CN114188388A - 显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 - Google Patents

显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法 Download PDF

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CN114188388A CN202111501116.XA CN202111501116A CN114188388A CN 114188388 A CN114188388 A CN 114188388A CN 202111501116 A CN202111501116 A CN 202111501116A CN 114188388 A CN114188388 A CN 114188388A
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Abstract

本申请提供一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法。本申请通过层叠的多层子金属层以及层叠的第一子钝化层及第二子钝化层,所述第一子钝化层设置在金属层与第二子钝化层之间,其中,第一子钝化层的材料包括氮化硅,覆盖钼钛合金薄层末端的不平整区域,避免钝化层出现裂缝,同时解决显示面板制程简化以及接垫氧化等问题。

Description

显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,具体涉及一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法。
背景技术
大尺寸显示面板外围接垫区域金属为了降低阻抗采用铜金属。但铜在空气中易被氧化或腐蚀。为了解决这个问题,一般采用一层保护金属覆盖在铜接垫上面。但这种方案需增加光罩。另一种解决方案是在沉积整个显示面板的金属层时,改为沉积多层金属,在铜金属上沉积钼钛合金(MoTi),这种方案无需增加光罩。
但在显示面板的内部线路使用在铜金属上沉积钼钛合金的方案中,为了降低阻抗,不能采用太厚的钼钛合金。在刻蚀较薄的钼钛合金时,钼钛合金薄层末端会出现不平整(Tip)的问题。不平整的问题会导致钼钛合金薄层与后续氧化硅钝化层的搭接出现裂缝。
因此,目前急需能够同时解决上述显示面板制程简化、避免接垫氧化以及避免钝化层裂缝等问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法,以解决现有技术的显示面板制程简化、避免接垫氧化以及避免钝化层裂缝等问题。
本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括显示区和边框区,所述显示面板包括:
基板;
设置于所述基板上的金属层,包括层叠的多层子金属层;以及
设置于所述金属层上的钝化层,包括层叠的第一子钝化层及第二子钝化层,所述第一子钝化层设置在金属层与第二子钝化层之间,其中,所述金属层在所述显示区包括源漏极图案,所述金属层在所述边框区包括接垫图案,所述第一子钝化层的材料包括氮化硅。
在本申请的一些实施例的显示面板中,所述第一子钝化层覆盖于所述金属层上,所述第二子钝化层覆盖于所述第一子钝化层上,所述第二子钝化层的材料包括氧化硅。
在本申请的一些实施例的显示面板中,所述第一子钝化层的厚度为100nm至300nm,所述第二子钝化层的厚度为100nm至300nm。
在本申请的一些实施例的显示面板中,所述多层子金属层包括第一子金属层、第二子金属层以及第三子金属层,其中,所述第二子金属层覆盖于所述第一子金属层上,所述第三子金属层覆盖于所述第二子金属层上,所述第三子金属层的材料包括钼钛合金。
在本申请的一些实施例的显示面板中,所述第一子金属层的材料包括钼钛合金,所述第二子金属层的材料包括铜。
在本申请的一些实施例的显示面板中,所述第一子金属层的厚度大于零且小于100nm,所述第二子金属层的厚度为400nm至800nm,所述第三子金属层的厚度大于零且小于100nm。
在本申请的一些实施例的显示面板中,所述显示面板还包括平坦化层,设置于所述钝化层上;发光组件,设置于所述平坦化层上。
在另一方面,本申请提供一种显示装置,所述显示装置包括上述任一所述的显示面板,以及通过柔性电路板连接于所述显示面板的所述接垫的驱动组件。
在另一方面,本申请提供一种显示面板的制作方法,包括步骤:
提供一基板;
在基板上沉积金属层,所述金属层包括层叠的多层子金属层;
对所述金属层进行图案化处理,形成源漏极图案及接垫图案;
在所述源漏极图案及所述接垫图案上沉积第一子钝化层;
在所述第一子钝化层上沉积第二子钝化层,其中,所述第一子钝化层的材料包括氮化硅。
在本申请的一些实施例的显示面板的制作方法中,所述多层子金属层包括第一子金属层、第二子金属层以及第三子金属层,其中,所述第二子金属层覆盖于所述第一子金属层上,所述第三子金属层覆盖于所述第二子金属层上,所述第三子金属层的材料包括钼钛合金。
本申请至少具有下列优点:
