JP2022109262A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022109262A JP2022109262A JP2022068644A JP2022068644A JP2022109262A JP 2022109262 A JP2022109262 A JP 2022109262A JP 2022068644 A JP2022068644 A JP 2022068644A JP 2022068644 A JP2022068644 A JP 2022068644A JP 2022109262 A JP2022109262 A JP 2022109262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- display
- display panel
- light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 72
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 72
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 243
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 32
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 25
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 18
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 101000921780 Solanum tuberosum Cysteine synthase Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133608—Direct backlight including particular frames or supporting means
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/46—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character is selected from a number of characters arranged one behind the other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法
、を一例として挙げることができる。
置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様
である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等
を含む)、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
リクス状に配置し、画素電極の各々に接続するスイッチング素子としてトランジスタを用
いたアクティブマトリクス型液晶表示装置が注目を集めている。
領域とするトランジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が知られている。
(特許文献1及び特許文献2)
が知られている。
Diode)などのバックライトを用い、液晶の光学変調作用を利用して、バックライト
からの光が液晶を透過して液晶表示装置外部に出力される状態と、出力されない状態とを
選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行うも
のである。
素電極で反射して装置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力されない状態と
を選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行う
ものである。反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライト
を使用しないため、消費電力が少ないといった長所を有する。
ブレット端末、携帯ゲーム機等では、持ち歩きやすいコンパクトな形状とすることと、視
認性向上のため表示部を広くすることの両立が求められている。
化も求められる。さらに、外光の強い環境下と、外光の少ない環境下の両方において、高
い視認性が求められている。
の一とする。または、表示装置の消費電力を低減することを課題の一とする。または、使
用環境によらず、高い表示品位で映像を表示することを課題の一とする。または、曲げら
れる表示装置を提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供するこ
とを課題の一とする。
とを有し、第2の表示パネルは第1の表示パネルよりも面積が大きく、また可撓性を有し
、第2の表示パネル上に第1の表示パネルが接着されていることを特徴とする。
装置であって、第2の表示パネルの面積は、第1の表示パネルの面積よりも大きく、第1
の表示パネルは、第1の基板と、第2の基板と、第1の基板と第2の基板の間に位置する
反射型の液晶素子および第1のトランジスタと、を有し、第2の表示パネルは、可撓性を
有する第1の樹脂層と、可撓性を有する第2の樹脂層と、第1の樹脂層と第2の樹脂層の
間に位置する発光素子および第2のトランジスタと、を有し、液晶素子は、第2の基板側
に光を反射する機能を有し、発光素子は、第2の樹脂層側に光を発する機能を有し、第1
の基板と、第2の樹脂層の一部とは、接着層により接着される、表示装置。
の表示パネルの表示部と、第2の表示パネルの第1の表示部は重畳してもよい。
線を有することが好ましい。
ルが形成されることが好ましい。
板であることが好ましい。
る機能を有することが好ましい。
きる。または、表示装置の消費電力を低減することができる。または、使用環境によらず
、高い表示品位で映像を表示することができる。または、曲げられる表示装置を提供する
ことができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
めに付すものであり、数的に限定するものではない。
するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、
IGFET(Insulated Gate Field Effect Transi
stor)や薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)
を含む。
酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む)
、酸化物半導体(Oxide Semiconductorまたは単にOSともいう)な
どに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属
酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用
、及びスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物
半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶこ
とができる。また、OS FETと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半
導体を有するトランジスタと換言することができる。
de)と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物(met
al oxynitride)と呼称してもよい。
)、及びCAC(cloud aligned complementary)と記載す
る場合がある。なお、CAACは結晶構造の一例を表し、CACは機能、または材料の構
成の一例を表す。
材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では
半導体としての機能を有する。なお、CAC-OSまたはCAC-metal oxid
eを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子(ま
たはホール)を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能で
