JP2021515407A - インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法 - Google Patents

インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021515407A
JP2021515407A JP2020546377A JP2020546377A JP2021515407A JP 2021515407 A JP2021515407 A JP 2021515407A JP 2020546377 A JP2020546377 A JP 2020546377A JP 2020546377 A JP2020546377 A JP 2020546377A JP 2021515407 A JP2021515407 A JP 2021515407A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
light
imprint
photomask
shielding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020546377A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7076846B2 (ja
Inventor
ヨン・グ・ソン
スン・ホン・イ
ナム・ソク・ペ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of JP2021515407A publication Critical patent/JP2021515407A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7076846B2 publication Critical patent/JP7076846B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、透明基板；前記透明基板上に備えられた遮光パターン；及び前記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ，ＤＦＲ）パターンを含む。

Description

本願は、２０１８年５月３０日付で韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１８−００６１６８３号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に組み込まれる。
本願は、インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法に関する。
電気泳動方式の透過度可変フィルムは、反対電荷を持つ二枚の電極基板の間で形成される電場の方向と強さによって正又は負電荷に帯電された粒子が、特定に形成された電極に集中するか分散しながら光透過度が調節される機能性フィルムである。上記電気泳動方式の透過度可変フィルムは、外部から流入する光の透過と遮断が容易であって、建築用スマートウィンドウ、自動車用サンルーフ、透明ディスプレイの遮光フィルムなどとして活用されることができる。
二枚の電極基板の間の帯電粒子溶液を一様に分布させるためには、セルギャップ（Ｃｅｌｌ Ｇａｐ）の維持が必須であり、このために、二枚の電極基板のうち少なくとも一つの電極基板上に隔壁パターンが備えられなければならない。
上記隔壁パターンを実現するにおいて、隔壁パターンの高さとアスペクト比が増加することによって、一般的なフォトリソグラフィ工程では、要求されるパターン形状を実現するのが難しい。
したがって、当該技術分野においては、隔壁パターンの高さとアスペクト比を増加させることができる製造方法に関する技術の開発が必要とされる。
本願は、インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法を提供しようとする。
本願の一実施態様は、
透明基板；
上記透明基板上に備えられた遮光パターン；及び
上記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ，ＤＦＲ）パターン
を含むインプリント用フォトマスクを提供する。
また、本願の別の実施態様は、
透明基板上に遮光層を形成するステップ；
上記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップ；及び
上記ドライフィルムレジストパターンをマスクとして上記遮光層をエッチングすることにより、遮光パターンを形成するステップ
を含むインプリント用フォトマスクの製造方法を提供する。
また、本願の別の実施態様は、
基板上にＵＶ硬化型樹脂層を形成するステップ、及び
上記インプリント用フォトマスクを用いて、上記ＵＶ硬化型樹脂層にインプリントフォト工程を行って隔壁パターンを形成するステップ
を含む隔壁パターンの製造方法を提供する。
本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比が１以上であるインプリント用フォトマスクを提供することができる。
また、本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンが、透明基板とドライフィルムレジストパターンとの間に備えられることにより、従来の技術の問題点である遮光層のピンホールの発生、モールドパターンの損傷などを防止することができる。
また、本願の一実施態様によれば、上記インプリント用フォトマスクを用いて隔壁パターンを製造することにより、厚さ１０μｍ以上、アスペクト比１以上を満す隔壁パターンを製造することができる。
