CN113725340A - 微型发光二极管显示设备 - Google Patents

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CN113725340A CN202111017009.XA CN202111017009A CN113725340A CN 113725340 A CN113725340 A CN 113725340A CN 202111017009 A CN202111017009 A CN 202111017009A CN 113725340 A CN113725340 A CN 113725340A
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emitting diode
frame
display device
micro light
light emitting
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孙圣渊
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PlayNitride Inc
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Abstract

本发明提供一种微型发光二极管显示设备。微型发光二极管显示设备包含具有显示区的基板、多个微型发光二极管结构及多个光转换结构，微型发光二极管结构设置于显示区之内并排列为数组，光转换结构设置于部分微型发光二极管结构之上。微型发光二极管显示设备也包含定位胶框及阻隔胶框，定位胶框设置于显示区之外，阻隔胶框围绕定位胶框。阻隔胶框的水气穿透率低于定位胶框的水气穿透率。微型发光二极管显示设备还包含盖板，盖板设置于基板之上并通过定位胶框和阻隔胶框与基板连接。

Description

微型发光二极管显示设备
技术领域
本公开实施例涉及一种发光二极管显示设备，尤其涉及一种包含定位胶框与阻隔胶框的微型发光二极管显示设备。
背景技术
随着光电科技的进步，光电组件的体积逐渐往小型化发展。相较于有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)，微型发光二极管(micro LED,mLED/μLED)具有效率高、寿命较长、材料不易受到环境影响而相对稳定等优势。因而，使用以数组排列制作的微型发光二极管的显示器在市场上逐渐受到重视。
量子点(quantum dot,QD)是由II-VI族或III-V族元素所组成的半导体颗粒，其尺寸一般为几纳米至数十纳米之间。量子点材料的发光颜色可通过其尺寸、结构或成分进行调节，且具有发光效率高、使用寿命长、颜色纯度高等特点。通过改变量子点的尺寸和化学组成可使其荧光发射波长覆盖整个可见光区域。当将量子点应用在显示领域(例如，微型发光二极管显示设备)中时，可提升颜色的饱和度和色域。
然而，由于量子点接近原子尺寸，对光、热、水氧等环境因素具有相当的敏感度，因而提高了封装制程的难度。传统的封装方式对于使用量子点的微型发光二极管显示设备容易产生较大程度的偏差(偏移)，导致使用者于较大角度的视角(例如，与微型发光二极管显示设备的法线偏离60度以上)观赏显示设备所呈现的调下时，会看到严重的色偏。
发明内容
在本公开的实施例中，微型发光二极管显示设备包含定位胶框与阻隔胶框，且阻隔胶框的水气穿透率低于定位胶框的水气穿透率。定位胶框可提供微型发光二极管显示设备中的两个基板更准确的对位，藉此有效改善色偏。此外，阻隔胶框能有效阻挡水氧、氧气等环境因子，藉此保护显示区内的组件。
本公开实施例包含一种微型发光二极管显示设备。微型发光二极管显示设备包含基板，基板具有显示区。微型发光二极管显示设备也包含多个微型发光二极管结构，微型发光二极管结构设置于显示区之内并排列为数组。微型发光二极管显示设备还包含多个光转换结构，光转换结构设置于部分微型发光二极管结构之上，以转换此部分微型发光二极管结构发出的光波长。此外，微型发光二极管显示设备包含定位胶框，定位胶框设置于显示区之外。微型发光二极管显示设备也包含阻隔胶框，阻隔胶框围绕定位胶框。阻隔胶框的水气穿透率低于定位胶框的水气穿透率。微型发光二极管显示设备还包含盖板，盖板设置于基板之上并通过定位胶框和阻隔胶框与基板连接。
附图说明
以下将配合所附附图详述本公开实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，组件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。
