KR101352360B1 - 물체에 패턴을 전사하기 위한 수단 - Google Patents

물체에 패턴을 전사하기 위한 수단 Download PDF

Info

Publication number
KR101352360B1
KR101352360B1 KR1020077027132A KR20077027132A KR101352360B1 KR 101352360 B1 KR101352360 B1 KR 101352360B1 KR 1020077027132 A KR1020077027132 A KR 1020077027132A KR 20077027132 A KR20077027132 A KR 20077027132A KR 101352360 B1 KR101352360 B1 KR 101352360B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coating
template
waveguide layer
pattern
waveguide
Prior art date
Application number
KR1020077027132A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080003915A (ko
Inventor
마크 벡
Original Assignee
오브듀캇 아베
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오브듀캇 아베 filed Critical 오브듀캇 아베
Publication of KR20080003915A publication Critical patent/KR20080003915A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101352360B1 publication Critical patent/KR101352360B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

템플레이트(10)는 제1표면(13, 14)을 가지며, 상기 제1표면의 패턴을 광감응코팅(light-sensitive coating)에 의하여 덮여진 제2표면(23)을 갖는 물체(20)에 상기 패턴된 제1표면을 상기 코팅과 접촉시킴으로써 전사하는데 사용 가능하고, 여기서 템플레이트는 예를 들어 니켈 등으로 이루어진 캐리어 베이스(carrier base)(11)와, 제1표면에서 캐리어 베이스 상에 배치되는 도파관(14)을 포함한다. 도파관은 여기로 광을 유도하기 위하여, 방사 입력(radiation input)에서 도입된, 및 상기 패턴에 대응하는 상기 코팅의 부분들(24)에 소멸파(evanescent wave)를 유도하도록 되어 있다. 템플레이트는 또한 불투명 실드(opaque shield)(15)를 갖도록 될 수 있고, 불투명 실드는 도파관의 선택된 부분들 위쪽의 제1표면에 배치되며, 소멸파가 상기 코팅에 누출될 수 있는 장소를 정의하도록 작용한다.