本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。 本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。 本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクの製造方法を概略的に示す図である。 本願の一実施態様に係る隔壁パターンの製造方法を概略的に示す図である。 本願の一実施態様であって、実験例１のドライフィルムレジストの現像工程後の画像を示す図である。 本願の一実施態様であって、実験例１に係るインプリント用フォトマスクのＳＥＭ画像、透過モード画像及び反射モード画像を示す図である。 本願の一実施態様であって、実験例１に係る隔壁パターンのＳＥＭ画像を示す図である。 本願の一実施態様に係る遮光パターンの隣接したパターン間の距離及び厚さを示す図である。 本願の一実施態様であって、実験例３のインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。 本願の一実施態様であって、実験例４のインプリント用フォトマスクを概略的に示す図である。 本願の一実施態様であって、実験例４に係るインプリント用フォトマスクの透過モード画像を示す図である。
以下、本願について詳細に説明する。
本願において、「透明」は、可視光線領域（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）で約８０％以上の透過率特性を有することを意味することにする。
通常、電気泳動方式の透過度可変フィルムを製造するためには、透明電極フィルムと金属パターン電極フィルムの使用が必須である。また、２枚の電極フィルムの間に（−）帯電されたカーボンブラック粒子分散溶液のような電気泳動物質を注液するためには、セルギャップ（ｃｅｌｌ ｇａｐ）の維持が必要であり、このために、ボールスペーサー、カラムスペーサーパターン又は隔壁パターンの具備が要求されていた。
上記隔壁パターンの製造の際に、感光性樹脂組成物を用いたフォトリソグラフィ工程を適用する場合には、広い面積に均一な線幅の隔壁パターンを実現するのに限界がある。これはフォトマスクと感光性樹脂組成物層の露光ギャップ均一性及び感光性樹脂組成物層の塗布均一性に起因する。
上述した通り、隔壁パターンを実現するにおいて、パターンの高さとアスペクト比が増加することによって、一般的なフォトリソグラフィ工程では、要求されるパターン形状を実現するのが難しい。
高段差、高アスペクト比を有する隔壁パターンを形成するために、インプリント工程を用いる方法を考慮することができるが、一般的なインプリント工程では、隔壁パターン部以外の領域に樹脂組成物が残存する問題が発生し、これを除去するためには、スカム除去（ｄｅ‐ｓｃｕｍ）工程が追加されて、製造コストが増加する問題が発生する。
また、上記問題点を解決するために、インプリントモールドの凸部に選択的に遮光層を導入する方法を考慮することができるが、上記遮光層をインプリントモールドの上部に蒸着する工程で、ピンホール及びモールドパターンの損傷が発生するおそれがあり、インプリントモールドの凹部に不要に蒸着されている遮光層を選択的に除去するためには、別途のレジスト転写工程及びエッチング工程が追加される問題が発生する。
そこで、本願においては、高段差、高アスペクト比を有する隔壁パターンを製造することができるインプリント用フォトマスク及びこれの製造方法を提供しようとする。
本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、透明基板；上記透明基板上に備えられた遮光パターン；及び上記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ，ＤＦＲ）パターンを含む。
本願の一実施態様において、上記透明基板は、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性及び防水性に優れたガラス基材又は透明プラスチック基材であってもよいが、これに限定されず、電子素子に通常使用される透明基材であれば、制限されない。具体的に、上記透明基材としては、ガラス；ウレタン樹脂；ポリイミド樹脂；ポリエステル樹脂；（メタ）アクリレート系高分子樹脂；ポリエチレン又はポリプロピレンなどのポリオレフィン系樹脂などからなるものであってもよい。
本願の一実施態様において、上記遮光パターンは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金のうち１種以上を含むことができる。
上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離は、３０μｍ以下であってもよく、５μｍ〜３０μｍであってもよい。上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離が３０μｍを超過する場合、インプリント用フォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅が過度に増加して、透過度可変フィルムの透過度可変範囲が減少するという問題が発生するおそれがある。また、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離が５μｍ未満の場合には、遮光パターンを形成するために遮光層上部のＤＦＲパターンのパターン間の距離を５μｍ未満に形成しなければならないが、一般的な平行光露光機の使用では、これを実現するのが不可能である。
また、上記遮光パターンの厚さは、１μｍ以下であってもよく、０．１μｍ〜１μｍであってもよい。上記遮光パターンの厚さが１μｍを超過する場合、遮光層をエッチングした後にドライフィルムレジストパターンに対する遮光パターンの線幅が過度に減少することによって、ドライフィルムレジストパターンの下部にアンダーカットが形成される問題が発生し得る。この場合、隔壁パターンを形成する工程中に硬化が完了した隔壁パターンがインプリントフォトマスクから脱着されない問題が発生するおそれがある。上記遮光パターンの厚さが０．１μｍ未満の場合、遮光層にピンホールが多発する問題が発生するおそれがあるので、上記遮光パターンの厚さは、０．１μｍ以上であることが好ましい。
本願において、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離は、それぞれの遮光パターンの一側面から隣接する遮光パターンの一側面までの最短距離を意味する。また、上記遮光パターンの厚さは、遮光パターンの上記透明基板と接する界面から界面の反対面までの距離を意味する。
下記図８に、本願の一実施態様に係る遮光パターンの隣接したパターン間の距離１００を示す。
本願の一実施態様において、上記ドライフィルムレジストは、上記遮光パターン上に備えられ、上記遮光パターンに対応する領域に備えられることができる。
