトパッドの酸化を回避するなどの課題を達成することができる。【選択図】図１

Description

本願は、表示パネルの技術分野に関し、特に表示パネル、表示装置及び表示パネルの製造方法に関する。

インピーダンスを低減するために、サイズが大きい表示パネルの周辺のコンタクトパッド領域の金属には、銅金属が用いられるが、銅は、空気中で酸化又は腐食されやすい。この問題を解決するために、一般的に、一層の保護金属で銅コンタクトパッドを被覆させる。しかしながら、このような解決手段には、フォトマスクを増加させる必要がある。別の解決手段は、表示パネル全体の金属層を堆積する場合に、複数の金属層を堆積することに変更し、銅金属にモリブデンチタン合金（ＭｏＴｉ）を堆積することであり、このような解決手段には、フォトマスクを増加させる必要がない。

しかしながら、表示パネルの内部回路に対して、銅金属にモリブデンチタン合金を堆積するという解決手段を用いる場合、インピーダンスを低減するために、厚すぎるモリブデンチタン合金を用いることができない。薄いモリブデンチタン合金をエッチングする場合、モリブデンチタン合金薄層の端部に非平坦（Ｔｉｐ）の問題が発生する。非平坦の問題は、モリブデンチタン合金薄層と後続きの酸化ケイ素パッシベーション層とのボンディング箇所には、クラックが発生することを引き起こす。

したがって、現在、表示パネルの製造プロセスを簡略化し、コンタクトパッドの酸化を回避し、パッシベーション層のクラックを回避するなどの前記課題を同時に解決することが急務である。

本願の実施例は、従来の技術における表示パネルの製造プロセスを簡略化し、コンタクトパッドの酸化を回避し、パッシベーション層のクラックを回避するなどの課題を達成するために、表示パネル、表示装置及び表示パネルの製造方法を提供する。

本願の実施例によれば、表示領域及びフレーム領域を含む表示パネルであって、
基板と、
前記基板に設けられ、積層された複数のサブ金属層を含む金属層と、
前記金属層に設けられ、積層された第１サブパッシベーション層及び第２サブパッシベーション層を含むパッシベーション層であって、前記第１サブパッシベーション層が前記金属層と前記第２サブパッシベーション層との間に設けられるパッシベーション層と、を含み、
前記金属層は、前記表示領域において、ソース・ドレインパターンを含み、前記フレーム領域において、コンタクトパッドパターンを含み、
前記第１サブパッシベーション層の材料は、窒化ケイ素を含む表示パネルが提供される。

本願の他の実施例の表示パネルにおいて、前記第１サブパッシベーション層は、前記金属層を被覆し、前記第２サブパッシベーション層は、前記第１サブパッシベーション層を被覆し、前記第２サブパッシベーション層の材料は、酸化ケイ素を含む。

本願の他の実施例の表示パネルにおいて、前記第１サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍであり、前記第２サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍである。

本願の他の実施例の表示パネルにおいて、複数の前記サブ金属層は、第１サブ金属層と、前記第１サブ金属層を被覆する第２サブ金属層と、前記第２サブ金属層を被覆し、材料がモリブデンチタン合金を含む第３サブ金属層と、を含む。

本願の他の実施例の表示パネルにおいて、前記第１サブ金属層の材料は、モリブデンチタン合金を含み、前記第２サブ金属層の材料は、銅を含む。

本願の他の実施例の表示パネルにおいて、前記第１サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さく、前記第２サブ金属層の厚さは、４００ｎｍ～８００ｎｍであり、前記第３サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さい。

本願の他の実施例の表示パネルにおいて、前記表示パネルは、前記パッシベーション層に設けられる平坦化層と、前記平坦化層に設けられる発光素子と、をさらに含む。

別の態様では、本願によれば、表示領域及びフレーム領域を含む表示パネルと、フレキシブル回路基板を介して前記表示パネルに接続された駆動アセンブリとを含む表示装置であって、
前記表示パネルは、
基板と、
前記基板に設けられ、積層された複数のサブ金属層を含む金属層と、
前記金属層に設けられ、積層された第１サブパッシベーション層及び第２サブパッシベーション層を含むパッシベーション層であって、前記第１サブパッシベーション層が前記金属層と前記第２サブパッシベーション層との間に設けられるパッシベーション層と、をさらに含み、
前記金属層は、前記表示領域において、ソース・ドレインパターンを含み、前記フレーム領域において、コンタクトパッドパターンを含み、
前記第１サブパッシベーション層の材料は、窒化ケイ素を含み、
前記フレキシブル回路基板は、前記表示パネルの前記コンタクトパッドパターンに接続される表示装置が提供される。

