TWI826022B - 微型發光元件及微型發光元件顯示裝置 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一種微型發光元件,包括磊晶結構、絕緣層、電極結構及犧牲層。磊晶結構包括頂面與側面。絕緣層設置在磊晶結構的頂面與側面,且絕緣層包括開口。電極結構設置於磊晶結構的頂面上且穿過絕緣層的開口以電性連接至磊晶結構。犧牲層夾置於絕緣層的表面與對應的電極結構之間。本發明更提及一種微型發光元件顯示裝置。
Description
本發明是有關於一種發光元件及顯示裝置,且特別是有關於一種微型發光元件及微型發光元件顯示裝置。
目前,若電路板上的微型發光元件毀損而需要重工,在移除微型發光元件的過程中,對電路板上對應的接墊損傷較大,後續若要在此接墊上接合新的微型發光元件(用來替代壞掉的微型發光元件),容易發生接合不良的狀況。
為了避免此狀況,有些電路板上會設計專門預留給新的微型發光元件接合的接墊,但在這種情況下,電路板上除了要設置給初始連接的微型發光元件連接的備用接墊,還要預留空間給在需要替代時才會使用到的備用接墊,影響到電路板上的電路布局。
本發明提供一種微型發光元件,其所搭配的電路板不需
設置替代接墊,且從電路板移除時,電路板上的接墊不易損壞。
本發明提供一種微型發光元件顯示裝置,其電路板不需設置替代接墊,且微型發光元件從電路板移除時,電路板上的接墊不易損壞。
本發明的一種微型發光元件,包括磊晶結構、絕緣層、電極結構及犧牲層。磊晶結構包括頂面與側面。絕緣層設置在磊晶結構的頂面與側面,且絕緣層包括開口。電極結構設置於磊晶結構的頂面上且穿過絕緣層的開口以電性連接至磊晶結構。犧牲層夾置於絕緣層的表面與對應的電極結構之間。
本發明的一種微型發光元件顯示裝置,包括顯示背板及多個微型發光元件。顯示背板包括多個背板接墊。這些微型發光元件設置於顯示背板上,各微型發光元件包括磊晶結構、絕緣層及電極結構。磊晶結構包括頂面與側面。絕緣層設置在磊晶結構的頂面與側面,且絕緣層包括開口。電極結構設置於磊晶結構的頂面上且穿過絕緣層的開口以電性連接至磊晶結構,且連接至這些背板接墊的至少一者,其中電極結構與絕緣層的表面之間存在有間隙。
基於上述,本發明的微型發光元件的電極結構設置於磊晶結構的頂面上且穿過絕緣層的開口以電性連接至磊晶結構。犧牲層夾置於絕緣層的表面與對應的電極結構之間。也就是說,電極結構的一部分(電極接墊)會被犧牲層隔開於絕緣層的表面,電極結構的另一部分會連接於上述部分並穿過絕緣層的開口而連接於
磊晶結構(電極柱)。當微型發光元件要移除於顯示背板(或是其他電路板)的背板接墊時,只要先移除犧牲層,絕緣層與電極結構的上述部分之間的連接強度降低,較易從電極結構的一部分斷裂,此處,例如是電極柱的部分,而使磊晶結構連同絕緣層能夠從顯示背板的背板接墊上移除。由於電極結構的斷裂位置會是在電極結構的另一部分,而非與顯示背板的背板接墊的上述部分,當磊晶結構連同絕緣層從顯示背板的背板接墊上移除之後,背板接墊與所連接的線路本身不會被拉扯而損壞,可以再供新的微型發光元件連接。因此,顯示背板(或是其他電路板)上不需要再設置備用接墊,顯示背板(或是其他電路板)上的電路布局可更靈活有彈性。
B:基底
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
H1:第一高度
H2:第二高度
M:平台
10:微型發光元件顯示裝置
20:顯示背板
22、23:背板接墊
30、30g、31、32:殘留電極結構
32:共晶層
34:阻障層
36:接合層
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i:微型發光元件
110、110a:磊晶結構
111:頂面
112:側面
113:第一半導體層
114:第二半導體層
114a:第一部分
114b:第二部分
115:發光層
120:絕緣層
120a:第一開口
120b:第二開口
122:開口
124:表面
130、130g、130h:電極結構
131、131b、131d:第一電極柱
132、132b、132d:第二電極柱
133、134:內側面
135、136:外側面
137、137e:第一段部
138、138e:第二段部