上記ドライフィルムレジストは、当該技術分野に知られている材料を含むことができる。より具体的に、上記ドライフィルムレジストは、メタクリレートとその誘導体、アクリレートとその誘導体、メタクリロイルオキシエチル酸ホスフェート及びフタル酸誘導体のメタクリレートから構成された群より選択された単官能性単量体；ジメタクリレートとその誘導体、ジアクリレートとその誘導体、トリメタクリレートとその誘導体、テトラメタクリレートとその誘導体、トリアクリレートとその誘導体及びテトラアクリレートとその誘導体から構成された群より選択された多官能性単量体；及びこれらの混合物の中から選択された光重合単量体から製造されたものであってもよい。一般的に、ドライフィルムレジストの感光層組成は、光によって光重合をする光重合単量体（多官能性単量体）、光重合が起きるように光によってラジカルやラジカルを誘導する光重合開始剤、光重合組成物の機械的強度とテンディング性及び接着性を付与するバインダーポリマー、そして染料と安定剤、接着促進剤、熱重合防止剤などの添加剤を含むことができる。
本願の一実施態様において、上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計は、１０μｍ以上であってもよく、１０μｍ〜５０μｍであってもよい。
本願において、上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計は、遮光パターンの上記透明基板と接する界面からドライフィルムレジストパターンの遮光パターンと接する界面の反対面までの距離を意味する。
下記図８に、本願の一実施態様に係る遮光パターン及びフィルムレジストパターンの厚さの合計１１０を示す。
また、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比は、１以上であってもよく、１〜３であってもよい。上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比が１未満の場合、インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの面積が増加することによって透過度可変範囲が減少する問題が発生するおそれがある。
本願の一実施態様において、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層をさらに含むことができる。
上記離型層は、フッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の層を導入することができ、上記離型層の厚さは、１００ｎｍ以下であることが好ましいが、これにのみ限定されるものではない。上記離型層を形成する方法は、ウェットコーティング（ｗｅｔ ｃｏａｔｉｎｇ）法、気相蒸着法などがあり、段差を有する表面に均一な離型層を導入するためには、気相蒸着法が有利である。
上記離型層の導入を通じて、インプリントフォト工程を通じて硬化したＵＶ硬化型樹脂パターンが、上記インプリント用フォトマスクから容易に分離されることができる。
本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクを、下記図１及び図２に概略的に示す。下記図１のように、本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、透明基板１０；上記透明基板１０上に備えられた遮光パターン２０；及び上記遮光パターン２０上に備えられたドライフィルムレジストパターン３０を含む。また、下記図２のように、本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクは、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層４０をさらに含むことができる。
また、本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクの製造方法は、透明基板上に遮光層を形成するステップ；上記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップ；及び上記ドライフィルムレジストパターンをマスクとして上記遮光層をエッチングすることにより、遮光パターンを形成するステップを含む。
本願の一実施態様において、上記透明基板上に遮光層を形成するステップは、当該技術分野に知られている方法を用いることができる。より具体的に、上記透明基板上に遮光層を形成するステップは、蒸着工程などを用いることができるが、これにのみ限定されるものではない。
本願の一実施態様において、上記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップは、上記遮光層上にドライフィルムレジストを貼り合わせるステップ；及びフォト工程及び現像工程を用いてドライフィルムレジストパターンを形成するステップを含むことができる。
本願の一実施態様において、上記遮光パターンを形成するステップの後に、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップをさらに含むことができる。上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップは、当該技術分野に知られている方法を用いることができる。より具体的に、上記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップは、蒸着工程などを用いることができるが、これにのみ限定されるものではない。
本願の一実施態様によれば、透明基板上に遮光層を形成した後、その上部にドライフィルムレジストパターンを形成するので、別途のレジスト転写工程が必要でない。すなわち、本願の一実施態様によれば、ドライフィルムレジストパターンがインプリントモールドの役割と、遮光層の選択的エッチングのためのレジストの役割とを同時に果たすことができる。
本願の一実施態様に係るインプリント用フォトマスクの製造方法を、下記図３に概略的に示す。
また、本願の一実施態様に係る隔壁パターンの製造方法は、基板上にＵＶ硬化型樹脂層を形成するステップ、及び上記インプリント用フォトマスクを用いて、上記ＵＶ硬化型樹脂層にインプリントフォト工程を行って隔壁パターンを形成するステップを含む。