Description

물체에 패턴을 전사하기 위한 수단{MEANS FOR TRANSFERRING A PATTERN TO AN OBJECT}
본 발명은 일반적으로 패턴 전사 분야에 관한 것으로, 패턴된 표면을 갖는 템플레이트(template)는 광감응코팅이 형성된 물체의 표면과 접촉하도록 배치된다. 그 다음, 상기 코팅의 선택된 부분들은 코팅의 특성에 영향을 미치는 방사(radiation)에 노출되고, 후속의 현상공정을 통하여 상기 코팅에 패턴이 형성될 수 있게 된다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 패턴을 전사하기 위한 공정 방법, 이러한 공정에 적합한 템플레이트를 제조하기 위한 방법뿐만 아니라 이러한 공정에 사용되는 템플레이트 및 장치에 관한 것이다.
예컨데, 하드 드라이브(hard drives) 또는 전자 회로(electronic circuit)들을 제조하는 분야에서, 나노구조(nanostructures)를 제조하기 위한 몇몇의 기술들이 제안되었다. 최근 몇 년 동안 많은 관심을 이끌어낸 하나의 특정한 기술은 나노 구조 즉, 100nm 및 그보다 더 작은 치수의 구조를 제조하기 위한 소위 나노임프린트 리소그래피(nanoimprint lithography)이다. 이러한 리소그래피의 주요 단계들에서, 나노구조의 패턴은 스템프로부터 물체로 전사된다. 이 물체는 기판과 그리고 이 기판에 도포되는 종종 레지스트(resist)라고 불리는 예를 들어 고분자 재료로 이루어진 필름을 포함한다. 이 필름을 적당한 온도로 가열한 후에, 스탬프는 필름으로 가압(press)된다. 이 스탬프는 원하는 깊이의 함몰부가 층에 형성되었을 때 물체로부터 떨어진다. 그 후에, 함몰부에 잔존하는 모든 필름이, 예를 들어 식각에 의해, 제거되고 이에 따라 기판이 노출된다. 후속 공정 단계들에서, 필름의 패턴이 기판에 또는 이 기판에 도포된 몇몇의 다른 재료에 재현(reproduce)된다.
관련된 리소그래피 기술(lithographic technique)은 포토리소그래피(photolithography)이다. 포토리소그래피 공정(photolithographical process)은 일반적으로 기판의 표면에 레지스트층을 형성하기 위하여 포토레지스트 재료(photoresist material)로 기판을 코팅하는 단계들을 포함한다. 이어서, 레지스트층의 선택된 부분들이, 바람직하게는 마스크를 사용하여 방사에 노출된다. 후속의 현상 단계들이 레지스트의 부분들을 제거하고, 이에 따라 마스크에 대응하는 레지스트에 패턴을 형성한다. 레지스트 부분들의 제거는 기판 표면을 노출시키는데, 이는 예를 들어 식각, 도핑(doping) 또는 금속화(metallization)에 의하여 처리되게 된다. 미세한 스케일의 모사(fine scale replication)를 위하여, 포토리소그래피는 회절에 의하여 제한되는데, 이는 사용되는 방사 파장에 의존한다. 50nm보다 작은 스케일의 구조를 제조하기 위해서는 단파장(short wavelength)이 요구되어 광학 시스템 상에서 재료 요건(material requirement)이 더욱 중요해지게 될 것이다.
리소그래피의 다른 형태로서 방사 보조 임프린트(radiation-assisted imprint)방식이 있는데, 이는 미국특허 제6,334,960호에서 윌슨(Willson) 등에 의하여 스텝 및 플래쉬 임프린트 리소그래피(step and flash imprint lithography)로서 제시되어 있다. 앞에서 간단하게 설명된 임프린트 기술과 유사하게, 이 기술은 기판에 전사될 패턴을 정의하는 구조화된 표면(structured surface)을 갖는 템플레이트 또는 스탬프를 포함한다. 이 기판은 중합가능한 유체(polymerisable fluid)로 이루어진 층에 의하여 덮여지며, 이 층내로 템플레이트가 가압되어, 상기 유체가 패턴 구조의 함몰부를 채운다. 이 템플레이트는 상기 중합가능한 유체를 중합하는데 사용가능한 방사 파장 범위, 전형적으로 자외선 광에 투명한(tranparent) 재료로 만들어진다. 템플레이트를 통하여 상기 유체에 방사를 가하고 그리고 잠재적인 포스트-베이킹(potential post-baking)을 가함에 의하여, 유체는 경화되어 고체화된다. 이어서, 상기 템플레이트가 제거되고, 그 후 중합된 유체로 만들어진 고체 고분자 재료층(solid polymer material layer)에 상기 템플레이트의 패턴이 모사된다. 추가적인 공정을 통해 고체 고분자 재료층의 구조가 기판에 전사한다.
방사 보조 임프린트에 관련된 문제점은 템플레이트 또는 기판이 고분자층을 경화하는데 사용가능한 파장의 방사에 투명해야한다는 것이다. 이는 선택가능한 재료에 있어서의 제한과 관련된다. 공정의 목적이 예를 들어 회로에 대한 구조를 마련하는 것일 때, 기판은 종종 자외선 방사에 일반적으로 불투명한 실리콘 또는 다른 형태의 반도체 재료로 만들어진다. 이는 템플레이트가 석영(quartz) 또는 산화규소와 같은 투명한 재료로 형성될 필요성을 의미한다. 그러나, 이러한 템플레이트는 생산하기에 비싸고, 또한 마모(wear)에 매우 민감하다.
본 발명의 목적은 물체에 패턴을 전사하기 위한 방법, 이러한 공정을 위한 템플레이트, 상기 방법을 수행하기 위한 장치 및 이러한 템플레이트를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명의 목적은 특정 템플레이트 또는 기판 재료에 제한되지 않고, 광감응코팅을 갖는 물체에 템플레이트의 패턴을 전사하기 위한 해결방법을 제공하는 것이다.
제1양상에 따르면 이 목적은 에 의해 완수된다.
본 발명과 이의 장점은 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여 아래에서 더욱 구체적으로 설명될 것이고, 첨부된 도면은 예로서 본 발명의 현재 바람직한 실시예들을 예시하는 것이다.
도1 내지 3은 본 발명의 제1실시예에 따라 도파관(waveguide)과 불투명 실드(opaque shield)를 갖는 구조화된 템플레이트 표면의 패턴을 광감응 네거티브 레지스트 코팅(light-sensitive negative resist coating)을 갖는 물체에 전사하기 위한 리소그래피 공정(lithographic process)을 개략적으로 도시한다.
도4 내지 6은 본 발명의 제2실시예에 따른, 도파관과 불투명 실드(opaque shield)를 갖는 비구조화된(non-structured) 템플레이트 표면의 패턴을 광감응 네거티브 레지스트 코팅(light-sensitive negative resist coating)을 갖는 물체에 전사하기 위한 리소그래피 공정(lithographic process)을 개략적으로 도시한다.
도7 내지 9는 본 발명의 제3실시예에 따라, 물체에 캐버티들(cavities)을 형성하기 위해 도파관을 갖는 구조화된 템플레이트 표면의 패턴을 광감응 네거티브 레지스트 코팅(light-sensitive negative resist coating)을 갖는 물체에 전사하기 위한 리소그래피 공정(lithographic process)을 개략적으로 도시한다.
도10 내지 도12는 도1 내지 도3의 실시예와 유사한 리소그래피 공정(lithographic process)을 개략적으로 도시하며, 여기서 물체는 광감응 포지티브 레지스트 코팅(light-sensitive positive resist coating)을 갖는다.
도13은 본 발명의 실시예에 따른, 광원과 렌즈 배치(lens arrangement)를 이용한 템플레이트 내부로의 측면 광 입력(sideways light input)을 개략적으로 도시한다.
도14는 광원 및 광섬유 배치를 이용하여, 템플레이트 내부로의 측면 광 입력에 대한 대안적인 실시예를 개략적으로 도시한다.
도15는 본 발명의 실시예에 따른, 템플레이트와 패턴될 물체를 갖는 리소그래피 셋업(lithographic setup)을 개략적으로 예시하며, 여기에 광을 입력하기 위하여, 광원이 템플레이트 상에 마련된 도파관의 주변부 주위를 둘러싸도록 배치된다.
도16은 본 발명의 실시예에 따르는 장치의 개략도를 나타낸다.
