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|---|---|---|---|---|
| JP3456204B2 (ja) * | 2001-01-09 | 2003-10-14 | 日立金属株式会社 | 磁気式エンコーダー |
| US5158933A (en) * | 1990-11-15 | 1992-10-27 | Holtz Ronald L | Phase separated composite materials |
| JPH06122973A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透明電極薄膜形成方法 |
| US5513040B1 (en) * | 1994-11-01 | 1998-02-03 | Deposition Technology Inc | Optical device having low visual light transmission and low visual light reflection |
| JP2835322B2 (ja) * | 1997-02-20 | 1998-12-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スパッタリング用電源装置および該装置を用いたスパッタリング装置 |
| US5919342A (en) * | 1997-02-26 | 1999-07-06 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing golden titanium nitride |
| US6229652B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-05-08 | The Regents Of The University Of California | High reflectance and low stress Mo2C/Be multilayers |
| US6620298B1 (en) | 1999-04-23 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetron sputtering method and apparatus |
| JP3784203B2 (ja) | 1999-04-23 | 2006-06-07 | 松下電器産業株式会社 | マグネトロンスパッタ方法と装置 |
| JP3939132B2 (ja) | 2000-11-22 | 2007-07-04 | Ｈｏｙａ株式会社 | 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法 |
| US6737201B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-05-18 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and production method thereof as well as production method of semiconductor device |
| JP2002323599A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-08 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡の製造方法及び露光装置 |
| AU2003222669A1 (en) * | 2002-04-22 | 2003-11-03 | Yazaki Corporation | Electrical connectors incorporating low friction coatings and methods for making them |
| JP2004137552A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜スパッタリングのためのガス供給方法 |
| US7355337B2 (en) * | 2002-12-27 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Display panel, electronic apparatus with the same, and method of manufacturing the same |
| US20040159538A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Hans Becker | Photo mask blank, photo mask, method and apparatus for manufacturing of a photo mask blank |
| TWI244120B (en) * | 2003-03-28 | 2005-11-21 | Hoya Corp | Method of manufacturing a mask blank |
| JP2004331998A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 多層膜成膜方法、反射鏡及び露光装置 |
| JP2004342867A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
| US20050150758A1 (en) * | 2004-01-09 | 2005-07-14 | Yakshin Andrey E. | Processes and device for the deposition of films on substrates |
| JP2005290464A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Canon Inc | スパッタリング装置及び方法 |
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| US7504185B2 (en) | 2005-10-03 | 2009-03-17 | Asahi Glass Company, Limited | Method for depositing multi-layer film of mask blank for EUV lithography and method for producing mask blank for EUV lithography |
| JP4354519B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2009-10-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| JP4958147B2 (ja) | 2006-10-18 | 2012-06-20 | Ｈｏｙａ株式会社 | 露光用反射型マスクブランク及び露光用反射型マスク、多層反射膜付き基板、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP2007148424A (ja) * | 2007-01-30 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| JP5167050B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-03-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法およびマスクの製造方法 |
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| US9134604B2 (en) * | 2013-08-30 | 2015-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask |
| JP6601118B2 (ja) * | 2014-10-20 | 2019-11-06 | Ａｇｃ株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ならびに、その検査方法および製造方法 |
| US9818442B2 (en) * | 2014-12-01 | 2017-11-14 | WD Media, LLC | Magnetic media having improved magnetic grain size distribution and intergranular segregation |
| JP6499440B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2019-04-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| JP6805674B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2020-12-23 | 豊田合成株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP7263908B2 (ja) * | 2018-06-13 | 2023-04-25 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| US12001132B2 (en) * | 2018-08-17 | 2024-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Protection layer on low thermal expansion material (LTEM) substrate of extreme ultraviolet (EUV) mask |
| KR20220122614A (ko) * | 2019-12-27 | 2022-09-02 | 에이지씨 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크 및 그들의 제조 방법 |
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