本願の一実施態様において、上記ＵＶ硬化型樹脂層は、当該技術分野に知られている材料を用いることができ、より具体的に、上記ＵＶ硬化型樹脂層は、アクリル系モノマー、アクリル系オリゴマー、光開始剤などを１種以上含むことができるが、これにのみ限定されるものではない。
本願の一実施態様において、上記隔壁パターンの厚さは、１０μｍ以上であってもよく、１０μｍ〜５０μｍであってもよい。また、上記隔壁パターンの線幅は、３０μｍ以下であってもよく、５μｍ〜３０μｍであってもよい。
また、上記隔壁パターンの線幅を基準にした上記隔壁パターンの厚さの比は、１以上であってもよく、１〜３であってもよい。
本願の一実施態様に係る隔壁パターンの製造方法を、下記図４に概略的に示す。
また、本願の一実施態様は、上記隔壁パターンを含む透過度可変フィルムを提供する。
本願の一実施態様に係る透過度可変フィルムは、上述した隔壁パターンを含むこと以外には、当該技術分野に知られている材料及び方法を用いて形成することができる。
例えば、上記透過度可変フィルムは、上記隔壁パターンフィルム上に第２電極パターンが備えられた第２透明基板が備えられることができる。上記隔壁パターンの電極層と上記第２電極パターンとの間には（−）帯電されたナノ粒子を含む。
上記（−）帯電されたナノ粒子は、カーボンブラックナノ粒子であってもよいが、これにのみ限定されるものではない。
上記透過度可変フィルムは、上述したような透過度可変フィルムを準備した後、上記隔壁パターンの電極層と第２電極パターンとの間に（−）帯電されたナノ粒子が分散した溶液を注入する方法などを用いて製造することができるが、これにのみ限定されるものではない。
本願において、上記透過度可変フィルムは、電気泳動方式で駆動されることができる。本願の一実施態様に係る透過度可変フィルムがＯＦＦモードの場合には、透過度が減少し、電極層及び第２電極パターンに電圧が印加されたＯＮモードの場合には、電気泳動現象によって（−）帯電されたナノ粒子が（＋）電極である金属パターンに密集して透過度が増加することができる。
以下、実施例を通じて、本明細書に記載された実施態様を例示する。しかしながら、以下の実施例によって、上記実施態様の範囲が限定されることを意図するものではない。
＜実施例＞
＜実験例１＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルムの上部に真空蒸着方式を用いてＣｕを２００ｎｍの厚さで形成した。上記Ｃｕ蒸着フィルムの上部に２５μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を温度１１０℃、圧力０．４ＭＰａ、ロールスピード１．５ｍ／ｍｉｎの条件でロール貼り合わせした。上記積層体のＤＦＲ具備面と、線幅２５μｍ、線間距離が５００μｍであり、中央部にドット（Ｄｏｔ）パターンを含むフォトマスクとを、常温で貼り合わせた後、３６５ｎｍ波長の平行光露光機を活用して、１５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光した。露光完了した上記積層体を１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いて２分間スプレー現像して、凹部の線幅が２１μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが２５μｍであるＤＦＲパターンを形成した。
上記ドライフィルムレジストの現像工程後の画像を、下記図５に示す。
５ｗｔ％の塩化第二鉄水溶液を用いて３０秒間スプレーエッチングして、ＤＦＲが備えられていない領域の露出したＣｕ層をエッチングした。
上記Ｃｕ層が選択的にエッチングされたＤＦＲパターンフィルム上に気相蒸着法を用いてフッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の離型層を１００ｎｍの厚さで形成して、インプリント用フォトマスクを完成した。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図２の通りである。
上記インプリント用フォトマスクのＳＥＭ画像、透過モード画像及び反射モード画像を、下記図６に示す。上記反射モードは、インプリント用フォトマスクの上部に照明が位置して反射する光を画像で確認したものであり（反射率の差を画像化）、透過モードは、インプリント用フォトマスクの背面に照明が位置して光を透過する領域と遮光される領域を画像で確認したものである（吸収率の差を画像化）。
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
下記表１の組成で透明ＵＶ硬化型樹脂組成物を製造した。
Figure 2021515407
３）隔壁パターンフィルムの製造
シート抵抗が１５０Ω／ｓｑであるＩＴＯフィルムの上部に上記透明ＵＶ硬化型樹脂組成物を塗布した後、上記インプリント用フォトマスクを圧力０．５ＭＰａ、速度０．１ｍｐｍでロールプレスした。上記積層体の上部で３６５ｎｍ波長のＵＶ硬化器を用いて２５０ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーを照射した後、インプリント用フォトマスクをＩＴＯフィルムから分離して、隔壁パターンが備えられているＩＴＯフィルムを製造した。
上記インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅は２１．２μｍ、高さは ２５μｍであり、線間間隔は５００μｍであった。
上記隔壁パターンのＳＥＭ画像を、下記図７に示す。
＜実験例２＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
５０μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を使用したこと以外には、実験例１と同様の方法でインプリントフォトマスクを作製した（凹部の線幅が２０μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが５０μｍ）。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図２の通りである。
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
実験例１と同様に行った。
３）隔壁パターンフィルムの製造
