JP2021534594A - ダイオード装置、ディスプレイパネル及び可撓性ディスプレイ - Google Patents
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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Abstract
Description
(1)前記第1電流制限領域201は、側壁リーク電流を低減させ、マイクロ発光ダイオードの発光効率を高めることができる。
上記の構造によると:
有益効果は以下の通りである。
(R1−1)=(G1−5)=(B1−3)
(R1−2)=(G1−6)=(B1−4)
(R1−3)=(G1−1)=(B1−5)
(R1−4)=(G1−2)=(B1−6)
(R1−5)=(G1−3)=(B1−1)
(R1−6)=(G1−4)=(B1−2)
a=2arctan(h/2d)
h/2 = d×tan(a/2)
a = 1/53.53度
d = 視距離 = 10インチ
h = 認識限界
h = 2×d×tan(1/53.53/2)×π/180
d = 10インチの場合
h = 2×10×tan(1/53.53/2)×π/180
= 0.003258911インチ
1/h = 306.85PPI
d = 15インチの場合
h = 2×15×tan(1/53.53/2)×π/180
= 0.004888366831インチ
1/h = 204.57PPI
d = 20インチの場合
h = 2×20×tan(1/53.53/2)×π/180
= 0.00651788224416インチ
1/h = 153.42PPI
101 第1型半導体層
102 第2型半導体層
103 発光層
104 溝部
105 エッチング領域
101―down 第1型半導体層の底面;第2底面
102―up 第2型半導体層の上面;第2上面
201 第1電流制限領域、側壁電流制限領域
202 第2電流制限領域
203 第3電流制限領域
204 第4電流制限領域
205 第5電流制限領域
201―up 側壁電流制限領域の上面;第1上面
201―down 側壁電流制限領域の底面;第1底面
201―out 側壁電流制限領域の外面;第1外面
201―in 側壁電流制限領域の内面;第1内面
202―up 第2電流制限領域の上面
203―up 第3電流制限領域の上面
301 透明電極
302 電極
303 電極延伸部
304 電極、バック電極
305 金属層
306 金属層、磁性接合層、真空吸着層、静電吸着層、接着層
307 金属層、磁性接合層、真空吸着層、静電吸着層、接着層
308 金属層、磁性接合層、真空吸着層、静電吸着層、接着層
309 金属層
Arc アーク状
D1 第1深さ
D2 第2深さ
D3 第3深さ
D4 第4深さ
D5 第5深さ
D6 第6深さ
D7 第7深さ
DS 側壁長さ
E1 エピタキシャル厚さ
F 光透過性ゲル体
F1 第1蛍光ゲル体
F2 第2蛍光ゲル体
F3 第3蛍光ゲル体
H1 第1厚さ
H2 第2厚さ
H3 第3厚さ
H4 第4厚さ
iL−1 第1低導電率領域
iL−2 第2低導電率領域
iH 高導電率領域
iL−up 上面低導電率領域
iH−up 上面高導電率領域
iL−out 側壁低導電率領域、外面低導電率領域
iH−out 側壁高導電率領域、外面高導電率領域
O1 第1開口部の幅
O2 第2開口部の幅
O3 第3幅
O4 第4幅
O5 第5幅
P1 第1ピッチ
P2 第2ピッチ
P3 第3ピッチ
RS−102−top、RS−201−top、RS−501−top 上面粗さ
RS−102−out、RS−201−out、RS−501−out 外面粗さ、側壁粗さ
S1 第1長さ
S2 第2長さ
S3 第3長さ
S4 第4長さ
T1 第1幅
T2 幅
T3 第3幅
T4 第4幅
T−up 上面幅
T−down 底面幅
T1A 第1横幅
T1B 第2横幅
T1C 第3横幅
U1 第1表面
U2 第2表面
U3 第3表面
U4 第4表面
U5 第5表面
U6 第6表面
400 光電センサー
501 第1電流ブロック領域
502 第2電流ブロック領域
503 第3電流ブロック領域
504 第4電流ブロック領域
505 第5電流ブロック領域
506 第6電流ブロック領域
507 開口部
601 シールド
602 シールド
603 シールド
700 犠牲層
800 テスト基板
801 移載基板
805 絶縁層
810 収集基板
820 永久基板
821 空孔
830 受取基板
840 テスト基板
841 電圧源
831 第1凹部
832 第2凹部
833 第3凹部
850 壁構造
901 イオン注入
902 レーザー
903 レーザー
1001 第1容器