图1是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示设备的部分上视图；
图2A是根据本公开一实施例沿着图1的线A-A’所切的微型发光二极管显示设备的部分剖面图；
图2B是根据本公开另一实施例沿着图1的线A-A’所切的微型发光二极管显示设备的部分剖面图；
图3是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示设备的部分上视图；
图4是根据本公开一实施例沿着图3的线B-B’所切的微型发光二极管显示设备的部分剖面图；
图5是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管显示设备的部分剖面图；
图6是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管显示设备的部分剖面图；
图7是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管显示设备的部分剖面图。
附图标记说明
100,102,104,106,108:微型发光二极管显示设备
101:外部电路基板
10:基板
10D:显示区
12B,12G:微型发光二极管结构
12S:阻挡网格
14R,14G:光转换结构
14W:透明结构
16S:挡墙结构
21:定位胶框
23,23’:阻隔胶框
23S:间隔物
30:盖板
32R,32G,32B:彩色滤光结构
34:遮光结构
A-A’,B-B’:线
T:厚度
W21:定位胶框的宽度
W23:阻隔胶框的宽度
具体实施方式
以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开实施例叙述了第一特征部件形成于第二特征部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征部件与上述第二特征部件是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征部件形成于上述第一特征部件与上述第二特征部件之间，而使上述第一特征部件与第二特征部件可能未直接接触的实施例。
应理解的是，额外的操作步骤可实施于所述方法之前、之间或之后，且在所述方法的其他实施例中，部分的操作步骤可被取代或省略。
此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…之下”、“在…的下方”、“下”、“在…之上”、“在…的上方”、“上”及类似的用词，这些空间相关用词系为了便于描述图示中一个(些)组件或特征部件与另一个(些)组件或特征部件之间的关系，这些空间相关用词包含使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(例如，旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。
在说明书中，“约”、“大约”、“实质上”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，或10％之内，或5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”的含义。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本公开实施例有特别定义。
以下所公开的不同实施例可能重复使用相同的参考符号和/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例和/或结构之间有特定的关系。
图1是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示设备100的部分上视图。图2A是根据本公开一实施例沿着图1的线A-A’所切的微型发光二极管显示设备100的部分剖面图。图2B是根据本公开另一实施例沿着图1的线A-A’所切的微型发光二极管显示设备100的部分剖面图。要注意的是，为了简便起见，图1、图2A及图2B中已省略微型发光二极管显示设备100的部分部件。此外，图1中也示意微型发光二极管显示设备100的部分电路连接关系，但并非代表微型发光二极管显示设备100的所有电路。