本願の他の実施例の表示装置において、前記第１サブパッシベーション層は、前記金属層を被覆し、前記第２サブパッシベーション層は、前記第１サブパッシベーション層を被覆し、前記第２サブパッシベーション層の材料は、酸化ケイ素を含む。

本願の他の実施例の表示装置において、前記第１サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍであり、前記第２サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍである。

本願の他の実施例の表示装置において、複数の前記サブ金属層は、第１サブ金属層と、前記第１サブ金属層を被覆する第２サブ金属層と、前記第２サブ金属層を被覆し、材料がモリブデンチタン合金を含む第３サブ金属層と、を含む。

本願の他の実施例の表示装置において、前記第１サブ金属層の材料は、モリブデンチタン合金を含み、前記第２サブ金属層の材料は、銅を含む。

本願の他の実施例の表示装置において、前記第１サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さく、前記第２サブ金属層の厚さは、４００ｎｍ～８００ｎｍであり、前記第３サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さい。

本願の他の実施例の表示装置において、前記表示パネルは、
前記パッシベーション層に設けられる平坦化層と、
前記平坦化層に設けられる発光素子と、をさらに含む。

別の態様では、本願によれば、
基板を提供するステップと、
積層された複数のサブ金属層を含む金属層を基板に堆積するステップと、
前記金属層に対してパターン化処理を行って、ソース・ドレインパターンとコンタクトパッドパターンを形成するステップと、
前記ソース・ドレインパターンと前記コンタクトパッドパターンに第１サブパッシベーション層を堆積するステップと、
材料が窒化ケイ素を含む前記第１サブパッシベーション層に第２サブパッシベーション層を堆積ステップと、を含む表示パネルの製造方法が提供される。

本願の他の実施例の表示パネルの製造方法において、複数の前記サブ金属層は、第１サブ金属層と、前記第１サブ金属層を被覆する第２サブ金属層と、前記第２サブ金属層を被覆し、材料がモリブデンチタン合金を含む第３サブ金属層と、を含む。

本願の有益な効果は、以下のとおりである。本願に係る前記表示パネル、前記表示装置及び前記表示パネルの製造方法によれば、積層された複数のサブ金属層と積層された第１サブパッシベーション層及び第２サブパッシベーション層とでは、前記第１サブパッシベーション層は、金属層と第２サブパッシベーション層との間に設けられ、第１サブパッシベーション層は、材料が窒化ケイ素を含み、モリブデンチタン合金薄層の端部の非平坦領域を被覆することにより、パッシベーション層にクラックが発生することを回避するとともに、表示パネルの製造プロセスを簡略化し、コンタクトパッドの酸化を回避するなどの課題を達成することができる。

以下、図面を参照しながら、本願の具体的な実施形態を詳細に説明することにより、本願の技術手段及び他の有益な効果を明らかにする。

本願の実施例に係る表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係る表示装置の構造概略図である。 本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のフローチャートである。 本願の実施例に係る基板の構造概略図である。 本願の実施例に係る製造中の表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係るさらに別の製造中の表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係るまたさらに別の製造中の表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。 本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。

本明細書に開示された具体的な構造及び機能の詳細は、代表的なものに過ぎず、本願の例示的な実施例を説明するためのものである。しかしながら、本願は、多くの代替形態により具体的に実現することができ、本明細書に説明された実施例に限定されるものと解釈されるべきではない。