본 발명의 구체적인 실시예들을 설명하기에 앞서, 본 발명의 원리들을 고려해보기로 한다. 나노임프린트 기술의 주된 장점은 초미세 패턴이 제어 공정으로 형성될 수 있다는 것이다. 나노임프린트 리소그래피의 사용에 의하여 기판 상에 예를 들어 집적회로를 프린팅(printing)할 때, 다른 스탬프들을 이용하는 연속적인 단계와 기판 상에 도전성 또는 절연성 일부분을 정의하는 중간공정으로 다른 패턴들이 기판에 전사된다. 광감응 레지스트층들(light-sensitive resist layers)과 방사 노출(radiation exposure)의 이용은 리소그래피가 일정한 온도에서 수행될 수 있다는 장점을 더 제공한다. 이는 템플레이트와 기판 사이의 열팽창 문제들이 최소화되거나 심지어 제거됨으로써, 특히 넓은 영역 리소그래피(large area lithography)에 있어서, 재현성이 향상된다.
본 발명은 보다 넓은 범위의 템플레이트 및 기판 재료들에 적용될 수 있게 함에 의하여, 신규한 수준으로 광감응 코팅층이 마련된 물체 상에 방사 보조 리소그래피를 이용한다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 방사에 불투명한 금속 템플레이트 베이스(metal template base)를 제조 및 사용하는 것을 가능하게 한다. 본 발명에 따르면, 이러한 이로운 효과는 베이스 구조(base stucture)의 표면에 층 또는 층들의 세트(set)의 형태로 도파관이 제공된 베이스 구조를 포함하는 템플레이트를 마련함으로써 얻어진다. 템플레이트가 물체의 광감응코팅과 접촉하도록 배치된 도파관에 정렬되면, 방사는 도파관 내부로 유입되고, 방사는 근접장 영역(near-field regime)에서 소멸파(evanescent waves)로서 누출된다.
종래의 광학 현미경에서, 공간적인 해상도(spatial resolution)는 회절에 의하여 광학 파장(λ)의 약 1/2로 제한된다(Abbe 제한). 이 제한은 이미징(imaing)될 물체와 상호작용하는 전자파가 항상 다음의 2개의 성분으로 회절되기 때문에 발생한다:
1) 2/λ보다 작은 낮은 공간 주파수를 갖는 진행파; 및
2) 2/λ보다 큰 높은 공간 주파수를 갖는 소멸파
종래의 광학은 원격장 영역(far-field regime)과 관련되며, 이미징될 물체의 서브파장 특징(sub-wavelength features)이 추출(retrieve)될 수 없다. 그러나, 일반적으로 λ보다 작은 거리에서 근접장 영역에서 구동됨에 의하여, Abbe 제한은 극복될 수 있다. 이 현상은 잘 알려져 있고, 근접장 주사 광학 현미경(scanning near-field optical microscopy, SNOM)에 사용되어왔으며, 나노미터 해상도를 제공한다. 그러나, 이 기술의 중요한 특징은 감시될 물체에 대한 근거리를 유지할 수 있다는 것인바, 이는 소멸파가 빨리 소멸(damped out)되기 때문이다. 이 장 세기(field intensity) I는 I ~ S-4에 따라 크게 감소한다.
광자 주사 터널링 현미경(Photon Scanning Tunnelling Microscopy, PSTM)으로 불리는 SNOM의 특정 분야에서, 날카로운 광섬유 팁(tip)이 전반사(total internal reflection, TIR)가 일어나는 물체 위쪽에서의 소멸장(evanescent field)을 탐지하기 위해 사용된다. 모든 광자가 위치 확률 분포(positional probability distribution)를 갖기 때문에, 물체 표면에서의 반사의 각 지점에서 광자가 물체의 표면 밖에 위치하게 되는 어떤 가능성이 있게 된다. 이러한 광자들은 소멸장을 생성할 것이며, 이 소멸장은 광섬유 팁에 의하여 포착될 것이다. 광 섬유는 몇몇의 형태의 광자 검출기(photon detector)에 연결되고, 그 표면은 예를 들어 스텝모터(step motor)를 이용하여 주사될 것이다. 근접장 현미경에 대한 더 많은 정보는 "Scanning probe microscopy and spectroscopy, methods and application", Roland Wiesendanger, 1994, ISBN 0 521 41810 0에서 확인할 수 있다.
본 발명은 물체의 광감응코팅층을 노출시키기 위한 목적으로, 표면으로부터 근접장 터널링(near-field tunnelling)의 물리학을 이용한다. 이 공정의 다음 목적은 방사에 의하여 광감응코팅의 재료에 영향을 미침으로써, 이 물질이 가교(cross-linked)화 및 고체화되게 하거나 또는 현상(development) 및 제거될 수 있게 하는 것이다.
도1 내지 도3은 본 발명의 제1실시예를 나타낸다. 템플레이트(10)는, 제1표면이 도면에서 아래 방향을 향하고 있으며, 돌출부(12)와 함몰부(13)를 포함하는 패턴 구조가 제1표면에 형성되어 있는 캐리어 베이스(11)를 포함한다. 캐리어 베이스(11)는 어떤 적절한 재료로부터 제조될 수 있고, 바람직하게는 니켈 또는 알루미늄과 같은 금속 재료 또는 실리콘과 같은 반도체 재료로부터 제조될 수 있다. 캐리어 베이스는 하나의 재료로 만들어질 필요는 없으며, 예컨데 실리콘층과 실리콘 다이옥사이드층, 또는 금속과 금속산화물층을 적층시킨 구조(layered stucture)로 구성될 수 있다. 특히, 니켈은 템플레이트를 제조하는데 아주 적합한 재료이며, 이는 본 발명이 속하는 기술분야에서 잘 알려져 있다.
캐리어 베이스(11)의 제1표면 상부에는 도파관(14)이 배치되어 있다. 도파관(14)은 적어도 특정 파장 범위에 대하여 투명한 재료로부터 만들어지며, 아래에 설명된 바와 같이 사용가능하다. 바람직하게, 도파관은 200 내지 400nm 범위의 자외선 광(UV light)에 적어도 투명하다. 도파관(14) 용으로 사용가능한 재료는 예컨데 SiO2, Si3N4, 다이아몬드, 사파이어 또는 ITO이다. 도파관(14)은 열증착, 화학기 상증착, 에피택시(epitaxy) 또는 스퍼터링과 같은 널리 공지된 적절한 방법들 중 어느 하나에 의하여 템플레이트 표면에 형성될 것이다.
도1 내지 도3에 따르는 실시예에 대하여, 템플레이트(10)의 패턴된 제1표면의 구조의 실제 치수(actual dimension)는 돌출부(12)와 함몰부(13)의 치수에 의하여 뿐만 아니라 도파관(14)의 두께에 의하여 결정된다. 바람직하게, 도파관은 10nm보다 크지 않은, 바람직하게는 5nm보다 크지 않은 두께로 템플레이트(10)의 패턴된 제1표면 상에 배치된다. 이렇게 얇은 도파관의 경우에는, 도파관(14)에 의해 추가된 두께를 고려할 필요 없이, 100nm 이상의 크기를 갖는 구조들이 전기도금 또는 이와 유사한 방법에 의하여 캐리어 베이스 내부에 형성된다. 하지만, 돌출부(12), 함몰부(13) 및 도파관(14)을 합한 크기가 원하는 치수 및 형태가 되도록, 후속적으로 적용되는 도파관의 두께를 참조하여, 캐리어 베이스 표면 구조의 치수들을 설정하는 것도 물론 가능하다.
도1 내지 도3의 실시예에서, 템플레이트(10)에는 불투명 실드(15)가 더 제공된다. 불투명 실드(15)는 도파관(14)의 함몰부(13)와 그리고 돌출부(12)의 수직벽 부분을 덮으며, 반면에 도파관(14)의 가장 바깥 부분은 가려지지 않는다. 불투명 실드(15)는 하나 또는 몇몇의 원자층(atomic layer)일 수 있으며, 이는 알루미늄 또는 금과 같은 금속층으로 형성될 수 있다. 대안적인 실시예로(미도시), 도파관(14)은 그물망과 같은 구조(net-like stucture)일 수 있으며, 이는 단지 상기 돌출부(12)의 가장 바깥쪽 부분만을 덮는다. 이러한 실시예의 경우에, 불투명 실드(15)는 생략될 수도 있다. 그물망과 같은 구조에 대한 실시예의 경우에, 도파 관(14)은 계속적이고, 이러한 광은 도파관의 어떤 부분으로부터 도파관의 다른 부분으로 진행할 것이 바람직하다. 도파관(14)과 유사하게, 이미 언급된 바와 같이 불투명 실드는 알려진 많은 방법으로 마련될 수 있다.
템플레이트(10)는 물체(20)에 대향하여 배치되고, 물체(20)는 기판(21)을 포함하고 광감응코팅층(22)이 배치된 제2표면(23)을 갖는다. 기판(21)은 실리콘, GaAs, Ge, InP 또는 다른 타입의 반도체 재료 또는 예를 들어 고분자 또는 금속 등으로 이루어질 수 있다. 광감응코팅(22)은 선택된 파장의 방사, 즉 전형적으로 200-400nm 범위의 자외선 방사에 대한 노출에 따라 특성이 변화되도록 마련된 적당한 레지스트 재료로부터 만들어진다.