ある。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッ
チングさせる機能(On/Offさせる機能)をCAC-OSまたはCAC-metal
oxideに付与することができる。CAC-OSまたはCAC-metal oxi
deにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることが
できる。
電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性
領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領
域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域と
は、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド
状に連結して観察される場合がある。
縁性領域とは、それぞれ0.5nm以上10nm以下、好ましくは0.5nm以上3nm
以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
有する成分により構成される。例えば、CAC-OSまたはCAC-metal oxi
deは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナ
ローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に
、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップ
を有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有す
る成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記C
AC-OSまたはCAC-metal oxideをトランジスタのチャネル領域に用い
る場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び
高い電界効果移動度を得ることができる。
(matrix composite)、または金属マトリックス複合材(metal
matrix composite)と呼称することもできる。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成および材料の例について、図1乃至
図7を用いて説明する。
本発明の一態様である表示装置10は、図1(A)に示すように、反射型の液晶素子を有
する表示部が設けられた第1の表示パネル11と、発光素子を有する表示部が設けられた
第2の表示パネル12を有する。第1の表示パネル11と、第2の表示パネル12の一部
は貼り合わされている。また第1の表示パネル11が有する反射型の液晶素子は、反射光
の光量を制御することにより階調を表現することができる。第2の表示パネル12が有す
る発光素子は、発する光の光量を制御することにより階調を表現することができる。
書等において、表示パネルの面積とは、表示パネルの基板または樹脂層の最も広い面の面
積を指すこととする。
置10は、第1の表示パネル11と第2の表示パネル12が重畳している重畳領域13と
、第2の表示パネルのみの非重畳領域14と、を有する。
性を有するため、非重畳領域14は、曲げることができる。
させると、非重畳領域14と重畳領域13と重ねることができる。
を向上させることができる。
側に非重畳領域14を有する表示装置10を示したが、本発明の一態様はこれに限らない
。非重畳領域14は、重畳領域13より広くてもよいし狭くてもよい。非重畳領域14が
広いと、広い表示部を有する表示装置とすることができ好ましい。また非重畳領域14は
、重畳領域13に隣り合う領域であればどこに設けてもよい。
13の両側に非重畳領域14を有する表示装置10としてもよい。この場合、図2(B)
に示すように表示装置10を2回折り曲げて、非重畳領域14の一部を筐体20に沿うよ
うに設けることもできる。
簡略な断面図および上面図を図3に示す。図3(A)は、図3(B)の点線X1-X2に
おける断面図である。
部11bを有する。また第2の表示パネル12は周辺部12aおよび表示部を有する。
(B)のように第2の表示パネル12の表示部が、第1の表示部12b1および第2の表
示部12b2に分割される例について説明する。第1の表示パネルの表示部11bと、第
2の表示パネルの第1の表示部12b1は重畳する。
ば表示部11bが有する液晶素子を利用して反射光のみを利用して表示を行うことができ
る。また重畳領域13は、表示部12b1が有する発光素子からの光のみを利用して表示
を行うこともできる。また、重畳領域13は、反射光と発光素子からの光の両方を利用し
て表示を行うこともできる。
境下では液晶素子を利用して反射光のみを利用して表示を行い、外光の少ない環境下では
発光素子からの光のみを利用して表示を行うことができる。このように外光の強度に応じ
て表示を切り替えると、いずれの環境下でも高い視認性を得ることができる。また反射光
と発光素子からの光の両方を利用して表示をすると、高い表示品位を得ることもできる。
用して表示を行うことができる。
2の一方の面、たとえば第1の表示パネル11側だけに光を取り出してもよい。また第2
の表示パネル12の両方の面から光を取り出してもよい。
ように非重畳領域14を折り曲げて重畳領域13と重ねたときも、第2の表示パネル12
の視認側に文字等を表示することができる。表示部12b2が有する発光素子をパネルの
両面から光を取り出せる発光素子とする場合、一方の面、たとえば第1の表示パネル11
側の面ではカラー表示を行い、他方の面ではカラー表示を行わない構成としてもよい。
ル12は、FPC374と電気的に接続される。
に示す。図3(B)の点線Y7-Y8、Y9-Y10、Y11-Y12のより詳細な断面
図を図5に示す。また、非重畳領域14を折り曲げ部15において折り曲げた場合の、折
り曲げ部15の断面図を図6に示す。
貼り合わされた構成を有する。
素子220と、を有する。第2の表示パネル12は、樹脂層101と樹脂層102との間
に、トランジスタ110と、発光素子120および発光素子130と、を有する。樹脂層
101は、接着層51を介して基板351と貼り合わされている。また基板202は液晶
素子220と反対側に偏光板599を有する。
〈構成〉
基板201には、トランジスタ210、容量素子505、トランジスタ501、導電層2
21、配向膜224a、絶縁層231、絶縁層232、絶縁層233、絶縁層234、絶
縁層514等が設けられている。また、基板202には、絶縁層204、導電層223、
配向膜224b等が設けられている。基板202と導電層223との間には絶縁層567
が設けられている。また配向膜224aと配向膜224bとの間に液晶222が挟持され
ている。また液晶素子220の反射光を着色するための着色層565を設けてもよい。基
板201と基板202とは、接着層517により接着されている。
縁層231上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層211と、ゲート絶縁層とし
て機能する絶縁層232の一部と、半導体層212と、ソース電極またはドレイン電極の
一方として機能する導電層213aと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能
する導電層213bと、を有する。導電層213bは、容量素子505の一方の電極と電
気的に接続されている。
れている。絶縁層514は、平坦化層として機能する。
と、により構成されている。導電層221は可視光を反射する機能を有し、導電層223
は、可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子220は反射型の液晶素子で
ある。
して導電層213bと電気的に接続されている。配向膜224aは、導電層221及び絶
縁層514の表面を覆って設けられている。
続層519を介してFPC374と電気的に接続されている。
れている。これにより、基板201側に配置されるFPC374やIC等から導電層22
3に電位や信号を供給することができる。接続体543は、接着層517に覆われるよう
に配置することが好ましい。
することが好ましい。樹脂550は、非重畳領域14を折り曲げたときに、第1の表示パ
ネル11の端部と第2の表示パネル12を保護する機能を有する。樹脂550は、接着剤
551で第1の表示パネル11の端部に接着される。