2001 第1溶液
Θ1 第1夾角
Θ2 第2夾角
1010 可撓性基板
1011 マイクロ発光ダイオード
1012 ゲートドライバー
1013 ソースドライバー
1014 スキャン線
1015 データ線
1100 バンプ
1101 リッジ領域
1102 N型パット
1103 P型パット
1104 P型接触層
1105 多層量子井戸
1106 N型接触層
1107 緩衝層
1108 イオン注入領域
1109 予備のマイクロ発光ダイオード
1110 第1エピタキシャル基板(S1)
1111 第1エピタキシャル層構造(Epi layer−1)
1112 第1マイクロ発光ダイオード(M1)
111P1 ピッチ(P1)
111P2 ピッチ(P2)
1114 第1イオン注入領域(Ion−1)
1115 第1サブピクセル領域(R1)
1116 導電層(ML)
1117 第1透明基板(T1)
1118 ボンディングパッド(BL)
1119 導電層(ML)
111BR1 第1光透過性中間層(BR1)
1120 第2エピタキシャル基板(S2)
1121 第2エピタキシャル層構造(Epi layer−2)
1122 第2マイクロ発光ダイオード(M2)
112P3 ピッチ(P3)
112P4 ピッチ(P4)
1124 第2イオン注入領域(ion−2)
1124−2a 第2イオン注入領域の第1区(ion−2a)
1124−2b 第2イオン注入領域の第2区(ion−2b)
1125 第2サブピクセル領域(G1)
1126 導電層(ML)
1127 第2透明基板(T2)
1128 ボンディングパッド(BL)
1129 導電層(ML)
1130 第3エピタキシャル基板(S3)
1131 第3エピタキシャル層構造(Epi layer−3)
1132 第3マイクロ発光ダイオード(M3)
113P5 ピッチ(P5)
113P6 ピッチ(P6)
1134 第3イオン注入領域(Ion−3)
1135 第3サブピクセル領域(B1)
1136 導電層(ML)
1137 第3透明基板(T3)
1138 ボンディングパッド(BL)
1139 導電層(ML)
113BR3 第3光透過性中間層(BR3)
1141、1161、1171、1181、1191、1201、1211、1221、1231、1241、1251 第1サブピクセル構造(Pixel 1)
1142、1162、1172、1182、1192、1202、1212、1222、1232、1242、1252 第2サブピクセル構造(Pixel 2)
1143、1163、1173、1183、1193、1203、1213、1223、1233、1243、1253 第3サブピクセル構造(Pixel 3)
1151 第1光透過性接着層(T1)
1152 第2光透過性接着層(T2)
1153 厚さ(D−1)
1161 第1サブピクセル(R1−1、R1−1A、R1−2A、R1−3A、R1−4A、R1−5A、R1−6A)
1162 第2サブピクセル(G1−1、G1−1A、G1−2A、G1−3A、G1−4A、G1−5A、G1−6A)
1163 第3サブピクセル(B1−1、B1−1A、B1−2A、B1−3A、B1−4A、B1−5A、B1−6A)
1171 第1予備のサブピクセル(R1−2、R1−3、R1−4、R1−5、R1−6)
1172 第2予備のサブピクセル(G1−2、G1−3、G1−4、G1−5、G1−6)
1173 第3予備のサブピクセル(B1−2、B1−3、B1−4、B1−5、B1−6)
1300 ブラックマトリクス層
1301 磁性層(ML)
1302 電流ブロック領域
1303 電流制限領域
1400 統合制御システム
1401 マイクロ発光ダイオードディスプレイ
1402 レンズシステム
1403 光学部品
1404 人間の目
1405 拡張現実(AR)
1500 統合制御システム
1501 RGBマイクロ発光ダイオードディスプレイ
1502 レンズシステム
1503 光学部品
1504 人間の目
1505 拡張現実(AR)
1600 統合制御システム
1601 マイクロ発光ダイオードディスプレイ
1602 レンズシステム
1603 光学部品
1604 人間の目
1605 拡張現実(AR)
1700 統合制御システム
1701 RGBマイクロ発光ダイオードディスプレイ
1702 レンズシステム
1703 光学部品
1704 人間の目
1705 拡張現実(AR)
1800 統合制御システム
1801 多機能センサー
1802 マイクロチッププロセッサ
1803 ネットワークインターフェース
1900 統合制御システム
1901 ディスプレイ
1902 フレーム
1903 光学部品
1904 人間の目
1905 拡張現実(AR)
1906 リム
1907 ブリッジ
