JP6645134B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

この発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
図9は、従来の半導体装置のパッケージ組み立て構造図である。図9において、半導体装置のパッケージは、銅材で作られた放熱用金属ベース1、絶縁基板面に回路パターンを形成した絶縁回路基板2、絶縁回路基板2に実装した半導体チップ3(例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor))を有する。なお、絶縁回路基板2は、セラミック基板等の絶縁基板のおもて面および裏面に導電性板が備えられたものである。半導体装置のパッケージは、さらに、金属ベース1と絶縁回路基板2の裏面の導電性板との間、および絶縁回路基板2のおもて面の導電性板と半導体チップ3の間を接合した半田接合層4、樹脂ケース5、樹脂ケース5の周壁部の端子取付穴5aに装着された外部端子6(主端子、制御端子)を有する。半導体装置のパッケージは、さらに、外部端子6から樹脂ケース5の内側に突き出た外部端子6のL形脚部6aと絶縁回路基板2の導電性板との間を接続したボンディングワイヤ7(アルミワイヤ)および端子押え枠10を有する。なお、L形脚部6aは、L型状の外部端子6の、樹脂ケース5の内側に突き出るように、樹脂ケース5の内部に設置される部分である。
図9のパッケージ組立構造において、樹脂ケース5の内側に突き出た外部端子6のL形脚部6aとケース底面側に重ね合わせた金属ベース1との間を電気的に絶縁隔離し、併せてL形脚部6aを定位置から動かないように押え込むために、端子押え枠10を有する。端子押え枠10は、樹脂ケース5の内側に絶縁物で作られた額縁状の端子押え枠10を嵌合し、この端子押え枠10をL形脚部6aの下面と金属ベース1との間に介装する。
この端子押え枠10は、樹脂ケース5と同等な樹脂材料で作られたものであり、樹脂ケース5に外部端子6を装着した後に、樹脂ケース5の内周に端子押え枠10を嵌合した上で、樹脂ケース5の下面側に重ね合わせた放熱用金属ベース1と端子押え枠10との間を接着剤(例えばシリコーン接着剤)で固着する。
図9の配線構造では、半導体チップ3の上面主電極は、絶縁回路基板2の回路パターンを経由して外部端子6との間にボンディングワイヤ7が配線されているが、これとは別に、半導体チップ3の上面主電極と外部端子6との間を直接ワイヤで接続する場合もある。
図10は、従来の半導体装置のパッケージの平面図である。ここで、外部端子6の配列位置は、製品の機種、ユーザ指定の仕様によって異なる。そこで、樹脂ケース5の周壁部に形成する端子取付穴5aを、あらかじめ各機種、仕様に全て対応できるように割り付けて形成しておく技術がある(例えば、下記特許文献1、2参照)。これにより、樹脂ケース5を共通部品として、利用することができ、樹脂ケース5を製品の機種、ユーザ指定の仕様ごとに備えなくてもよくなる。
そして、半導体装置の機種毎に外部端子6の配列位置を指定して樹脂ケース5に装着する際には、樹脂ケース5の周壁部にあらかじめ割りつけて形成した多数の端子取付穴5aから機種、指定の仕様に対応する端子取付穴5aを選択する。その上で、選択した端子取付穴5aに外部端子6を装着する。
図11は、従来の半導体装置のパッケージ組み立て手順の説明図である。まず、樹脂ケース5の周壁部に形成した端子取付穴5aのうち、選択した端子取付穴5aに対して、外部端子6を図示矢印(1)のように樹脂ケース5の底面側から差し込んで装着する。
次に、図示矢印(2)のように、樹脂ケース5の周壁部全周および外部端子6のL形脚部6aに接着剤を塗布する。ここで、ワイヤボンディング性を確保するため、端子取付穴5aに装着された外部端子6のL形脚部6aに対して1つずつ接着剤を塗布する。また、樹脂ケース5の周壁部全周に接着剤を塗布することにより、外部端子6が差し込まれていない樹脂ケース5の端子取付穴5aに接着剤が回り込む。
次に、端子押え枠10を樹脂ケース5の底面側から図示矢印(3)のように嵌め込んで外部端子6を下側から押さえ込む。
次に、図示矢印(4)が示す、端子押え枠10の底面が金属ベース1と接触する面に接着剤を塗布する。次に、別な工程で組み立てた金属ベース1、絶縁回路基板2、半導体チップ3からなる基板組立体を図示矢印(5)のように樹脂ケース5の底面側に組み付け、加熱硬化する。これにより、外部端子6のL形脚部6aと端子押え枠10との間および金属ベース1の周縁と端子押え枠10との間を接着剤で固着する。
次に、外部端子6のL形脚部6aと絶縁回路基板2の導体パターンとの間に跨がってボンディングワイヤ(アルミワイヤ)7を超音波ボンディング法により接合し、さらに樹脂ケース5の内方に封止樹脂(不図示)を充填した上で、ケース蓋(不図示)を被せて製品が完成する。