示すように、第1の表示パネル11とその付属物の厚さの和をtとするとき、樹脂550
が有する曲面の曲率半径はたとえばt/2以上であることが好ましい。または、樹脂55
0は、直径がt、高さが第1の表示パネル11の一辺と等しい円柱の一部を切り取った形
状であってもよい。
偏光板599から接着層50までの厚さとする。
パネル12を傷つけずに非重畳領域14を曲げることができる。
が接触しない場合は、樹脂550は曲面を有していなくてもよい。または樹脂550を設
けなくてもよい。
第1の表示パネル11が有する基板201および基板202としては、ガラス、石英、セ
ラミック、サファイア等の無機材料を用いることができる。ガラスとしては、無アルカリ
ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる
。ガラス、石英、セラミック、サファイア等を基板201および基板202として用いる
と、耐熱性および強度の高い重畳領域13とすることができる。
、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂
、フェノール樹脂等を用いてもよい。ポリイミド樹脂に代表される樹脂を基板201に用
いると、他の樹脂と比較して耐熱性や耐候性を向上させることができる。
に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料
を用いることが好ましい。
窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁材料を用
いることができる。また、上述の2以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。特に、基板2
01側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることが好ましい。
プの大きな金属酸化物を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く
、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電
流を低減できるため好ましい。
、より好ましくはバンドギャップが3.0eV以上の材料を用いることが好ましい。この
ような金属酸化物を用いることにより、後述する剥離工程におけるレーザ光等の光の照射
において、当該光が金属酸化物膜を透過するため、トランジスタの電気特性への悪影響が
生じにくくなる。
より多く形成されていると、電気的な安定性に優れた半導体層212とすることができ好
ましい。特に、膜の厚さ方向(膜面方向、膜の被形成面、または膜の表面に垂直な方向と
もいう)に配向性を有する結晶部と、このような配向性を有さずに無秩序に配向する結晶
部が混在した金属酸化物を適用したトランジスタは、電気特性の安定性を高くできる、チ
ャネル長を微細にすることが容易となる、などの特徴がある。一方、CACのように配向
性を有さない結晶部のみで構成される金属酸化物を適用したトランジスタは、電界効果移
動度を高めることができる。なお、後述するように、金属酸化物中の酸素欠損を低減する
ことにより、高い電界効果移動度と高い電気特性の安定性を両立したトランジスタを実現
することができる。
好ましい。半導体層212と接する絶縁層に酸化絶縁膜を用いることで、半導体層212
に酸素を供給することができる。その結果、半導体層212中の酸素欠損、及び半導体層
212と絶縁層233の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これに
より、極めて信頼性の高い半導体装置を実現できる。
などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を用いることが好ましい。
て機能する層であることが好ましい。絶縁層514としては、例えば窒化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化ア
ルミニウム膜などの無機絶縁材料を用いることができる。また、上述の2以上の絶縁膜を
積層して用いてもよい。また絶縁層514として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層し
て用いてもよい。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂
、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂
、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等の有
機樹脂を用いることができる。
ることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。絶縁層204の
材料については、絶縁層231の記載を援用できる。
酸化スズ(In2O3―SnO2、ITOと略記する)、シリコンもしくは酸化シリコン
を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛などを用いることがで
きる。
きる。また着色層565としては、顔料または染料を含む樹脂材料を用いることができる
。
は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることがで
きる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。また
ニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用
いることが好ましい。また接続体543として、弾性変形、または塑性変形する材料を用
いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体543は上下方向に潰れた形状
となる場合がある。こうすることで、接続体543と、これと電気的に接続する導電層と
の接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制す
ることができる。
〈構成〉
樹脂層101には、トランジスタ110、容量素子405、トランジスタ402、トラン
ジスタ401、発光素子120、発光素子130、絶縁層131、絶縁層132、絶縁層
133、絶縁層134、絶縁層414、絶縁層135、スペーサ416、光学調整層42
4等が設けられている。また、樹脂層102には、遮光層153、及び着色層152等が
設けられている。樹脂層101と樹脂層102とは、接着層151により接着されている
。
る。非重畳領域に設けられる発光素子130は、発光素子120よりも広い発光素子とす
ることができる。
縁層131上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層111と、ゲート絶縁層とし
て機能する絶縁層132の一部と、半導体層112と、ソース電極またはドレイン電極の
一方として機能する導電層113aと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能
する導電層113bと、を有する。また、バックゲート電極として機能する導電層400
を有していてもよい。
れている。絶縁層133および絶縁層134は、酸化アルミニウムを有する絶縁層とする
と、バリア性が向上し好ましい。たとえば絶縁層133はスパッタリング法により形成し
た酸化アルミニウム膜、絶縁層134はALD(Atomic Layer Depos
ition)法により形成した酸化アルミニウム膜とすると、被覆性およびバリア性が向
上し好ましい。絶縁層414は、平坦化層として機能する。
3と、が積層された構成を有する。導電層121は可視光を反射する機能を有し、導電層
123は、可視光を透過する機能を有する。
ィ構造としてもよい。マイクロキャビティ構造と着色層152との組み合わせにより、色
純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層424の膜厚は、各画素の色に応じて
変化させる。
て導電層113bと電気的に接続されている。絶縁層135は、導電層121の端部を覆
い、且つ導電層121の上面が露出するように開口が設けられている。EL層122及び
導電層123は、絶縁層135及び導電層121の露出した部分を覆って、順に設けられ
ている。
の樹脂層101側には、遮光層153と、着色層152とが設けられている。着色層15
2は、発光素子120または発光素子130と重なる領域に設けられている。遮光層15