参照图1与图2A，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含基板10，基板10具有显示区10D。基板10可例如为刚性线路基板，其可包含元素半导体(例如，硅或锗)、化合物半导体(例如，碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)或磷化铟(InP))、合金半导体(例如，SiGe、SiGeC、GaAsP或GaInP)、其他适当的半导体或前述的组合。基板10也可为柔性线路基板(flexible circuit substrate)、绝缘层上半导体基板(semiconductor-on-insulator(SOI)substrate)、或玻璃基板等。此外，基板10可包含各种导电部件(例如，导线(conductive line)或导孔(via))。举例而言，前述导电部件可包含铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、其各自的合金、其他适当的导电材料或前述的组合。基板10可再与外部电路基板101接合，以驱动并操作显示区10D显示画面。
参照图2A，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含多个微型发光二极管结构12B，微型发光二极管结构12B设置于基板10的显示区10D之内。举例来说，微型发光二极管结构12B为可发出蓝光的微型蓝光二极管晶粒，但本公开实施例并非以此为限。在一些实施例中，多个微型发光二极管结构12B排列为数组(array)，并形成多个像素以显示画面。
举例来说，微型发光二极管结构12B可包含N型半导体层、发光层与P型半导体层，发光层设置于N型半导体层与P型半导体层之间。此外，微型发光二极管结构12B的厚度例如不大于10微米，而微型发光二极管结构12B的宽度例如不大于50微米。微型发光二极管结构所发出的光是由发光层所决定。举例来说，微型发光二极管结构12B可发出蓝色(blue)光，但本公开实施例并非以此为限。微型发光二极管结构的发光层也可发出紫外光(ultraviolet light)、绿色(green)光、青色(cyan)光、黄色(yellow)光、其他合适的色光或其组合。
N型半导体层可包含Ⅱ-Ⅵ族材料(例如，硒化锌(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ氮族化合物材料(例如，氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))，且N型半导体层可包含硅(Si)或锗(Ge)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。
发光层可包含至少一无掺杂(undoped)半导体层或是至少一低掺杂层。举例来说，发光层可为一量子井(quantum well,QW)层，其可包含氮化铟镓(indium galliumnitride,InxGa1-xN)或氮化镓(gallium nitride,GaN)，但本公开实施例并非以此为限。或者，发光层也可为一多重量子井(multiple quantum well,MQW)层。
P型半导体层可包含Ⅱ-Ⅵ族材料(例如，硒化锌(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ氮族化合物材料(例如，氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铝铟镓(AlInGaN))，且P型半导体层可包含镁(Mg)、碳(C)等掺杂物，但本公开实施例并非以此为限。此外，N型半导体层与P型半导体层可为单层或多层结构。
在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含多个光转换结构14R、14G，光转换结构14R、14G设置于一些微型发光二极管结构12B之上，以转换微型发光二极管结构12B发出的光波长。举例来说，光转换结构14R可包含红色量子点材料，而光转换结构14G可包含绿色量子点材料，且光转换结构14R、14G分别设置于发出蓝光的微型发光二极管结构12B之上。在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100也包含多个透明结构14W，透明结构14W设置于其他的微型发光二极管结构12B之上。