特開2008−235651号公報 特開2008−252055号公報
しかしながら、従来の半導体装置のパッケージ構造では、樹脂ケース5の周壁部全周および外部端子6のL形脚部6aに接着剤を塗布し、樹脂ケース5の金属ベース1と接触する面に接着剤を塗布している。このため、接着剤を塗布する工程が多く、半導体装置の組み立てコストを低減できない。
また、従来の半導体装置のパッケージ構造では、外部端子6のL形脚部6aに対して1つずつ接着剤を塗布している。半導体装置のパッケージ構造には、複数の外部端子6が差し込まれているため、接着剤を塗布するための時間が掛かり、半導体装置の組み立て時間を削減できない。
また、従来の半導体装置のパッケージ構造では、端子押え枠10と樹脂ケース5との間は、接着剤で固着されない。このため、半導体装置のパッケージ構造の強度が不足する場合がある。
この発明は、樹脂ケースを共通部品として利用した半導体装置のパッケージ構造の組み立て工数および組み立て時間を削減でき、当該半導体装置のパッケージ構造の強度を向上させる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。周壁部に複数の端子取付穴が設けられた樹脂ケースと、前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着された、前記樹脂ケースの内側に突き出たL形脚部を有する外部端子と、前記外部端子を所定の装着位置に支持する絶縁物製の端子押え枠と、前記端子押え枠と接着剤で結合された、半導体チップを実装した絶縁回路基板を有する金属ベースと、を備える半導体装置であって、前記端子押え枠と前記L形脚部との間に第1の隙間が部分的に存在し、前記端子押え枠と前記樹脂ケースの内側の面との間に第2の隙間が存在し、前記第1の隙間と前記第2の隙間は連結し、前記端子押え枠は、前記L形脚部の先端と接触し、前記第1の隙間の接着剤により、前記L形脚部と結合され、前記第2の隙間の接着剤により、前記樹脂ケースの内側の面と結合される。
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第2の隙間は、前記金属ベースに近い箇所より前記外部端子に近い箇所が、前記樹脂ケースの内側の面との距離が大きいことを特徴とする。
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記端子押え枠は、前記L形脚部と接触する突起を前記第1の隙間内に有することを特徴とする。
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記複数の端子取付穴は、機種によって異なる端子配列に対応するよう設けられ、前記外部端子は、前記機種に応じて、前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着されることを特徴とする。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。周壁部に複数の端子取付穴が設けられた樹脂ケースと、前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着された、前記樹脂ケースの内側に突き出たL形脚部を有する外部端子と、前記外部端子を所定の装着位置に支持する絶縁物製の端子押え枠と、前記端子押え枠と接着剤で結合された、半導体チップを実装した絶縁回路基板を有する金属ベースと、を備える半導体装置であって、前記端子押え枠と前記L形脚部との間に第1の隙間が部分的に存在し、前記端子押え枠と前記樹脂ケースの内側の面との間に第2の隙間が存在し、前記端子押え枠は、前記L形脚部の先端と接触し、前記第1の隙間の接着剤により、前記L形脚部と結合され、前記第2の隙間の接着剤により、前記樹脂ケースの内側の面と結合され、前記端子押え枠は、前記L形脚部の根元と接触し、前記第1の隙間と前記第2の隙間は分離されている。
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。周壁部に複数の端子取付穴が設けられた樹脂ケースと、L形脚部を有する外部端子と、前記外部端子を所定の装着位置に支持する絶縁物製の端子押え枠と、半導体チップを実装した絶縁回路基板を有する金属ベースと、を備え、前記端子押え枠と前記L形脚部との間に第1の隙間が部分的に存在し、前記端子押え枠と前記樹脂ケースの内側の面との間に第2の隙間が存在し、前記第1の隙間と前記第2の隙間が連結する半導体装置の製造方法であって、前記外部端子の前記L形脚部を前記樹脂ケースの内側に突き出して、前記外部端子を前記樹脂ケースの前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着する工程と、前記端子押え枠を、前記L形脚部の先端と接触させ、前記樹脂ケースに接合する工程と、前記端子押え枠に接着剤を塗布する工程と、前記金属ベースを前記端子押え枠に圧着し、塗布された前記接着剤を前記第1の隙間と前記第2の隙間に注入させる工程と、を有する。