3は、発光素子120または発光素子130と重なる部分に開口を有する。
接続層419を介してFPC372と電気的に接続されている。
樹脂層101としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂
、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂
等を用いることができる。特にポリイミド樹脂に代表される樹脂を樹脂層101に用いる
と、耐熱性や耐候性を向上させることができるため好ましい。樹脂層101の厚さは、0
.01μm以上10μm未満であることが好ましく、0.1μm以上3μm以下であるこ
とがより好ましく、0.5μm以上1μm以下であることがさらに好ましい。また、樹脂
層101の熱膨張係数は、0.1ppm/℃以上20ppm/℃以下であることが好まし
く、0.1ppm/℃以上10ppm/℃以下であることがより好ましい。樹脂層101
の熱膨張係数が低いほど、加熱による膨張または収縮に伴う応力により、トランジスタ等
が破損することを抑制できる。
できるため、樹脂層101に高い耐熱性が要求されない。樹脂層101等の耐熱性は、例
えば加熱による重量減少率、具体的には5%重量減少温度等により評価できる。樹脂層1
01等の5%重量減少温度は、450%以下、好ましくは400℃以下、より好ましくは
400℃未満、さらに好ましくは350℃未満とすることができる。また、トランジスタ
110等の形成工程にかかる最高温度を、350℃以下とすることが好ましい。
子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材
料を用いることが好ましい。また、樹脂層101の表面に凹凸がある場合、絶縁層131
は当該凹凸を被覆することが好ましい。また、絶縁層131が当該凹凸を平坦化する平坦
化層としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁層131として、有機絶縁材料と無
機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。絶縁層131に用いることのできる材料に
ついては絶縁層514の記載を参酌することができる。
きる材料については、半導体層212の記載を参酌することができる。
できる材料については、絶縁層233についての記載を参酌することができる。
縁層234についての記載を参酌することができる。
て機能する層であることが好ましい。絶縁層414に用いることのできる材料は、絶縁層
514の記載を参酌することができる。
。
いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。絶縁層141
の材料については、絶縁層231の記載を参酌することができる。
材料は、導電層223の記載を参酌することができる。
また着色層152は、顔料または染料を含む樹脂材料を用いることができる。
応硬化性を示す樹脂、熱硬化性を示す樹脂等を用いることができる。特に、溶媒を含まな
い樹脂材料を用いることが好ましい。
表示装置10の重畳領域13は、上面から見たときに、発光素子120が、反射型の液晶
素子220と重ならない部分を有する。これにより、図4(A)に示すように、発光素子
120からは、着色層152によって着色された発光21が、視認側に射出される。また
、液晶素子220では、導電層221により外光が反射された反射光22が液晶222お
よび着色層565を介して射出される。
一態様はこれに限らない。基板202上に円偏光板を設けてもよいし、基板202よりも
内側に偏光板または円偏光板を設けてもよい。
したが、第1の表示パネル11に着色層を設けずにカラー表示を行わない構成としてもよ
い。
また、表示装置10は第1の表示パネル11に上にタッチパネル等の入力装置を設けても
よい。入力装置を設けた表示装置とすることで、表示装置10が適用される電子機器の使
い勝手を向上させることができる。
図7に示す。
電層711aが設けられる。基板702上には、導電層712aおよび導電層712bが
設けられる。基板700と基板702は接着層701により接着される。基板702と基
板704は接着層703により接着される。基板704上には、偏光板599を設けても
よい。
および基板202の記載を参酌することができる。
。材料としては酸化インジウム酸化スズ(In2O3―SnO2、ITOと略記する)、
シリコンもしくは酸化シリコンを含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、
酸化亜鉛などを用いることができる。
入力装置16を含む、偏光板599から接着層50までの厚さとする。
[構成例]
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の回路構成例について、図8および図9を
用いて説明する。
非重畳領域14である第2の表示パネル12の表示部12b2に、マトリクス状に配列さ
れた複数の画素602を有する。複数の画素602は、発光素子130を有する。
表示パネル12の表示部12b1を有する。表示装置10は重畳領域13に、表示部11
bの液晶素子220と表示部12b1の発光素子120が重畳して構成される、複数の画
素601を有する。複数の画素601はマトリクス状に配列される。つまり複数の画素6
01は、反射型の液晶素子220と、発光素子120を重畳して有する。
列した回路GDおよび複数の画素601を電気的に接続する複数の配線G1および複数の
配線CSCOMを有する。また方向Rに配列した回路GD、複数の画素601および複数
の画素602を電気的に接続する複数の配線G2および複数の配線ANOを有する。また
方向Cに配列した回路SD1および複数の画素601と電気的に接続する複数の配線S1
および複数の配線S2を有する。または方向Cに配列した回路SD2および複数の画素6
02と電気的に接続する複数の配線S3および複数の配線S4を有する。
の構成例を示す。導電層221は、液晶素子220の反射電極として機能する。また導電
層221には、開口610が設けられている。また発光素子120を破線で示す。
て配置されている。これにより、発光素子120が発する光は、開口610を介して視認
側に射出される。
とき図8(B1)に示すように、方向Rに隣接する2つの画素において、開口610が一
列に配列されないように、導電層221の異なる位置に設けられていることが好ましい。
これにより、2つの発光素子120を離すことが可能で、発光素子120が発する光が隣
接する画素601が有する着色層に入射してしまう現象(クロストークともいう)を抑制
することができる。また、隣接する2つの発光素子120を離して配置することができる
ため、発光素子120のEL層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高
い精細度の表示装置を実現できる。
た表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口610の総面積の比の
値が小さすぎると、発光素子120を用いた表示が暗くなってしまう。
発光素子120が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
とができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開
口610を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口610を同じ色を表
示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
る発光素子130は液晶素子と重畳しないため、広い発光素子130にすることができる
。広い発光素子130とすると、表示装置10の消費電力を低減することができる。また
図8(B2)に示すRの画素602は赤色発光素子、Gの画素602は緑色発光素子、B
の画素602は青色発光素子とすることが好ましい。高効率な発光が難しい青色で素子の
面積を大きくし、比視感度の高い緑色で素子の面積を小さくすることで、表示装置10の
消費電力をより低減する、または表示装置10をより長寿命にすることができる。
図9は、画素601および画素602に用いることのできる回路の例である。
10、スイッチSW、容量素子405および発光素子120等を有する。また画素601
には、配線G1、配線G2、配線ANO、配線CSCOM、配線S1、及び配線S2が電
気的に接続されている。また図9では、液晶素子220と電気的に接続する配線VCOM