139:電極柱
140、140g:第一電極接墊
141:第二電極接墊
142:第一接合層
142g:銲料層
143:阻障層
144:第二接合層
146:銲料層
147:共晶層
148、149:電極接墊
150:犧牲層
152、152c:犧牲區塊
160:間隙
圖1A是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件連接至顯示背板的剖面示意圖。
圖1B是將圖1A的微型發光元件移除於顯示背板的剖面示意圖。
圖1C是將另一個圖1A的微型發光元件連接至顯示背板的剖面示意圖。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。
圖3A是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖
面示意圖。
圖3B是圖3A的微型發光元件的俯視示意圖。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。
圖5是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。
圖6是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。
圖7是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件連接至顯示背板的剖面示意圖。
圖8A是依照本發明的一實施例的電極結構與背板接墊在回流製程(reflow)之前的剖面示意圖。
圖8B是圖8A的電極結構與背板接墊在回流製程(reflow)之後的剖面示意圖。
圖8C是新的電極結構要連接至殘留電極結構與背板接墊的剖面示意圖。
圖9是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。
圖10是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。
圖11是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件連接至顯示背板的剖面示意圖。要說明的是,在圖1A中,微型發光元件100上下翻轉180度,以覆晶的方式設置於顯示背板20上。請參閱圖1A,在本實施例中,微型發光元件100包括磊晶結構110、絕緣層120、電極結構130及犧牲層150。磊晶結構110包括頂面111、側面112、靠近頂面111的第一型半導體層113、遠離頂面111的第二型半導體層114、位於第一型半導體層113與第二型半導體層114之間的發光層115。第一型半導體層113與第二型半導體層114的其中一者例如是P型半導體,令一者例如是N型半導體。
絕緣層120設置在磊晶結構110的頂面111與側面112,且絕緣層120包括在磊晶結構110的頂面111上方的開口122。
電極結構130設置於磊晶結構110的頂面111上且穿過絕緣層120的開口122以電性連接至磊晶結構110。具體地說,在本實施例中,電極結構130包括第一電極接墊140、第二電極接墊141、連接於第一電極接墊140的第一電極柱131、連接於第二電極接墊141的第二電極柱132。第一電極接墊140和第一電極柱131,電性相反於第二電極接墊141和第二電極柱132。
第一電極接墊140與第二電極接墊141位於絕緣層120的表面124的上方,絕緣層120的開口122的數量為兩個,第一
電極柱131穿過絕緣層120的其中一個開口122而電性連接於磊晶結構110的第一半導體層113,第二電極柱132穿過絕緣層120的另一個開口122而電性連接於磊晶結構110的第二半導體層114。
第一電極接墊140與第二電極接墊141連接至電路板,在本實施例中,第一電極接墊140與第二電極接墊141例如是分別連接到顯示背板20的兩背板接墊22、23上,但電路板的種類不以此為限制。