上述した発明によれば、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間に第1の隙間があり、端子押え枠と樹脂ケースとの間に第2の隙間がある。このため、金属ベースと接触する、端子押え枠の底面に塗布された接着剤が、金属ベースを圧着する際の圧力で、第2の隙間に回り込む。また、第1の隙間と第2の隙間は連結しているため、第2の隙間に回り込んだ接着剤は第1の隙間にも回り込む。
これにより、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間、端子押え枠と樹脂ケースとの間、および端子押え枠と金属ベースとの間が接着剤で固着される。端子押え枠が3つの方向で固着されるため、本発明の半導体装置は、2つの方向で固着される従来の半導体装置のパッケージ構造より、強度が向上する。
また、端子押え枠がL形脚部の先端と接触することで、端子押え枠はL形脚部を支持することができる。これにより、外部端子をがたつき無しに所定位置に支持することができる。
また、端子押え枠の底面に塗布された接着剤により、外部端子のL形脚部と端子押え枠との間を固着することができる。このため、外部端子のL形脚部と端子押え枠との間を固着するための接着剤を塗布する工程を省略できる。このように、接着剤を塗布する工程を1つ省略することができるため、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の組み立てコストを低減することができる。さらに、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布する工程を省略できる。このように、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布するための時間を削減できるため、半導体装置の組み立て時間を低減することができる。
また、第2の隙間は、金属ベースに近い箇所より外部端子に近い箇所が、樹脂ケースの内側の面との距離が大きい。これにより、第2の隙間に回り込んだ接着剤が、第1の隙間に回り込みやすくなる。このため、第1の隙間を接着剤でより確実に充填させることができ、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間をより確実に固着することができる。
また、端子押え枠は、外部端子のL形脚部の底面と接触する突起を第1の隙間内に有してもよい。これにより、端子押え枠と外部端子のL形脚部との接触面積が増加することにより、端子押え枠は、外部端子のL形脚部を安定して支持できる。
また、複数の端子取付穴は、機種によって異なる端子配列に対応するよう設けられ、外部端子は、機種に応じて、複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に嵌め込まれる。これにより、樹脂ケースを各機種に共通な部品として利用でき、機種ごとの仕様に合わせ樹脂ケースをその都度製作する必要がなくなる。これにより、樹脂ケースの成形金型の設計、製作管理に要する経費を節減して製品コストの大幅な低減化が図れる。
また、端子押え枠は、外部端子のL形脚部と端子押え枠との間に、第1の隙間と連結しない第2の隙間が存在し、樹脂ケースの周壁部全周に塗布された接着剤が、端子押え枠を押さえ込む際の圧力で、第1の隙間に回り込む。第1の隙間に回り込んだ接着剤により、外部端子のL形脚部と端子押え枠との間を固着することができる。このため、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布する工程を省略できる。このように、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布するための時間を削減できるため、半導体装置の組み立て時間を低減することができる。
また、端子押え枠が、L形脚部の根元と接触する。これにより、端子押え枠は、外部端子のL形脚部を安定して支持できる。
本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、樹脂ケースを共通部品として利用した半導体装置のパッケージ構造の組み立て工数および組み立て時間を削減でき、当該半導体装置のパッケージ構造の強度を向上させることができるという効果を奏する。