도2는 코팅(22)과 접촉하여 배치되는 패턴된 제1표면을 따라 템플레이트(10)가 정렬되는 공정 단계를 도시하며, 이러한 코팅(22)은 바람직하게 함몰부(13)를 완벽하게 채움에 의하여 구조화된 제1표면의 형상에 순응(adapt to)하게 된다. 전형적으로, 이는, 두꺼운 화살표에 의하여 도면에 지시된 바와 같이, 통상의 실시(common practice)에 따라 서로를 향하도록 템플레이트(10)와 물체(20)를 가압함에 의하여 수행된다. 템플레이트(10)는 도시된 바와 같이 돌출부(12)의 가장 바깥부분이 제2표면(23)으로부터 일정한 거리에 위치하는 한 지점에 배치된다. 이 상태에서, 방사는 도면에 물결 화살표(wave-arrow)에 의하여 지시된 바와 같이 도파관(14)으로 유입된다. 일단 광이 도파관(14)으로 유입되면, 광은 TIR(total internal reflection)의 수단에 의하여 도파관(14) 전체를 진행(propagate)할 것이다. 그러나, 돌출부(12)의 가려지지 않은 부분에서, 소멸파는 누출될 것이고 선택된 밑에 부분(underlying portion)(24)에서 밑에 있는 코팅(22)을 노출시킬 것이다. 밑에 있는 코팅(22)은 사용된 레지스트의 재료의 형태에 따라 영향을 받을 갓이다. 도1-3은 자외선 광에 노출됨에 따라 경화되고 고체화되는 네거티브 레지스트 재료의 이용에 대하여 설명한다. 층(22)으로 유용하고 사용가능한 고분자화 또는 경화가능한 유체의 예들은 ZEN 포토닉스(photonics)(104-11 문지동, 유성구, 대전 305-308, 대한민국)로부터의 NIP-K17 및 NIP-K22를 포함한다. NIP-K17은 아크릴레이트의 주요성분을 가지며, 약 25℃에서 약 9.63cps의 점도를 갖는다. NIP-K22은 또한 아크릴레이트의 주요성분과, 25℃에서 약 5.85cps의 점도를 갖는다. 양 물질은 약 2분 동안 12mW/cm2 이상에서 자외선 방사에 노출되어 경화되도록 되어 있다. 층(22)에 대하여 유용하고 사용가능한 중합될 수 있는 유체의 다른 예는 마이크로 레지스트 테크놀로지 GmbH(독일 베를린 D-12555, Haus 211, Koepenicker Strasse 325)로부터의 Ormocore이다. 이 물질은 1-3% 광중합개시제(photopolymerisation initiator)로 이루어진 불포화된, 무기-유기 혼합 고분자의 조성을 갖는다. 점도는 25℃에서 3-8mPas이고, 유체는 365nm의 파장에서 500mJ/cm2 방사의 노출 하에서 경화될 것이다.
도1 내지 도3의 공정 및 템플레이트는 일반적으로 나노임프린트에 사용되기 때문에, 돌출부(12)와 함몰부(13)의 폭은 100nm보다 작게 될 것이고, 심지어 10nm보다 작게 될 것이다. 이런 부분들에서, 돌출부에서 가려지지 않은 부분들은 도파관(14)에 대한 실드(15)에서 개구들을 정의할 것이고, 이 개구들은 도파관(14)으로 유입되는 광의 파장보다 작다. 이런 이유 때문에, 회절은 도파관(14)으로부터 빠져나가는 원격장 진행파(far-field propagating wave)를 차단할 것이고, 반면에 소멸파는 돌출부(12)에서 빠져나갈 것이다.
온도 및 특히 코팅층(22)에 사용된 레지스트 재료(resist material)와 같은 현재의 공정 파라미터들(parameters)에 따라 선택된 시간 기간 동안 방사에 노출된 이후에, 템플레이트(10)는 기판(20)으로부터 제거된다. 포스트-베이킹(post-baking)은 템플레이트(10)로부터 분리 전 또는 후에 코팅층(22)의 노출된 부분을 경화하기 위하여 높은 온도에서 수행될 수 있다. 일단 템플레이트(10)가 제거되면, 습식 현상 공정(wet developing process)과 같은 현상공정은 기판 표면(23)을 가리지 않도록 소멸파에 노출되지 않은 코팅층(22)을 제거하기 위하여 이용될 수 있다. 전통적인 습식 현상 공정이 이용될 수 있으며, 이는 코팅층(22)에 사용된 재료에 대하여 적합하다. 현상 후에, 도3에 도시된 바와 같이, 방사에 노출된 부분(24)만이 기판(21)의 표면에 남는다.
상술 된 공정의 목적에 따라, 돌출부(12)의 가장 바깥 부분과 기판 표면 사이의 거리는 달라질 수 있다. 만일 목적이 코팅(14)의 재료에 의하여 형성된 돌출부(24)(생산물의 일부로서 남아 있게 될)를 갖는 기판(21)을 제공하는 것이라면, 상기 거리는 일반적으로 돌출부의 높이에 따라 결정될 것이다. 이러한 실시예는 물체(20)가 에피택셜 성장(epitaxial growth)을 위하여 미리-패턴된(pre-patterned) 표면으로서 사용되는 경우에 해당된다. 그러나, 언급된 바와 같이, 소멸파의 강도는 거리에 따라 빠르게 쇠퇴할 것이다. 소멸파의 강도가 입력 방사 강도(input radiation intensity)를 증가시킴에 의하여 증가될 수 있을지라도, 20nm보다 큰 구조를 생산하는 것은 어려울 것이다. 그러나, 만일 잔존하는 돌출부(24)의 목적이 기판 표면(23)의 식각 또는 도금 중 어느 하나를 위한 마스크로서만 기능할 경우라면, 돌출부(24)의 가장 바깥 부분과 기판 표면(23) 사이의 실제 거리는 아마 1-10nm보다 큰 값이 될 필요는 없다. 기판(21)에 대한 추가적인 공정에 대해서는 본 발명이 추가적인 공정의 양상들과는 관계가 없으므로 더 이상 설명하지 않기로 한다.
도4 내지 도6은 본 발명의 제2실시예에 따른 것으로 캐리어 베이스(41)를 포함하는 템플레이트를 설명한다. 캐리어 베이스(41)는 평탄한 표면(42)을 가지며, 도파관(43)은 캐리어 베이스(41)에 대향하여 배치된다. 도파관(43) 위쪽에눈 불투명 실드(44)가 더 배치된다. 도4는 독립된 물체로서 템플레이트(40)의 세가지 요소(41, 42, 43)를 설명한다. 그러나, 대안적으로, 도파관(43)은 예를 들어 그 위에 성장함에 의하여 캐리어 베이스(41)에 부착될 수 있고, 실드(44)는 그 위에 성장함에 의하여 도파관(43)에 부착될 수 있다. 캐리어 베이스(41), 도파관(43) 및 실드(44)의 재료들 및 치수들은 도1 내지 도3과 관련하여 설명될 것이다. 불투명 실드(44)에는 개구(45)가 더 마련되어 있으며, 개구(45)는 5nm 내지 몇백 nm 또는 그보다 작은 범위의 폭을 가질 것이다. 템플레이트(41)의 패턴은 개구들의 분포와 크기에 의하여 정의되고, 이에 따라 기본적으로 2차원이다. 템플레이트(40)와 마주하고 있는 물체(20)는 도1 내지 도3에 기재된 바와 같은 동일한 방법으로 구성될 수 있다.
도5는 템플레이트(40)와 물체(20)가 어떻게 함께 가압 되는지를 설명하며, 이러한 광감응코팅(22)은 불투명 실드(44)와 접촉하도록 배치된다. 광(바람직하게 자외선 방사)은 도파관(43) 내부로 유입되고, 이 광은 도파관(43) 내부로 진행(propagate)될 것이며, 개구(45)를 통하여 광감응코팅(22)으로 소멸파를 누출할 것이다. 개구(45) 아래에 나타난 광감응코팅(22)의 이러한 부분만이 표시된 바와 같이 노출되고 방사에 의하여 영향을 받는다.
도6은, 도3과 유사하게, 템플레이트의 제거와 광감응코팅(22)의 노출되지 않은 부분의 현상 및 제거 후에 물체(20)를 설명하며, 상기 물체(20)는 고체화된 광감응코팅재료의 잔존하는 부분(24)을 갖는다. 도3의 실시예에 관한 한, 포텐셜 포스트-베이킹(potential post baking) 및 습식 현상은 광감응코팅에 사용된 레지스트 재료에 따라 이용될 것이다.
이 제2실시예는 템플레이트가 덜 복잡하기 때문에 제1실시예보다 더 간단하다. 또한, 광감응코팅(22)으로 가압될 구조들이 없기 때문에, 더 낮은 압력이 도5의 단계에서 템플레이트(40)와 물체(20)를 함께 유지하는데 사용될 수 있다.
도7 내지 도9는 나노 튜브(nano-tube)와 같은 작은 크기의 튜브 또는 전선관(conduit)을 제조하는데 사용할 수 있는 본 발명의 제3실시예를 설명한다. 템플레이트(70)는 도1의 템플레이트(10)와 유사하나, 불투명 실드가 없다. 그래서 동일한 도면번호가 유사한 특징, 구성에 대하여 사용되었다. 도파관(14)은 배리어 베이스(barrier base)(11)의 템플레이트 표면에 있는 돌출부(12)와 함몰부(13) 위쪽에 배치된다. 물체(20)는 또한 도1의 것과 동일하다.