由圖1A可見,第一電極接墊140與第一電極柱131在剖面上呈T型,第二電極接墊141與第二電極柱132在剖面上呈T型。因此,第一電極接墊140對絕緣層120的表面124(上表面)的正投影範圍大於且涵蓋對應的第一電極柱131對表面124的正投影範圍。第二電極接墊141對絕緣層120的表面124(上表面)的正投影範圍大於且涵蓋對應的第二電極柱132對表面124的正投影範圍。當然,在其他實施例中,第一電極接墊140與第一電極柱131在剖面上的形狀以及第二電極接墊141與第二電極柱132在剖面上的形狀不以此為限制。
在本實施例中,犧牲層150包括二犧牲區塊152,犧牲層150的其中一個犧牲區塊152(圖1A左方的犧牲區塊152)夾置於絕緣層120的表面124與第一電極接墊140之間,且此犧牲區塊152環繞第一電極柱131配置。犧牲層150的此犧牲區塊152對絕緣層120的表面124的正投影範圍大於等於第一電極結構130對表
面124的正投影範圍。
犧牲層150的另一個犧牲區塊152(圖1A右方的犧牲區塊152)夾置於絕緣層120的表面124與第二電極接墊141之間,且此犧牲區塊152環繞第二電極柱132配置。犧牲層150的此犧牲區塊152對絕緣層120的表面124的正投影範圍等於電極結構130對表面124的正投影範圍,因此犧牲層150和電極結構130可於同一蝕刻製程中形成。
在一實施例中,若犧牲區塊152對絕緣層120的表面124的正投影範圍大於電極結構130對表面124的正投影範圍,在接合時的力道較為平均。
犧牲層150例如包括含有苯並環丁烯(BCB)與光阻的膠、聚醯亞胺(polyimide)或是紫外線照光分解之高分子材料,但犧牲層150的種類不以此為限制。在本實施例中,犧牲層150可透過照光、加熱或是蝕刻等方式移除。
在製作微型發光元件100時,可先製作磊晶結構110,之後沉積絕緣層120,形成絕緣層120的開口122。接著,在絕緣層120的開口122周圍佈置犧牲層150。再來,沉積導電金屬於絕緣層120的開口122中以及犧牲層150的頂面而形成電極結構130。
圖1B是將圖1A的微型發光元件移除於顯示背板的剖面示意圖。請參閱圖1B,在本實施例中,當欲將微型發光元件100移除於顯示背板20時,先移除犧牲層150。由於第一電極柱131的寬度小於第一電極接墊140的寬度,且第二電極柱132的寬度
小於第二電極接墊141的寬度。第一電極柱131的結構強度小於第一電極接墊140的結構強度,且第二電極柱132的結構強度小於第二電極接墊141的結構強度。
若將磊晶結構110往遠離顯示背板20的方向移動或是射出/射入圖面的方向移動,如圖1B所示,第一電極柱131與第一電極接墊140的交界處之間以及第二電極柱132與第二電極接墊141的交界處之間容易發生斷裂。因此,圖1A的第一電極接墊140與第二電極接墊141至少會部分殘留在兩背板接墊22、23上而形成圖1B的兩殘留電極結構30、31。
因此,當磊晶結構110連同絕緣層120從顯示背板20的背板接墊22、23上移除之後,背板接墊22、23與所連接的線路(位於顯示背板20上,未繪示)本身不會被拉扯而損壞,可以再供新的微型發光元件100連接。
圖1C是將另一個圖1A的微型發光元件連接至顯示背板的剖面示意圖。請參閱圖1C,在本實施例中,另一個微型發光元件100連接至顯示背板20之後,此微型發光元件100的第一電極接墊140與第二電極接墊141分別連接於兩殘留電極結構30、31,以接合到顯示背板20,而完成重工,達到原地修補的效果。
因此,顯示背板20(或是其他電路板)上不需要再設置備用接墊,顯示背板20(或是其他電路板)上的電路布局可更靈活有彈性。且可提高顯示裝置的穿透率。
下面介紹其他態樣的微型發光元件,僅說明不同實施例
之間的差異,未說明的部分則與上面實施例相同或相似。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。要說明的是,由於圖2的微型發光元件100a尚未設置到顯示背板20上,而與圖1A的微型發光元件100會呈現上下顛倒。請參閱圖2,在本實施例中,磊晶結構110a的形狀與前一實施例略有不同。詳細來說,在本實施例中,第一型半導體層113、發光層115以及第二型半導體層114的一第一部分114a構成一平台M。第二型半導體層114的一第二部分114b形成相對於平台M的一基底B。絕緣層120的第一開口120a位於平台M,而第二開口120b暴露出第二型半導體層114的第二部分114b且位於基底B。具體來說,此處的微型發光元件100a例如為一水平式微型發光元件。
