WO2019231097A1 - 임프린팅용 포토마스크 및 이의 제조방법 - Google Patents

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WO2019231097A1
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imprinting
photomask
light blocking
dry film
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손용구
이승헌
배남석
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주식회사 엘지화학
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    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Definitions

  • the present application relates to an imprinting photomask and a method of manufacturing the same.
  • the electrophoretic variable transmissive film has a function of controlling light transmittance by concentrating or scattering positively or negatively charged particles to a specifically formed electrode according to the direction and intensity of an electric field formed between two electrode substrates having opposite charges. It is a film.
  • the electrophoretic variable film of the electrophoresis method is easy to transmit and block the light flowing from the outside, it can be utilized as a smart window for building, a sunroof for cars, a light shielding film of a transparent display.
  • a barrier rib pattern must be provided on at least one of the two electrode substrates.
  • barrier rib pattern In implementing the barrier rib pattern, as the height and the aspect ratio of the barrier rib pattern increase, it is difficult to implement a pattern shape required by a general photolithography process.
  • the present application is to provide a photomask for imprinting and a method of manufacturing the same.
  • DFR Dry Film Resist
  • It provides a method for manufacturing an imprinting photomask comprising a.
  • It provides a method of manufacturing a partition pattern comprising a.
  • an imprinting photomask having a ratio of the thicknesses of the light blocking pattern and the dry film resist pattern to at least one may be provided based on the distance between adjacent patterns of the light blocking pattern.
  • the light shielding pattern may be provided between the transparent substrate and the dry film resist pattern, thereby preventing pinholes, damage to the mold pattern, and the like, which are problems of the prior art.
  • a partition pattern using the photomask for imprinting by manufacturing a partition pattern using the photomask for imprinting, it is possible to manufacture a partition pattern satisfying a thickness of 10 ⁇ m or more and an aspect ratio of 1 or more.
  • FIG. 1 and 2 are views schematically showing a photomask for imprinting according to an exemplary embodiment of the present application, respectively.
  • FIG. 3 is a view schematically showing a method of manufacturing an imprinting photomask according to an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 4 is a view schematically showing a method of manufacturing a partition pattern according to an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an image after a developing process of a dry film resist of Experimental Example 1 as an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an image after a developing process of a dry film resist of Experimental Example 1 as an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 6 is a view showing an SEM image, a transmission mode image, and a reflection mode image of an imprinting photomask according to Experimental Example 1 as an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 7 is a view illustrating an SEM image of a partition pattern according to Experimental Example 1 as an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating distances and thicknesses between adjacent patterns of light blocking patterns according to an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 9 is a view schematically showing an imprinting photomask of Experimental Example 3 as an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 10 is a view schematically showing an imprinting photomask of Experimental Example 4 as an exemplary embodiment of the present application.
  • FIG. 11 is a view showing a transmission mode image of an imprinting photomask according to Experimental Example 4 as an exemplary embodiment of the present application.
  • “transparent” is meant to have a transmittance characteristic of about 80% or more in the visible region (400 nm to 700 nm).
  • a transparent electrode film and a metal pattern electrode film is essential to produce an electrophoretic variable transmittance film.
  • an electrophoretic material such as a negatively charged carbon black particle dispersion solution between two electrode films, it is necessary to maintain a cell gap, and for this, a ball spacer, a column spacer pattern, or a partition pattern may be used. Provision was required.
  • the barrier rib pattern when a photolithography process using the photosensitive resin composition is applied, there is a limit in implementing a barrier rib pattern having a uniform line width in a large area. This is attributable to the exposure gap uniformity of the photomask and the photosensitive resin composition layer and the coating uniformity of the photosensitive resin composition layer.
  • a method of using an imprinting process may be considered to form a barrier rib pattern having a high step height and a high aspect ratio
  • a general imprinting process may cause a problem that a resin composition remains in a region other than the barrier rib pattern portion.
  • the addition of the -scum process increases the manufacturing cost.
  • a method of selectively introducing a light shielding layer on an embossed portion of the imprinting mold may be considered, but damage to pinholes and mold patterns may occur in a process of depositing the light shielding layer on the imprinting mold.
  • a separate resist transfer process and an etching process are added.
  • the present application is to provide an imprinting photomask and a manufacturing method thereof capable of manufacturing a partition pattern having a high step height, high aspect ratio.
  • Imprinting photomask according to an embodiment of the present application, a transparent substrate; A light blocking pattern provided on the transparent substrate; And a dry film resist (DFR) pattern provided on the light blocking pattern.
  • DFR dry film resist
  • the transparent substrate may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness, but is not limited thereto. It is not limited.
  • the transparent substrate is glass; Urethane resins; Polyimide resins; Polyester resin; (Meth) acrylate type polymer resin; It may be made of a polyolefin resin such as polyethylene or polypropylene.
  • the light shielding pattern may include at least one of Cu, Al, Cr, Ni, and alloys thereof.
  • the distance between adjacent patterns of the light blocking pattern may be 30 ⁇ m or less, and may be 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the line width of the barrier rib pattern manufactured by the imprinting photo process may be excessively increased, thereby decreasing the transmittance variable range of the variable transmittance film.
  • the distance between the adjacent patterns of the light shielding pattern is less than 5 ⁇ m, in order to form the light shielding pattern, the distance between the patterns of the DFR pattern on the top of the light shielding layer should be less than 5 ⁇ m, but using a general parallel light exposure machine It is impossible to implement.
  • the light blocking pattern may have a thickness of about 1 ⁇ m or less, and about 0.1 ⁇ m to about 1 ⁇ m.
  • the thickness of the light blocking pattern exceeds 1 ⁇ m, an undercut may be formed under the dry film resist pattern as the line width of the light blocking pattern is excessively reduced after etching the light blocking layer.
  • the thickness of the light blocking pattern is less than 0.1 ⁇ m, a problem may occur in that the pinholes are bunched in the light blocking layer. Therefore, the thickness of the light blocking pattern is preferably 0.1 ⁇ m or more.
  • the distance between adjacent patterns of the light blocking patterns means the shortest distance from one side of each light blocking pattern to one side of the adjacent light blocking patterns.
  • the thickness of the light blocking pattern means a distance from an interface in contact with the transparent substrate of the light blocking pattern to an opposite surface of the interface.
  • FIG. 8 illustrates a distance 100 between adjacent patterns of the light shielding pattern according to an exemplary embodiment of the present application.