実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造の要部断面図である(その1)。 実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造の要部断面図である(その2)。 実施の形態1にかかる半導体装置の端子押え枠の平面図である。 実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て手順の説明図である。 実施の形態1にかかる半導体装置の樹脂ケースの平面図および当該樹脂ケースの部分拡大図である。 実施の形態1にかかる半導体装置の端子押え枠を挿入した樹脂ケースの平面図である。 実施の形態2にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造の要部断面図である。 実施の形態2にかかる半導体装置のパッケージ組み立て手順の説明図である。 従来の半導体装置のパッケージ組み立て構造図である。 従来の半導体装置のパッケージの平面図である。 従来の半導体装置のパッケージ組み立て手順の説明図である。
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、図1〜図6は本発明の実施の形態1に対応する半導体装置の構成図、図7、図8は実施の形態2に対応する構成図であり、実施の形態の図中で図7、図8において図1〜5と対応する部材には同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
(実施の形態1)
図1、図2は、実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造の要部断面図である。図1は、後述する図5の切断線A−A’における断面図であり、図2は、後述する図5の切断線B−B’における断面図である。実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージは、従来の半導体装置のパッケージと同様に、例えば、銅材で作られた放熱用金属ベース1、絶縁基板のおもて面および裏面に導電性板の積層した絶縁回路基板2(不図示)を有する。半導体装置のパッケージは、さらに、絶縁回路基板2に実装した半導体チップ3(不図示)、金属ベース1と絶縁回路基板2の裏面の導電性板の間、および絶縁回路基板2のおもて面の導電性板と半導体チップ3の間を接合した半田接合層4(不図示)、樹脂ケース5、樹脂ケース5の周壁部の端子取付穴5aに装着された外部端子6を有する。半導体装置のパッケージは、さらに、外部端子6のL形脚部6aと絶縁回路基板2の導電性板との間を接続したボンディングワイヤ7(不図示)および樹脂ケース5の内側に絶縁物で作られた額縁状の端子押え枠10を有する。なお、前記L形脚部6aとは、図1等に示すように、L型状の外部端子6の、樹脂ケース5の内側に突き出るように、樹脂ケース5の内部に設置される部分である。図1、図2では、従来の半導体装置のパッケージとの違いを明確にするため、放熱用の金属ベース1、樹脂ケース5、外部端子6および端子押え枠10のみが図示されている。また、金属ベース1の代わりに、絶縁回路基板2の裏面の導電性板を厚くする場合がある。その場合は、金属ベース1の代わりに、絶縁性回路基板であってもよい。
実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造は、従来の半導体装置のパッケージ組み立て構造と以下の点で異なる。従来の半導体装置のパッケージ組み立て構造では、端子押え枠10は、外部端子6のL形脚部6aの底面に密着し、樹脂ケース5の内側の面と隙間なく嵌め込まれている。一方、図1および図2に示すように、実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造では、端子押え枠10は、外部端子6のL形脚部6aの底面との間に第1の隙間11、および、樹脂ケース5の内側の面との間に第2の隙間12ができる構造を有する。なお、図1および図2において、点線は、第1の隙間11と第2の隙間12の境界を明示するために描かれている。
第1の隙間11に接着剤15が封入されることで、外部端子6のL形脚部6aと端子押え枠10との間が固着される。また、第2の隙間12に接着剤15が封入されることで、樹脂ケース5と端子押え枠10との間が固着される。また、例えば、接着剤15は、粘度が100〜200Pa・sの範囲内にあることが好ましい。接着剤の粘度が前記粘度範囲であると、第1隙間11、第2の隙間12等に、接着剤を均一に回り込ませることができる。また、第1隙間11、第2の隙間12等に、ボイドなどもできづらい。なお、接着剤には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂を用いることができる。