1、および発光素子120と電気的に接続する配線VCOM2を示している。
線S1と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子505の一方の電極、および液
晶素子220の一方の電極と電気的に接続されている。容量素子505は、他方の電極が
配線CSCOMと接続されている。液晶素子220は、他方の電極が配線VCOM1と接
続されている。
2と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子405の一方の電極およびトラン
ジスタ110のゲートと接続されている。容量素子405は、他方の電極がトランジスタ
110のソース又はドレインの一方、及び配線ANOと接続されている。トランジスタ1
10は、ソース又はドレインの他方が発光素子120の一方の電極と接続されている。発
光素子120は、他方の電極が配線VCOM2と接続されている。
続されている例を示している。これにより、トランジスタ110が流すことのできる電流
を増大させることができる。
ことができる。配線VCOM1には、所定の電位を与えることができる。配線S1には、
液晶素子220が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線CS
COMには、所定の電位を与えることができる。
できる。配線VCOM2及び配線ANOには、発光素子120が発光する電位差が生じる
電位をそれぞれ与えることができる。配線S2には、トランジスタ110の導通状態を制
御する信号を与えることができる。
1に与える信号により駆動し、液晶素子220による光学変調を利用して表示することが
できる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線G2及び配線S2に与える信号に
より駆動し、発光素子120を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆
動する場合には、配線G1、配線G2、配線S1及び配線S2のそれぞれに与える信号に
より駆動することができる。
0等を有する。トランジスタ110、スイッチSW、容量素子405および発光素子13
0の電気的な接続およびこれらに与えられる信号については、画素601についての記載
の一部を参酌することができる。
配線ANOを共通化し、1つの回路GDにより制御する構成を示した。しかし本発明の一
態様はこれに限らない。表示部11b、表示部12b1および表示部12b2それぞれに
配線G2等を制御する回路を設けてもよい。
御する構成を示したが、本発明の一態様はこれに限らない。表示部11bおよび表示部1
2b1それぞれにソース線等を制御する回路を設けてもよい。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用することのできる電子機器の例につ
いて図10を用いて説明する。
00は、筐体801に表示装置10、スピーカー802、入出力端子803等が設けられ
ている。電子機器800は、表示装置10の重畳領域13上にタッチパネル等の入力装置
を有すると、電子機器800の使い勝手が向上し好ましい。また、たとえばタッチパネル
の操作により、第1の表パネルの表示部11b、第2の表示パネルの表示部12b1およ
び表示部12b2間で相互に画像を入れ替える機能を有していてもよい。
取り出せる構成とすると、図10(A2)に示すように、非重畳領域14を曲げて重畳領
域13と重ねたときでも、非重畳領域14で視認側に表示を行うことができる。電子機器
800に適用する表示装置を本発明の一態様の表示装置とすることで、表示部が広く、ま
た携帯性のよい電子機器とすることができる。
表示装置10と共に、ボタン型の入力装置811、入力装置812を有する電子機器とし
てもよい。電子機器810に適用する表示装置を本発明の一態様の表示装置とすることで
、表示部が広く、また携帯性のよい電子機器とすることができる。
る表示装置を本発明の一態様の表示装置とすることで、表示部が広く、また携帯性のよい
デジタルカメラとすることができる。
0、入出力端子831、スピーカー832、入出力端子833等を有する。コンピュータ
830が有する表示装置10は、重畳領域13上にタッチパネルを有する構成とすること
が好ましい。また重畳領域13はキーボード834と同一の筐体に設けることが好ましい
。重畳領域13上にタッチパネルを有し、またキーボード834と同一の筐体に設けるこ
とで、コンピュータ830の操作性を向上させることができる。さらに表示部が広く、ま
た携帯性のよいコンピュータ830とすることができる。
用することができる。
11 第1の表示パネル
11a 周辺部
11b 表示部
12 第2の表示パネル
12a 周辺部
12b1 表示部
12b2 表示部
13 重畳領域
14 非重畳領域
15 折り曲げ部
16 入力装置
20 筐体
21 発光
22 反射光
50 接着層
51 接着層
101 樹脂層
102 樹脂層
110 トランジスタ
111 導電層
112 半導体層
113a 導電層
113b 導電層
120 発光素子
121 導電層
122 EL層
123 導電層
130 発光素子
131 絶縁層
132 絶縁層
133 絶縁層
134 絶縁層
135 絶縁層
141 絶縁層
151 接着層
152 着色層
153 遮光層
201 基板
202 基板
204 絶縁層
210 トランジスタ
211 導電層
212 半導体層
213a 導電層
213b 導電層
220 液晶素子
221 導電層
222 液晶
223 導電層
224a 配向膜
224b 配向膜
231 絶縁層
232 絶縁層
233 絶縁層
234 絶縁層
351 基板
372 FPC
374 FPC
400 導電層
401 トランジスタ
402 トランジスタ
405 容量素子
406 接続部
414 絶縁層
419 接続層
501 トランジスタ
505 容量素子
506 接続部
514 絶縁層
517 接着層
519 接続層
543 接続体
550 樹脂
551 接着剤
565 着色層
566 遮光層
567 絶縁層
599 偏光板
601 画素
602 画素
610 開口
700 基板
701 接着層
702 基板
703 接着層
704 基板
711a 導電層
712a 導電層
712b 導電層
800 電子機器
801 筐体
802 スピーカー
803 入出力端子
810 電子機器
811 入力装置
812 入力装置
820 デジタルカメラ
830 コンピュータ
831 入出力端子
832 スピーカー
833 入出力端子
834 キーボード
Claims (2)
- 可撓性を有する基板とEL素子と第2のトランジスタとを有し、別の表示パネルと重ねて配置される表示パネルであって、
表示面が平らな状態において、前記表示面は、前記別の表示パネルと重畳する第1の領域と、前記別の表示パネルと重畳しない第2の領域と、を有し、
前記表示面を折り曲げることにより、前記第2の領域を前記第1の領域に重ねることが可能であり、
前記表示面が折り曲げられたとき、前記表示面の曲率を有する領域を保護する部材を間に挟む、表示パネル。 - 可撓性を有する基板とEL素子と第2のトランジスタとを有し、別の表示パネルと重ねて配置される表示パネルであって、
表示面が平らな状態において、前記表示面は、前記別の表示パネルと重畳する第1の領域と、前記別の表示パネルと重畳しない第2の領域と、を有し、
前記表示面を折り曲げることにより、前記第2の領域を前記第1の領域に重ねることが可能であり、
前記表示面が折り曲げられたとき、前記表示面の曲率を有する領域を保護する部材を間に挟み、
前記表示面が平らな状態において、前記部材が配置された側に光を放出して画像を表示する、表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022132297A JP7318080B2 (ja) | 2016-08-17 | 2022-08-23 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016159868 | 2016-08-17 | ||
JP2016159868 | 2016-08-17 | ||
JP2022063209A JP2022097494A (ja) | 2016-08-17 | 2022-04-06 | 電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022063209A Division JP2022097494A (ja) | 2016-08-17 | 2022-04-06 | 電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022132297A Division JP7318080B2 (ja) | 2016-08-17 | 2022-08-23 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022109262A true JP2022109262A (ja) | 2022-07-27 |