  • the dry film resist may be provided on the light shielding pattern and provided in a region corresponding to the light shielding pattern.
  • the dry film resist may comprise a material known in the art. More specifically, the dry film resist is a monofunctional monomer selected from the group consisting of methacrylate and its derivatives, acrylate and its derivatives, methacrylate of methacrylyloxyethyl acid phosphate and phthalic acid derivatives; Dimethacrylates and derivatives thereof, diacrylates and derivatives thereof, trimethacrylates and derivatives thereof, tetramethacrylates and derivatives thereof, triacrylates and derivatives thereof, and tetraacrylates and derivatives thereof Functional monomers; And it may be made of a photopolymerization monomer selected from a mixture thereof.
  • the photosensitive layer composition of the dry film resist is a photopolymerization monomer (polyfunctional monomer) that is photopolymerized by light, a photopolymerization initiator that induces radicals or radicals by light to cause photopolymerization, mechanical strength and tendency of the photopolymerization composition, and A binder polymer for imparting adhesion and additives such as dyes and stabilizers, adhesion promoters and thermal polymerization inhibitors may be included.
  • the sum of the thicknesses of the light blocking pattern and the dry film resist pattern may be 10 ⁇ m or more, and may be 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the sum of the thicknesses of the light blocking pattern and the dry film resist pattern means a distance from an interface in contact with the transparent substrate of the light blocking pattern to an opposite surface of the interface in contact with the light blocking pattern of the dry film resist pattern.
  • the ratio of the thickness of the light blocking pattern and the dry film resist pattern may be 1 or more, or 1 to 3, based on the distance between adjacent patterns of the light blocking pattern.
  • the transmittance variable range decreases as the area of the barrier rib pattern manufactured through the imprinting photo process increases. Problems may arise.
  • a release layer may be further included on the front surface of the imprinting photomask.
  • the release layer may introduce a layer in which a fluorine-based and silicon-based release material is mixed, and the thickness of the release layer is preferably 100 nm or less, but is not limited thereto.
  • the release layer may be formed by a wet coating method or a vapor deposition method. In order to introduce a uniform release layer on a surface having a step, the vapor deposition method is advantageous.
  • the UV curable resin pattern cured through the imprinting photo process through the release layer may be easily separated from the imprinting photomask.
  • FIGS. 1 and 2 An imprinting photomask according to an exemplary embodiment of the present application is schematically illustrated in FIGS. 1 and 2.
  • the imprinting photomask according to the exemplary embodiment of the present application includes a transparent substrate 10; A light shielding pattern 20 provided on the transparent substrate 10; And a dry film resist pattern 30 provided on the light blocking pattern 20.
  • the imprinting photomask according to the exemplary embodiment of the present application may further include a release layer 40 on the entire surface of the imprinting photomask.
  • a method of manufacturing an imprinting photomask may include forming a light shielding layer on a transparent substrate; Forming a dry film resist pattern on the light blocking layer; And etching the light blocking layer using the dry film resist pattern as a mask to form a light blocking pattern.
  • the forming of the light shielding layer on the transparent substrate may use a method known in the art. More specifically, the forming of the light shielding layer on the transparent substrate may use a deposition process or the like, but is not limited thereto.
  • the forming of the dry film resist pattern on the light blocking layer may include: laminating a dry film resist on the light blocking layer; And forming a dry film resist pattern using a photo process and a developing process.
  • the method may further include forming a release layer on the entire surface of the imprinting photomask.
  • Forming a release layer on the entire surface of the imprinting photomask may use a method known in the art. More specifically, the step of forming a release layer on the entire surface on the imprinting photomask may use a deposition process, but is not limited thereto.
  • a dry film resist pattern is formed thereon, so that a separate resist transfer process is not required. That is, according to the exemplary embodiment of the present application, the dry film resist pattern may simultaneously play a role of an imprinting mold and a resist for selective etching of the light blocking layer.
  • FIG. 3 A method of manufacturing an imprinting photomask according to an exemplary embodiment of the present application is schematically illustrated in FIG. 3.
  • the method of manufacturing a partition pattern according to an exemplary embodiment of the present application, forming a UV curable resin layer on a substrate, and using the imprinting photomask, the imprinting photo process on the UV curable resin layer Performing the step of forming a partition pattern.
  • the UV curable resin layer may use a material known in the art, and more specifically, the UV curable resin layer may include one or more kinds of acrylic monomers, acrylic oligomers, photoinitiators, and the like.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the thickness of the barrier rib pattern may be 10 ⁇ m or more, and may be 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the line width of the barrier rib pattern may be 30 ⁇ m or less, and may be 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the ratio of the thickness of the barrier rib pattern may be 1 or more, and may be 1 to 3 based on the line width of the barrier rib pattern.
  • FIG. 4 shows a method of manufacturing a barrier rib pattern according to an exemplary embodiment of the present application.
  • an exemplary embodiment of the present application provides a variable transmittance film including the partition pattern.
  • variable transmittance film according to the exemplary embodiment of the present application may be formed using materials and methods known in the art, except for including the aforementioned partition wall pattern.
  • variable transmittance film may be provided with a second transparent substrate having a second electrode pattern on the partition pattern film.
  • (-) Charged nanoparticles are included between the electrode layer of the barrier rib pattern and the second electrode pattern.
  • the negatively charged nanoparticles may be carbon black nanoparticles, but are not limited thereto.
  • variable transmittance film may be prepared by preparing a variable transmittance film as described above, and then injecting a solution in which ( ⁇ ) charged nanoparticles are dispersed between the electrode layer of the barrier rib pattern and the second electrode pattern.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the transmittance variable film may be driven by an electrophoretic method.
  • the variable transmittance film according to the exemplary embodiment of the present application is in the OFF mode, the transmittance decreases, and in the ON mode in which voltage is applied to the electrode layer and the second electrode pattern, the nanoparticles (-) charged by the electrophoresis phenomenon
  • the transmittance may increase by dense with a metal pattern, which is a positive electrode.
  • Cu was formed to a thickness of 200nm on the 250 ⁇ m PET film by using a vacuum deposition method.
  • a 25 ⁇ m-thick DFR (Asahi Kasei Co., Ltd.) having a thickness of 25 ⁇ m was roll-laminated on the Cu deposition film under a temperature of 110 ° C., a pressure of 0.4 MPa, and a roll speed of 1.5 m / min.
