JP2024177528A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI899193B (zh) * 2020-04-30 2025-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及電漿處理裝置
CN116034454A (zh) * 2021-04-28 2023-04-28 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法
JP7099675B1 (ja) 2021-07-27 2022-07-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよびプラズマ処理装置
KR20240033271A (ko) * 2021-07-27 2024-03-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 에칭 프로그램 및 플라즈마 처리 장치
KR102646804B1 (ko) * 2021-08-25 2024-03-12 주식회사 테스 실리콘 질화물층을 포함하는 기판을 처리하는 방법
JP7667060B2 (ja) * 2021-10-22 2025-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム
JP7674223B2 (ja) * 2021-11-01 2025-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム
JP7348672B2 (ja) * 2021-12-03 2023-09-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム
KR20250056202A (ko) * 2022-08-22 2025-04-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 기판 처리 시스템
TW202548916A (zh) * 2023-12-14 2025-12-16 日商東京威力科創股份有限公司 被覆膜形成方法、電漿處理方法及電漿處理裝置
KR20250124941A (ko) * 2024-02-14 2025-08-21 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168914A (ja) * 1992-05-13 1994-06-14 Tokyo Electron Ltd エッチング処理方法
JPH07147273A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Tokyo Electron Ltd エッチング処理方法
KR100518606B1 (ko) * 2003-12-19 2005-10-04 삼성전자주식회사 실리콘 기판과 식각 선택비가 큰 마스크층을 이용한리세스 채널 어레이 트랜지스터의 제조 방법
US8058179B1 (en) * 2008-12-23 2011-11-15 Novellus Systems, Inc. Atomic layer removal process with higher etch amount
KR101200139B1 (ko) * 2009-09-02 2012-11-13 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 실리콘 함유막의 에칭 방법
JP6180824B2 (ja) * 2013-07-02 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US9824865B2 (en) * 2014-03-05 2017-11-21 Lam Research Corporation Waferless clean in dielectric etch process
JP6423643B2 (ja) 2014-08-08 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 多層膜をエッチングする方法
JP6393574B2 (ja) * 2014-10-09 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2016225567A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
US9922840B2 (en) * 2015-07-07 2018-03-20 Applied Materials, Inc. Adjustable remote dissociation
WO2017123423A1 (en) * 2016-01-13 2017-07-20 Applied Materials, Inc. Hydrogen plasma based cleaning process for etch hardware
JP6689159B2 (ja) * 2016-08-22 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびｄｒａｍキャパシタの製造方法
US10607850B2 (en) * 2016-12-30 2020-03-31 American Air Liquide, Inc. Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures
US20180286707A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 Lam Research Corporation Gas additives for sidewall passivation during high aspect ratio cryogenic etch
JP7109165B2 (ja) * 2017-05-30 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6952542B2 (ja) * 2017-06-21 2021-10-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP6948181B2 (ja) * 2017-08-01 2021-10-13 東京エレクトロン株式会社 多層膜をエッチングする方法
US11075084B2 (en) * 2017-08-31 2021-07-27 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Chemistries for etching multi-stacked layers
JP7158252B2 (ja) * 2018-02-15 2022-10-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
KR102741055B1 (ko) * 2018-02-15 2024-12-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치
JP6952866B2 (ja) * 2018-03-02 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 ３次元半導体記憶装置の製造方法
JP7366918B2 (ja) * 2018-03-16 2023-10-23 ラム リサーチ コーポレーション 誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質

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