なお、本願の説明において、用語「中心」、「横方向」、「上」、「下」、「左」、「右」、「垂直」、「水平」、「頂部」、「底部」、「内」、「外」などで示す方位又は位置関係は、図面に示す方位又は位置関係に基づくものであり、本願を容易に説明し説明を簡略化するためのものに過ぎず、示された装置又は部品が特定の方位を有するとともに、特定の方位で構成されて動作しなければならないことを示すか又は示唆するものではないため、本願を限定するものであると理解すべきではない。また、用語「第１」、「第２」は、単に目的を説明するためのものであり、相対的な重要性を指示するか又は示唆し、或いは指示された技術的特徴の数を暗示的に指示すると理解すべきではない。これにより、「第１」、「第２」と限定された特徴は、１つ以上の当該特徴を明示的又は暗示的に含んでよい。本願の説明において、特別な説明がない限り、「複数」は、２つ以上を意味する。また、用語「含む」及びそのいかなる変形は、非排他的な包含をカバーすることを意図する。

なお、本発明の説明において、別に明確な規定及び限定を有しない限り、用語「取付」、「連結」、「接続」は、広義に理解されるべきであり、例えば、支持接続、取り外し可能な接続、一体的な接続であってもよく、機械的な接続であってもよく、電気的な接続であってもよく、直接的な接続、中間媒体を介した接続であってもよく、２つの部品の間の連通であってもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて本願における前記用語の具体的な意味を理解することができる。

なお、本明細書で用いられる用語は、具体的な実施例を説明するためのものに過ぎず、例示的な実施例を制限することを意図していない。文脈から明確に示さない限り、本明細書で用いられる単数表現の「１つ」、「一項」は、複数の場合をも含むことを意図する。本明細書等で用いられる用語「含む」及び／又は「包含」は、記載された特徴、整数、ステップ、操作、ユニット及び／又は構成要素の存在を規定し、１つ以上の他の特徴、整数、ステップ、操作、ユニット、構成要素及び／又はその組み合わせをさらに存在させるか又は追加することは、排除されないと理解すべきである。

以下、図面及び実施例を参照しながら、本願をさらに説明する。

図１に示すように、図１は、本願の実施例に係る表示パネルの構造概略図である。本願の実施例に係る表示領域ＡＡ及びフレーム領域ＢＡを含む表示パネル１００は、
基板ＳＢと、
前記基板ＳＢに設けられ、積層された複数のサブ金属層を含む金属層ＭＬと、
前記金属層ＭＬに設けられ、積層された第１サブパッシベーション層ＰＶ１及び第２サブパッシベーション層ＰＶ２を含むパッシベーション層ＰＶであって、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１が金属層ＭＬと第２サブパッシベーション層ＰＶ２との間に設けられるパッシベーション層ＰＶと、を含み、
前記金属層ＭＬは、前記表示領域ＡＡにおいて、ソース・ドレインパターンＳＤＰを含み、前記フレーム領域ＢＡにおいて、コンタクトパッドパターンＢＰを含み、
前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１の材料は、窒化ケイ素を含む。

具体的には、前記基板ＳＢの材料は、ガラス、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）又はＢＴ樹脂板（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ、ＢＴ）を含む。

具体的には、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１は、材料が窒化ケイ素を含み、優れた段差被覆率（Ｓｔｅｐ Ｃｏｖｅｒａｇｅ）を有するため、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１の下方の金属層ＭＬの端部に非平坦（Ｔｉｐ）領域を有しても、当該非平坦領域をよく被覆することができ、パッシベーション層と金属層ＭＬとの間に隙間又はクラックが発生することを回避するとともに、本実施例において積層された複数のサブ金属層を用いるため、１つのマスクを用いてソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰを形成し、表示パネルの製造プロセスを簡略化することができる。

具体的には、段差被覆率（Ｓｔｅｐ Ｃｏｖｅｒａｇｅ）の一般的な計算方法は、堆積物で被覆された表面積を、被覆しようとする総表面積で割ることである。

本願の他の実施例の表示パネル１００において、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１は、前記金属層ＭＬを被覆する。前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２は、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１を被覆する。前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２の材料は、酸化ケイ素を含む。

本願の他の実施例の表示パネル１００において、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍであり、前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍである。

本願の他の実施例の表示パネル１００において、前記複数のサブ金属層は、第１サブ金属層ＭＬ１と、前記第１サブ金属層ＭＬ１を被覆する第２サブ金属層ＭＬ２と、前記第２サブ金属層ＭＬ２を被覆し、材料がモリブデンチタン合金（ＭｏＴｉ）を含む第３サブ金属層ＭＬ３と、を含む。

