JP2021072329A5 - - Google Patents

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実施の形態１に係るパワー半導体装置の断面図である。 実施の形態１に係るパワー半導体装置の分解斜視図である。 実施の形態１に係るパワー半導体装置の部分断面図である。 実施の形態１に係るパワー半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。 実施の形態１に係るパワー半導体装置の製造方法の、図４に示される工程後の一工程を示す断面図である。 実施の形態１に係るパワー半導体装置の製造方法の、図５に示される工程後の一工程を示す断面図である。 実施の形態２に係るパワー半導体装置の一部分の斜視断面図である。 実施の形態３に係るパワー半導体装置の断面図である。 実施の形態３に係るパワー半導体装置の外部接続端子およびケースの部分断面図である。
封止樹脂４０は、パワー半導体素子１０、ワイヤ３１，３２、ワイヤ３２と主電極端子２１との接続部、およびワイヤ３２と駆動制御用端子２２との接続部を封止している。封止樹脂４０は、ケース２０の上記内部領域のうち、制御基板５１よりも絶縁基板１１側（下側）の領域にのみ配置されている。制御基板５１、蓋６０、および外部接続端子７０の全体は、封止樹脂４０によって覆われていない。封止樹脂４０の上面は、制御基板５１の下面、および外部接続端子７０の第１部７１の先端よりも下方に配置されている。封止樹脂４０を構成する材料は、シリコーンゲルまたはエポキシ樹脂などの樹脂材料である。
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