圖3A是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。圖3B是圖3A的微型發光元件的俯視示意圖。請參閱圖3A至圖3B,在本實施例中,第一方向D1是圖3A的上下方向,也就是微型發光元件10ba的高度方向。第二方向D2是圖3A的左右方向,也就是微型發光元件100b的長度方向。第一電極柱131與第二電極柱132的沿著第一方向D1延伸,第一電極接墊140與第二電極接墊141的連線沿第二方向D2延伸。
如圖3B所示,第三方向D3是微型發光元件100b的寬度方向,第三方向D3垂直於第一方向D1與第二方向D2,在本實施例中,第一電極柱131b與第二電極柱132b在第一方向D1上的橫
截面是兩橢圓形,此兩橢圓形在第二方向D2上的長度不同於在第三方向D3上的長度。
具體地說,第一電極柱131b與第二電極柱132b在第一方向D1上的橫截面在第二方向D2上的長度大於在第三方向D3上的長度。後續若要移除微型發光元件100b時,可沿著第三方向D3施力,而有助將第一電極柱131b分離於第一電極接墊140,且第二電極柱132b分離於第二電極接墊141。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請參閱圖4,在本實施例中,微型發光元件100c的第一電極柱131與第二電極柱132分別包括朝向彼此的二內側面133、134及遠離彼此的二外側面135、136,此處,犧牲層150可以透過光照移除。透過將二犧牲區塊152c分別設置於二外側面135、136,而暴露出二內側面133、134。由於外側面135、136較易照到光,這樣的設計可有助於移除犧牲區塊152c的方便性。
圖5是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請參閱圖5,在本實施例中,微型發光元件100d的第一電極柱131d與第二電極柱132d沿著第一方向D1延伸,第一電極柱131d與第二電極柱132d的每一者在第一方向D1上包括第一段部137及第二段部138,第二段部138位於第一段部137與第一電極接墊140和第二電極接墊141之間。
第一段部137穿過絕緣層120的開口122,且第一段部137的局部與第二段部138被犧牲層150包圍。第一段部137位於
開口122內,犧牲層150接觸第二段部138。在本實施例中,第二段部138的截面積小於第一段部137的截面積。要移除微型發光元件100時,這樣的設計有助於第一電極柱131d與第一電極接墊140之間的斷裂以及第二電極柱132d與第二電極接墊141之間的斷裂。在未繪示出的實施例中,第一段部137可全部位於開口內,第二段部138露出於開口外。
當然,第一段部137與第二段部138的尺寸關係不以此為限制。圖6是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件的剖面示意圖。請參閱圖6,在本實施例的微型發光元件100e中,第二段部138e的截面積大於第一段部137e的截面積。較佳,第一段部137e的截面積與第二段部138e的截面積大於等於90%,可兼具電極結構配置的穩定度,第二段部138e又不至於過大不利後續斷裂。
圖7是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件連接至顯示背板20的剖面示意圖。請參閱圖7,在本實施例中,微型發光元件100f在連接至顯示背板20之後,即便尚未要移除微型發光元件100f,仍可先將犧牲層150(圖1A)移除,而使得第一電極接墊140與絕緣層120之間存在有間隙160,且第二電極接墊141與絕緣層120之間存在有間隙160。如此一來,若後續要更換微型發光元件100f,就不需要再進行移除犧牲層150的步驟。且可避免犧牲層的殘留影響顯示裝置的良率。
圖8A是依照本發明的一實施例的電極結構與背板接墊
在回流製程(reflow)之前的剖面示意圖。要說明的是,圖8A是以第一電極接墊140g為例,但第二電極接墊也是相同的配置,不再多加贅述。圖8A的結構可應用於本案的所有實施例,但本案的所有實施例中的電極結構的種類不以此為限制。