実験例１と同様に行った。
上記インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅は２０μｍ、高さは５０μｍであり、線間間隔は５００μｍであった。
＜実験例３＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルムの上部に電解めっき方式を用いてＣｕを８μｍの厚さで形成した。上記Ｃｕめっきフィルムの上部に、２５μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を温度１１０℃、圧力０．４ＭＰａ、ロールスピード１．５ｍ／ｍｉｎの条件でロール貼り合わせした。上記積層体のＤＦＲ具備面と、線幅２５μｍ、線間距離が５００μｍであり、中央部にドットパターンを含むフォトマスクとを、常温で貼り合わせた後、３６５ｎｍ波長の平行光露光機を活用して、１５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光した。露光完了した上記積層体を１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いて２分間スプレー現像して、凹部の線幅が２０μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが２５μｍであるＤＦＲパターンを形成した。
５ｗｔ％の塩化第二鉄水溶液を用いて１８０秒間スプレーエッチングして、ＤＦＲが備えられていない領域の露出したＣｕ層をエッチングした。
上記Ｃｕ層が選択的にエッチングされたＤＦＲパターンフィルム上に気相蒸着法を用いてフッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の離型層を１００ｎｍの厚さで形成して、インプリント用フォトマスクを完成した。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図９の通りである。
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
実験例１と同様に行った。
３）隔壁パターンフィルムの製造
実験例１と同様に行ったが、インプリントフォトマスクから隔壁パターンが分離できなくて、パターンの実現が不可能であった。
上記実験例３の結果のように、上記遮光パターンの厚さが１μｍを超過する場合、遮光層をエッチングした後にドライフィルムレジストパターンに対する遮光パターンの線幅が過度に減少することによって、下記図９のようにドライフィルムレジストパターンの下部にアンダーカットが形成される問題が発生し得る。この場合、隔壁パターンを形成する工程中に硬化が完了した隔壁パターンがインプリントフォトマスクから脱着されない問題が発生するおそれがある。
したがって、本願の一実施態様において、上記遮光パターンの厚さが１μｍ以下であることがより好ましい。
＜実験例４＞
１）インプリント用フォトマスクの作製
厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルムの上部に２５μｍ厚さのＤＦＲ（旭化成社）を温度１１０℃、圧力０．４ＭＰａ、ロールスピード１．５ｍ／ｍｉｎの条件でロール貼り合わせした。上記積層体のＤＦＲ具備面と、線幅２５μｍ、線間距離が５００μｍであり、中央部にドットパターンを含むフォトマスクとを、常温で貼り合わせた後、３６５ｎｍ波長の平行光露光機を活用して、１５０ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光した。露光完了した上記積層体を１ｗｔ％のＮａ２ＣＯ３水溶液を用いて２分間スプレー現像して、凹部の線幅が２０μｍ、ＤＦＲパターンの線幅が５００μｍ及び凹部の深さが２５μｍであるＤＦＲパターンを形成した。
上記積層体の上部に真空蒸着方式を用いてＣｕを２００ｎｍの厚さで形成した後、反転オフセット印刷工程を用いて、上記積層体の凸部にエッチングレジスト層を形成した。
５ｗｔ％の塩化第二鉄水溶液を用いて３０秒間スプレーエッチングして、エッチングレジスト層が備えられていない領域の露出したＣｕ層をエッチングした。
上記Ｃｕ層が選択的にエッチングされたＤＦＲパターンフィルム上に、気相蒸着法を用いてフッ素系及びシリコーン系離型材料が混合した形態の離型層を１００ｎｍの厚さで形成して、インプリント用フォトマスクを完成した。製造されたインプリント用フォトマスクの構造は、下記図１０の通りである。
２）透明ＵＶ硬化型樹脂組成物の製造
実験例１と同様に行った。
３）隔壁パターンフィルムの製造
実験例１と同様に行った。
上記インプリントフォト工程を通じて製造された隔壁パターンの線幅は２０μｍ、高さは２５μｍであり、線間間隔は５００μｍであった。
＜実験例５＞
上記実験例１〜４のインプリント用フォトマスクの特性、遮光パターンのピンホール不良の評価、パターン成形特性などを、下記表２に記載する。また、上記実験例４に係るインプリント用フォトマスクの透過モード画像を、下記図１１に示す。
Figure 2021515407
アスペクト比：（ＤＦＲの厚さ＋遮光パターンの厚さ）／遮光パターンの隣接したパターン間の距離
上記結果のように、本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした上記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比が１以上であるインプリント用フォトマスクを提供することができる。
また、本願の一実施態様によれば、上記遮光パターンが、透明基板とドライフィルムレジストパターンとの間に備えられることにより、従来の技術の問題点である遮光層のピンホール発生、モールドパターンの損傷などを防止することができる。
また、本願の一実施態様によれば、上記インプリント用フォトマスクを用いて隔壁パターンを製造することにより、厚さ１０μｍ以上、アスペクト比１以上を満す隔壁パターンを製造することができる。
１０：透明基板
２０：遮光パターン
３０：ドライフィルムレジストパターン
４０：離型層
５０：遮光層
６０：ドライフィルムレジスト
７０：ＵＶ硬化型樹脂層
８０：隔壁パターン
９０：基板
１００：遮光パターンの隣接したパターン間の距離
１１０：遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計