  • the photomask After laminating a photomask including a DFR-equipped surface of the laminate with a line width of 25 ⁇ m, a line distance of 500 ⁇ m, and a dot pattern in the center at room temperature, the photomask was exposed at 150 mJ / cm 2 using a parallel light exposure device having a wavelength of 365 nm. It was. The exposed laminate was spray-developed for 2 minutes using a 1 wt% Na 2 CO 3 aqueous solution to form a DFR pattern having a line width of 21 mm, a line width of 500 ⁇ m, and a depth of 25 ⁇ m of the recessed portion.
  • FIG. 5 An image after the developing process of the dry film resist is shown in FIG. 5.
  • An imprinting photomask was completed by forming a release layer having a thickness of 100 nm on the DFR pattern film in which the Cu layer was selectively etched by using a vapor deposition method to a thickness of 100 nm.
  • the structure of the prepared imprinting photomask is as shown in FIG.
  • the SEM image, the transmission mode image and the reflection mode image of the imprinting photomask are shown in FIG. 6.
  • the reflection mode is an image of the light reflected from the upper position of the imprinting photomask reflected (image of the difference in reflectance)
  • the transmission mode is a light is located on the back of the imprinting photomask to transmit the light
  • the area to be shielded and the area to be shielded are confirmed by the image (image of the difference in absorption rate).
  • the imprinting photomask was roll pressed at a pressure of 0.5 MPa and a speed of 0.1 mpm. After irradiating 250 mJ / cm 2 of exposure energy on the upper part of the laminate using a UV curing machine having a wavelength of 365 nm, an imprinting photomask was separated from the ITO film to prepare an ITO film having a partition pattern.
  • the line width of the barrier rib pattern manufactured by the imprinting photo process was 21.2 ⁇ m, the height was 25 ⁇ m, and the line interval was 500 ⁇ m.
  • FIG. 7 An SEM image of the barrier rib pattern is shown in FIG. 7.
  • An imprinting photomask was fabricated in the same manner as in Experimental Example 1 except that 50 ⁇ m thick DFR (Asahi Kasei) was used. ⁇ m).
  • the structure of the prepared imprinting photomask is as shown in FIG.
  • the line width of the barrier rib pattern manufactured by the imprinting photo process was 20 ⁇ m, the height was 50 ⁇ m, and the line interval was 500 ⁇ m.
  • Cu was formed to a thickness of 8 ⁇ m on the 250 ⁇ m PET film by using an electroplating method.
  • a 25 micrometer-thick DFR (Asahi Kasei Co., Ltd.) of 25 micrometers thickness was roll-laminated on the said Cu plating film on the conditions of the temperature of 110 degreeC, the pressure of 0.4 Mpa, and the roll speed of 1.5 m / min.
  • the photomask was exposed at 150 mJ / cm 2 using a parallel light exposure device having a wavelength of 365 nm. It was.
  • the exposed laminate was spray-developed for 2 minutes using a 1 wt% Na 2 CO 3 aqueous solution to form a DFR pattern having a line width of 20 mm, a line width of 500 ⁇ m and a depth of 25 ⁇ m of the DFR pattern of the intaglio portion.
  • An imprinting photomask was completed by forming a release layer having a thickness of 100 nm on the DFR pattern film in which the Cu layer was selectively etched by using a vapor deposition method to a thickness of 100 nm.
  • the structure of the prepared imprinting photomask is shown in FIG. 9.
  • the thickness of the light shielding pattern is more preferably 1 ⁇ m or less.
  • a 25 micrometer-thick DFR (Asahi Kasei Co., Ltd.) of 25 micrometers thick was roll-laminated on the conditions of the temperature of 110 degreeC, the pressure of 0.4 Mpa, and the roll speed of 1.5 m / min.
  • the photomask was exposed at 150 mJ / cm 2 using a parallel light exposure device having a wavelength of 365 nm. It was.
  • the exposed laminate was spray-developed for 2 minutes using a 1 wt% Na 2 CO 3 aqueous solution to form a DFR pattern having a line width of 20 mm, a line width of 500 ⁇ m and a depth of 25 ⁇ m of the DFR pattern of the intaglio portion.
  • Cu was formed to a thickness of 200 nm on the laminate using a vacuum deposition method, and then an etching resist layer was formed on each of the laminates by using a reverse offset printing process.
  • Spray etching was performed for 30 seconds using 5 wt% ferric chloride aqueous solution to etch the exposed Cu layer in the region without the etching resist layer.
  • An imprinting photomask was completed by forming a release layer having a thickness of 100 nm on the DFR pattern film in which the Cu layer was selectively etched by using a vapor deposition method to a thickness of 100 nm.
  • the structure of the prepared imprinting photomask is shown in FIG. 10.
  • the line width of the barrier rib pattern manufactured by the imprinting photo process was 20 ⁇ m, the height was 25 ⁇ m, and the line spacing was 500 ⁇ m.
  • an imprinting photomask having a ratio of the thicknesses of the light blocking pattern and the dry film resist pattern to one or more based on the distance between adjacent patterns of the light blocking pattern may be provided.
  • the light shielding pattern may be provided between the transparent substrate and the dry film resist pattern, thereby preventing pinholes, damage to the mold pattern, and the like, which are problems of the prior art.
  • a partition pattern using the photomask for imprinting by manufacturing a partition pattern using the photomask for imprinting, it is possible to manufacture a partition pattern satisfying a thickness of 10 ⁇ m or more and an aspect ratio of 1 or more.

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Abstract

본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 구비된 차광 패턴; 및 상기 차광 패턴 상에 구비된 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist, DFR) 패턴을 포함한다.

Description

임프린팅용 포토마스크 및 이의 제조방법
본 출원은 2018년 5월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0061683호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 임프린팅용 포토마스크 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
전기 영동 방식의 투과도 가변 필름은 반대전하를 가지는 두 장의 전극 기판 사이에서 형성되는 전기장의 방향과 세기에 따라 양 또는 음전하로 대전된 입자들이 특정하게 형성된 전극으로 집중되거나 흩어지면서 광투과도가 조절되는 기능성 필름이다. 상기 전기 영동 방식의 투과도 가변 필름은 외부에서 유입되는 빛의 투과와 차단이 용이하여, 건축용 스마트 윈도우, 자동차용 선루프, 투명 디스플레이의 차광필름 등으로 활용될 수 있다.
두 장의 전극 기판 사이의 대전입자 용액을 고르게 분포시키기 위해서는 셀 갭(Cell Gap) 유지가 필수적이며, 이를 위하여 두 장의 전극 기판 중 적어도 하나의 전극 기판 상에 격벽 패턴이 구비되어야 한다.