請參閱圖8A,在本實施例中,第一電極接墊140g與背板接墊22透過銲料層146連接,第一電極接墊140g包括依序排列的第一接合層142、阻障層143及第二接合層144,第一接合層142連接第一電極柱131。在本實施例中,第一接合層142例如是金層,在其他實施例中,第一接合層142也可以是多層結構,可包括金層與鉻/鈦/鋁層。阻障層143例如包括鎳、鉑、鈦鎢、鎢等材料,阻障層143可為多層結構,用以避免全部的第一接合層142共晶產生。第二接合層144例如是金層,在其他實施例中,第二接合層144也可以是多層結構,可包括金層與鉻/鈦/鋁層。,其中所述第一接合層和所述第二接合層述具有相同材料。當然,第一接合層142、阻障層143及第二接合層144的材料不以此為限制。
圖8B是圖8A的電極結構與背板接墊在回流製程(reflow)之後的剖面示意圖。請參閱圖8B,第一電極接墊140g與背板接墊22透過銲料層146連接,在回流製程(reflow)之後,圖8A的第二接合層144與銲料層146便會轉變成圖8B的共晶層147。
圖8C是新的電極結構要連接至殘留電極結構與背板接墊的剖面示意圖。請參閱圖8C,若要移除磊晶結構110(如圖1B),第一電極柱131(圖8B)與第一接合層142的交界處斷裂,而成為
殘留電極結構30g。後續,新的電極結構130g連接至第一接合層142。在本實施例中,新的電極結構130g可包括第一電極柱131與第一接合層142(金層)、阻障層143、第二接合層144(金層)和銲料層142g(金層與錫層),銲料層142g可與殘留電極結構30g的第一接合層142產生共晶,形成一共晶層(未繪示)。
在前面的實施例中,微型發光元件以倒裝式微型發光元件為例,但微型發光元件的種類不以此為限制。
圖9是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件100的剖面示意圖。請參閱圖9,在本實施例中,微型發光元件100h為垂直式微型發光元件。電極結構130h包括電極接墊148及連接於電極接墊148的電極柱139,電極柱139穿過開口122而連接至第一半導體層113,另一電極接墊149直接配置在第二半導體層114上。同樣地,犧牲層150設置在電極接墊148與絕緣層120之間,犧牲層150搭配電極柱139的設計可有助於移除磊晶結構110。
圖10是依照本發明的一實施例的一種微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。請參閱圖10,在本實施例中,微型發光元件顯示裝置10包括顯示背板20及多個微型發光元件100f。顯示背板20包括多個背板接墊22、23。這些微型發光元件100f設置於顯示背板20上。
微型發光元件100f的數量以三個為例,但數量上不以此為限制。此外,在本實施例中,微型發光元件100f以圖7的微型發光元件100f為例,在本實施例中,間隙160存在於絕緣層120
的表面124與對應的電極接墊之間。間隙160為一空氣間隙160。當然,在其他實施例中,也可採用上述其他實施例的微型發光元件。也就是說,會有犧牲層150(圖1A)配置於間隙160。同樣地,本實施例的微型發光元件顯示裝置10可具有上述方便移除微型發光元件100f且不破壞背板接墊22、23與所連接的線路的優點。
圖11是依照本發明的另一實施例的一種微型發光元件顯示裝置的剖面示意圖。請參閱圖11,在本實施例中,微型發光元件顯示裝置10a包括連接於殘留電極結構31、32的第一微型發光元件100i、及兩第二微型發光元件100f。第一微型發光元件100i位於中央,兩第二微型發光元件100f位於第一微型發光元件100i的兩側。
殘留電極結構31位於第一微型發光元件100i的第一電極接墊140與背板接墊22之間,殘留電極結構32位於第一微型發光元件100i的第二電極接墊141與背板接墊23之間。殘留電極結構31、32的每一者包括依序排列的共晶層32、阻障層34與接合層36,共晶層32靠近背板接墊22、23。
在本實施例中,由於第一微型發光元件100i連接到殘留電極結構31、32,第二微型發光元件100f未連接到殘留電極結構31、32,殘留電極結構31、32本身有一定的高度,而使得第一微型發光元件100i的一第一高度H1大於第二微型發光元件100f的一第二高度H2。