本申请提供的所述显示面板、所述显示装置以及所述显示面板的制作方法,通过层叠的多层子金属层以及层叠的第一子钝化层及第二子钝化层,所述第一子钝化层设置在金属层与第二子钝化层之间,其中,第一子钝化层的材料包括氮化硅,覆盖钼钛合金薄层末端的不平整区域,避免钝化层出现裂缝,同时解决显示面板制程简化以及接垫氧化等问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;
图2是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图;
图4是本申请实施例提供的基板的结构示意图;
图5a是本申请实施例提供的制作中的显示面板结构示意图;
图5b是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图;
图6是本申请实施例提供的又一制作中的显示面板结构示意图;
图7是本申请实施例提供的再一制作中的显示面板结构示意图;
图8是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图;
图9是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图;
图10是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图;以及
图11是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属本申请保护的范围。
请参照图1,图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。本申请实施例提供一种显示面板100,所述显示面板包括显示区AA和边框区BA,所述显示面板100包括:
基板SB;
设置于所述基板SB上的金属层ML,包括层叠的多层子金属层;以及
设置于所述金属层ML上的钝化层PV,包括层叠的第一子钝化层PV1及第二子钝化层PV2,所述第一子钝化层PV1设置在金属层与ML第二子钝化层PV2之间,其中,所述金属层ML在所述显示区AA包括源漏极图案SDP,所述金属层ML在所述边框区BA包括接垫图案BP,所述第一子钝化层PV1的材料包括氮化硅。
具体的,所述基板SB的材料包括玻璃、印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)或BT树脂板(Bismaleimide Triazine,BT)。
具体的,由于所述第一子钝化层PV1的材料包括氮化硅,具有较佳的台阶覆盖率(Step Coverage),因此即使所述第一子钝化层PV1下方的金属层ML末端具有不平整(Tip)区域也能覆盖的很好,避免钝化层与金属层ML之间出现间隙或裂缝,同时,由于本实施例采用层叠的多层子金属层,因此可以使用一个掩模来形成源漏极图案SDP与接垫图案BP,简化显示面板的制程。
具体的,台阶覆盖率(Step Coverage)一般的算法为被沉积物覆盖到的表面积除以预备覆盖的总表面积。
在本申请的一些实施例的显示面板100中,所述第一子钝化层PV1覆盖于所述金属层ML上,所述第二子钝化层PV2覆盖于所述第一子钝化层PV1上,所述第二子钝化层PV2的材料包括氧化硅。
在本申请的一些实施例的显示面板100中,所述第一子钝化层PV1的厚度为100nm至300nm,所述第二子钝化层PV2的厚度为100nm至300nm。
在本申请的一些实施例的显示面板100中,所述多层子金属层包括第一子金属层ML1、第二子金属层ML2以及第三子金属层ML3,其中,所述第二子金属层ML2覆盖于所述第一子金属层ML1上,所述第三子金属层ML3覆盖于所述第二子金属层ML2上,所述第三子金属层ML3的材料包括钼钛合金(MoTi)。
具体的,由于所述第三子金属层ML3的材料包括钼钛合金,容易在蚀刻形成源漏极图案SDP与接垫图案BP的过程,在第三子金属层ML3的末端或边缘产生不平整区域。因此,所述第一子钝化层PV1的材料采用氮化硅,具有较佳的台阶覆盖率(Step Coverage)。即使所述第一子钝化层PV1下方的第三子金属层ML3末端具有不平整区域也能覆盖的很好。避免钝化层与金属层ML之间出现间隙或裂缝。同时,由于本实施例采用层叠的多层子金属层,因此可以使用一个掩模来形成源漏极图案SDP与接垫图案BP,简化显示面板的制程。
在本申请的一些实施例的显示面板100中,所述第一子金属层ML1的材料包括钼钛合金(MoTi),所述第二子金属层ML2的材料包括铜。
具体的,铜的导电性较佳。如果在大型显示面板使用钼钛合金做为走线,会导致极高的线路阻抗。因此,仍需要使用导电性较好的金属,例如铜,作为走线的材料。但是铜若曝露在空气中,容易被氧化而导致电性不佳。若以一个掩模来蚀刻金属层ML形成源漏极图案SDP与接垫图案BP,则接垫图案BP在等待与柔性电路板压接或焊接的过程中,会曝露在空气中而被氧化。因此本实施例采用多层子金属层,其中所述第二子金属层ML2覆盖于所述第一子金属层ML1上。所述第三子金属层ML3覆盖于所述第二子金属层ML2上。所述第二子金属层ML2的材料包括铜而所述第三子金属层ML3的材料包括钼钛合金。使用较不易被氧化的钼钛合金作为第三子金属层ML覆盖于以铜为材料的第二子金属层ML2,可以避免接垫氧化的问题。
在本申请的一些实施例的显示面板100中,所述第一子金属层ML1的厚度大于零且小于100nm,所述第二子金属层ML2的厚度为400nm至800nm,所述第三子金属层ML3的厚度大于零且小于100nm。