JP7130161B2 JP7130161B2 (ja) | 2022-09-02 |
Family
ID=61196481
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018534205A Active JP6805257B2 (ja) | 2016-08-17 | 2017-08-03 | 電子機器 |
JP2020200833A Active JP7055858B2 (ja) | 2016-08-17 | 2020-12-03 | 電子機器 |
JP2022063209A Withdrawn JP2022097494A (ja) | 2016-08-17 | 2022-04-06 | 電子機器 |
JP2022068644A Active JP7130161B2 (ja) | 2016-08-17 | 2022-04-19 | 表示装置 |
JP2022132297A Active JP7318080B2 (ja) | 2016-08-17 | 2022-08-23 | 表示装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018534205A Active JP6805257B2 (ja) | 2016-08-17 | 2017-08-03 | 電子機器 |
JP2020200833A Active JP7055858B2 (ja) | 2016-08-17 | 2020-12-03 | 電子機器 |
JP2022063209A Withdrawn JP2022097494A (ja) | 2016-08-17 | 2022-04-06 | 電子機器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022132297A Active JP7318080B2 (ja) | 2016-08-17 | 2022-08-23 | 表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10816841B2 (ja) |
JP (5) | JP6805257B2 (ja) |
KR (5) | KR102641769B1 (ja) |
WO (1) | WO2018033822A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6805257B2 (ja) * | 2016-08-17 | 2020-12-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
CN108761877A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及基于其的控制方法 |
KR20210157941A (ko) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20220021046A (ko) * | 2020-08-12 | 2022-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 그의 구동 방법 |
JP2022143122A (ja) | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 株式会社リコー | 画像処理方法、撮像制御方法、プログラム、画像処理装置および撮像装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001305568A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶モジュール |
JP2005215320A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Brother Ind Ltd | 表示装置 |
JP2006287982A (ja) * | 2005-07-13 | 2006-10-19 | Columbus No Tamagotachi:Kk | フレキシブルディスプレイを備えた携帯型通信端末 |
JP3164598U (ja) * | 2010-08-04 | 2010-12-09 | 微星科技股▲分▼有限公司 | 折り畳み可能な電子装置 |
US20140118221A1 (en) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Two side display device and manufacturing method thereof |
CN204808127U (zh) * | 2015-06-30 | 2015-11-25 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备 |
WO2015178714A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Foldable device and method of controlling the same |
CN105159405A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-16 | 联想(北京)有限公司 | 信息处理方法及电子设备 |
JP2016015618A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | Nltテクノロジー株式会社 | 折り畳み式表示装置及び電気機器 |
CN105677084A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-15 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备及其显示处理方法 |
US20160205792A1 (en) * | 2015-01-14 | 2016-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display |
JP2021043464A (ja) * | 2016-08-17 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63104382A (ja) | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Nec Corp | 半導体用ステム |
JPS63194382A (ja) | 1987-02-09 | 1988-08-11 | Omron Tateisi Electronics Co | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPH0422369Y2 (ja) * | 1987-05-30 | 1992-05-21 | ||
JP3164598B2 (ja) | 1991-04-25 | 2001-05-08 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネルの製造方法 |
JP3681192B2 (ja) | 1995-02-06 | 2005-08-10 | 出光興産株式会社 | 複合素子型表示装置 |
JP3767264B2 (ja) | 1999-08-25 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
JP2001092390A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Minolta Co Ltd | 表示装置 |
US7176891B2 (en) | 2000-02-22 | 2007-02-13 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Pointing device, keyboard mounting the pointing device, and electronic device provided with the keyboard |