在一些实施例中，光转换结构14R、14G覆盖微型发光二极管结构12B并与微型发光二极管结构12B接触。具体而言，光转换结构14R可对应于红色子像素，光转换结构14R的红色量子点材料经微型发光二极管结构12B所发出的蓝色光激发后可发出红色光；光转换结构14G可对应于绿色子像素，光转换结构14G的绿色量子点材料经微型发光二极管结构12B所发出的蓝色光激发后可发出绿色光；透明结构14W可对应于蓝色子像素，微型发光二极管结构12B所发出的蓝色光可穿透透明结构14W，但本公开实施例并非以此为限。前述红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素可组合成一个像素，多个像素以数组形式设置于显示区10D中以显示画面。
微型发光二极管显示设备100包含定位胶框21与阻隔胶框23，定位胶框21设置于基板10的显示区10D之外，而阻隔胶框23围绕定位胶框21。具体而言，如图1所示，阻隔胶框23设置于定位胶框21的外侧，并邻接于定位胶框21。定位胶框21与阻隔胶框23是分别由不同的有机胶材所构成，其可包含高分子材料，例如环氧树脂、压克力树脂、其他合适的材料或其组合，但本公开实施例并非以此为限。
在一些实施例中，阻隔胶框23的水气穿透率低于定位胶框21的水气穿透率(watervapor transmission rate,WVTR)。举例来说，阻隔胶框23的水气穿透率可小于约1％。在一些实施例中，阻隔胶框23的氧气穿透率(oxygen transmission rate,OTR)也低于定位胶框21的氧气穿透率。换言之，阻隔胶框23相较于定位胶框21具有更好的抗水氧能力。
定位胶框21可例如通过喷墨印刷(ink jet printing)所形成，阻隔胶框23可例如通过点胶制程(dispensing process)所形成，且两者可于波长365nm的紫外光(ultraviolet,UV)下进行固化。
在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含盖板30，盖板30设置于基板10之上并通过定位胶框21和阻隔胶框23与基板10连接。举例来说，定位胶框21和阻隔胶框23皆具有高黏着力(adhesive force)(例如，大于约1N/mm2)。因此，经过热压(hot pressing)制程后，可使盖板30与基板10稳固地连接。
如图2A所示，在一些实施例中，定位胶框21和阻隔胶框23的厚度T介于约15μm至约30μm。因此，可使盖板30与基板10的距离保持介于约15μm至约30μm。
在一些实施例中，定位胶框21的黏滞性(viscosity)小于阻隔胶框23的黏滞性。举例来说，定位胶框21的黏滞性可小于约25cP，而阻隔胶框23的黏滞性可大于约2500cP。如图1所示，在一些实施例中，定位胶框21的顶面积小于阻隔胶框23的顶面积。在此，定位胶框21的顶面积定义为定位胶框21与盖板30的接触面积，而阻隔胶框23的顶面积定义为阻隔胶框23与盖板30的接触面积。
如图1与图2A所示，定位胶框21和阻隔胶框23皆位于基板10的显示区10D外部。亦即，定位胶框21和阻隔胶框23皆与显示区10D内部的组件(例如，微型发光二极管结构12B、光转换结构14R、14G、透明结构14W等)分离。由于定位胶框21的物理特性，可使盖板30与基板10更精准地对位并保持均匀的距离，藉此有效改善色偏。由于阻隔胶框23具有更好的抗水氧能力，能有效将水氧、氧气等环境因子阻隔于基板10的显示区10D外部，以保护显示区10D内部的组件。
此外，在一些实施例中，阻隔胶框23的透光率(light transmittance)小于定位胶框21的透光率。由于阻隔胶框23围绕定位胶框21，具有较低透光率的阻隔胶框23可进一步防止微型发光二极管显示设备100漏光。
如图2A所示，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含阻挡网格12S，阻挡网格12S设置于微型发光二极管结构12B之上并具有多个凹槽，凹槽对应并暴露出微型发光二极管结构12B(的至少一部分)，且光转换结构14R、光转换结构14G及透明结构14W设置于凹槽中。具体而言，如图2A所示，阻挡网格12S可设置于光转换结构14R、光转换结构14G及透明结构14W之间。阻挡网格12S可包含吸光绝缘材料或反射绝缘材料，例如黑色光阻，但本公开实施例并非以此为限。
阻挡网格12S可通过沉积制程所形成，例如化学气相沉积制程、原子层沉积制程、旋转涂布制程、类似的沉积制程或前述的组合，但本公开实施例并非以此为限。举例来说，可通过沉积制程将前述绝缘材料形成于基板10之上。接着，可通过图案化制程在前述绝缘材料中形成多个凹槽，以形成阻挡网格12S。阻挡网格12S的凹槽可暴露每个微型发光二极管结构12B的至少一部分。此外，光转换结构14R、光转换结构14G及透明结构14W可形成于阻挡网格12S的凹槽内，并覆盖、接触对应的微型发光二极管结构12B，但本公开实施例并非以此为限。