상기 격벽 패턴을 구현함에 있어서, 격벽 패턴의 높이와 종횡비가 증가함에 따라 일반적인 포토리소그래피 공정으로는 요구되는 패턴 형상을 구현하는 것이 어렵다.
따라서, 당 기술분야에서는 격벽 패턴의 높이와 종횡비를 증가시킬 수 있는 제조방법에 대한 기술개발이 필요하다.
본 출원은 임프린팅용 포토마스크 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태는,
투명 기판;
상기 투명 기판 상에 구비된 차광 패턴; 및
상기 차광 패턴 상에 구비된 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist, DFR) 패턴
을 포함하는 임프린팅용 포토마스크를 제공한다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는,
투명 기판 상에 차광층을 형성하는 단계;
상기 차광층 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 차광층을 식각함으로써, 차광 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 임프린팅용 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는,
기판 상에 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계, 및
상기 임프린팅용 포토마스크를 이용하고, 상기 UV 경화형 수지층에 임프린팅 포토공정을 수행하여 격벽 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 격벽 패턴의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리를 기준으로, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 비가 1 이상인 임프린팅용 포토마스크를 제공할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 차광 패턴이 투명 기판과 드라이 필름 레지스트 패턴 사이에 구비됨으로써, 종래기술의 문제점인 차광층의 핀홀 발생, 몰드 패턴의 손상 등을 방지할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 임프린팅용 포토마스크를 이용하여 격벽 패턴을 제조함으로써, 두께 10㎛ 이상, 종횡비 1 이상을 만족하는 격벽 패턴을 제조할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시상태에 따른 격벽 패턴의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시상태로서, 실험예 1의 드라이 필름 레지스트의 현상공정 이후의 이미지를 나타낸 도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시상태로서, 실험예 1에 따른 임프린팅용 포토마스크의 SEM 이미지, 투과모드 이미지 및 반사모드 이미지를 나타낸 도이다.
도 7은 본 출원의 일 실시상태로서, 실험예 1에 따른 격벽 패턴의 SEM 이미지를 나타낸 도이다.
도 8은 본 출원의 일 실시상태에 따른 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리 및 두께를 나타낸 도이다.
도 9는 본 출원의 일 실시상태로서, 실험예 3의 임프린팅용 포토마스크를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 10은 본 출원의 일 실시상태로서, 실험예 4의 임프린팅용 포토마스크를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 11은 본 출원의 일 실시상태로서, 실험예 4에 따른 임프린팅용 포토마스크의 투과모드 이미지를 나타낸 도이다.
[부호의 설명]
10: 투명 기판
20: 차광 패턴
30: 드라이 필름 레지스트 패턴
40: 이형층
50: 차광층
60: 드라이 필름 레지스트
70: UV 경화형 수지층
80: 격벽 패턴
90: 기판
100: 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리
110: 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 합
이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.
본 출원에 있어서, "투명"은 가시광선 영역(400nm 내지 700nm)에서 약 80% 이상의 투과율 특성을 갖는 것을 의미하기로 한다.
통상적으로, 전기 영동 방식의 투과도 가변 필름을 제조하기 위해서는 투명전극 필름과 금속 패턴 전극 필름의 사용이 필수적이다. 또한, 2장의 전극 필름 사이에 (-) 대전된 카본블랙 입자 분산용액과 같은 전기 영동 물질을 주액하기 위해서는 셀 갭(cell gap) 유지가 필요하며, 이를 위하여 볼 스페이서, 컬럼 스페이서 패턴 또는 격벽 패턴의 구비가 요구되었다.
상기 격벽 패턴의 제조시, 감광성 수지 조성물을 이용한 포토리소그래피 공정을 적용하는 경우에는, 넓은 면적에 균일한 선폭의 격벽 패턴을 구현하는데 한계가 있다. 이는 포토마스크와 감광성 수지 조성물층의 노광 갭 균일성 및 감광성 수지 조성물층의 도포 균일성에 기인한다.
전술한 바와 같이, 격벽 패턴을 구현함에 있어 패턴의 높이와 종횡비가 증가함에 따라 일반적인 포토리소그래피 공정으로는 요구되는 패턴 형상을 구현하는 것이 어렵다.
고단차, 고종횡비를 갖는 격벽 패턴을 형성하기 위하여 임프린팅 공정을 이용하는 방법을 고려할 수 있으나, 일반적인 임프린팅 공정에서는 격벽 패턴부 이외의 영역에 수지 조성물이 잔존하는 문제가 발생하며 이를 제거하기 위해서는 de-scum 공정이 추가되어 제조비용이 증가되는 문제가 발생한다.
또한, 상기 문제점을 해결하기 위하여 임프린팅 몰드의 양각부에 선택적으로 차광층을 도입하는 방법을 고려할 수 있으나, 상기 차광층을 임프린팅 몰드 상부에 증착하는 공정에서 핀홀 및 몰드 패턴의 손상이 발생할 수 있으며, 임프린팅 몰드 음각부에 불필요하게 증착되어 있는 차광층을 선택적으로 제거하기 위해서는 별도의 레지스트 전사 공정 및 식각 공정이 추가되는 문제가 발생한다.
이에, 본 출원에서는 고단차, 고종횡비를 갖는 격벽 패턴을 제조할 수 있는 임프린팅용 포토마스크 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 구비된 차광 패턴; 및 상기 차광 패턴 상에 구비된 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist, DFR) 패턴을 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기재이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴은 Cu, Al, Cr, Ni 및 이들의 합금 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리는 30㎛ 이하일 수 있고, 5㎛ 내지 30㎛ 일 수 있다. 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리가 30㎛를 초과할 경우, 임프린팅용 포토공정을 통해 제조된 격벽 패턴의 선폭이 과도하게 증가하여 투과도 가변 필름의 투과도 가변 범위가 감소하는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리가 5㎛ 미만일 경우에는, 차광 패턴을 형성하기 위하여 차광층 상부의 DFR 패턴의 패턴 간 거리가 5㎛ 미만으로 형성해야 하나 일반적인 평행광 노광기의 사용으로는 이를 구현하는 것이 불가능하다.