具体的には、前記第３サブ金属層ＭＬ３の材料がモリブデンチタン合金を含むため、ソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰをエッチングして形成するプロセスにおいて、第３サブ金属層ＭＬ３の端部又は縁部には、非平坦領域が発生しやすい。したがって、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１は、材料が窒化ケイ素を用い、優れた段差被覆率（Ｓｔｅｐ Ｃｏｖｅｒａｇｅ）を有する。前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１の下方の第３サブ金属層ＭＬ３の端部に非平坦領域を有しても、当該非平坦領域をよく被覆することができる。そして、パッシベーション層と金属層ＭＬとの間に隙間又はクラックが発生することを回避することができる。同時に、本実施例において積層された複数のサブ金属層を用いるため、１つのマスクを用いてソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰを形成し、表示パネルの製造プロセスを簡略化することができる。

本願の他の実施例の表示パネル１００において、前記第１サブ金属層ＭＬ１の材料は、モリブデンチタン合金（ＭｏＴｉ）を含み、前記第２サブ金属層ＭＬ２の材料は、銅を含む。

具体的には、銅の導電性が高い。大型の表示パネルにモリブデンチタン合金を配線として用いると、非常に高い回線インピーダンスをもたらす。したがって、依然として導電性が高い金属、例えば、銅を配線の材料として用いる必要がある。しかしながら、銅は、空気に曝されると、酸化されて導電性が低下しやすい。１つのマスクを用いて金属層ＭＬをエッチングしてソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰを形成すると、コンタクトパッドパターンＢＰは、フレキシブル回路基板との圧着又は溶接を待つ過程において、空気に曝されて酸化される。したがって、本実施例において複数のサブ金属層が用いられ、前記第２サブ金属層ＭＬ２は、前記第１サブ金属層ＭＬ１を被覆する。前記第３サブ金属層ＭＬ３は、前記第２サブ金属層ＭＬ２を被覆する。第２サブ金属層ＭＬ２の材料は、銅を含み、第３サブ金属層ＭＬ３の材料は、モリブデンチタン合金を含む。酸化されにくいモリブデンチタン合金を材料とする第３サブ金属層ＭＬ３が銅を材料とする第２サブ金属層ＭＬ２を被覆することにより、コンタクトパッドの酸化を回避することができる。

本願の他の実施例の表示パネル１００において、前記第１サブ金属層ＭＬ１の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さく、前記第２サブ金属層ＭＬ２の厚さは、４００ｎｍ～８００ｎｍであり、前記第３サブ金属層ＭＬ３の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さい。

具体的には、前記第２サブ金属層ＭＬ２の材料は、銅であり、厚い前記第２サブ金属層ＭＬ２を用いると、配線のインピーダンスが低いことを保証し、大型の表示パネルの輝度均一性に影響を与えることを回避することができる。

本願の他の実施例の表示パネル１００において、前記表示パネル１００は、前記パッシベーション層ＰＶに設けられる平坦化層ＰＬＮと、前記平坦化層ＰＬＮに設けられる発光素子ＬＤと、をさらに含む。

具体的には、前記発光素子ＬＤは、例えば、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）、マイクロ発光ダイオード（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）又はサブミクロン発光ダイオード（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ｍｉｎｉ ＬＥＤ）である。本願の前記発光素子ＬＤは、有機発光ダイオードを例として、積層されたアノードＡＮ、有機発光層ＥＬ及びカソードＣＡを含むが、本願はこれに限定されない。

本願の他の実施例の表示パネル１００は、前記表示領域ＡＡに設けられる駆動トランジスタＴＲをさらに含む。前記ソース・ドレインパターンＳＤＰは、前記駆動トランジスタＴＲの前記ソースＳＥ、ドレインＤＥを形成する。

具体的には、本願の図面は、有機発光ダイオードを例とし、前記ドレインＤＥは、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）を材料として形成された導電層により接続され、導電層の他端には、有機発光ダイオードのアノードＡＮが形成される。