2000、2010、2020、2030 統合制御システム
2001、2011、2021、2031 マイクロ発光ダイオードディスプレイ
2002、2012、2022、2032 フレーム
2003、2013、2023、2033 光学部品
2004、2014、2024、2034 人間の目
2005、2015、2025、2035 拡張現実(AR)
2006、2016、2026、2036 リム
2007、2017、2027、2037 ブリッジ
3000 エピタキシャル基板
3001 磁性層(ML)
3002 第1型半導体層
3003 発光層
3004 第2型半導体層
3005、3006、3007、3008、3009、3010 金属層
3011、3012 透明導電層
3100、3101、3102 第1電流ブロック層
3200、3201、3202 第1電流制限層
3300 第2電流ブロック層
3400 第2電流制限層
3500 制御可能な移載ヘッド
3501 電磁層
3502 磁性マイクロ発光ダイオード
3503 基板
3600 流体トランスファーシステム
3601 メインチャンバー
3602 溶液
3603 基板
3604 凹部
3605 磁性層
3606 入力端
3607 入力バルブ
3608 出力端
3609 出力バルブ
3610 流速(F)
3611 第1サブチャンバー
3612 第2サブチャンバー
3613 第3サブチャンバー
3614 第1色の磁性マイクロ発光ダイオード
3615 第1バルブ
3616 第1入力ポート
3617 第2色の磁性マイクロ発光ダイオード
3618 第2バルブ
3619 第2入力ポート
3620 第3色の磁性マイクロ発光ダイオード
3621 第3バルブ
3622 第3入力ポート
3623 流体
3624 第1形状の第1凹部
3625 第2形状の第2凹部
3626 第3形状の第3凹部
3627 第1サブピクセル領域
3628 第2サブピクセル領域
3629 第3サブピクセル領域
3630 ピクセル領域
3634 第1凹部
3635 第2凹部
3636 第3凹部
3637 第1サブピクセル領域
3638 第2サブピクセル領域
3639 第3サブピクセル領域
3640 ピクセル領域
3650 予備磁性層
3651、3661、3671 第1予備凹部
3652、3662、3672 第2予備凹部
3653、3663、3673 第3予備凹部
3654、3664、3674 第1凹部
3655、3665、3675 第2凹部
3656、3666、3676 第3凹部
3657、3667、3677 第1サブピクセル領域
3658、3668、3678 第2サブピクセル領域
3659、3669、3679 第3サブピクセル領域
3660、3670、3680 ピクセル領域
3700 流体トランスファーシステム
3701 メインチャンバー
3702 溶液
3703 基板
3704−1 第1凹部
3704−2 第2凹部
3704−3 第3凹部
3705 引力層
3706 入力端
3707 入力バルブ
3708 出力端
3709 出力バルブ
3710 流速(F)
3711 第1サブチャンバー
3712 第2サブチャンバー
3713 第3サブチャンバー
3714 第1色のマイクロ発光ダイオード
3715 第1バルブ
3716 第1入力ポート
3717 第2色のマイクロ発光ダイオード
3718 第2バルブ
3719 第2入力ポート
3720 第3色のマイクロ発光ダイオード
3721 第3バルブ
3722 第3入力ポート
3723 流体
3724 基板の第1バルブ
3725 基板の第2バルブ
3726 基板の第3バルブ
3800 流体トランスファーシステム
3801 メインチャンバー
3802 溶液
3803 基板
3804−1 第1凹部
3804−2 第2凹部
3804−3 第3凹部
3805−1 第1引力層
3805−2 第2引力層
3805−3 第3引力層
3806 入力端
3807 入力バルブ
3808 出力端
3809 出力バルブ
3810 流速(F)
3811 第1サブチャンバー
3812 第2サブチャンバー
3813 第3サブチャンバー
3814 第1色のマイクロ発光ダイオード
3815 第1バルブ
3816 第1入力ポート
3817 第2色のマイクロ発光ダイオード
3818 第2バルブ
3819 第2入力ポート
3820 第3色のマイクロ発光ダイオード
3821 第3バルブ
3822 第3入力ポート
3823 流体
3900 流体トランスファーシステム
3901 メインチャンバー
3902 溶液
3903 基板
3904−1 第1充填層
3904−2 第2充填層
3904−3 第3充填層
3905−1 第1引力層
3905−2 第2引力層
3905−3 第3引力層