綜上所述,本發明的微型發光元件的電極結構設置於磊
晶結構的頂面上且穿過絕緣層的開口以電性連接至磊晶結構。犧牲層夾置於絕緣層的表面與對應的電極結構之間。也就是說,電極結構的電極接墊會被犧牲層隔開於絕緣層的表面,電極結構的電極柱會連接於電極接墊並穿過絕緣層的開口而連接於磊晶結構。當微型發光元件要移除於顯示背板(或是其他電路板)的背板接墊時,只要先移除犧牲層,絕緣層與電極結構的電極接墊之間的連接強度降低,此外,電極柱的截面積較小,較易斷裂,而使磊晶結構連同絕緣層能夠從顯示背板的背板接墊上移除。由於電極結構的斷裂位置會是在電極結構的電極柱,而非與顯示背板的背板接墊的電極接墊,當磊晶結構連同絕緣層從顯示背板的背板接墊上移除之後,背板接墊與所連接的線路本身不會被拉扯而損壞,可以再供新的微型發光元件連接。因此,顯示背板(或是其他電路板)上不需要再設置備用接墊,顯示背板(或是其他電路板)上的電路布局可更靈活有彈性。
20:顯示背板
22、23:背板接墊
100:微型發光元件
110:磊晶結構
111:頂面
112:側面
113:第一型半導體層
114:第二型半導體層
115:發光層
120:絕緣層
122:開口
124:表面
130:電極結構
131:第一電極柱
132:第二電極柱
140:第一電極接墊
141:第二電極接墊
150:犧牲層
152:犧牲區塊
Claims (14)
- 一種微型發光元件,包括:磊晶結構,包括頂面與側面;絕緣層,設置在所述磊晶結構的所述頂面與所述側面,且所述絕緣層包括開口;電極結構,設置於磊晶結構的所述頂面上且穿過所述絕緣層的所述開口以電性連接至所述磊晶結構;以及犧牲層,夾置於所述絕緣層的表面與對應的所述電極結構之間,其中所述電極結構分別包括一體成型之電極接墊及連接於所述電極接墊的電極柱,所述電極柱穿過所述開口,所述電極接墊位於所述表面的上方,所述犧牲層夾置於所述絕緣層的所述表面與對應的所述電極接墊之間。
- 如請求項1所述的微型發光元件,其中所述犧牲層對所述表面的正投影範圍大於等於對應的所述電極結構對所述表面的正投影範圍。
- 如請求項1所述的微型發光元件,其中所述電極接墊對所述表面的正投影範圍大於且涵蓋對應的所述電極柱對所述表面的正投影範圍。
- 如請求項1所述的微型發光元件,其中所述犧牲層環繞所述電極柱配置。
- 如請求項1所述的微型發光元件,其中所述電極柱沿著第一方向延伸,且在所述第一方向上包括第一段部及第二段部,所述第二段部位於所述第一段部與所述電極接墊之間,所述第二段部的截面積小於所述第一段部的截面積。
- 如請求項5所述的微型發光元件,其中所述第一段部位於所述開口內,所述犧牲層接觸所述第二段部。
- 如請求項1所述的微型發光元件,其中所述電極接墊包括依序排列的第一接合層、阻障層及第二接合層,所述第一接合層連接對應的所述電極柱,其中所述第一接合層和所述第二接合層具有相同材料。
- 如請求項1所述的微型發光元件,其中所述電極結構包括第一電極接墊、第二電極接墊、連接於所述第一電極接墊的第一電極柱、連接於所述第二電極接墊的第二電極柱,所述第一電極柱與所述第二電極柱的沿著第一方向延伸,所述第一電極接墊與所述第二電極接墊的連線沿第二方向延伸,所述第一電極柱在所述第一方向上的橫截面在所述第二方向上的長度不同於在第三方向上的長度,所述第二電極柱在所述第一方向上的橫截面在所述第二方向上的長度不同於在第三方向上的長度,所述第三方向垂直於所述第一方向與所述第二方向。
- 如請求項1所述的微型發光元件,其中所述電極結構包括第一電極接墊、第二電極接墊、連接於所述第一電極接墊的第一電極柱、連接於所述第二電極接墊的第二電極柱,所述第一 電極柱與所述第二電極柱分別包括朝向彼此的二內側面及遠離彼此的二外側面,所述犧牲層包括二犧牲區塊,所述二犧牲區塊分別設置於所述二外側面,而暴露出所述二內側面。
- 一種微型發光元件顯示裝置,包括:顯示背板,包括多個背板接墊;以及多個微型發光元件,設置於所述顯示背板上,所述多個微型發光元件的每一者包括:磊晶結構,包括頂面與側面;絕緣層,設置在所述磊晶結構的所述頂面與所述側面,且所述絕緣層包括開口;以及電極結構,設置於磊晶結構的所述頂面上且穿過所述絕緣層的所述開口以電性連接至所述磊晶結構,且連接至所述多個背板接墊的至少一者,其中所述電極結構與所述絕緣層的表面之間存在有間隙,其中所述電極結構分別包括一體成型之電極接墊及連接於所述電極接墊的電極柱,所述電極柱穿過所述開口,所述電極接墊位於所述表面的上方,所述間隙存在於所述絕緣層的所述表面與對應的所述電極接墊之間。