具体的には、本願の他の実施例の表示パネル１００は、基板ＳＢと、前記基板ＳＢに設けられる遮光金属層ＳＬと、前記遮光金属層ＳＬを被覆する緩衝層ＢＦと、前記緩衝層ＢＦに設けられる活性層と、を含む。前記活性層は、半導体チャネルのパターンＣＰ及び前記チャネルのパターンＣＰの両側のオーミックコンタクト層ＯＬを含む。前記チャネルのパターンＣＰは、ゲート絶縁層ＧＩで被覆される。前記ゲート絶縁層ＧＩには、ゲートＧＥが設けられる。層間絶縁層ＩＬＤは、前記ゲートＧＥ、前記ゲート絶縁層ＧＩ及び前記活性層を被覆する。ドレインＤＥ、ソースＳＥは、前記層間絶縁層ＩＬＤを貫通して前記オーミックコンタクト層ＯＬに接触する。コンタクトパッドパターンＢＰとソース・ドレインパターンＳＤＰは、同じ製造プロセスで形成された金属層ＭＬであり、積層された第１サブ金属層ＭＬ１、第２サブ金属層ＭＬ２及び第３サブ金属層ＭＬ３を含む。第１サブパッシベーション層ＰＶ１は、前記金属層ＭＬを被覆し、第２サブパッシベーション層ＰＶ２は、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１を被覆し、平坦化層ＰＬＮは、前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２に設けられ、アノードＡＮは、前記平坦化層ＰＬＮ、前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２及び前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１を貫通して前記ドレインＤＥに接触する。画素定義層ＰＤＬは、前記平坦化層ＰＬＮ及び一部の前記アノードＡＮに設けられる。有機発光層ＥＬは、前記アノードＡＮの上方に位置するように前記画素定義層ＰＤＬの開孔内に設けられる。カソードＣＡは、前記有機発光層ＥＬを被覆する。保護層ＣＯＶは、前記カソードＣＡ及び前記画素定義層ＰＤＬを被覆する。

図２は、本願の実施例に係る表示装置の構造概略図である。図２に示すように、別の態様では、本願によれば、前記いずれか一項に記載の表示パネル１００と、フレキシブル回路基板２００を介して前記表示パネル１００の前記コンタクトパッドパターンＢＰに接続された駆動アセンブリ３００とを含む表示装置ＤＤが提供される。

具体的には、前記フレキシブル回路基板２００は、半田により前記コンタクトパッドパターンＢＰに接続される。前記フレキシブル回路基板２００は、異方性導電性接着剤（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ、ＡＣＦ）により前記コンタクトパッドパターンＢＰに接続されてもよく、本願はこれに限定されない。

図３に示すように、図３は、本願の実施例に係る表示パネルの製造方法のフローチャートである。別の態様では、本願によれば、
基板を提供するステップＳ１００と、
積層された複数のサブ金属層を含む金属層を基板に堆積するステップＳ２００と、
前記金属層に対してパターン化処理を行って、ソース・ドレインパターンとコンタクトパッドパターンを形成するステップＳ３００と、
前記ソース・ドレインパターンと前記コンタクトパッドパターンに第１サブパッシベーション層を堆積するステップＳ４００と、
前記第１サブパッシベーション層に第２サブパッシベーション層を堆積するステップＳ５００と、を含む表示パネルの製造方法が提供される。

前記第１サブパッシベーション層の材料は、窒化ケイ素を含む。

具体的には、図４は、本願の実施例に係る基板の構造概略図である。図４に示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法において、ステップＳ１００で提供する前記基板ＳＢは、前記基板ＳＢに設けられる遮光金属層ＳＬと、前記遮光金属層ＳＬを被覆する緩衝層ＢＦと、前記緩衝層ＢＦに設けられる活性層と、をさらに含む。前記活性層は、半導体チャネルのパターンＣＰ及び前記チャネルのパターンＣＰの両側のオーミックコンタクト層ＯＬを含む。前記チャネルのパターンＣＰは、ゲート絶縁層ＧＩで被覆される。前記ゲート絶縁層ＧＩには、ゲートＧＥが設けられる。層間絶縁層ＩＬＤは、前記ゲートＧＥ、前記ゲート絶縁層ＧＩ及び前記活性層を被覆する。