3906 入力端
3907 入力バルブ
3908 出力端
3909 出力バルブ
3910 流速(F)
3911 第1サブチャンバー
3912 第2サブチャンバー
3913 第3サブチャンバー
3914 第1色のマイクロ発光ダイオード
3915 第1バルブ
3916 第1入力ポート
3917 第2色のマイクロ発光ダイオード
3918 第2バルブ
3919 第2入力ポート
3920 第3色のマイクロ発光ダイオード
3921 第3バルブ
3922 第3入力ポート
3923 流体
3924 基板の第1バルブ
3925 基板の第2バルブ
3926 基板の第3バルブ
3927 光源
Claims (20)
- 第1型半導体層(101)と、
第2型半導体層(102)と、
前記第1型半導体層(101)及び前記第2型半導体層(102)の間に位置する発光層(103)と、
前記第2型半導体層(102)の周辺側壁領域と接触する側壁電流制限領域(201)と、を含み、
前記側壁電流制限領域(201)の周囲長は400μm以下である、ダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1上面(201―up)をさらに含み、
前記第2型半導体層(102)は第2上面(102―up)をさらに含み、
前記第2上面(102―up)及び前記第1上面(201―up)は、同一平面にある、請求項1に記載のダイオード装置。 - 透明電極(301)をさらに含み、
前記透明電極(301)は、前記第2型半導体層(102)の上に位置し、且つ、前記第2型半導体層(102)と電気的に接続し、
前記透明電極(301)は、前記側壁電流制限領域(201)を部分的に覆う、請求項1に記載のダイオード装置。 - 電極(302)をさらに含み、
前記電極(302)は、前記第2型半導体層(102)の上に位置し、且つ、前記透明電極(301)と電気的に接続し、
前記電極(302)は、前記第2型半導体層(102)と接触する、請求項3に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1上面(201―up)をさらに含み、
前記第2型半導体層(102)は第2上面(102―up)をさらに含み、
前記第1上面(201―up)には上面低導電率領域(iL−up)を有し、
前記第2上面(102―up)には上面高導電率領域(iH−up)を有し、
導電率分布は、前記上面低導電率領域(iL−up)から前記上面高導電率領域(iH−up)に向かって徐々に増加する、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1外面(201―out)をさらに含み、
前記第2型半導体層(102)は第2外面(102―out)をさらに含み、
前記第1外面(201―out)には側壁低導電率領域(iL−out)を有し、
前記第2外面(102―out)には側壁高導電率領域(iH−out)を有し、
導電率分布は、前記側壁低導電率領域(iL−out)から前記側壁高導電率領域(iH−out)に向かって徐々に増加する、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1上面(201―up)をさらに含み、
前記第1上面(201―up)は第1表面粗さ(RS−201−up)を有し、
前記第1表面粗さ(RS−201−up)は10nm以下である、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記第2型半導体層(102)は第2上面(102―up)をさらに含み、
前記第2上面(102―up)は第2表面粗さ(RS−102−up)を有し、
前記第2表面粗さ(RS−102−up)は10nm以下である、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1上面(201―up)をさらに含み、
前記第2型半導体層(102)は第2上面(102―up)をさらに含み、
前記第1上面(201―up)は第1表面粗さ(RS―201―up)を有し、
前記第2上面(102―up)は第2表面粗さ(RS―102―up)を有し、
前記第1表面粗さ(RS―201―up)は前記第2表面粗さ(RS―102―up)以上である、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1外面(201―out)をさらに含み、
前記第1外面(201―out)の粗さは10nmより大きい、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記第2型半導体層(102)は第2外面(102―out)をさらに含み、