具体的,所述第二子金属层ML2的材料为铜,使用较厚的所述第二子金属层ML2可以保证走线较低的阻抗,避免影响大型显示面板的亮度均匀性。
在本申请的一些实施例的显示面板100中,所述显示面板100还包括平坦化层PLN,设置于所述钝化层PV上;发光组件LD,设置于所述平坦化层PLN上。
具体的,所述发光组件LD,例如为有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode,OLED)、微发光二极管(Micro Light Emitting Diode,micro LED)或次微米发光二极管(Mini Light Emitting Diode,mini LED)。本申请的所述发光组件LD以有机发光二极管为例,包括层叠的阳极AN、有机发光层EL及阴极CA,但本申请不限于此。
在本申请的一些实施例的显示面板100中,所述显示面板100还包括设置于所述显示区AA的驱动晶体管TR,其中,所述源漏极图案SDP形成所述驱动晶体管TR的所述源极SE、漏极DE。
具体的,以本申请的图式以有机发光二极管为例,所述漏极DE通过以氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)为材料形成的导电层连接,导电层的另一端形成有机发光二极管的阳极AN。
具体的,本申请的一些实施例的显示面板100,包括基板SB,设置于所述基板SB上的遮光金属层SL,覆盖于所述遮光金属层SL上的缓冲层BF,设置于所述缓冲层BF上的主动层,其中,所述主动层包括半导体信道图案CP及所述信道图案CP两侧的奥姆接触层OL,所述信道图案CP上方覆盖栅极绝缘层GI,所述栅极绝缘层GI上设置栅极GE,层间绝缘层ILD覆盖于所述栅极GE、所述栅极绝缘层GI及所述主动层,漏极DE、源极SE穿过所述层间绝缘层ILD接触所述奥姆接触层OL,接垫图案BP与源漏极图案SDP为在同一制程中形成的金属层ML,包括层叠的第一子金属层ML1、第二子金属层ML2及第三子金属层ML3,第一子钝化层PV1覆盖所述金属层ML,第二子钝化层PV2覆盖所述第一子钝化层PV1,平坦化层PLN设置于所述第二子钝化层PV2上,阳极AN穿过所述平坦化层PLN、所述第二子钝化层PV2及所述第一子钝化层PV1接触所述漏极DE,像素定义层PDL设置于所述平坦化层PLN及部分所述阳极AN上。有机发光层EL设置于所述像素定义层PDL的开孔内,位于所述阳极AN上方,阴极CA覆盖所述有机发光层EL,保护层GOV覆盖所述阴极CA及所述像素定义层PDL。
请参照图2,图2是本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。在另一方面,本申请提供一种显示装置DD,所述显示装置DD包括上述任一所述的显示面板100,以及通过柔性电路板200连接于所述显示面板100的所述接垫BP的驱动组件300。
具体的,所述柔性电路板200通过焊锡与所述接垫BP连接。所述柔性电路板200也可以通过异方性导电胶(Anisotropic Conductive Film,ACF)与所述接垫BP连接,本申请不限于此。
请参照图3,图3是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。在另一方面,本申请提供一种显示面板的制作方法,包括步骤:
S100:提供一基板;
S200:在基板上沉积金属层,所述金属层包括层叠的多层子金属层;
S300:对所述金属层进行图案化处理,形成源漏极图案及接垫图案;
S400:在所述源漏极图案及所述接垫图案上沉积第一子钝化层;
S500:在所述第一子钝化层上沉积第二子钝化层。
其中,所述第一子钝化层的材料包括氮化硅。
具体的,请参照图4,图4是本申请实施例提供的基板的结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法中,步骤S100提供的所述基板SB上还包括:设置于所述基板SB上的遮光金属层SL,覆盖于所述遮光金属层SL上的缓冲层BF,设置于所述缓冲层BF上的主动层,其中,所述主动层包括半导体信道图案CP及所述信道图案CP两侧的奥姆接触层OL,所述信道图案CP上方覆盖栅极绝缘层GI,所述栅极绝缘层GI上设置栅极GE,层间绝缘层ILD覆盖于所述栅极GE、所述栅极绝缘层GI及所述主动层。
具体的,请参照图5a及图5b,图5a是本申请实施例提供的制作中的显示面板结构示意图。图5b是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法中,步骤S200:在基板上沉积金属层ML,具体包括先在层间绝缘层ILD蚀刻出供源极SE、漏极DE设置的开孔,如图5a所示。接着再沉积金属层ML,如图5b所示。在本申请的一些实施例的显示面板的制作方法中,所述多层子金属层包括第一子金属层ML1、第二子金属层ML2以及第三子金属层ML3,其中,所述第二子金属层ML2覆盖于所述第一子金属层ML1上,所述第三子金属层ML3覆盖于所述第二子金属层ML2上,所述第三子金属层ML3的材料包括钼钛合金。
具体的,步骤S200中沉积金属层ML的步骤,具体包括依序沉积第一子金属层ML1、第二子金属层ML2及第三子金属层ML3,如图5b所示。