如图2A所示，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含多个彩色滤光结构32R、32G、32B，彩色滤光结构32R、32G、32B设置于盖板30靠近基板10的一侧之上并对应于微型发光二极管结构12B。举例来说，彩色滤光结构32R为红色滤光结构，其对应于光转换结构14R(例如，设置于光转换结构14R之上)并可阻挡大部分非红色光通过；彩色滤光结构32G为绿色滤光结构，其对应于光转换结构14G(例如，设置于光转换结构14G之上)并可阻挡大部分非绿色光通过；彩色滤光结构32B为蓝色滤光结构，其对应于透明结构14W(例如，设置于透明结构14W之上)并可阻挡大部分非蓝色光通过。彩色滤光结构32R、32G、32B可进一步提升微型发光二极管显示设备100的色彩饱和度(color saturation)。
如图2A所示，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含多个遮光结构34，遮光结构34同样设置于盖板30靠近基板10的一侧之上，并位于彩色滤光结构32R、32G、32B之间。遮光结构34可用于遮蔽微型发光二极管结构12B所发出并通过光转换结构14R、光转换结构14G或透明结构14W的光，防止其彼此发生串扰(crosstalk)。
举例来说，遮光结构34可包含金属，例如铜(Cu)、银(Ag)等。此外，遮光结构34也可包含光阻(例如，黑光阻或其他适当的非透明的光阻)、油墨(例如，黑色油墨或其他适当的非透明的油墨)、模制化合物(molding compound)(例如，黑色模制化合物或其他适当的非透明的模制化合物)、防焊材料(solder mask)(例如，黑色防焊材料或其他适当的非透明的防焊材料)、环氧树脂、其他适当的材料或前述材料的组合。遮光结构34可包含光固化材料、热固化材料或前述材料的组合，但本公开实施例并非以此为限。
在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100的制造方法至少包含以下步骤。首先，提供基板10，基板10具有显示区10D。接着，将多个微型发光二极管结构12B形成于显示区10D之内并排列为数组。接着，将多个光转换结构14R、14G形成于一些微型发光二极管结构12B之上。接着，在基板10的显示区10D外部形成定位胶框21。接着，执行压合制程以将盖板30与基板10接合。具体而言，可通过定位胶框21将盖板30与基板10接合，并例如通过紫外光(UV)将定位胶框21固化。接着，沿着定位胶框21的外围将阻隔胶框23涂布于基板10与盖板30之间。最后，再次执行压合制程。具体而言，可例如通过紫外光(UV)将阻隔胶框23固化。
在一些其他的实施例中，光转换结构14R、14G是设置于盖板30之上并分别位于彩色滤光结构32R、32G与微型发光二极管结构12B之间，但本公开实施例并非以此为限。
图2B是微型发光二极管显示设备100的另一种部分剖面图。与图2A的主要不同之处在于，微型发光二极管显示设备100也包含多个微型发光二极管结构12G。举例来说，微型发光二极管结构12G为可发出绿光的微型蓝光二极管结构。亦即，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备100包含至少两种不同的微型发光二极管结构。
此外，彩色滤光结构32R、32G、32B与遮光结构34可不设置于盖板30之上。在一些实施例中，彩色滤光结构32R、32G、32B设置于阻挡网格12S的凹槽中并位于光转换结构14R或透明结构14W之上，而遮光结构34设置(或直接形成)于阻挡网格12S之上。换言之，盖板30可为透明空板，使得盖板30在与基板10贴合时不需要精细的对位精准度。
如图2B所示，微型发光二极管显示设备100未包含光转换结构14G。相对地，微型发光二极管显示设备100包含发出蓝光的微型发光二极管结构12B以及发出绿光的微型发光二极管结构12G，且透明结构14W也设置于微型发光二极管结构12G之上。换言之，透明结构14W也可对应于绿色子像素，而微型发光二极管结构12G所发出的绿色光可穿透透明结构14W，但本公开实施例并非以此为限。再者，如图2B所示，彩色滤光结构32G为绿色滤光结构，其对应于透明结构14W(例如，设置于透明结构14W之上)并可阻挡大部分非绿色光通过。