具体的には、図５ａは、本願の実施例に係る製造中の表示パネルの構造概略図である。図５ｂは、本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。図５ａ及び図５ｂに示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法において、ステップＳ２００では、基板に金属層ＭＬを堆積し、具体的には、以下を含む。まず、図５ａに示すように、層間絶縁層ＩＬＤにソースＳＥ、ドレインＤＥを設けるための開孔をエッチングする。次に、図５ｂに示すように、金属層ＭＬを堆積する。本願の他の実施例の表示パネルの製造方法において、前記複数のサブ金属層は、第１サブ金属層ＭＬ１と、前記第１サブ金属層ＭＬ１を被覆する第２サブ金属層ＭＬ２と、前記第２サブ金属層ＭＬ２を被覆し、材料がモリブデンチタン合金を含む第３サブ金属層ＭＬ３と、を含む。

具体的には、図５ｂに示すように、ステップＳ２００では、金属層ＭＬを堆積するステップは、具体的には、第１サブ金属層ＭＬ１、第２サブ金属層ＭＬ２及び第３サブ金属層ＭＬ３を順に堆積するステップを含む。

具体的には、図６は、本願の実施例に係るさらに別の製造中の表示パネルの構造概略図である。図６に示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法において、ステップ３００では、前記金属層ＭＬに対してパターン化処理を行って、ソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰを形成する。

具体的には、第３サブ金属層ＭＬ３をエッチングした後に、第３サブ金属層ＭＬ３の端部又は縁部には、非平坦領域が発生する可能性がある。非平坦領域の発生は、第３サブ金属層ＭＬ３の厚さ及び材料に関連する。

具体的には、前記第３サブ金属層ＭＬ３の材料は、モリブデンチタン合金を含む。前記第１サブ金属層ＭＬ１の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さく、前記第２サブ金属層ＭＬ２の厚さは、４００ｎｍ～８００ｎｍであり、前記第３サブ金属層ＭＬ３の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さい。

具体的には、前記第２サブ金属層ＭＬ２の材料は、銅であり、厚い前記第２サブ金属層ＭＬ２を用いると、配線のインピーダンスが低いことを保証し、大型の表示パネルの輝度均一性に影響を与えることを回避することができる。

具体的には、銅の導電性は高い。大型の表示パネルにモリブデンチタン合金を配線として用いると、非常に高い回線インピーダンスをもたらす。したがって、依然として導電性が高い金属、例えば、銅を配線の材料として用いる必要がある。しかしながら、銅は、空気に曝されると、酸化されて導電性が低下しやすい。１つのマスクを用いて金属層ＭＬをエッチングしてソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰを形成すると、コンタクトパッドパターンＢＰは、フレキシブル回路基板との圧着又は溶接を待つ過程において、空気に曝されて酸化される。したがって、本実施例において複数のサブ金属層が用いられ、前記第２サブ金属層ＭＬ２は、前記第１サブ金属層ＭＬ１を被覆する。前記第３サブ金属層ＭＬ３は、前記第２サブ金属層ＭＬ２を被覆する。前記第２サブ金属層ＭＬ２の材料は、銅を含み、前記第３サブ金属層ＭＬ３の材料は、モリブデンチタン合金を含む。酸化されにくいモリブデンチタン合金を材料とする第３サブ金属層ＭＬ３を、銅を材料とする第２サブ金属層ＭＬ２に被覆することにより、コンタクトパッドの酸化を回避することができる。

具体的には、図７は、本願の実施例に係るまたさらに別の製造中の表示パネルの構造概略図である。図７に示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法において、ステップ４００では、前記ソース・ドレインパターンＳＤＰと前記コンタクトパッドパターンＢＰに第１サブパッシベーション層ＰＶ１を堆積する。ステップ５００では、材料が窒化ケイ素を含む前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１に第２サブパッシベーション層ＰＶ２を堆積する。