또한, 상기 차광 패턴의 두께는 1㎛ 이하일 수 있고, 0.1㎛ 내지 1㎛ 일 수 있다. 상기 차광 패턴의 두께가 1㎛를 초과할 경우, 차광층을 식각한 후에 드라이 필름 레지스트 패턴 대비 차광 패턴의 선폭이 과도하게 감소함에 따라 드라이 필름 레지스트 패턴 하부에 언더컷이 형성되는 문제가 발생할 수 있다. 이 경우, 격벽 패턴을 형성하는 공정 중에 경화가 완료된 격벽 패턴이 임프린팅 포토마스크에서 탈착되지 않는 문제가 발생할 수 있다. 상기 차광 패턴의 두께가 0.1㎛ 미만일 경우, 차광층에 핀홀이 다발하는 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 차광 패턴의 두께는 0.1㎛ 이상인 것이 바람직하다.
본 출원에 있어서, 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리는 각각의 차광 패턴의 일측면에서 인접하는 차광 패턴의 일측면까지의 최단거리를 의미한다. 또한, 상기 차광 패턴의 두께는 차광 패턴의 상기 투명 기판과 접하는 계면에서 계면의 반대면까지의 거리를 의미한다.
하기 도 8에, 본 출원의 일 실시상태에 따른 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리(100)를 나타내었다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 드라이 필름 레지스트는 상기 차광 패턴 상에 구비되고, 상기 차광 패턴에 대응되는 영역에 구비될 수 있다.
상기 드라이 필름 레지스트는 당 기술분야에 알려진 재료를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 드라이 필름 레지스트는 메타크릴레이트와 그 유도체, 아크릴레이트와 그 유도체, 메타크릴일옥시에틸산 포스페이트 및 프탈산 유도체의 메타크릴레이트로 구성된 군에서 선택된 일관능성 단량체; 디메타크릴레이트와 그 유도체, 디아크릴레이트와 그 유도체, 트리 메타크릴레이트와 그 유도체, 테트라 메타크릴레이트와 그 유도체, 트리 아크릴레이트와 그 유도체 및 테트라 아크릴레이트와 그 유도체로 구성된 군에서 선택된 다관능성 단량체; 및 이들의 혼합물 중 선택된 광중합 단량체로 제조된 것일 수 있다. 일반적으로, 드라이 필름 레지스트의 감광층 조성은 광에 의해 광중합을 하는 광중합 단량체(다관능성 단량체), 광중합이 일어나도록 광에 의해 라디칼이나 라디칼을 유도하는 광중합 개시제, 광중합 조성물의 기계적 강도와 텐딩성 및 접착성을 부여하는 바인더 폴리머, 그리고 염료와 안정제 접착촉진제 열중합 방지제 등의 첨가제를 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 합은 10㎛ 이상일 수 있고, 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 합은 차광 패턴의 상기 투명 기판과 접하는 계면에서 드라이 필름 레지스트 패턴의 차광 패턴과 접하는 계면의 반대면까지의 거리를 의미한다.
하기 도 8에, 본 출원의 일 실시상태에 따른 차광 패턴 및 필름 레지스트 패턴의 두께의 합(110)을 나타내었다.
또한, 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리를 기준으로, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 비는 1 이상일 수 있고, 1 내지 3일 수 있다. 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리를 기준으로, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 비가 1 미만일 경우, 임프린팅 포토 공정을 통해 제조된 격벽 패턴의 면적이 증가함에 따라 투과도 가변 범위가 감소되는 문제가 발생할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 임프린팅용 포토마스크 상의 전면에 이형층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 이형층은 불소계 및 실리콘계 이형재료가 혼합된 형태의 층을 도입할 수 있고, 상기 이형층의 두께는 100nm 이하인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 이형층을 형성하는 방법은 웻코팅(wet coating) 방법, 기상 증착 방법 등이 있으며, 단차를 가지는 표면에 균일한 이형층을 도입하기 위해서는 기상 증착 방법이 유리하다.
상기 이형층 도입을 통해 임프린팅 포토 공정을 통해 경화된 UV 경화형 수지 패턴이 상기 임프린팅용 포토마스크에서 쉽게 분리될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크를 하기 도 1 및 도 2에 개략적으로 나타내었다. 하기 도 1과 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크는, 투명 기판(10); 상기 투명 기판(10) 상에 구비된 차광 패턴(20); 및 상기 차광 패턴(20) 상에 구비된 드라이 필름 레지스트 패턴(30)을 포함한다. 또한, 하기 도 2와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크는, 상기 임프린팅용 포토마스크 상의 전면에 이형층(40)을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크의 제조방법은, 투명 기판 상에 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 차광층을 식각함으로써, 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판 상에 차광층을 형성하는 단계는 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 투명 기판 상에 차광층을 형성하는 단계는 증착공정 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광층 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 상기 차광층 상에 드라이 필름 레지스트를 합지하는 단계; 및 포토공정 및 현상공정을 이용하여 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 임프린팅용 포토마스크 상의 전면에 이형층을 형성하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 임프린팅용 포토마스크 상의 전면에 이형층을 형성하는 단계는 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 임프린팅용 포토마스크 상의 전면에 이형층을 형성하는 단계는 증착공정 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 투명 기판 상에 차광층을 형성한 후 그 상부에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하므로, 별도의 레지스트 전사공정이 필요하지 않다. 즉, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 드라이 필름 레지스트 패턴이 임프린팅 몰드의 역할과 차광층의 선택적 식각을 위한 레지스트 역할을 동시에 수행할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 임프린팅용 포토마스크의 제조방법을 하기 도 3에 개략적으로 나타내었다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 격벽 패턴의 제조방법은, 기판 상에 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계, 및 상기 임프린팅용 포토마스크를 이용하고, 상기 UV 경화형 수지층에 임프린팅 포토공정을 수행하여 격벽 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 UV 경화형 수지층은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있고, 보다 구체적으로 상기 UV 경화형 수지층은 아크릴계 모노머, 아크릴계 올리고머, 광개시제 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 격벽 패턴의 두께는 10㎛ 이상일 수 있고, 10㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 또한, 상기 격벽 패턴의 선폭은 30㎛ 이하일 수 있고, 5㎛ 내지 30㎛ 일 수 있다.
또한, 상기 격벽 패턴의 선폭을 기준으로, 상기 격벽 패턴의 두께의 비는 1 이상일 수 있고, 1 내지 3일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 격벽 패턴의 제조방법을 하기 도 4에 개략적으로 나타내었다.
