JP2024161537A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4296272A4 (en) * 2021-02-22 2024-12-04 Nissan Chemical Corporation THIN FILM SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
EP4644398A1 (en) * 2023-02-13 2025-11-05 Daikin Industries, Ltd. Surface treatment agent
JP7830373B2 (ja) * 2023-03-01 2026-03-16 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法
WO2025121364A1 (ja) * 2023-12-08 2025-06-12 日産化学株式会社 積層体の製造方法、及び半導体素子の製造方法
WO2025142834A1 (ja) * 2023-12-25 2025-07-03 日産化学株式会社 積層体の製造方法、及び半導体素子の製造方法
WO2025154662A1 (ja) * 2024-01-18 2025-07-24 日産化学株式会社 シリコン含有下層膜形成用組成物
TW202603503A (zh) * 2024-03-27 2026-01-16 日商日產化學股份有限公司 積層體之製造方法、及半導體元件之製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050214674A1 (en) 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
KR101436336B1 (ko) * 2005-12-06 2014-09-01 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 광가교 경화의 레지스트 하층막을 형성하기 위한 규소 함유레지스트 하층막 형성 조성물
US7759253B2 (en) * 2006-08-07 2010-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and material for forming a double exposure lithography pattern
FI123292B (fi) * 2011-06-14 2013-01-31 Silecs Oy Silaanimonomeerit ja niistä saatavat korkean taitekertoimen omaavat polymeerit
TWI618985B (zh) * 2011-08-10 2018-03-21 日產化學工業股份有限公司 具有碸構造之含矽阻劑底層膜形成組成物
JP6163770B2 (ja) * 2012-03-07 2017-07-19 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
KR102044968B1 (ko) * 2012-04-23 2019-12-05 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 첨가제를 포함하는 규소함유 euv레지스트 하층막 형성 조성물
WO2014058061A1 (ja) * 2012-10-11 2014-04-17 日産化学工業株式会社 光分解性材料、基板及びそのパターニング方法
JP6196190B2 (ja) * 2014-07-08 2017-09-13 信越化学工業株式会社 多層膜形成方法及びパターン形成方法
JP6250514B2 (ja) * 2014-10-03 2017-12-20 信越化学工業株式会社 塗布型bpsg膜形成用組成物、基板、及びパターン形成方法
US10838303B2 (en) * 2015-01-30 2020-11-17 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film forming composition for lithography containing hydrolyzable silane having carbonate skeleton
JP6786783B2 (ja) * 2015-09-30 2020-11-18 Jsr株式会社 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成組成物及びパターン形成方法

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