具体的には、前記第３サブ金属層ＭＬ３の材料がモリブデンチタン合金を含むため、ソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰをエッチングして形成するプロセスにおいて、第３サブ金属層ＭＬ３の端部又は縁部には、非平坦領域が発生しやすい。したがって、前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１は、材料が窒化ケイ素を用い、優れた段差被覆率（Ｓｔｅｐ Ｃｏｖｅｒａｇｅ）を有する。前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１の下方の第３サブ金属層ＭＬ３の端部に非平坦領域を有しても、当該非平坦領域をよく被覆することができる。パッシベーション層と金属層ＭＬとの間に隙間又はクラックが発生することを回避する。同時に、本実施例において積層された複数のサブ金属層を用いるため、１つのマスクを用いてソース・ドレインパターンＳＤＰとコンタクトパッドパターンＢＰを形成し、表示パネルの製造プロセスを簡略化することができる。

図８は、本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。図８に示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法は、前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２及び前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１をエッチングし、ドレインＤＥに連通する開孔を形成するステップをさらに含む。

図９は、本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。図９に示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法は、前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２に平坦化層ＰＬＮを堆積するステップをさらに含む。

図１０は、本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。図１０に示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法は、平坦化層ＰＬＮをエッチングしてドレインＤＥに連通する開孔を形成し、導電層を堆積し、かつパターン化して、ドレインＤＥに接続されたアノードＡＮを形成するステップをさらに含む。具体的には、前記導電層の材料は酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）を含む。

図１１は、本願の実施例に係る別の製造中の表示パネルの構造概略図である。図１１に示すように、本願の他の実施例の表示パネルの製造方法は、画素定義層ＰＤＬを設け、かつ前記平坦化層ＰＬＮ、前記第２サブパッシベーション層ＰＶ２及び前記第１サブパッシベーション層ＰＶ１をエッチングして前記コンタクトパッドパターンＢＰを露出させるステップをさらに含む。前記画素定義層ＰＤＬは、一部のアノードＡＮを露出させる。前記コンタクトパッドパターンＢＰは、露出され、次にフレキシブル回路基板に接続されやすくなる。コンタクトパッドパターンＢＰは、積層された前記第１サブ金属層ＭＬ１、前記第２サブ金属層ＭＬ２及び前記第３サブ金属層ＭＬ３を含む。最も表面に位置する前記第３サブ金属層ＭＬ３は、モリブデンチタン合金を用いるため、下方の銅を材料とする前記第２サブ金属層ＭＬ２が酸化されないように保護することができる。

本願に係る前記表示パネル１００、前記表示装置ＤＤ及び前記表示パネルの製造方法によれば、積層された複数のサブ金属層と、積層された第１サブパッシベーション層及び第２サブパッシベーション層では、前記第１サブパッシベーション層は、金属層と第２サブパッシベーション層との間に設けられ、第１サブパッシベーション層は、材料が窒化ケイ素を含み、モリブデンチタン合金薄層の端部の非平坦領域を被覆することにより、パッシベーション層にクラックが発生することを回避するとともに、表示パネルの製造プロセスを簡略化し、コンタクトパッドの酸化を回避するなどの課題を達成することができる。

以上、本願の実施例に係る前記表示パネル、前記表示装置及び前記表示パネルの製造方法を詳細に説明する。

以上の各操作の具体的な実施は、前の実施例を参照することができ、ここで説明を省略する。

以上より、本願では好ましい実施例を前述のとおり開示したが、前記好ましい実施例は、本願を限定するものではなく、当業者であれば、本願の精神及び領域から逸脱しない範囲内で様々な変形や修飾を行うことができるため、本願の保護範囲は、特許請求の範囲で限定された内容を基準とする。

Claims (16)