Claims (12)

  1. 透明基板、
    前記透明基板上に備えられた遮光パターン、及び
    前記遮光パターン上に備えられたドライフィルムレジストパターン
    を含むインプリント用フォトマスク。
  2. 前記遮光パターンは、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金のうち１種以上を含む、請求項１に記載のインプリント用フォトマスク。
  3. 前記遮光パターンの隣接したパターン間の距離は、３０μｍ以下であり、前記遮光パターンの厚さは、１μｍ以下である、請求項１又は２に記載のインプリント用フォトマスク。
  4. 前記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの合計は、１０μｍ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスク。
  5. 前記遮光パターンの隣接したパターン間の距離を基準にした前記遮光パターン及びドライフィルムレジストパターンの厚さの比は、１以上である、請求項１から４のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスク。
  6. 前記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスク。
  7. 透明基板上に遮光層を形成するステップ、
    前記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップ、及び
    前記ドライフィルムレジストパターンをマスクとして前記遮光層をエッチングすることにより、遮光パターンを形成するステップ
    を含むインプリント用フォトマスクの製造方法。
  8. 前記遮光層上にドライフィルムレジストパターンを形成するステップは、
    前記遮光層上にドライフィルムレジストを貼り合わせるステップ、及び
    フォト工程及び現像工程を用いてドライフィルムレジストパターンを形成するステップを含む、請求項７に記載のインプリント用フォトマスクの製造方法。
  9. 前記遮光パターンを形成するステップの後に、
    前記インプリント用フォトマスク上の全面に離型層を形成するステップをさらに含む、請求項７又は８に記載のインプリント用フォトマスクの製造方法。
  10. 基板上にＵＶ硬化型樹脂層を形成するステップ、及び
    請求項１〜６のいずれか一項に記載のインプリント用フォトマスクを用いて、前記ＵＶ硬化型樹脂層にインプリントフォト工程を行って隔壁パターンを形成するステップ
    を含む隔壁パターンの製造方法。
  11. 前記隔壁パターンの厚さは、１０μｍ以上である、請求項１０に記載の隔壁パターンの製造方法。
  12. 前記隔壁パターンの線幅を基準にした前記隔壁パターンの厚さの比は、１以上である、請求項１０又は１１に記載の隔壁パターンの製造方法。
JP2020546377A 2018-05-30 2019-04-02 インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法 Active JP7076846B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180061683 2018-05-30
KR10-2018-0061683 2018-05-30
PCT/KR2019/003862 WO2019231097A1 (ko) 2018-05-30 2019-04-02 임프린팅용 포토마스크 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021515407A true JP2021515407A (ja) 2021-06-17
JP7076846B2 JP7076846B2 (ja) 2022-05-30