도8에서, 템플레이트(70)는 기판(21)의 표면(23) 상에 배치된 광감응코 팅(22)에 대하여 광감응코팅 방향으로 가압 된다. 도파관(14) 내부로 도입되는 방사, 바람직하게 자외선 광은 도파관(14)을 통하여 진행(propagate)할 것이다. 그러나, 도파관(14)의 위쪽에 실드(shield)가 없기 때문에, 소멸파는 도8에 도시된 바와 같이 도파관으로부터 이의 표면 위쪽으로 누출되고 광감응코팅의 인접 물질(adjacent material)에 영향을 미친다.
도9는, 도3 및 도6에 관한 것과 같이, 템플레이트(70)로부터의 분리, 포텐셜 포스트-베이킹(potential post-baking) 및 광감응코팅(22)의 노출되지 않은 부분들을 제거하기 위한 현상(development) 후의 물체(20)를 설명한다. 돌출부(12)와 함몰부(13)의 형상 때문에, 바람직하게는 돌출부와 함몰부는 템플레이트 표면에 채널처럼 형성된다, 광감응코팅(22)의 고체화된 잔존 부분들(74)은, 기판의 표면(23)에서 튜브(75)를 형성하기 위하여, 함몰부(13)에 의하여 정의되는 전선관(conduit)을 봉입할 것이다(encapsulate). 이것을 가능하게 하기 위하여, 템플레이트와 기판 표면 사이의 방사 강도 거리(radiation intensity distance), 그리고 돌출부(12)와 함몰부(13)의 치수들은 사려깊게 매치되는(matched) 것이 중요하고, 이러한 전체 광감응코팅(22)은 경화되지 않는다. 또한, 기판 표면(23)에 인접한 노출되지 않은 부분들은 속이 빈 전선관(hollow conduit) 또는 튜브(75)를 생산하기 위해 노출되지 않은 재료를 제거하도록 현상 유체(developing fluid)에 접근하기 쉬어야 한다. 캐리어 베이스와 도파관의 재료들 및 치수들은 도1 내지 도3에 연관되어 설명된 바와 같을 것이다.
도10 내지 도12는 도1-3과 유사한 다른 실시예를 설명하며, 이에 따라 유사한 특징 또는 구성에 대하여 동일한 도면번호가 사용되었다. 캐리어 베이스(41), 도파관(43) 및 실드(44)의 재료들과 치수들은 도1 내지 도3과 관련하여 또한 설명될 것이다. 주된 차이점은, 예를 들어 Shipley 1800과 같은, 광감응코팅층(22)으로 대신 포지티브 레지스트 재료(positive resist material)가 사용되었다는 것이다. 도11에 따르는 방사 공정(radiation process)은 후속의 현상공정에서 광감응코팅(22)의 노출된 부분을 용해가능하게 하도록 작용한다. 도12는 도3과 유사하게 현상 후에 물체를 설명하나, 함몰부에 대응하는 부분(124)이 잔존하는 경우, 코팅의 노출된 부분은 바람직하게 습식 현상 공정으로 제거될 것이다. 또한, 도10-12에 나타난 공정은 템플레이트보다 더 높은 종횡비(higher aspect ration)을 갖는 패턴된 표면(23)을 제조한다.
도13은 광원(130)으로부터 도파관(14)의 주변 영역으로 광의 초점을 맞추기 위해 고안된 광원(130)과 렌즈 장치(131)를 이용하여 본 발명에 따라 도파관(14)으로 방사(radiation)를 유입하게 하는 방법에 대한 한 실시예를 설명한다. 여기서, 도파관(14)의 표면 부분과 마주하는 측면(sideway)은 방사 입력(radiation input)을 구성한다. 광원(130)은 적어도 400nm 이하의 자외선 영역에서 방출하도록 되어 있다. 바람직한 실시예로, 200 내지 1000nm에 이르는 방출 스펙트럼(emission spectrum)을 갖는 공랭식의 제논램프(air-cooled xenon)가 방사원(radiation source)(130)으로서 사용된다. 바람직한 제논 타입 방사원(130)은 1-10W/cm2의 방사를 제공하며, 초당 1-5펄스의 펄스속도(pulse rate)로 1-5μm 펄스를 비추기 위해(to flash) 고안되었다. 자외선 다이오드 세트는 대안적으로 광원으로 사용될 수 있다.
도14는 광섬유 연결(optical fibre connection)(141)을 이용하여 광을 광원(130)으로부터 도파관(14)에 결합하는 다른 실시예를 설명한다. 도파관에 광을 연결하기 위한 이러한 수단은 자외선 다이오드 에레이와 같은 다이오드 형태의 광원이 바람직하다. 광섬유는 도파관, 바람직하게는 도파관(14)의 측면부분에 연결되고, 광섬유의 연결 지점은 도파관에 대한 방사입력을 구성한다.
도15는 원형 템플레이트(10) 주위에 광원이 어떻게 원형으로 배치되는지를 개략적으로 설명하며, 원형 템플레이트(10)는 도파관(14)으로 방사(radiation)를 반경방향으로(radially) 입력하도록 되어있다. 광원(150)은 하나의 제논 램프 또는 복수의 자외선 다이오드를 포함할 수 있다. 바람직하게, 광원(150)은, 도13에 따르는 렌즈 배열 또는 도14에 따르는 하나 이상의 광섬유(optical fibre)와 같이, 도파관(14)의 주변 영역으로 광을 연결하기 위한 수단을 포함한다.
도16은 본 발명에 따르는 장치(1600)의 개략적인 도면이다. 장치는, 본 발명의 실시예에 따라 도파관(미도시)을 갖도록 된 템플레이트(1601)로부터 광감응코팅을 갖도록 된 물체(1602)로 패턴을 전사하기 위한 것으로, 프레스(1610)와 프레스와 함께 작동하는 접합부(abutment)(1620)를 포함한다. 프레스(1610)는, 수압으로 작동되는 프레스(hydraulically operated press)와 같이, 종래의 형태일 수 있고, 피스톤 요소(1611)를 갖는다. 피스톤 요소(1611)는 프레스(1610)의 고정적으로 배치된 본체(1612)에 대하여 잘 정의된 방향(well-defined direction)으로 앞 및 뒤 로 이동가능하다. 피스톤 요소(1611)는 본체(1612)로부터 멀어지는 측면 상에 템플레이트(1601)를 수용하기 위한 표면(1613)을 갖는다. 접합부(1620)는 베이스(1621)와 홀더(1622)를 포함하고, 홀더(1622)는 베이스(1621)로부터 멀어지는 측면 상에 물체(1602)를 수용하기 위한 표면(1623)을 갖는다. 물체(1602)를 고정하기 위한 잠금 수단(미도시)은 표면(1623)에 배치되어 있다. 이 잠금 수단은 임의의 종류일 수 있고, 그러나 자동 생산에 대하여는 물체의 고정에서 서브-대기압(sub-atmospheric pressure)을 사용하는 것이 바람직하다. 유사한 잠금 배치(similar locking arrangement)가 표면(1613)에 대하여 템플레이트(1601)를 유지(holding)하기 위하여 이용되는 것이 바람직하다. 프레스(1610)의 본체(1612) 및 접합부(1620)의 베이스(1621)는 섀시(chassis)(1624)에 의하여 지지된다.
본 발명에 따르면, 광원(1626)은 바람직하게 고리모양의 제논 램프 또는 고리모양의 자외선 광-방출 다이오드들(UV light-emitting diodes)의 어레이의 형태로 템플레이트(1601)의 주변 영역에 인접하도록 되어 있다. 광원(1626)은 램프로부터 도파관의 주변 영역을 향하여 광의 초점을 맞추기 위한 렌즈 배치(lens arrangement) 또는 자외선 광-방출 다이오드들로부터 도파관의 주변 영역까지 광을 연결하는 광섬유와 같은 광 결합 수단(light coupling means)을 더 포함한다. 장치(1600)는 도1 내지 도12와 연관되어 설명된 실시예들 중 어느 하나에 따라 작동되도록 되어 있다. 이와 같은 작동은 템플레이트(1601)와 물체(1602)를 서로 접촉하도록 배치함에 의하여, 바람직하게는 그들을 함께 가압하여, 그리고 도파관으로부터 여기에 소멸파를 누출시킴에 의하여 물체(1602) 상부의 광감응코팅의 선택된 부분들의 특성에 영향을 미치도록 하기 위하여 템플레이트(1601)의 도파관 내부로 방사(radiation)를 입력하기 위하여 광원(1626)을 구동함에 의하여 이루어진다. 여기서, 선택된 부분들은 템플레이트(1601)의 표면 패턴에 대응한다.