WO2001091098A1 (fr) | 2000-05-24 | 2001-11-29 | Hitachi, Ltd. | Terminal portable et afficheur commutable entre couleur et noir-et-blanc |
JP2002196702A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP4202030B2 (ja) | 2001-02-20 | 2008-12-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP3898012B2 (ja) | 2001-09-06 | 2007-03-28 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JP4043864B2 (ja) | 2001-09-06 | 2008-02-06 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
JP4176400B2 (ja) | 2001-09-06 | 2008-11-05 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US7248235B2 (en) | 2001-09-14 | 2007-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same |
JP2003098984A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Rohm Co Ltd | 画像表示装置 |
JP4670212B2 (ja) | 2001-09-27 | 2011-04-13 | Jfeスチール株式会社 | 屋根材 |
JP2003228304A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
JP3992137B2 (ja) | 2002-02-01 | 2007-10-17 | 茨木精機株式会社 | 包装機の被包装物噛み込み防止装置 |
TW544944B (en) | 2002-04-16 | 2003-08-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel element structure of sunlight-readable display |
JP4122828B2 (ja) | 2002-04-30 | 2008-07-23 | 日本電気株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2004199027A (ja) | 2002-10-24 | 2004-07-15 | Seiko Epson Corp | 表示装置、及び電子機器 |
JP2007256983A (ja) | 2002-10-24 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | 表示装置、及び電子機器 |
US20060072047A1 (en) | 2002-12-06 | 2006-04-06 | Kanetaka Sekiguchi | Liquid crystal display |
JP3852931B2 (ja) | 2003-03-26 | 2006-12-06 | 株式会社東芝 | 発光表示装置 |
US7084836B2 (en) | 2003-05-15 | 2006-08-01 | Espenscheid Mark W | Flat panel antenna array |
WO2006049105A1 (ja) | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 表示装置および電子装置 |
JP4232749B2 (ja) | 2005-03-03 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 表示装置 |
EP1998374A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
KR20070054285A (ko) * | 2005-11-23 | 2007-05-29 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
JP2007232882A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
KR100931584B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2009-12-14 | 한국전자통신연구원 | 하이브리드 투명 디스플레이 장치 |
US8385055B2 (en) * | 2008-12-26 | 2013-02-26 | Industrial Technology Research Institute | Electric device and display panel thereof |
TWI393950B (zh) | 2009-01-08 | 2013-04-21 | Au Optronics Corp | 半穿反型顯示面板 |
KR102446215B1 (ko) * | 2009-05-02 | 2022-09-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US8830424B2 (en) | 2010-02-19 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having light-condensing means |
JP2013221965A (ja) | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
JP2014182306A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Japan Display Inc | 表示装置、電子機器及び表示装置の製造方法 |
KR102104608B1 (ko) | 2013-05-16 | 2020-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102133433B1 (ko) | 2013-05-24 | 2020-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102132235B1 (ko) * | 2013-11-28 | 2020-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
JP5953344B2 (ja) | 2014-08-07 | 2016-07-20 | 京楽産業.株式会社 | 遊技機 |
JP2016038490A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示モジュール、及び電子機器 |
KR102471237B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시장치 |
US20170082882A1 (en) | 2015-09-18 | 2017-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and data processor |
KR102476296B1 (ko) * | 2015-11-02 | 2022-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR102509088B1 (ko) * | 2016-03-14 | 2023-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6863803B2 (ja) | 2016-04-07 | 2021-04-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
2017
- 2017-08-03 JP JP2018534205A patent/JP6805257B2/ja active Active