Family

ID=68698848

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020546377A Active JP7076846B2 (ja) 2018-05-30 2019-04-02 インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11966163B2 (ja)
EP (1) EP3805861B1 (ja)
JP (1) JP7076846B2 (ja)
KR (1) KR102314284B1 (ja)
CN (1) CN111771161B (ja)
WO (1) WO2019231097A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114645044B (zh) * 2022-02-24 2023-05-23 广东省农业科学院环境园艺研究所 一种与国兰花期相关的ssr分子标记引物及其应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090019200A (ko) * 2007-08-20 2009-02-25 삼성전자주식회사 임프린트용 마스터와 그 제조방법 및 그 마스터를 이용한임프린트 방법
JP2015219311A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 パターン形成用積層体並びにパターン付き基材の製造方法及びパターン付き基材
JP2017103384A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法
WO2017131499A1 (ko) * 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
JP2018049902A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 大日本印刷株式会社 パターン形成方法及び凹凸構造体の製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0477035B1 (en) * 1990-09-21 1999-12-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Process for producing a phase shift layer-containing photomask
KR20050112940A (ko) 2004-05-28 2005-12-01 삼성전자주식회사 의사 음각부를 갖는 하이브리드 마스크 몰드 및 이를이용한 분리 격벽 및 에치 배리어의 제조방법
JP4622498B2 (ja) * 2004-12-10 2011-02-02 凸版印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法
KR101352360B1 (ko) 2005-04-27 2014-01-15 오브듀캇 아베 물체에 패턴을 전사하기 위한 수단
KR100772639B1 (ko) 2005-10-18 2007-11-02 한국기계연구원 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법
JP4710671B2 (ja) 2006-03-17 2011-06-29 ブラザー工業株式会社 電気泳動表示媒体およびその製造方法
US7341825B2 (en) * 2006-05-25 2008-03-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for producing high resolution nano-imprinting masters
JP4841483B2 (ja) 2007-03-27 2011-12-21 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法
JP4978290B2 (ja) * 2007-04-19 2012-07-18 凸版印刷株式会社 フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び液晶表示装置
JP5015663B2 (ja) * 2007-05-31 2012-08-29 旭化成イーマテリアルズ株式会社 インプリント用感光性樹脂積層体
JP4964073B2 (ja) * 2007-09-14 2012-06-27 日本写真印刷株式会社 加飾シートとその製造方法、加飾成形品
KR20090047146A (ko) 2007-11-07 2009-05-12 주식회사 에이디피엔지니어링 임프린트용 스탬프 및 이의 제조방법
KR101420907B1 (ko) 2009-02-16 2014-07-17 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법 및 수정 방법
JP2010191310A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法
JP2011095683A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Asahi Kasei Corp ワイヤグリッド偏光子用積層体
US20130084352A1 (en) 2010-03-30 2013-04-04 Hoya Corporation Mold having release layer for imprinting, method for producing mold having release layer for imprinting, and method for producing copy mold
KR101691157B1 (ko) * 2010-12-15 2017-01-02 삼성전자주식회사 나노임프린트용 스탬프 제조방법
JP5653864B2 (ja) 2011-08-18 2015-01-14 富士フイルム株式会社 ナノインプリント用のモールドの離型処理方法およびそれを用いた製造方法並びにモールド、ナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法
JP6081716B2 (ja) * 2012-05-02 2017-02-15 Hoya株式会社 フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法
KR102168213B1 (ko) 2013-07-31 2020-10-21 주식회사 나노브릭 전기영동 디스플레이의 광특성 향상을 위한 구동 방법
CN106233164A (zh) 2014-04-15 2016-12-14 三菱化学株式会社 带遮光材料的基板、滤色器、液晶显示装置、以及用于形成该遮光材料的着色树脂组合物
KR101671918B1 (ko) 2014-10-10 2016-11-03 신화인터텍 주식회사 투명 도전 필름 및 이의 제조 방법