Claims (39)

  1. 패턴이 있는 제1표면을 가지며, 광감응 코팅(light-sensitive coating)으로 덮여진 제2표면을 갖는 물체에, 상기 코팅과 상기 패턴이 있는 제1표면을 접촉시킴으로써 상기 제1표면의 패턴을 전사하는데 사용가능한 템플레이트로서,
    캐리어 베이스(carrier base); 그리고
    상기 템플레이트의 제1표면에서 상기 캐리어 베이스 상부에 배치되는 도파관 층(waveguide layer)을 포함하며,
    상기 도파관 층은 자체 내부로 광을 유도하도록 됨과 아울러 상기 패턴에 대응하는 상기 코팅의 부분들에 소멸파(evanescent wave)를 누출시키도록 되며,
    상기 제1표면은 돌출부들과 함몰부들로 이루어진 구조를 포함하며 상기 구조 상에는 상기 도파관 층이 배치되고, 상기 템플레이트는 가압되며,
    상기 코팅이 상기 함몰부들을 채우도록 상기 돌출부들이 상기 코팅쪽으로 가압되는 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    불투명 실드(opaque shield)는 상기 도파관 층의 선택된 부분들 위쪽의 상기 제1표면에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 불투명 실드는 상기 함몰부에서 상기 도파관 층 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 불투명 실드는 상기 제1표면의 상기 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 광감응코팅은 네거티브 레지스트 재료(negative resit material)로 만들어진 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광감응코팅은 포지티브 레지스트 재료(positive resist material)로 만들어진 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어 베이스는 금속 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 캐리어 베이스는 니켈(nickel)로 만들어진 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 도파관 층은 SiO2, Si3N4, 다이아몬드, 사파이어 또는 ITO로부터 선택된 재료로 만들어진 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 도파관 층은 5nm보다 크지 않는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 템플레이트.
  13. 템플레이트로부터 패턴을 전사하기 위한 장치로서, 상기 장치는
    제1항의 템플레이트;
    상기 코팅을 방사(radiation)에 노출시키기 위한 광원;
    상기 코팅의 선택된 부분들의 속성에 영향을 미치도록 상기 도파관 층으로부터의 소멸파에 상기 코팅을 노출시키기 위한 수단; 그리고
    상기 코팅이 상기 함몰부들을 채우도록 상기 돌출부들을 상기 코팅쪽으로 가압하는 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 광원은 상기 템플레이트의 주변 영역에서 상기 도파관 층의 내부로 광을 유도하도록 된 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 광원은 고리형상(ring-shaped)인 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 광원은 자외선 방사(UV radiation)를 방출하도록 된 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 광원은 자외선 다이오드 어레이(array of UV diodes)를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    렌즈 배치는 상기 도파관 층의 방사 입력(radiation input)에 상기 광원으로부터의 방사를 결합하도록 된 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제13항에 있어서,
    광섬유 배치는 상기 도파관 층의 방사 입력에 상기 광원으로부터의 방사를 결합하도록 된 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 삭제
  21. 패턴이 있는 제1표면을 갖는 템플레이트로부터 광감응 코팅으로 덮여진 제2표면을 갖는 물체에 패턴을 전사하기 위한 방법으로서, 상기 제1표면은 돌출부와 함몰부로 이루어진 구조를 포함하며 상기 구조 상에는 도파관 층이 배치되고, 상기 방법은,
    캐리어 베이스를 마련하는 단계;
    상기 제1표면에서 상기 캐리어 베이스 상에 도파관 층을 배치하는 단계;
    상기 코팅과 접촉하도록 상기 패턴된 제1표면을 위치시키는 단계;
    상기 제1표면에 배치된 상기 도파관 층 내부로 광을 유도하는 단계;
    상기 코팅의 선택된 부분들의 속성에 영향을 미치도록 상기 도파관 층으로부터의 소멸파에 상기 코팅을 노출시키는 단계; 및
    상기 코팅이 상기 함몰부들을 채우도록 상기 돌출부들을 상기 코팅쪽으로 가압하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴을 전사하기 위한 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 물체로부터 상기 템플레이트를 분리시키는 단계;
    상기 코팅의 상기 선택된 부분들에 대응하는 3차원 구조를 생성하도록, 상기 속성에 따른 현상공정에서 상기 코팅으로부터 재료를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴을 전사하기 위한 방법.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 광감응코팅은 네거티브 레지스트 재료(negative resist material)로 이루어져 있고, 상기 방법은,
    상기 소멸파에 대한 노출에 의하여 상기 선택된 부분들을 경화시키는 단계;
    경화되지 않는 부분들을 현상공정에서 제거하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴을 전사하기 위한 방법.
  24. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    상기 광감응코팅은 포지티브 레지스트 재료(positive resist material)로 이루어져 있고, 상기 방법은,
    상기 소멸파에 대한 노출에 의하여 현상공정으로 상기 선택된 부분들을 용해가능하게 하는 단계;
    현상공정으로 상기 용해가능한 부분들을 제거하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴을 전사하기 위한 방법.
  25. 제22항에 있어서,
    현상공정으로 상기 제2표면의 선택된 부분들을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴을 전사하기 위한 방법.
  26. 삭제
  27. 제21항에 있어서,
    불투명 실드(opaque shield)가 상기 도파관 층 위쪽의 상기 제1표면 상에 배치되고, 상기 방법은,
    상기 불투명 실드의 개구부를 통하여 상기 도파관 층으로부터의 상기 소멸파를 상기 코팅의 상기 선택된 부분들로 안내하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴을 전사하기 위한 방법.
  28. 삭제
  29. 제21항에 있어서,
    상기 도파관 층 내부로 자외선 방사(UV radiation)가 유도되는 것을 특징으로 하는 패턴을 전사하기 위한 방법.
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
KR1020077027132A 2005-04-27 2006-04-13 물체에 패턴을 전사하기 위한 수단 KR101352360B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05009188.3 2005-04-27
EP05009188 2005-04-27
EP05108066.1 2005-09-02
EP05108066 2005-09-02
PCT/EP2006/061571 WO2006114369A2 (en) 2005-04-27 2006-04-13 Means for transferring a pattern to an object

