JP2022029308A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層の表面に金属又は半金属の酸化物を成膜して形成された絶縁性の酸化物薄膜と、
   前記酸化物薄膜に積層された金属からなるシード層と、
   前記シード層上に形成された金属からなる電極とを有し、
   前記酸化物薄膜及び前記シード層は、
   前記電極と重ならない領域から除去されて前記絶縁層を露出させる
   ことを特徴とする配線基板。
2. 前記酸化物薄膜は、
   ハフニウムの酸化物である酸化ハフニウムを成膜して形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 前記酸化物薄膜は、
   ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）を用いて成膜された厚さが１～１００ｎｍの酸化ハフニウムの薄膜であることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
4. 前記電極と重なる領域において前記絶縁層を貫通するビアをさらに有し、
   前記シード層は、
   前記ビアが形成される領域を除く領域において前記酸化物薄膜に積層される第１シード層と、
   前記第１シード層に積層されるとともに、前記ビアの外周に形成される第２シード層とを有することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
5. 前記電極の少なくとも一部は、
   前記絶縁層の表面よりも上方に位置する底面を有し、
   前記酸化物薄膜は、
   前記絶縁層の表面と、前記電極の前記底面との間に位置する
   ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
6. 絶縁層の表面に金属又は半金属の酸化物を成膜して絶縁性の酸化物薄膜を形成し、
   前記酸化物薄膜に金属からなるシード層を積層し、
   前記シード層上に金属からなる電極を形成し、
   前記電極と重ならない領域から前記シード層を除去し、
   前記シード層が除去された領域において前記酸化物薄膜を除去し、前記絶縁層を露出させる
   工程を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 前記酸化物薄膜を形成する工程は、
   ハフニウムの酸化物である酸化ハフニウムを成膜することを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
8. 前記酸化物薄膜を形成する工程は、
   ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）を用いて厚さが１～１００ｎｍの酸化ハフニウムの薄膜を形成することを特徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
9. 前記酸化物薄膜を除去する工程は、
   前記シード層をエッチングマスクとしたドライエッチングによって前記酸化物薄膜を除去することを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
10. 前記酸化物薄膜を除去する工程は、
    アルゴン逆スパッタリングによって前記酸化物薄膜を除去することを特徴とする請求項９記載の配線基板の製造方法。
11. 一部の領域において前記シード層及び前記酸化物薄膜を除去し、
    前記シード層及び前記酸化物薄膜が除去された領域に、前記絶縁層を貫通するビアホールを形成し、
    前記シード層の表面及び前記ビアホールの内面に第２シード層を形成する工程をさらに有し、
    前記電極を形成する工程は、
    前記第２シード層上に前記電極を形成し、
    前記シード層を除去する工程は、
    前記シード層及び前記第２シード層を除去する
    ことを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
12. 前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する工程をさらに有し、
    前記酸化物薄膜を形成する工程は、
    前記絶縁層の表面及び前記ビアホールの内面に前記酸化物薄膜を形成し、
    前記電極を形成する工程は、
    前記ビアホールの領域において前記シード層及び前記酸化物薄膜を除去し、
    前記シード層の表面及び前記ビアホールの内面に第２シード層を形成し、
    前記第２シード層上に前記電極を形成する工程を含む
    ことを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。