ここで、外部端子6のL形脚部6aの底面とは、外部端子6のL形脚部6aの端子押え枠10方向の面である。また、樹脂ケース5の内側の面とは、図1、図2で矢印Cが示す、樹脂ケース5の内部の面である。
さらに、第1の隙間11と第2の隙間12は連結している。ここで、連結するとは、それぞれの隙間が繋がって一つの隙間になっていることである。このため、第2の隙間12に接着剤15を注入すると、第1の隙間11にも接着剤15が注入される。さらに、端子押え枠10は、外部端子6のL形脚部6aの先端19の端子押え枠10側の面と接触する接触部分13が存在する。ここで、L形脚部6aの先端19とは、L形脚部6aの樹脂ケース5の内部にある部分の中で一番端にある部分である。
また、第2の隙間12は、金属ベース1に近い箇所より外部端子6に近い箇所が、樹脂ケース5の内側の面との距離が大きい方が好ましい。例えば、端子押え枠10の外部端子6側の長さを、放熱用金属ベース1側の長さより短くし、端子押え枠10の樹脂ケース5側の端を斜めにする。これにより、金属ベース1に近い箇所より外部端子6に近い箇所を、樹脂ケース5の内側の面との距離を大きくすることができる。これにより、第2の隙間12に回り込んだ接着剤15が、第1の隙間11に回り込みやすくなる。
また、第1の隙間11および第2の隙間12は、広いほど接着剤15が回り込みやすくなるが、外部端子6のL形脚部6aおよび樹脂ケース5と固着するために必要となる接着剤15が多くなる。また、接着剤が多くなると、モジュールの機械強度が低下する怖れがある。このため、第1の隙間11および第2の隙間12は、例えば、1mm〜2mm程度であることが好ましい。
また、図1に示すように、端子押え枠10は、外部端子6のL形脚部6aの底面と接触する突起16を第1の隙間11内に有してもよい。これにより、端子押え枠10と外部端子6のL形脚部6aとの接触面積が増加する。そして、突起16は外部端子6を垂直方向に位置決めする効果を有する。
図3は、実施の形態1にかかる半導体装置の端子押え枠10の平面図である。図3に示すように、端子押え枠10は、樹脂ケース5と嵌め合い調整、位置決めのために、外周面に樹脂ケース5の内側に嵌め込む突起17を有してもよい。この場合、樹脂ケース5は、突起17と嵌合する溝部を有してもよい。これにより、端子押え枠10を樹脂ケース5の内側に嵌め込む際に、端子押え枠10の位置決めを容易にし、突起17が樹脂ケース5の溝部と嵌合することで、端子押え枠10を、がたつき無しに支持することができる。
また、図1に示すように、実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造は、それぞれ連結する第1の隙間11および第2の隙間12が存在し、端子取付穴5aに外部端子6が装着された場合、外部端子6のL形脚部6aの先端19と接触する接触部分13が存在する。
ここで、図1は、実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造で、端子取付穴5aに外部端子6が装着されている場合の断面図を示す。端子押え枠10の下部に塗布された接着剤15が、第1の隙間11と第2の隙間12に回り込み、第2の隙間12内の接着剤15が端子押え枠10と樹脂ケース5を固着し、第1の隙間11内の接着剤15が端子押え枠10と外部端子6を固着する。また、外部端子6と樹脂ケース5の間にある隙間18にも、接着剤15が回り込み、この接着剤15が外部端子6と樹脂ケース5を固着する。これにより、樹脂ケース5の端子取付穴5aに装着した外部端子6のがたつきが削減される。
また、図2は、実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造で、端子取付穴5aに外部端子6が装着されていない場合の断面図を示す。端子押え枠10の下部に塗布された接着剤15が、端子取付穴5aと第2の隙間12に回り込み、第2の隙間12内の接着剤15が端子押え枠10と樹脂ケース5を固着し、端子取付穴5a内に回り込んだ接着剤15が、端子取付穴5aを埋める。これにより、外部端子6が装着されない端子取付穴5aから、樹脂ケース5の内方に充填した封止樹脂が這い上がることを防止できる。
(実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法)
図4は、実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て手順の説明図である。組み立て手順は、まず、樹脂ケース5の周壁部に形成した端子取付穴5aのうち、所定の端子配置に対応した端子取付穴5aに対して、外部端子6を図示矢印(1)のように樹脂ケース5の底面側から差し込んで装着する。ここで、外部端子6をL形脚部が樹脂ケースの内側に突き出るように装着する。