- 如請求項10所述的微型發光元件顯示裝置,更包括一犧牲層,所述犧牲層配置於所述間隙。
- 如請求項10所述的微型發光元件顯示裝置,所述間隙為一空氣間隙。
- 如請求項10所述的微型發光元件顯示裝置,其中所述多個微型發光元件包括連接於殘留電極結構的第一微型發光元件及第二微型發光元件,所述殘留電極結構位於所述第一微型發光元件的所述電極接墊與對應的所述背板接墊之間,所述殘留電極結構包括依序排列的共晶層、阻障層與接合層,所述共晶層靠近所述背板接墊。
- 如請求項13所述的微型發光元件顯示裝置,其中所述第一微型發光元件的一第一高度大於所述第二微型發光元件的一第二高度。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111136904A TWI826022B (zh) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 微型發光元件及微型發光元件顯示裝置 |
US17/974,560 US20240113261A1 (en) | 2022-09-29 | 2022-10-27 | Micro light-emitting element and micro light-emitting element display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111136904A TWI826022B (zh) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 微型發光元件及微型發光元件顯示裝置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI826022B true TWI826022B (zh) | 2023-12-11 |
TW202414859A TW202414859A (zh) | 2024-04-01 |
Family
ID=90053222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111136904A TWI826022B (zh) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 微型發光元件及微型發光元件顯示裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240113261A1 (zh) |
TW (1) | TWI826022B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202044610A (zh) * | 2018-08-10 | 2020-12-01 | 林宏誠 | 一種發光二極體裝置、顯示面板及軟性顯示裝置 |
-
2022
- 2022-09-29 TW TW111136904A patent/TWI826022B/zh active
- 2022-10-27 US US17/974,560 patent/US20240113261A1/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TW202044610A (zh) * | 2018-08-10 | 2020-12-01 | 林宏誠 | 一種發光二極體裝置、顯示面板及軟性顯示裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202414859A (zh) | 2024-04-01 |
US20240113261A1 (en) | 2024-04-04 |
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