图3是根据本公开一实施例示出微型发光二极管显示设备102的部分上视图。图4是根据本公开一实施例沿着图3的线B-B’所切的微型发光二极管显示设备102的部分剖面图。类似地，为了简便起见，图3及图4中已省略微型发光二极管显示设备102的部分部件。此外，图3中也示意微型发光二极管显示设备102的部分电路连接关系，但并非代表微型发光二极管显示设备102的所有电路。
微型发光二极管显示设备102具有与微型发光二极管显示设备100类似的结构，其不同之处主要在于定位胶框21的结构。如图3与图4所示，在一些实施例中，定位胶框21形成为不连续的图案。更详细而言，定位胶框21包含多个区段，这些区段彼此分离以形成不连续的图案，且相邻的两个区段之间具有间隙。举例来说，可通过喷墨印刷将定位胶框21形成为包含多个彼此分离的区段。此外，在进行热压制程的期间，阻隔胶框23可穿过这些区段之间的间隙。因此，如图3与图4所示，在一些实施例中，阻隔胶框23固化后同时设置于定位胶框21的内侧与外侧且封闭整个显示区10D的外围。
如图4所示，在一些实施例中，定位胶框21的宽度W21小于阻隔胶框23的宽度W23。举例来说，定位胶框21的宽度W21可介于约100μm至约1000μm，而阻隔胶框23的宽度W23可介于约0.5mm至约8mm。若定位胶框21的宽度W21太小，则黏着力不足，无法将盖板30与基板10稳固地连接。若阻隔胶框23的宽度W23太小，则抗水氧能力不足，无法将水氧、氧气等环境因子阻隔于基板10的显示区10D外部。反之，若定位胶框21的宽度W21或阻隔胶框23的宽度W23太大，会使微型发光二极管显示设备102的整体边框(或非显示区)太大，给予观赏者的视觉与美感体验较差。
图5是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管显示设备104的部分剖面图。图6是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管显示设备106的部分剖面图。图7是根据本公开另一实施例示出微型发光二极管显示设备108的部分剖面图。类似地，为了简便起见，图5至图7中已省略微型发光二极管显示设备104、106、108的部分部件。此外，微型发光二极管显示设备104、106、108的部分上视图可类似于图1或图3所示的结构，但本公开实施例并非以此为限。
如图5所示，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备104进一步包含挡墙结构16S，挡墙结构16S设置于基板10的显示区10D之外并具有凹槽，且定位胶框21设置于挡墙结构16S的凹槽中。举例来说，挡墙结构16S可包含与阻挡网格12S相同或类似的材料，这些材料的范例如前所述，在此不再重复。
此外，挡墙结构16S可通过沉积制程(及图案化制程)形成于基板10之上。沉积制程的范例如前所述，在此不再重复。举例来说，挡墙结构16S可与阻挡网格12S通过相同的制程同时形成，但本公开实施例并非以此为限。由于定位胶框21设置于挡墙结构16S的凹槽中，挡墙结构16S可更准确地控制定位胶框21的位置，进而使盖板30与基板10更精准地对位。此外，如图5所示，挡墙结构16S可将阻隔胶框23阻挡于定位胶框21的外侧，以防止阻隔胶框23在进行压合或热固化制程时进入基板10的显示区10D内部。因此，定位胶框21(或阻隔胶框23)与基板10的显示区10D的距离可以缩短，减少微型发光二极管显示设备104的边框宽度。
如图6所示，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备106的阻隔胶框23’具有多个间隔物(spacer)23S。具体而言，如图6所示，阻隔胶框23’可具有多个间隔物23S，这些间隔物23S可使阻隔胶框23’保持特定的厚度，藉此使盖板30与基板10保持特定的距离，例如介于约20μm至约30μm。
如图7所示，类似地，在一些实施例中，微型发光二极管显示设备108进一步包含一挡墙结构16S，挡墙结构16S设置于基板10的显示区10D之外并具有凹槽，且定位胶框21设置于挡墙结构16S的凹槽中，藉此更准确地控制定位胶框21的位置，进而使盖板30与基板10更精准地对位。此外，微型发光二极管显示设备108的阻隔胶框23’具有多个间隔物23S，使阻隔胶框23’保持特定的厚度，藉此使盖板30与基板10保持特定的距离。
承上述说明，在本公开的实施例中，微型发光二极管显示设备包含定位胶框与阻隔胶框，且阻隔胶框的水气穿透率低于定位胶框的水气穿透率。定位胶框可提供微型发光二极管显示设备中的两个基板更准确的对位，藉此有效改善色偏。此外，阻隔胶框能有效阻挡水氧、氧气等环境因子，藉此保护显示区内的组件。