1. 表示領域及びフレーム領域を含む表示パネルであって、
   基板と、
   前記基板に設けられ、積層された複数のサブ金属層を含む金属層と、
   前記金属層に設けられ、積層された第１サブパッシベーション層及び第２サブパッシベーション層を含むパッシベーション層であって、前記第１サブパッシベーション層が前記金属層と前記第２サブパッシベーション層との間に設けられるパッシベーション層と、を含み、
   前記金属層は、前記表示領域において、ソース・ドレインパターンを含み、前記フレーム領域において、コンタクトパッドパターンを含み、
   前記第１サブパッシベーション層の材料は、窒化ケイ素を含む、
   表示パネル。
2. 前記第１サブパッシベーション層は、前記金属層を被覆し、
   前記第２サブパッシベーション層は、前記第１サブパッシベーション層を被覆し、
   前記第２サブパッシベーション層の材料は、酸化ケイ素を含む、
   請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記第１サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍであり、
   前記第２サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍである、
   請求項２に記載の表示パネル。
4. 複数の前記サブ金属層は、
   第１サブ金属層と、
   前記第１サブ金属層を被覆する第２サブ金属層と、
   前記第２サブ金属層を被覆し、材料がモリブデンチタン合金を含む第３サブ金属層と、を含む、
   請求項２に記載の表示パネル。
5. 前記第１サブ金属層の材料は、モリブデンチタン合金を含み、
   前記第２サブ金属層の材料は、銅を含む、
   請求項４に記載の表示パネル。
6. 前記第１サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さく、
   前記第２サブ金属層の厚さは、４００ｎｍ～８００ｎｍであり、
   前記第３サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さい、
   請求項５に記載の表示パネル。
7. 前記パッシベーション層に設けられる平坦化層と、
   前記平坦化層に設けられる発光素子と、をさらに含む、
   請求項１に記載の表示パネル。
8. 表示領域及びフレーム領域を含む表示パネルと、フレキシブル回路基板を介して前記表示パネルに接続された駆動アセンブリと、を含む表示装置であって、
   前記表示パネルは、
   基板と、
   前記基板に設けられ、積層された複数のサブ金属層を含む金属層と、
   前記金属層に設けられ、積層された第１サブパッシベーション層及び第２サブパッシベーション層を含むパッシベーション層であって、前記第１サブパッシベーション層が前記金属層と前記第２サブパッシベーション層との間に設けられるパッシベーション層と、をさらに含み、
   前記金属層は、前記表示領域において、ソース・ドレインパターンを含み、前記フレーム領域において、コンタクトパッドパターンを含み、
   前記第１サブパッシベーション層の材料は、窒化ケイ素を含み、
   前記フレキシブル回路基板は、前記表示パネルの前記コンタクトパッドパターンに接続される、
   表示装置。
9. 前記第１サブパッシベーション層は、前記金属層を被覆し、
   前記第２サブパッシベーション層は、前記第１サブパッシベーション層を被覆し、
   前記第２サブパッシベーション層の材料は、酸化ケイ素を含む、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第１サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍであり、
    前記第２サブパッシベーション層の厚さは、１００ｎｍ～３００ｎｍである、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 複数の前記サブ金属層は、
    第１サブ金属層と、
    前記第１サブ金属層を被覆する第２サブ金属層と、
    前記第２サブ金属層を被覆し、材料がモリブデンチタン合金を含む第３サブ金属層と、を含む、
    請求項９に記載の表示装置。
12. 前記第１サブ金属層の材料は、モリブデンチタン合金を含み、
    前記第２サブ金属層の材料は、銅を含む、
    請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さく、
    前記第２サブ金属層の厚さは、４００ｎｍ～８００ｎｍであり、
    前記第３サブ金属層の厚さは、０より大きく、かつ１００ｎｍより小さい、
    請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記表示パネルは、
    前記パッシベーション層に設けられる平坦化層と、
    前記平坦化層に設けられる発光素子と、をさらに含む、
    請求項８に記載の表示装置。
15. 基板を提供するステップと、
    積層された複数のサブ金属層を含む金属層を基板に堆積するステップと、
    前記金属層に対してパターン化処理を行って、ソース・ドレインパターンとコンタクトパッドパターンを形成するステップと、
    前記ソース・ドレインパターンと前記コンタクトパッドパターンとに第１サブパッシベーション層を堆積するステップと、
    材料が窒化ケイ素を含む前記第１サブパッシベーション層に第２サブパッシベーション層を堆積するステップと、を含む、
    表示パネルの製造方法。
16. 複数の前記サブ金属層は、
    第１サブ金属層と、
    前記第１サブ金属層を被覆する第２サブ金属層と、
    前記第２サブ金属層を被覆し、材料がモリブデンチタン合金を含む第３サブ金属層と、を含む、
    請求項１５に記載の表示パネルの製造方法。

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