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080003915A KR20080003915A (ko) 2008-01-08
KR101352360B1 true KR101352360B1 (ko) 2014-01-15

Family

ID=36685650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077027132A KR101352360B1 (ko) 2005-04-27 2006-04-13 물체에 패턴을 전사하기 위한 수단

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8092959B2 (ko)
EP (1) EP1875310B1 (ko)
JP (1) JP4954197B2 (ko)
KR (1) KR101352360B1 (ko)
HK (1) HK1109805A1 (ko)
WO (1) WO2006114369A2 (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101221477B (zh) * 2007-01-09 2014-05-28 义隆电子股份有限公司 操作控制方法及系统
US20110014499A1 (en) * 2008-03-07 2011-01-20 Showa Denko K.K. Uv nanoimprint method, resin replica mold and method for producing the same, magnetic recording medium and method for producing the same, and magnetic recording/reproducing apparatus
NL1036787A1 (nl) * 2008-05-14 2009-11-17 Asml Holding Nv Lithographic method.
US8237133B2 (en) 2008-10-10 2012-08-07 Molecular Imprints, Inc. Energy sources for curing in an imprint lithography system
TWM402424U (en) * 2010-10-15 2011-04-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Constraint structure for light path
JP5774536B2 (ja) * 2012-03-30 2015-09-09 株式会社東芝 近接場露光用マスクおよびパターン形成方法
JP2014120584A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Toshiba Corp インプリント用マスクの洗浄方法
EP3125806B1 (en) * 2014-03-28 2023-06-14 Intuitive Surgical Operations, Inc. Quantitative three-dimensional imaging of surgical scenes
KR102405687B1 (ko) 2014-03-28 2022-06-07 인튜어티브 서지컬 오퍼레이션즈 인코포레이티드 수술용 임플란트의 정량적 3차원 영상화 및 프린팅
EP3125807B1 (en) 2014-03-28 2022-05-04 Intuitive Surgical Operations, Inc. Quantitative three-dimensional imaging of surgical scenes from multiport perspectives
WO2015149044A1 (en) 2014-03-28 2015-10-01 Dorin Panescu Surgical system with haptic feedback based upon quantitative three-dimensional imaging
US11266465B2 (en) 2014-03-28 2022-03-08 Intuitive Surgical Operations, Inc. Quantitative three-dimensional visualization of instruments in a field of view
WO2019191333A1 (en) * 2018-03-27 2019-10-03 NanoPath, Inc. Maskless photolithography devices, methods, and systems
WO2019210976A1 (de) * 2018-05-04 2019-11-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Stempel und verfahren zum prägen
CN111771161B (zh) 2018-05-30 2023-07-18 株式会社Lg化学 用于压印的光掩膜及其制造方法
US10754078B2 (en) * 2018-12-20 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Light source, a shaping system using the light source and an article manufacturing method
EP3963256A4 (en) * 2019-04-28 2023-06-14 LEIA Inc. METHOD FOR MAKING A DIFFRACTIVE BACKLIGHT DEVICE
CN111522206B (zh) 2020-04-29 2021-09-21 中国科学院光电技术研究所 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法
US11972976B2 (en) 2021-04-29 2024-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Planarization system, planarization process, and method of manufacturing an article