또한, 본 출원의 일 실시상태는 상기 격벽 패턴을 포함하는 투과도 가변 필름을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투과도 가변 필름은, 전술한 격벽 패턴을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
예컨대, 상기 투과도 가변 필름은 상기 격벽 패턴 필름 상에 제2 전극 패턴이 구비된 제2 투명 기판이 구비될 수 있다. 상기 격벽 패턴의 전극층과 상기 제2 전극 패턴 사이에는 (-) 대전된 나노 입자를 포함한다.
상기 (-) 대전된 나노 입자는 카본블랙 나노 입자일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 투과도 가변 필름은 전술한 바와 같은 투과도 가변 필름을 준비한 후, 상기 격벽 패턴의 전극층과 제2 전극 패턴 사이에 (-) 대전된 나노 입자가 분산된 용액을 주입하는 방법 등을 이용하여 제조할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원에 있어서, 상기 투과도 가변 필름은 전기 영동 방식으로 구동될 수 있다. 본 출원의 일 실시상태에 따른 투과도 가변 필름이 OFF 모드인 경우에는 투과도가 감소하며, 전극층 및 제2 전극 패턴에 전압이 인가된 ON 모드인 경우에는 전기 영동 현상에 의하여 (-) 대전된 나노 입자가 (+) 전극인 금속 패턴으로 밀집하여 투과도가 증가할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.
<실시예>
<실험예 1>
1) 임프린팅용 포토마스크 제작
두께 250㎛ PET 필름 상부에 진공 증착 방식을 이용하여 Cu를 200nm 두께로 형성하였다. 상기 Cu 증착 필름 상부에 25㎛ 두께의 DFR(Asahi Kasei 사)을 온도 110℃, 압력 0.4MPa, 롤 스피드 1.5 m/min 조건으로 롤 합지하였다. 상기 적층체의 DFR 구비면과 선폭 25㎛, 선간 거리가 500㎛ 이고 중앙부에 Dot 패턴을 포함하는 포토마스크를 상온에서 합지한 후 365nm 파장의 평행광 노광기를 활용하여 150 mJ/cm2 조건으로 노광하였다. 노광 완료된 상기 적층체를 1 wt% Na2CO3 수용액을 이용하여 2분간 스프레이 현상하여 음각부의 선폭이 21㎛, DFR 패턴의 선폭이 500㎛ 및 음각부의 깊이가 25㎛인 DFR 패턴을 형성하였다.
상기 드라이 필름 레지스트의 현상공정 이후의 이미지를 하기 도 5에 나타내었다.
5 wt% 염화제2철 수용액을 이용하여 30초간 스프레이 식각하여 DFR이 구비되어 있지 않은 영역의 노출된 Cu 층을 식각하였다.
상기 Cu 층이 선택적으로 식각된 DFR 패턴 필름 상에 기상 증착 방법을 이용하여 불소계 및 실리콘계 이형재료가 혼합된 형태의 이형층을 100nm 두께로 형성하여 임프린팅용 포토마스크를 완성하였다. 제조된 임프린팅용 포토마스크의 구조는 하기 도 1과 같다.
상기 임프린팅용 포토마스크의 SEM 이미지, 투과모드 이미지 및 반사모드 이미지를 하기 도 6에 나타내었다. 상기 반사모드는 임프린팅용 포토마스크의 상부에서 조명이 위치하여 반사되는 빛을 이미지로 확인한 것이며(반사율의 차이를 이미지화), 투과모드는 임프린팅용 포토마스크의 배면에 조명이 위치하여 빛을 투과하는 영역과 차광되는 영역을 이미지로 확인한 것이다(흡수율의 차이를 이미지화).
2) 투명 UV 경화형 수지 조성물의 제조
하기 표 1의 조성으로 투명 UV 경화형 수지 조성물을 제조하였다.
[표 1]
Figure PCTKR2019003862-appb-I000001
3) 격벽 패턴 필름의 제조
면저항이 150 Ω/sq인 ITO 필름 상부에 상기 투명 UV 경화형 수지 조성물을 도포한 후 상기 임프린팅용 포토마스크를 압력 0.5MPa, 속도 0.1mpm으로 롤 프레싱하였다. 상기 적층체의 상부에서 365nm 파장의 UV 경화기를 이용하여 250 mJ/cm2의 노광에너지를 조사한 후 임프린팅용 포토마스크를 ITO 필름에서 분리하여 격벽 패턴이 구비되어 있는 ITO 필름을 제조하였다.
상기 임프린팅 포토 공정을 통해 제조된 격벽 패턴의 선폭은 21.2㎛, 높이는 25㎛이고 선간 간격은 500㎛ 이었다.
상기 격벽 패턴의 SEM 이미지를 하기 도 7에 나타내었다.
<실험예 2>
1) 임프린팅용 포토마스크 제작
50㎛ 두께의 DFR(Asahi Kasei사)를 사용한 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 방법으로 임프린팅 포토마스크를 제작하였다(음각부 선폭이 20㎛, DFR 패턴의 선폭이 500㎛ 및 음각부의 깊이가 50㎛). 제조된 임프린팅용 포토마스크의 구조는 하기 도 1과 같다.
2) 투명 UV 경화형 수지 조성물의 제조
실험예 1과 동일하게 수행하였다.
3) 격벽 패턴 필름의 제조
실험예 1과 동일하게 수행하였다.
상기 임프린팅 포토 공정을 통해 제조된 격벽 패턴의 선폭은 20㎛, 높이는 50㎛이고 선간 간격은 500㎛ 이었다.
<실험예 3>
1) 임프린팅용 포토마스크 제작
두께 250㎛ PET 필름 상부에 전해 도금 방식을 이용하여 Cu를 8㎛ 두께로 형성하였다. 상기 Cu 도금 필름 상부에 25㎛ 두께의 DFR(Asahi Kasei 사)을 온도 110℃, 압력 0.4MPa, 롤 스피드 1.5 m/min 조건으로 롤 합지하였다. 상기 적층체의 DFR 구비면과 선폭 25㎛, 선간 거리가 500㎛ 이고 중앙부에 Dot 패턴을 포함하는 포토마스크를 상온에서 합지한 후 365nm 파장의 평행광 노광기를 활용하여 150 mJ/cm2 조건으로 노광하였다. 노광 완료된 상기 적층체를 1 wt% Na2CO3 수용액을 이용하여 2분간 스프레이 현상하여 음각부의 선폭이 20㎛, DFR 패턴의 선폭이 500㎛ 및 음각부의 깊이가 25㎛인 DFR 패턴을 형성하였다.