- 2017-08-03 KR KR1020237029629A patent/KR102641769B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-03 KR KR1020237009404A patent/KR102574674B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-03 KR KR1020227038800A patent/KR102513204B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-03 KR KR1020227014254A patent/KR102465645B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-03 KR KR1020197006738A patent/KR102393565B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-03 US US16/324,649 patent/US10816841B2/en active Active
- 2017-08-03 WO PCT/IB2017/054750 patent/WO2018033822A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-07-14 US US16/928,102 patent/US11442302B2/en active Active
- 2020-12-03 JP JP2020200833A patent/JP7055858B2/ja active Active
-
2022
- 2022-04-06 JP JP2022063209A patent/JP2022097494A/ja not_active Withdrawn
- 2022-04-19 JP JP2022068644A patent/JP7130161B2/ja active Active
- 2022-08-17 US US17/889,425 patent/US11899296B2/en active Active
- 2022-08-23 JP JP2022132297A patent/JP7318080B2/ja active Active
-
2023
- 2023-04-13 US US18/134,206 patent/US11960158B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001305568A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶モジュール |
JP2005215320A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Brother Ind Ltd | 表示装置 |
JP2006287982A (ja) * | 2005-07-13 | 2006-10-19 | Columbus No Tamagotachi:Kk | フレキシブルディスプレイを備えた携帯型通信端末 |
JP3164598U (ja) * | 2010-08-04 | 2010-12-09 | 微星科技股▲分▼有限公司 | 折り畳み可能な電子装置 |
US20140118221A1 (en) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Two side display device and manufacturing method thereof |
WO2015178714A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Foldable device and method of controlling the same |
JP2016015618A (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-28 | Nltテクノロジー株式会社 | 折り畳み式表示装置及び電気機器 |
US20160205792A1 (en) * | 2015-01-14 | 2016-07-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display |
CN204808127U (zh) * | 2015-06-30 | 2015-11-25 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备 |
CN105159405A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-12-16 | 联想(北京)有限公司 | 信息处理方法及电子设备 |
CN105677084A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-06-15 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备及其显示处理方法 |
JP2021043464A (ja) * | 2016-08-17 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230041842A (ko) | 2023-03-24 |
KR102393565B1 (ko) | 2022-05-04 |
KR20220062133A (ko) | 2022-05-13 |
WO2018033822A1 (ja) | 2018-02-22 |
KR20190037313A (ko) | 2019-04-05 |
JP6805257B2 (ja) | 2020-12-23 |
US11442302B2 (en) | 2022-09-13 |
KR102574674B1 (ko) | 2023-09-04 |
JP2021043464A (ja) | 2021-03-18 |
KR102513204B1 (ko) | 2023-03-22 |
US20220390787A1 (en) | 2022-12-08 |
JP2022097494A (ja) | 2022-06-30 |
US11960158B2 (en) | 2024-04-16 |
KR20220155398A (ko) | 2022-11-22 |
US20230251515A1 (en) | 2023-08-10 |
US10816841B2 (en) | 2020-10-27 |
US20200363676A1 (en) | 2020-11-19 |
JP7055858B2 (ja) | 2022-04-18 |
JP2022176988A (ja) | 2022-11-30 |
US11899296B2 (en) | 2024-02-13 |
JPWO2018033822A1 (ja) | 2019-06-13 |
JP7318080B2 (ja) | 2023-07-31 |
JP7130161B2 (ja) | 2022-09-02 |
KR102465645B1 (ko) | 2022-11-11 |
US20190179196A1 (en) | 2019-06-13 |
KR20230130167A (ko) | 2023-09-11 |
KR102641769B1 (ko) | 2024-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7441363B2 (ja) | 表示装置 | |
JP7130161B2 (ja) | 表示装置 | |
US10153460B2 (en) | Display device | |
TW201824221A (zh) | 顯示裝置 | |
JP2018013622A (ja) | 表示装置、および電子機器 | |
US20200273398A1 (en) | Oled display machine with illumination function | |
JP2018072462A (ja) | 表示装置 | |
JP2018040867A (ja) | 表示装置、電子機器、及び情報提供方法 | |
JP2018010126A (ja) | 表示装置 | |
JP2018036487A (ja) | 表示装置、および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220422 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7130161 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |