JP2021101486A - 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対してアミノシラン系ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち一方の下地の表面に前記アミノシラン系ガスに含まれるシリコンを吸着させる工程と、
(b)前記一方の下地の表面にシリコンを吸着させた後の前記基板に対してフッ素含有ガスを供給することで、前記一方の下地の表面に吸着させたシリコンと前記フッ素含有ガスとを反応させて、前記一方の下地の表面を改質させる工程と、
(c)前記一方の下地の表面を改質させた後の前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち前記一方の下地とは異なる他方の下地の表面上に膜を形成する工程と、
を行う技術が提供される。
以下、本開示の一態様について、主に、図1〜図4を参照しながら説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200の表面に露出した複数種類の下地のうち特定の下地の表面上に選択的に膜を成長させて形成する選択成長(選択成膜)の処理シーケンス例について、主に、図4、図5(a)〜図5(e)を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
表面にシリコン酸化膜(SiO膜)を含む第1下地(下地200a)とシリコン窒化膜(SiN膜)を含む第2下地(下地200b)とが露出したウエハ200に対してアミノシラン系ガスとしてSiH3Rガスを供給することで、下地200aおよび下地200bのうち一方の下地(ここでは下地200a)の表面にSiH3Rガスに含まれるSiを吸着させるステップAと、
下地200aの表面にSiを吸着させた後のウエハ200に対してフッ素含有ガスとしてF2ガスを供給することで、下地200aの表面に吸着させたSiとF2ガスとを反応させて、下地200aの表面を改質させるステップBと、
下地200aの表面を改質させた後のウエハ200に対して成膜ガスとしてSiCl4ガスおよびNH3ガスを供給することで、下地200aおよび下地200bのうち上述の一方の下地とは異なる他方の下地(ここでは下地200b)の表面上に、膜として、SiおよびNを含む膜であるSiN膜を形成するステップCと、を行う。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、次のステップA〜Cを順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、表面に下地200aと下地200bとが露出したウエハ200に対してSiH3Rガスを供給する。
SiH3Rガス供給流量:1〜2000sccm、好ましくは1〜500sccm
SiH3Rガス供給時間:1秒〜60分
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):0〜10000sccm
処理温度:室温(25℃)〜600℃、好ましくは室温〜450℃
処理圧力:1〜2000Pa、好ましくは1〜1000Pa
が例示される。ここで述べた条件は、処理室201内においてSiH3Rガスが気相分解(熱分解)しない条件である。
ステップAが終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、下地200aの表面にSiを選択的に吸着させた後のウエハ200に対してF2ガスを供給する。
F2ガス供給流量:1〜2000sccm、好ましくは1〜500sccm
F2ガス供給時間:1秒〜60分
処理温度:室温〜550℃、好ましくは室温〜450℃
が例示される。他の条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。ここで述べた条件は、下地200aの表面をエッチングしない条件であり、また、後述するように下地200aの表面が改質(F終端)される条件である。
このステップでは、ステップC1,C2を順次実行する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、下地200a,200bのうち下地200aの表面を選択的に改質させた後のウエハ200に対してSiCl4ガスを供給する。
SiCl4ガス供給流量:1〜2000sccm、好ましくは10〜1000sccm
SiCl4ガス供給時間:1〜180秒、好ましくは10〜120秒
処理温度:350〜600℃、好ましくは400〜550℃
処理圧力:1〜2000Pa、好ましくは10〜1333Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、下地200b上に形成されたSi含有層に対してNH3ガスを供給する。
NH3ガス供給流量:10〜10000sccm
NH3ガス供給時間:1〜60秒、好ましくは5〜50秒
処理圧力:1〜4000Pa、好ましくは1〜1333Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
上述したステップC1,C2を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、図5(d)に示すように、ウエハ200の表面に露出した下地200a,200bのうち下地200bの表面上にSiN膜を選択的に形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成されるSiN層の厚さを所望の膜厚よりも薄くし、SiN層を積層することで形成される膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
下地200b上へのSiN膜の選択的な形成が完了した後、ノズル249a〜249cのそれぞれからパージガスとしてのN2ガスを処理室201内へ供給し、排気口231aより排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本態様によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
以上、本開示の態様を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
SiH3R→F2→(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
SiH3R→F2→(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
SiH3R→F2→(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOC(N)
SiH3R→F2→(DCS→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBN
SiH3R→F2→(DCS→C3H6→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBCN
SiH3R→F2→(TiCl4→NH3)×n ⇒ TiN
SiH3R→F2→(TiCl4→NH3→O2)×n ⇒ TiON
以下、好ましい態様について付記する。
本開示の一態様によれば、
(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対してアミノシラン系ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち一方の下地の表面に前記アミノシラン系ガスに含まれるシリコンを吸着させる工程と、
(b)前記一方の下地の表面にシリコンを吸着させた後の前記基板に対してフッ素含有ガスを供給することで、前記一方の下地の表面に吸着させたシリコンと前記フッ素含有ガスとを反応させて、前記一方の下地の表面を改質させる工程と、
(c)前記一方の下地の表面を改質させた後の前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち前記一方の下地とは異なる他方の下地の表面上に膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、
(a)を、前記一方の下地の表面へのシリコンの吸着にセルフリミットがかかる条件下で行う。
付記1または2に記載の方法であって、
(a)を、前記アミノシラン系ガスが気相分解しない条件下で行う
付記1〜3のいずれか1項に記載の方法であって、
(a)を、前記アミノシラン系ガスに含まれるシリコンが前記一方の下地の表面に化学吸着する条件下で行う。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、
(a)では、前記アミノシラン系ガスに含まれるシリコンを、前記他方の下地の表面に吸着させることを抑制しつつ、前記一方の下地の表面に吸着させる。
付記1〜5のいずれか1項に記載の方法であって、
前記アミノシラン系ガスを供給する前の前記一方の下地は水酸基終端された表面を有し、前記アミノシラン系ガスを供給する前の前記他方の下地は水酸基終端されていない表面を有する。
付記1〜6のいずれか1項に記載の方法であって、
前記アミノシラン系ガスは、1分子中にアミノ基を1つ(だけ)含むアミノシラン系ガスである。
付記1〜7のいずれか1項に記載の方法であって、
前記アミノシラン系ガスは、モノアミノシランガスである。
付記1〜8のいずれか1項に記載の方法であって、
(b)では、前記一方の下地の表面を、F終端させるように改質させる。すなわち、(b)は、前記一方の下地の表面が、F終端される条件下で行われる。結果として、前記一方の下地は、F終端された表面を有することとなる。
付記1〜9のいずれか1項に記載の方法であって、
(b)では、前記一方の下地の表面を、SiF終端させるように改質させる。すなわち、(b)は、前記一方の下地の表面が、SiF終端される条件下で行われる。結果として、前記一方の下地は、SiF終端された表面を有することとなる。
付記1〜10のいずれか1項に記載の方法であって、
(b)では、前記一方の下地の表面を、エッチングさせることなく、改質させる。すなわち、(b)は、前記一方の下地の表面が、エッチングされることなく、改質される条件下で行われる。
付記1〜11のいずれか1項に記載の方法であって、
(b)では、前記他方の下地の表面の改質を抑制しつつ、前記一方の下地の表面を改質させる。
付記1〜12のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記一方の下地の表面上に前記膜を形成することなく、前記他方の下地の表面上に前記膜を形成する。
付記1〜13のいずれか1項に記載の方法であって、
前記第1下地は酸素含有膜を含み、前記第2下地は酸素非含有膜を含む。
付記1〜14のいずれか1項に記載の方法であって、
前記第1下地は酸化膜を含み、前記第2下地は窒化膜を含む。
付記1〜15のいずれか1項に記載の方法であって、
前記第1下地はシリコンおよび酸素を含有する膜を含み、前記第2下地はシリコンおよび窒素を含有する膜を含む。
付記1〜16のいずれか1項に記載の方法であって、
前記一方の下地は前記第1下地であり、前記他方の下地は前記第2下地である。
付記1〜17のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(a)、(b)、および(c)(のうち少なくともいずれか)をノンプラズマの雰囲気下で行う。
本開示の他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してアミノシラン系ガスを供給するアミノシラン系ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対してフッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、
前記処理室内において、付記1の各処理(各工程)を行わせるように、前記アミノシラン系ガス供給系、前記フッ素含有ガス供給系、および前記成膜ガス供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本開示のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、付記1の各手順(各工程)をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200a 第1下地
200b 第2下地
Claims (22)
- (a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対してシリコンとリガンドとを含むガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち一方の下地の表面に前記シリコンとリガンドとを含むガスに含まれるシリコンを吸着させる工程と、
(b)前記一方の下地の表面にシリコンを吸着させた後の前記基板に対してフッ素含有ガスを供給することで、前記一方の下地の表面に吸着させたシリコンと前記フッ素含有ガスとを反応させて、前記一方の下地の表面をF終端またはSiF終端させるように改質させる工程と、