5 wt% 염화제2철 수용액을 이용하여 180초간 스프레이 식각하여 DFR이 구비되어 있지 않은 영역의 노출된 Cu 층을 식각하였다.
상기 Cu 층이 선택적으로 식각된 DFR 패턴 필름 상에 기상 증착 방법을 이용하여 불소계 및 실리콘계 이형재료가 혼합된 형태의 이형층을 100nm 두께로 형성하여 임프린팅용 포토마스크를 완성하였다. 제조된 임프린팅용 포토마스크의 구조는 하기 도 9와 같다.
2) 투명 UV 경화형 수지 조성물의 제조
실험예 1과 동일하게 수행하였다.
3) 격벽 패턴 필름의 제조
실험예 1과 동일하게 수행하였으나, 임프린팅 포토마스크에서 격벽 패턴이 분리되지 않아 패턴 구현이 불가능하였다.
상기 실험예 3의 결과와 같이, 상기 차광 패턴의 두께가 1㎛를 초과할 경우, 차광층을 식각한 후에 드라이 필름 레지스트 패턴 대비 차광 패턴의 선폭이 과도하게 감소함에 따라, 하기 도 9와 같이 드라이 필름 레지스트 패턴 하부에 언더컷이 형성되는 문제가 발생할 수 있다. 이 경우, 격벽 패턴을 형성하는 공정 중에 경화가 완료된 격벽 패턴이 임프린팅 포토마스크에서 탈착되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴의 두께가 1㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
<실험예 4>
1) 임프린팅용 포토마스크 제작
두께 250㎛ PET 필름 상부에 25㎛ 두께의 DFR(Asahi Kasei 사)을 온도 110℃, 압력 0.4MPa, 롤 스피드 1.5 m/min 조건으로 롤 합지하였다. 상기 적층체의 DFR 구비면과 선폭 25㎛, 선간 거리가 500㎛ 이고 중앙부에 Dot 패턴을 포함하는 포토마스크를 상온에서 합지한 후 365nm 파장의 평행광 노광기를 활용하여 150 mJ/cm2 조건으로 노광하였다. 노광 완료된 상기 적층체를 1 wt% Na2CO3 수용액을 이용하여 2분간 스프레이 현상하여 음각부의 선폭이 20㎛, DFR 패턴의 선폭이 500㎛ 및 음각부의 깊이가 25㎛인 DFR 패턴을 형성하였다.
상기 적층체 상부에 진공 증착 방식을 이용하여 Cu를 200nm 두께로 형성한 후, 리버스 오프셋 인쇄 공정을 이용하여 상기 적층체의 양각부에 에칭 레지스트 층을 형성하였다.
5 wt% 염화제2철 수용액을 이용하여 30초간 스프레이 식각하여 에칭 레지스트층이 구비되어 있지 않은 영역의 노출된 Cu 층을 식각하였다.
상기 Cu 층이 선택적으로 식각된 DFR 패턴 필름 상에 기상 증착 방법을 이용하여 불소계 및 실리콘계 이형재료가 혼합된 형태의 이형층을 100nm 두께로 형성하여 임프린팅용 포토마스크를 완성하였다. 제조된 임프린팅용 포토마스크의 구조는 하기 도 10과 같다.
2) 투명 UV 경화형 수지 조성물의 제조
실험예 1과 동일하게 수행하였다.
3) 격벽 패턴 필름의 제조
실험예 1과 동일하게 수행하였다.
상기 임프린팅 포토 공정을 통해 제조된 격벽 패턴의 선폭은 20㎛, 높이는 25㎛이고 선간 간격은 500㎛ 이었다.
<실험예 5>
상기 실험예 1 내지 4의 임프린팅용 포토마스크의 특성, 차광 패턴의 핀홀 불량평가, 패턴 성형 특성 등을 하기 표 2에 기재하였다. 또한, 상기 실험예 4에 따른 임프린팅용 포토마스크의 투과모드 이미지 하기 도 11에 나타내었다.
[표 2]
Figure PCTKR2019003862-appb-I000002
종횡비: (DFR 두께 + 차광 패턴 두께) / 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리
상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리를 기준으로, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 비가 1 이상인 임프린팅용 포토마스크를 제공할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 차광 패턴이 투명 기판과 드라이 필름 레지스트 패턴 사이에 구비됨으로써, 종래기술의 문제점인 차광층의 핀홀 발생, 몰드 패턴의 손상 등을 방지할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 임프린팅용 포토마스크를 이용하여 격벽 패턴을 제조함으로써, 두께 10㎛ 이상, 종횡비 1 이상을 만족하는 격벽 패턴을 제조할 수 있다.

Claims (12)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 구비된 차광 패턴; 및
    상기 차광 패턴 상에 구비된 드라이 필름 레지스트(Dry Film Resist, DFR) 패턴
    을 포함하는 임프린팅용 포토마스크.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 차광 패턴은 Cu, Al, Cr, Ni 및 이들의 합금 중 1종 이상을 포함하는 것인 임프린팅용 포토마스크.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리는 30㎛ 이하이고, 상기 차광 패턴의 두께는 1㎛ 이하인 것인 임프린팅용 포토마스크.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 합은 10㎛ 이상인 것인 임프린팅용 포토마스크.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 차광 패턴의 인접한 패턴 간 거리를 기준으로, 상기 차광 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 두께의 비는 1 이상인 것인 임프린팅용 포토마스크.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 임프린팅용 포토마스크 상의 전면에 이형층을 추가로 포함하는 것인 임프린팅용 포토마스크.
  7. 투명 기판 상에 차광층을 형성하는 단계;
    상기 차광층 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 차광층을 식각함으로써, 차광 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 임프린팅용 포토마스크의 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 차광층 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 차광층 상에 드라이 필름 레지스트를 합지하는 단계; 및
    포토공정 및 현상공정을 이용하여 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것인 임프린팅용 포토마스크의 제조방법.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 차광 패턴을 형성하는 단계 이후에,
    상기 임프린팅용 포토마스크 상의 전면에 이형층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인 임프린팅용 포토마스크의 제조방법.