ここで、図5は、実施の形態1にかかる半導体装置の樹脂ケース5に、選択した端子取付穴5aに対して、外部端子6を挿入した後の、平面図および当該樹脂ケースの部分拡大図である。外部端子6が挿入された箇所は、点線の矩形51で囲まれた箇所であり、外部端子6が挿入されることで、端子取付穴5aが塞がれる。外部端子6が挿入されない箇所は、点線の矩形52で囲まれた箇所であり、端子取付穴5aは穴が空いたままである。ここで、図5の切断線A−A’における断面構造は図1となり、図5の切断線B−B’における断面構造は図2となる。
次に、端子押え枠10を樹脂ケース5の底面側から図示矢印(2)のように嵌め込んで外部端子6を下側から押さえ込む。図6は、実施の形態1にかかる半導体装置の端子押え枠10を挿入した樹脂ケース5の平面図である。次に、図示矢印(3)が示す、端子押え枠10の底面が金属ベース1と接触する面に接着剤(不図示)を塗布する。例えば、図6の端子押え枠10の底面が金属ベース1と接触する黒い線の部分16に接着剤を塗布する。
次に、別な工程で組み立てた金属ベース1、絶縁回路基板2、半導体チップ3からなる基板組立体を図示矢印(4)のように樹脂ケース5の底面側に組み付ける。金属ベース1を組み付ける際の圧力で、塗布された接着剤が第2の隙間12に回り込み、さらに第2の隙間12と連結する第1の隙間11に回り込む。また、外部端子6が端子取付穴5aに装着された場合、外部端子6と樹脂ケース5の間にある隙間にも、接着剤が回り込む。また、端子取付穴5aの内、外部端子6が装着されない端子取付穴5aにも、接着剤が回り込む。なお、接着剤はシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂を用いることができる。
次に、接着剤を加熱硬化することで、金属ベース1の周縁と端子押え枠10との間、端子押え枠10と樹脂ケース5との間、および端子押え枠10と外部端子6との間が同時に固着される。さらに、外部端子6と樹脂ケース5との間も固着される。
次に、従来技術と同様に、ボンディングワイヤ(不図示)を接合する工程から、ケース蓋(不図示)を被せる工程までを順に行うことで、半導体装置のパッケージ構造が完成する。
以上、説明したように、実施の形態1によれば、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間に第1の隙間があり、端子押え枠と樹脂ケースとの間に第2の隙間がある。このため、端子押え枠の底面が金属ベースと接触する面に塗布された接着剤が、金属ベースを嵌め込む際の圧力で、第2の隙間に回り込む。また、第1の隙間と第2の隙間は連結しているため、第2の隙間に回り込んだ接着剤は第1の隙間にも回り込む。
これにより、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間、端子押え枠と樹脂ケースとの間、および端子押え枠と金属ベースとの間が接着剤で固着される。端子押え枠が、外部端子のL形脚部から端子押え枠への方向、樹脂ケースから端子押え枠への方向および金属ベースから端子押え枠への方向の3つの方向で固着されるため、本発明の半導体装置のパッケージ構造は、外部端子のL形脚部から端子押え枠への方向および金属ベースから端子押え枠への方向の2つの方向で固着される従来の半導体装置のパッケージ構造より、強度が向上する。さらに、第1の隙間に回り込んだ接着剤は、ワイヤボンディングでワイヤを接続する外部端子の脚部の箇所の裏面にある。このため、ワイヤを外部端子の脚部に超音波ボンディングする際、ボンディングツールからワイヤの接合部に超音波振動を効率よく加えて信頼性の高い接合強度が確保できる。外部端子の脚部と端子押え枠との間を接着剤で結合してL形脚部が定位置から動かないように固定することで、ワイヤボンディング性がより一層向上する。
このように、実施の形態1は、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間、端子押え枠と樹脂ケースとの間に隙間がある端子押え枠を用いる。これにより、端子押え枠の底面に塗布された接着剤を、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間に、端子押え枠と樹脂ケースとの間に端子押え枠の底面に塗布された接着剤を注入できる。これにより、端子押え枠の底面に塗布された接着剤により、外部端子のL形脚部と端子押え枠との間を固着することができる。このため、外部端子のL形脚部と端子押え枠との間を固着するための接着剤を塗布する工程を省略できる。このように、接着剤を塗布する工程を1つ省略することができるため、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の組み立てコストを低減することができる。さらに、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布する工程を省略できる。このように、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布するための時間を削減できるため、半導体装置の組み立て時間を低減することができる。