以上概述数个实施例的部件，以便在本公开所属技术领域中技术人员可以更理解本公开实施例的观点。在本公开所属技术领域中技术人员应该理解，他们能以本公开实施例为基础，设计或修改其他制程和结构以达到与在此介绍的实施例相同的目的和/或优势。在本公开所属技术领域中技术人员也应该理解到，此类等效的结构并无悖离本公开的精神与范围，且他们能在不违背本公开的精神和范围之下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本公开的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。另外，虽然本公开已以数个较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本公开。
整份说明书对特征、优点或类似语言的引用，并非意味可以利用本公开实现的所有特征和优点应该或者可以在本公开的任何单个实施例中实现。相对地，涉及特征和优点的语言被理解为其意味着结合实施例描述的特定特征、优点或特性包括在本公开的至少一个实施例中。因而，在整份说明书中对特征和优点以及类似语言的讨论可以但不一定代表相同的实施例。
再者，在一个或多个实施例中，可以任何合适的方式组合本公开的所描述的特征、优点和特性。根据本文的描述，相关领域的技术人员将意识到，可在没有特定实施例的一个或多个特定特征或优点的情况下实现本公开。在其他情况下，在某些实施例中可辨识附加的特征和优点，这些特征和优点可能不存在于本公开的所有实施例中。

Claims (17)

1.一种微型发光二极管显示设备，包括：
基板，具有显示区；
多个微型发光二极管结构，设置于所述显示区之内并排列为数组；
多个光转换结构，设置于部分微型发光二极管结构之上，以转换所述多个部分微型发光二极管结构发出的光波长；
定位胶框，设置于所述显示区之外；
阻隔胶框，围绕所述定位胶框，其中所述阻隔胶框的水气穿透率低于所述定位胶框的水气穿透率；以及
盖板，设置于所述基板的上并通过所述定位胶框和所述阻隔胶框与所述基板连接。
2.根据权利要求1的微型发光二极管显示设备，其中所述定位胶框与所述阻隔胶框是分别由不同的有机胶材所构成。
3.根据权利要求2的微型发光二极管显示设备，其中所述阻隔胶框的氧气穿透率低于所述定位胶框的氧气穿透率。
4.根据权利要求2的微型发光二极管显示设备，其中所述定位胶框的黏滞性小于所述阻隔胶框的黏滞性。
5.根据权利要求2的微型发光二极管显示设备，其中所述阻隔胶框的透光率小于所述定位胶框的透光率。
6.根据权利要求2的微型发光二极管显示设备，其中所述定位胶框的顶面积小于所述阻隔胶框的顶面积。
7.根据权利要求2的微型发光二极管显示设备，其中所述阻隔胶框同时设置于所述定位胶框的内侧与外侧。
8.根据权利要求2的微型发光二极管显示设备，其中所述定位胶框形成为不连续的图案。
9.根据权利要求8的微型发光二极管显示设备，其中所述定位胶框包括多个区段，所述多个区段彼此分离以形成所述不连续的图案，且所述多个区段中相邻的两个区段之间具有间隙。
10.根据权利要求1的微型发光二极管显示设备，还包括：
挡墙结构，设置于所述显示区之外并具有凹槽，其中所述定位胶框设置于所述凹槽中。
11.根据权利要求1的微型发光二极管显示设备，其中所述阻隔胶框具有多个间隔物。
12.根据权利要求1的微型发光二极管显示设备，其中所述定位胶框的宽度小于所述阻隔胶框的宽度。
13.根据权利要求1的微型发光二极管显示设备，还包括：
阻挡网格，设置于所述多个微型发光二极管结构之上并具有多个凹槽，所述多个凹槽对应并暴露出所述多个微型发光二极管结构，且所述多个光转换结构设置于所述多个凹槽中。
14.根据权利要求13的微型发光二极管显示设备，还包括：
多个彩色滤光结构，设置于所述阻挡网格的所述多个凹槽中并位于所述多个光转换结构之上。
15.根据权利要求1的微型发光二极管显示设备，其中所述多个光转换结构覆盖所述多个微型发光二极管结构并与所述多个微型发光二极管结构接触。
16.根据权利要求1的微型发光二极管显示设备，还包括：
多个彩色滤光结构，设置于所述盖板靠近所述基板的一侧之上并对应于所述多个微型发光二极管结构。
17.根据权利要求16的微型发光二极管显示设备，还包括：
多个遮光结构，设置于所述多个彩色滤光结构之间。
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