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000112116A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Masaki Esashi 近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法
JP2003305700A (ja) * 2002-04-12 2003-10-28 Canon Inc ナノ構造体及びその製造方法
JP2004200664A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> サブ波長構造体の製造

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048810A (ja) * 1996-08-05 1998-02-20 Yotaro Hatamura リソグラフィ方法
JPH1138241A (ja) * 1997-07-14 1999-02-12 Tomoegawa Paper Co Ltd フレキシブル光導波路素子及びその製造方法
DE69724159T2 (de) * 1997-09-19 2004-05-06 International Business Machines Corp. Optische lithographie mit extrem hoher auflösung
US5928815A (en) * 1997-11-14 1999-07-27 Martin; Joseph Proximity masking device for near-field optical lithography
JPH11160853A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク及びフォトマスクブランク
JPH11218901A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Canon Inc エバネッセント光露光用マスク、その製造方法及びエバネッセント光露光装置
JP4346701B2 (ja) * 1998-03-25 2009-10-21 キヤノン株式会社 エバネッセント光を用いた露光方法
JP2000021770A (ja) * 1998-04-30 2000-01-21 Ebara Corp 光転写装置及び方法及びマスク及びその製造方法
US6671034B1 (en) * 1998-04-30 2003-12-30 Ebara Corporation Microfabrication of pattern imprinting
JP2000039702A (ja) * 1998-04-30 2000-02-08 Ebara Corp 微細パタ―ンの転写加工方法
JPH11317345A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Ebara Corp 微細パターンの転写加工方法
JPH11317346A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Ebara Corp 微細パターンの形成のための装置及び方法
EP1001311A1 (en) * 1998-11-16 2000-05-17 International Business Machines Corporation Patterning device
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
JP3743782B2 (ja) * 1999-08-30 2006-02-08 独立行政法人産業技術総合研究所 微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法
US6764367B2 (en) * 2000-10-27 2004-07-20 Science Applications International Corporation Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication
AU2003238889A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-19 Lake Shore Cryotronics, Inc. Spectral filter for green and shorter wavelengths and method of manufacturing same
JP3984935B2 (ja) * 2003-08-08 2007-10-03 キヤノン株式会社 近接場露光マスク及び近接場露光マスクの製造方法
WO2005052658A1 (de) 2003-11-19 2005-06-09 Gerster Techtex Gmbh Lichtwellenleiter-vorrichtung mit lichtaustrittsöffnungen in der manteloberfläche sowie verfahren zur herstellung derselben in einer webmaschine
US7153360B2 (en) 2003-12-16 2006-12-26 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Template and methods for forming photonic crystals
JP4572406B2 (ja) * 2004-04-16 2010-11-04 独立行政法人理化学研究所 リソグラフィーマスク
JP4250570B2 (ja) * 2004-06-30 2009-04-08 キヤノン株式会社 近接場露光方法及びこれを用いた素子の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000112116A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Masaki Esashi 近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法
JP2003305700A (ja) * 2002-04-12 2003-10-28 Canon Inc ナノ構造体及びその製造方法
JP2004200664A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> サブ波長構造体の製造

Also Published As

Publication number Publication date
HK1109805A1 (en) 2008-06-20
EP1875310A2 (en) 2008-01-09
KR20080003915A (ko) 2008-01-08
US8092959B2 (en) 2012-01-10
JP2008539570A (ja) 2008-11-13
EP1875310B1 (en) 2013-03-06
WO2006114369A3 (en) 2007-08-02
JP4954197B2 (ja) 2012-06-13
US20090317727A1 (en) 2009-12-24
WO2006114369A2 (en) 2006-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101352360B1 (ko) 물체에 패턴을 전사하기 위한 수단
JP4340086B2 (ja) ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法
Zhang et al. Printed photonic elements: nanoimprinting and beyond
JP4317375B2 (ja) ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
US20120032377A1 (en) Apparatus and method for aligning surfaces
US7922960B2 (en) Fine resist pattern forming method and nanoimprint mold structure
US7374864B2 (en) Combined nanoimprinting and photolithography for micro and nano devices fabrication
CN101446759A (zh) 纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板
US20080055581A1 (en) Devices and methods for pattern generation by ink lithography
JP4090374B2 (ja) ナノプリント装置、及び微細構造転写方法
JP4073343B2 (ja) 光透過ナノスタンプ方法
JP4944158B2 (ja) ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法
Viheril et al. Chapter Nanoimprint Lithography-Next Generation Nanopatterning Methods for Nanophotonics Fabrication
EP1001311A1 (en) Patterning device
KR101542142B1 (ko) 나노리소그래피용 마이크로팁 어레이, 이의 제조방법 및 이를 이용한 나노리소그래피 방법
US20010036602A1 (en) Analog relief microstructure fabrication
US7261830B2 (en) Applying imprinting material to substrates employing electromagnetic fields
CN201331670Y (zh) 纳米压印用二次压印模板
Wang Status of nanoimprint lithography and device applications
Schumaker et al. Applying imprinting material to substrates employing electromagnetic fields
KR20000047537A (ko) 패터닝 디바이스와 패터닝 방법
Wang 5 Nanoimprint Lithography

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161226

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171226

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 6