具体的,请参照图6,图6是本申请实施例提供的又一制作中的显示面板结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法中,步骤300:对所述金属层ML进行图案化处理,形成源漏极图案SDP及接垫图案BP。
具体的,第三子金属层ML3蚀刻后可能在第三子金属层ML3的末端或边缘产生不平整区域。不平整区域的产生与第三子金属层ML3的厚度及材料相关。
具体的,所述第三子金属层ML3的材料包括钼钛合金。所述第一子金属层ML1的厚度大于零且小于100nm,所述第二子金属层ML2的厚度为400nm至800nm,所述第三子金属层ML3的厚度大于零且小于100nm。
具体的,所述第二子金属层ML2的材料为铜,使用较厚的所述第二子金属层ML2可以保证走线较低的阻抗,避免影响大型显示面板的亮度均匀性。
具体的,铜的导电性较佳。如果在大型显示面板使用钼钛合金做为走线,会导致极高的线路阻抗。因此,仍需要使用导电性较好的金属,例如铜,作为走线的材料。但是铜若曝露在空气中,容易被氧化而导致电性不佳。若以一个掩模来蚀刻金属层ML形成源漏极图案SDP与接垫图案BP,则接垫图案BP在等待与柔性电路板压接或焊接的过程中,会曝露在空气中而被氧化。因此本实施例采用多层子金属层,其中所述第二子金属层ML2覆盖于所述第一子金属层ML1上。所述第三子金属层ML3覆盖于所述第二子金属层ML2上。所述第二子金属层ML2的材料包括铜而所述第三子金属层ML3的材料包括钼钛合金。使用较不易被氧化的钼钛合金作为第三子金属层ML覆盖于以铜为材料的第二子金属层ML2,可以避免接垫氧化的问题。
具体的,请参照图7,图7是本申请实施例提供的再一制作中的显示面板结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法中,步骤400:在所述源漏极图案SDP及所述接垫图案BP上沉积第一子钝化层PV1。以及步骤500:在所述第一子钝化层PV1上沉积第二子钝化层PV2,其中,所述第一子钝化层的材料包括氮化硅。
具体的,由于所述第三子金属层ML3的材料包括钼钛合金,容易在蚀刻形成源漏极图案SDP与接垫图案BP的过程,在第三子金属层ML3的末端或边缘产生不平整区域。因此,所述第一子钝化层PV1的材料采用氮化硅,具有较佳的台阶覆盖率(Step Coverage)。即使所述第一子钝化层PV1下方的第三子金属层ML3末端具有不平整区域也能覆盖的很好。避免钝化层与金属层ML之间出现间隙或裂缝。同时,由于本实施例采用层叠的多层子金属层,因此可以使用一个掩模来形成源漏极图案SDP与接垫图案BP,简化显示面板的制程。
请参照图8,图8是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法还包括蚀刻所述第二子钝化层PV2及所述第一子钝化层PV1,形成连通至漏极DE的开孔。
请参照图9,图9是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法还包括在所述第二子钝化层PV2上沉积平坦化层PLNo
请参照图10,图10是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法还包括蚀刻平坦化层PLN形成连通至漏极DE的开孔,沉积并图案化导电层,形成连接至漏极DE的阳极AN。具体的,所述导电层材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)。
请参照图11,图11是本申请实施例提供的另一制作中的显示面板结构示意图。本申请的一些实施例的显示面板的制作方法还包括设置像素定义层PDL,并蚀刻所述平坦化层PLN、所述第二子钝化层PV2及所述第一子钝化层PV1以曝露出所述接垫图案BP,其中,所述像素定义层PDL曝露出部分阳极AN。所述接垫图案BP曝露出来以便后续与柔性电路板连接,由于接垫图案BP包含层叠的所述第一子金属层ML1、所述第二子金属层ML2及所述第三子金属层ML3,最表面的所述第三子金属层ML3采用钼钛合金,可以保护下方以铜为材料的所述第二子金属层ML2不被氧化。
本申请提供的所述显示面板100、所述显示装置DD以及所述显示面板的制作方法,通过层叠的多层子金属层以及层叠的第一子钝化层及第二子钝化层,所述第一子钝化层设置在金属层与第二子钝化层之间,其中,第一子钝化层的材料包括氮化硅,覆盖钼钛合金薄层末端的不平整区域,避免钝化层出现裂缝,同时解决显示面板制程简化以及接垫氧化等问题。
以上对本申请实施例所提供的所述显示面板、所述显示装置以及所述显示面板的制作方法进行了详细介绍。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和边框区,所述显示面板包括:
基板;
设置于所述基板上的金属层,包括层叠的多层子金属层;以及