(c)前記一方の下地の表面を改質させた後の前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち前記一方の下地とは異なる他方の下地の表面上に膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - (a)を、前記一方の下地の表面へのシリコンの吸着にセルフリミットがかかる条件下で行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)を、前記シリコンとリガンドとを含むガスが気相分解しない条件下で行う請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)を、前記シリコンとリガンドとを含むガスに含まれるシリコンが前記一方の下地の表面に化学吸着する条件下で行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)では、前記シリコンとリガンドとを含むガスに含まれるシリコンを、前記他方の下地の表面に吸着させることを抑制しつつ、前記一方の下地の表面に吸着させる請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコンとリガンドとを含むガスを供給する前の前記一方の下地は水酸基終端された表面を有し、前記シリコンとリガンドとを含むガスを供給する前の前記他方の下地は水酸基終端されていない表面を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコンとリガンドとを含むガスにおける前記リガンドはアミノ基である請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコンとリガンドとを含むガスは、アミノシラン系ガスである請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコンとリガンドとを含むガスは、1分子中にアミノ基を1つ含むアミノシラン系ガスである請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シリコンとリガンドとを含むガスは、モノアミノシランガスである請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (b)では、前記一方の下地の表面を、エッチングさせることなく、改質させる請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (b)では、前記他方の下地の表面の改質を抑制しつつ、前記一方の下地の表面を改質させる請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (c)では、前記一方の下地の表面上に前記膜を形成することなく、前記他方の下地の表面上に前記膜を形成する請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1下地は酸素含有膜を含み、前記第2下地は酸素非含有膜を含む請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1下地は酸化膜を含み、前記第2下地は窒化膜を含む請求項1〜14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1下地はシリコンおよび酸素を含有する膜を含み、前記第2下地はシリコンおよび窒素を含有する膜を含む請求項1〜15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一方の下地は前記第1下地であり、前記他方の下地は前記第2下地である請求項1〜16のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)、(b)、および(c)のうち少なくともいずれかをノンプラズマの雰囲気下で行う請求項1〜17のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (c)を行った後に、前記一方の下地の表面からF終端またはSiF終端を除去する請求項1〜18のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- (a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対してシリコンとリガンドとを含むガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち一方の下地の表面に前記シリコンとリガンドとを含むガスに含まれるシリコンを吸着させる工程と、
(b)前記一方の下地の表面にシリコンを吸着させた後の前記基板に対してフッ素含有ガスを供給することで、前記一方の下地の表面に吸着させたシリコンと前記フッ素含有ガスとを反応させて、前記一方の下地の表面をF終端またはSiF終端させるように改質させる工程と、
(c)前記一方の下地の表面を改質させた後の前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち前記一方の下地とは異なる他方の下地の表面上に膜を形成する工程と、
を有する基板処理方法。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してシリコンとリガンドとを含むガスを供給するシリコンとリガンドとを含むガス供給系と、
前記処理室内の基板に対してフッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して成膜ガスを供給する成膜ガス供給系と、
前記処理室内において、(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対して前記シリコンとリガンドとを含むガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち一方の下地の表面に前記シリコンとリガンドとを含むガスに含まれるシリコンを吸着させる処理と、(b)前記一方の下地の表面にシリコンを吸着させた後の前記基板に対して前記フッ素含有ガスを供給することで、前記一方の下地の表面に吸着させたシリコンと前記フッ素含有ガスとを反応させて、前記一方の下地の表面をF終端またはSiF終端させるように改質させる処理と、(c)前記一方の下地の表面を改質させた後の前記基板に対して前記成膜ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち前記一方の下地とは異なる他方の下地の表面上に膜を形成する処理と、を行わせるように、前記シリコンとリガンドとを含むガス供給系、前記フッ素含有ガス供給系、および前記成膜ガス供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内において、
(a)表面に第1下地と第2下地とが露出した基板に対してシリコンとリガンドとを含むガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち一方の下地の表面に前記シリコンとリガンドとを含むガスに含まれるシリコンを吸着させる手順と、
(b)前記一方の下地の表面にシリコンを吸着させた後の前記基板に対してフッ素含有ガスを供給することで、前記一方の下地の表面に吸着させたシリコンと前記フッ素含有ガスとを反応させて、前記一方の下地の表面をF終端またはSiF終端させるように改質させる手順と、
(c)前記一方の下地の表面を改質させた後の前記基板に対して成膜ガスを供給することで、前記第1下地および前記第2下地のうち前記一方の下地とは異なる他方の下地の表面上に膜を形成する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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