前記第2外面(102―out)の粗さは10nmより大きい、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1外面(201―out)をさらに含み、
前記第2型半導体層(102)は第2外面(102―out)をさらに含み、
前記第1外面(201―out)は第3表面粗さ(RS―201―out)を有し、
前記第2外面(102―out)は第4表面粗さ(RS―102―out)を有し、
前記第3表面粗さ(RS―201―out)は前記第4表面粗さ(RS―102―out)以上である、請求項1に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1上面(201―up)、第1外面(201―out)、及び第1内面(201―in)をさらに含み、
前記第1上面(201―up)と前記第1外面(201―out)とは、第1夾角(Θ1)を成しており、
前記第1上面(201―up)と前記第1内面(201―in)とは、第2夾角(Θ2)を成しており、
前記第1夾角(Θ1)及び前記第2夾角(Θ2)は直角(90°)に近い、請求項1に記載のダイオード装置。 - 磁性層をさらに含み、前記磁性層は前記第1型半導体層(101)の下に位置する、請求項1に記載のダイオード装置。
- 第2電流制限領域(202)をさらに含み、
前記側壁電流制限領域(201)及び前記第2電流制限領域(202)の最短距離は50μm以下である、請求項1に記載のダイオード装置。 - 第3電流制限領域(203)をさらに含み、
前記第3電流制限領域(203)は、前記側壁電流制限領域(201)及び前記第2電流制限領域(202)の間に位置し、且つ、前記第2電流制限領域(202)と接触し、前記第3電流制限領域(203)の上面及び前記側壁電流制限領域(201)の上面は、同一平面にある、請求項15に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)は第1深さ(D1)を有し、
前記第2電流制限領域(202)は第2深さ(D2)を有し、
前記第3電流制限領域(203)は第3深さ(D3)を有し、
前記第1深さ(D1)は、前記第2深さ(D2)に等しく、且つ、前記第3深さ(D3)に等しい、請求項16に記載のダイオード装置。 - 前記側壁電流制限領域(201)、前記第2電流制限領域(202)、及び前記第3電流制限領域(203)は、イオン注入技術によって形成される、請求項17に記載のダイオード装置。
- ディスプレイ基板を含むディスプレイパネルであって、
前記ディスプレイ基板は、マイクロLED装置の配列を含み、
前記マイクロLED装置の一部は、側壁電流ブロック領域(501)を有し、前記マイクロLED装置の一部は、側壁電流制限領域(201)を有し、
各前記マイクロLED装置の最大幅は、1μmから100μmまでであり、
各前記マイクロLED装置は、第1型半導体層(101)と、第2型半導体層(102)と、前記第1型半導体層(101)及び前記第2型半導体層(102)の間に位置する発光層(103)と、を含み、
前記ディスプレイパネルは、前記マイクロLED装置の配列を切り替え及び駆動するために使用される回路をさらに含み、
前記ディスプレイパネルは、マイクロコントローラーチップ配列をさらに含み、
各前記マイクロコントローラーチップは、スキャン駆動回路及びデータ駆動回路と接続する、ディスプレイパネル。 - 可撓性基板(1010)を含む可撓性ディスプレイであって、
前記可撓性基板(1010)は、マイクロLED装置の配列を含み、
前記マイクロLED装置の一部は、側壁電流ブロック領域(501)を有し、
前記マイクロLED装置の一部は、側壁電流制限領域(201)を有し、
前記側壁電流ブロック領域(501)は、誘電材料から構成され、前記側壁電流制限領域(201)は、イオン注入技術によって形成され、
各前記マイクロLED装置の幅は、1μmから100μmまでであり、
各前記マイクロLED装置は、第1型半導体層(101)と、第2型半導体層(102)と、前記第1型半導体層(101)及び前記第2型半導体層(102)の間に位置する発光層(103)と、を含み
前記可撓性ディスプレイは、複数のスキャン線(1014)と、複数のデータ線(1015)と、をさらに含み、
各前記マイクロLED装置は、対応した前記スキャン線(1014)及び対応した前記データ線(1015)と接続し、
前記可撓性ディスプレイは、前記マイクロLED装置の配列を駆動するための駆動回路をさらに含み、
前記駆動回路は、ゲートドライバー(1012)とソースドライバー(1013)とを含む、可撓性ディスプレイ。
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