  10. 기판 상에 UV 경화형 수지층을 형성하는 단계, 및
    청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 임프린팅용 포토마스크를 이용하고, 상기 UV 경화형 수지층에 임프린팅 포토공정을 수행하여 격벽 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 격벽 패턴의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 격벽 패턴의 두께는 10㎛ 이상인 것인 격벽 패턴의 제조방법.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 격벽 패턴의 선폭을 기준으로, 상기 격벽 패턴의 두께의 비는 1 이상인 것인 격벽 패턴의 제조방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114645044B (zh) * 2022-02-24 2023-05-23 广东省农业科学院环境园艺研究所 一种与国兰花期相关的ssr分子标记引物及其应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050112940A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성전자주식회사 의사 음각부를 갖는 하이브리드 마스크 몰드 및 이를이용한 분리 격벽 및 에치 배리어의 제조방법
KR20070042309A (ko) * 2005-10-18 2007-04-23 한국기계연구원 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법
KR20080003915A (ko) * 2005-04-27 2008-01-08 오브듀캇 아베 물체에 패턴을 전사하기 위한 수단
KR20090019200A (ko) * 2007-08-20 2009-02-25 삼성전자주식회사 임프린트용 마스터와 그 제조방법 및 그 마스터를 이용한임프린트 방법
WO2015159370A1 (ja) * 2014-04-15 2015-10-22 三菱化学株式会社 遮光材付き基板、カラーフィルタ及び液晶表示装置並びにこの遮光材を形成するための着色樹脂組成物
KR20180061683A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69131878T2 (de) * 1990-09-21 2000-07-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungs-Photomaske
JP4622498B2 (ja) * 2004-12-10 2011-02-02 凸版印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP4710671B2 (ja) 2006-03-17 2011-06-29 ブラザー工業株式会社 電気泳動表示媒体およびその製造方法
US7341825B2 (en) * 2006-05-25 2008-03-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for producing high resolution nano-imprinting masters
JP4841483B2 (ja) * 2007-03-27 2011-12-21 新光電気工業株式会社 配線基板の製造方法
JP4978290B2 (ja) * 2007-04-19 2012-07-18 凸版印刷株式会社 フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び液晶表示装置
JP5015663B2 (ja) * 2007-05-31 2012-08-29 旭化成イーマテリアルズ株式会社 インプリント用感光性樹脂積層体
JP4964073B2 (ja) * 2007-09-14 2012-06-27 日本写真印刷株式会社 加飾シートとその製造方法、加飾成形品
KR20090047146A (ko) 2007-11-07 2009-05-12 주식회사 에이디피엔지니어링 임프린트용 스탬프 및 이의 제조방법
CN102308256B (zh) 2009-02-16 2013-09-25 大日本印刷株式会社 光掩模、光掩模的制造方法及修正方法
JP2010191310A (ja) 2009-02-20 2010-09-02 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法
JP2011095683A (ja) 2009-11-02 2011-05-12 Asahi Kasei Corp ワイヤグリッド偏光子用積層体
US20130084352A1 (en) 2010-03-30 2013-04-04 Hoya Corporation Mold having release layer for imprinting, method for producing mold having release layer for imprinting, and method for producing copy mold
KR101691157B1 (ko) * 2010-12-15 2017-01-02 삼성전자주식회사 나노임프린트용 스탬프 제조방법
JP5653864B2 (ja) 2011-08-18 2015-01-14 富士フイルム株式会社 ナノインプリント用のモールドの離型処理方法およびそれを用いた製造方法並びにモールド、ナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法
JP6081716B2 (ja) * 2012-05-02 2017-02-15 Hoya株式会社 フォトマスク、パターン転写方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法
KR102168213B1 (ko) 2013-07-31 2020-10-21 주식회사 나노브릭 전기영동 디스플레이의 광특성 향상을 위한 구동 방법
JP6325887B2 (ja) * 2014-05-15 2018-05-16 旭化成株式会社 パターン形成用積層体並びにパターン付き基材の製造方法及びパターン付き基材
KR101671918B1 (ko) 2014-10-10 2016-11-03 신화인터텍 주식회사 투명 도전 필름 및 이의 제조 방법
WO2017018830A1 (ko) * 2015-07-28 2017-02-02 주식회사 엘지화학 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법, 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성장치 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
JP6733163B2 (ja) 2015-12-03 2020-07-29 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法
JP6965969B2 (ja) * 2015-12-03 2021-11-10 大日本印刷株式会社 インプリントモールド
KR102361796B1 (ko) * 2015-12-29 2022-02-11 미래나노텍(주) 몰드 제조 방법, 이를 이용한 전극필름 제조 방법 및 전극필름
JP6690814B2 (ja) * 2016-01-27 2020-04-28 エルジー・ケム・リミテッド フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法
KR102126110B1 (ko) * 2016-01-27 2020-06-24 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
KR102092993B1 (ko) 2016-03-31 2020-03-24 주식회사 엘지화학 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체 및 상기 포토마스크의 제조방법
JP6981064B2 (ja) 2016-07-11 2021-12-15 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びそれを用いた凸状構造体の製造方法
JP6940939B2 (ja) * 2016-09-21 2021-09-29 大日本印刷株式会社 パターン形成方法及び凹凸構造体の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050112940A (ko) * 2004-05-28 2005-12-01 삼성전자주식회사 의사 음각부를 갖는 하이브리드 마스크 몰드 및 이를이용한 분리 격벽 및 에치 배리어의 제조방법
KR20080003915A (ko) * 2005-04-27 2008-01-08 오브듀캇 아베 물체에 패턴을 전사하기 위한 수단
KR20070042309A (ko) * 2005-10-18 2007-04-23 한국기계연구원 다이아몬드상 카본 박막을 이용한 미세 임프린트리소그래피용 스탬프 및 그 제조방법
KR20090019200A (ko) * 2007-08-20 2009-02-25 삼성전자주식회사 임프린트용 마스터와 그 제조방법 및 그 마스터를 이용한임프린트 방법
WO2015159370A1 (ja) * 2014-04-15 2015-10-22 三菱化学株式会社 遮光材付き基板、カラーフィルタ及び液晶表示装置並びにこの遮光材を形成するための着色樹脂組成物
KR20180061683A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 열처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3805861A4

Also Published As

Publication number Publication date
EP3805861A1 (en) 2021-04-14
CN111771161A (zh) 2020-10-13
US20210088909A1 (en) 2021-03-25
JP2021515407A (ja) 2021-06-17
EP3805861B1 (en) 2023-11-22
KR102314284B1 (ko) 2021-10-19
JP7076846B2 (ja) 2022-05-30
EP3805861A4 (en) 2021-07-28
KR20190136918A (ko) 2019-12-10
CN111771161B (zh) 2023-07-18
US11966163B2 (en) 2024-04-23

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