设置于所述金属层上的钝化层,包括层叠的第一子钝化层及第二子钝化层,所述第一子钝化层设置在金属层与第二子钝化层之间,其中,所述金属层在所述显示区包括源漏极图案,所述金属层在所述边框区包括接垫图案,所述第一子钝化层的材料包括氮化硅。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子钝化层覆盖于所述金属层上,所述第二子钝化层覆盖于所述第一子钝化层上,所述第二子钝化层的材料包括氧化硅。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一子钝化层的厚度为100nm至300nm,所述第二子钝化层的厚度为100nm至300nm。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述多层子金属层包括第一子金属层、第二子金属层以及第三子金属层,其中,所述第二子金属层覆盖于所述第一子金属层上,所述第三子金属层覆盖于所述第二子金属层上,所述第三子金属层的材料包括钼钛合金。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一子金属层的材料包括钼钛合金,所述第二子金属层的材料包括铜。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一子金属层的厚度大于零且小于100nm,所述第二子金属层的厚度为400nm至800nm,所述第三子金属层的厚度大于零且小于100nm。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
平坦化层,设置于所述钝化层上;
发光组件,设置于所述平坦化层上。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至权利要求7任一所述的显示面板,以及通过柔性电路板连接于所述显示面板的所述接垫的驱动组件。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供一基板;
在基板上沉积金属层,所述金属层包括层叠的多层子金属层;
对所述金属层进行图案化处理,形成源漏极图案及接垫图案;
在所述源漏极图案及所述接垫图案上沉积第一子钝化层;
在所述第一子钝化层上沉积第二子钝化层,其中,所述第一子钝化层的材料包括氮化硅。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述多层子金属层包括第一子金属层、第二子金属层以及第三子金属层,其中,所述第二子金属层覆盖于所述第一子金属层上,所述第三子金属层覆盖于所述第二子金属层上,所述第三子金属层的材料包括钼钛合金。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019080223A1 (zh) * 2017-10-23 2019-05-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN110676222A (zh) * 2019-10-10 2020-01-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板的制造方法、显示基板和显示装置
CN111129104A (zh) * 2020-01-16 2020-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板制程方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8237163B2 (en) * 2008-12-18 2012-08-07 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for display device and method for fabricating the same
KR102068956B1 (ko) * 2012-02-15 2020-01-23 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터, 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법
CN109427817B (zh) * 2017-08-30 2020-09-15 瀚宇彩晶股份有限公司 薄膜晶体管基板以及显示器
CN111682044B (zh) * 2020-07-10 2022-04-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN112002823A (zh) * 2020-08-11 2020-11-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019080223A1 (zh) * 2017-10-23 2019-05-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制作方法
CN110676222A (zh) * 2019-10-10 2020-01-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板的制造方法、显示基板和显示装置
CN111129104A (zh) * 2020-01-16 2020-05-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示面板制程方法

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