また、第2の隙間は、金属ベースに近い箇所より外部端子に近い箇所が、樹脂ケースの内側の面との距離が大きい。これにより、第2の隙間に回り込んだ接着剤が、第1の隙間に回り込みやすくなる。このため、第1の隙間を接着剤でより確実に充填させることができ、端子押え枠と外部端子のL形脚部との間をより確実に固着することができる。
また、複数の端子取付穴は、機種によって異なる端子配列に対応するよう設けられ、外部端子は、機種に応じて、複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に嵌め込まれる。これにより、樹脂ケースを各機種に共通な部品として利用でき、機種ごとの仕様に合わせ樹脂ケースをその都度製作する必要がなくなる。これにより、樹脂ケースの成形金型の設計、製作管理に要する経費を節減して製品コストの大幅な低減化が図れる。
また、実施の形態1の製造方法は、従来の製造方法から、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布する工程を省略しているため、従来の製造方法に使用した製造装置で製造することができ、新たな設備投資を行わなくてもよい。
(実施の形態2)
図7は、実施の形態2にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造の要部断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造が、実施の形態1にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造と異なるのは、端子押え枠10の構造である。
端子押え枠10は、外部端子6のL形脚部6aの底面との間に部分的に第1の隙間14、および、樹脂ケース5の内側の面との間に第2の隙間12ができる構造を有する。実施の形態1と異なり、第1の隙間14と第2の隙間12は連結されてなく、分離している。第1の隙間14の樹脂ケース5方向の面は、端子押え枠10で形成され、この端子押え枠10により、第1の隙間14は、第2の隙間12と分離されている。第1の隙間14は、例えば、端子押え枠10の上面に窪みとして存在している。ここで、端子押え枠10の上面とは、端子押え枠10の外部端子6のL形脚部6a方向の面である。
第1の隙間14に接着剤15が封入されることで、外部端子6のL形脚部6aと端子押え枠10との間が固着される。また、第2の隙間12に接着剤15が封入されることで、樹脂ケース5と端子押え枠10との間が固着される。
第1の隙間14と第2の隙間12が連結していないことにより、端子押え枠10は、外部端子6のL形脚部6aの根元と接触する。ここで、L形脚部6aの根元とは、L形脚部6aの樹脂ケース5の内面側の部分である。また、図7は、実施の形態2にかかる半導体装置のパッケージ組み立て構造で、外部端子6が端子取付穴5aに装着された場合の断面図を示す。端子取付穴5aに外部端子6が装着されていない場合の断面図は、図2において、実施の形態1の端子押え枠10を実施の形態2の端子押え枠10に変更した図と同様であるため、省略する。
(実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法)
図8は、実施の形態2にかかる半導体装置のパッケージ組み立て手順の説明図である。組み立て手順は、まず、実施の形態1と同様に、外部端子6を装着する工程を行う。
次に、図示矢印(2)が示す、端子押え枠10の第1の隙間14に接着剤(不図示)を塗布する。
次に、実施の形態1と同様に、端子押え枠10を樹脂ケース5の底面側から図示矢印(3)のように嵌め込んで外部端子6を下側から押さえ込む。塗布された接着剤が、端子押え枠10を押さえ込む際の圧力で、端子押え枠10と外部端子6を固着する。
次に、実施の形態1と同様に、金属ベース1、絶縁回路基板2、半導体チップ3からなる基板組立体を図示矢印(5)のように樹脂ケース5の底面側に組み付ける。金属ベース1を組み付ける際の圧力で、接着剤が第2の隙間12に回り込む。第1の隙間14は、実施の形態1と異なり、第2の隙間12と連結していないため、接着剤は回り込まない。
次に、実施の形態1と同様に、加熱硬化する工程から、ケース蓋(不図示)を被せる工程までを順に行うことで、半導体装置のパッケージ構造が完成する。