JP6458971B2 (ja) * 2015-07-28 2019-01-30 エルジー・ケム・リミテッド フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法、前記フォトマスクを用いるパターン形成装置および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法
JP6965969B2 (ja) * 2015-12-03 2021-11-10 大日本印刷株式会社 インプリントモールド
KR102361796B1 (ko) * 2015-12-29 2022-02-11 미래나노텍(주) 몰드 제조 방법, 이를 이용한 전극필름 제조 방법 및 전극필름
KR102089835B1 (ko) * 2016-01-27 2020-03-16 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102092993B1 (ko) 2016-03-31 2020-03-24 주식회사 엘지화학 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체 및 상기 포토마스크의 제조방법
JP6981064B2 (ja) 2016-07-11 2021-12-15 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びそれを用いた凸状構造体の製造方法
KR102000021B1 (ko) 2016-11-30 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090019200A (ko) * 2007-08-20 2009-02-25 삼성전자주식회사 임프린트용 마스터와 그 제조방법 및 그 마스터를 이용한임프린트 방법
JP2015219311A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 パターン形成用積層体並びにパターン付き基材の製造方法及びパターン付き基材
JP2017103384A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法
WO2017131499A1 (ko) * 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
JP2018049902A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 大日本印刷株式会社 パターン形成方法及び凹凸構造体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11966163B2 (en) 2024-04-23
CN111771161A (zh) 2020-10-13
KR20190136918A (ko) 2019-12-10
US20210088909A1 (en) 2021-03-25
CN111771161B (zh) 2023-07-18
EP3805861A4 (en) 2021-07-28
KR102314284B1 (ko) 2021-10-19
JP7076846B2 (ja) 2022-05-30
EP3805861B1 (en) 2023-11-22
WO2019231097A1 (ko) 2019-12-05
EP3805861A1 (en) 2021-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104937695B (zh) 使用纳米结构化转印带的方法及其制成的制品
CN104870198B (zh) 图案化的结构化转印带
JP4580411B2 (ja) ソフトモールド及びその製造方法
TWI308249B (en) Display
KR102126110B1 (ko) 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
CN106448825B (zh) 一种图形化精细导电薄膜的制备方法
KR20110013163A (ko) 자기 조립된 나노 리소그래피 임프린트 마스크들
JP7076846B2 (ja) インプリント用フォトマスク及びこれの製造方法
JPS6156506B2 (ja)
JP5576555B2 (ja) ナノインプリントフィルムの製造方法
JP5851762B2 (ja) ロール状モールド
JP3893553B2 (ja) 感光性転写材料
KR102092993B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체 및 상기 포토마스크의 제조방법
WO2013094918A1 (en) Transparent substrate having nano pattern and method of manufacturing the same
KR101676120B1 (ko) 오프셋 인쇄용 클리쉐 및 이의 제조방법
JP7305245B2 (ja) ブラック隔壁パターンフィルムおよびその製造方法
JP6960467B2 (ja) 液体光重合性樹脂からレリーフ画像を製作する方法
JPH01128065A (ja) 非固体状感光性樹脂へのパターン露光方法
TWI234194B (en) Reverse photo-sensing imprint pattern-transferring process
JP3576276B2 (ja) カラ−フィルタおよびその製造法
JP2024024156A (ja) 導電パターン付きセラミックグリーンシートの製造方法
JPH0764074A (ja) 表示器用基板の形成方法
JP2003003148A (ja) 合成樹脂板の接着方法
JPH05142415A (ja) カラーフイルターの製造方法
JPH09159812A (ja) カラーフイルタの製造法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211007

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20211115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220315

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20220315

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20220324

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20220328

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220418

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220511

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7076846

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150