以上、説明したように、実施の形態2によれば、第1の隙間に接着剤が塗布され、この接着剤により、外部端子のL形脚部と端子押え枠との間を固着することができる。このため、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布する工程を省略できる。このように、外部端子のL形脚部に対して1つずつ接着剤を塗布するための時間を削減できるため、半導体装置の組み立て時間を低減することができる。
また、端子押え枠が、L形脚部の根元と接触する。これにより、端子押え枠は、外部端子のL形脚部を安定して支持できる。
以上のように、本発明にかかる半導体装置は、納入先のユーザにて外部端子を、例えばインバータ装置のプリント基板に接続し、インテリジェント・パワー・モジュールとしてモータなどのインバータ制御に使用される。
1 金属ベース
2 絶縁回路基板
3 半導体チップ
4 半田接合層
5 樹脂ケース
5a 端子取付穴
6 外部端子
6a L形脚部
7 ボンディングワイヤ
10 端子押え枠
11、14 第1の隙間
12 第2の隙間
13 接触部分
15 接着剤
16、17 突起
18 外部端子と樹脂ケースの間にある隙間
19 L形脚部の先端

Claims (6)

  1. 周壁部に複数の端子取付穴が設けられた樹脂ケースと、
    前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着された、前記樹脂ケースの内側に突き出たL形脚部を有する外部端子と、
    前記外部端子を所定の装着位置に支持する絶縁物製の端子押え枠と、
    前記端子押え枠と接着剤で結合された、半導体チップを実装した絶縁回路基板を有する金属ベースと、
    を備える半導体装置であって、
    前記端子押え枠と前記L形脚部との間に第1の隙間が部分的に存在し、
    前記端子押え枠と前記樹脂ケースの内側の面との間に第2の隙間が存在し、
    前記第1の隙間と前記第2の隙間は連結し、
    前記端子押え枠は、前記L形脚部の先端と接触し、前記第1の隙間の接着剤により、前記L形脚部と結合され、前記第2の隙間の接着剤により、前記樹脂ケースの内側の面と結合されることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記第2の隙間は、前記金属ベースに近い箇所より前記外部端子に近い箇所が、前記樹脂ケースの内側の面との距離が大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 前記端子押え枠は、前記L形脚部と接触する突起を前記第1の隙間内に有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
  4. 前記複数の端子取付穴は、機種によって異なる端子配列に対応するよう設けられ、
    前記外部端子は、前記機種に応じて、前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。
  5. 周壁部に複数の端子取付穴が設けられた樹脂ケースと、
    前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着された、前記樹脂ケースの内側に突き出たL形脚部を有する外部端子と、
    前記外部端子を所定の装着位置に支持する絶縁物製の端子押え枠と、
    前記端子押え枠と接着剤で結合された、半導体チップを実装した絶縁回路基板を有する金属ベースと、
    を備える半導体装置であって、
    前記端子押え枠と前記L形脚部との間に第1の隙間が部分的に存在し、
    前記端子押え枠と前記樹脂ケースの内側の面との間に第2の隙間が存在し、
    前記端子押え枠は、前記L形脚部の先端と接触し、前記第1の隙間の接着剤により、前記L形脚部と結合され、前記第2の隙間の接着剤により、前記樹脂ケースの内側の面と結合され、
    前記端子押え枠は、前記L形脚部の根元と接触し、前記第1の隙間と前記第2の隙間は分離されていることを特徴とする半導体装置。
  6. 周壁部に複数の端子取付穴が設けられた樹脂ケースと、L形脚部を有する外部端子と、前記外部端子を所定の装着位置に支持する絶縁物製の端子押え枠と、半導体チップを実装した絶縁回路基板を有する金属ベースと、を備え、前記端子押え枠と前記L形脚部との間に第1の隙間が部分的に存在し、前記端子押え枠と前記樹脂ケースの内側の面との間に第2の隙間が存在し、前記第1の隙間と前記第2の隙間が連結する半導体装置の製造方法であって、
    前記外部端子の前記L形脚部を前記樹脂ケースの内側に突き出して、前記外部端子を前記樹脂ケースの前記複数の端子取付穴のいずれかの端子取付穴に装着する工程と、
    前記端子押え枠を、前記L形脚部の先端と接触させ、前記樹脂ケースに接合する工程と、
    前記端子押え枠に接着剤を塗布する工程と、
    前記金属ベースを前記端子押え枠に圧着し、塗布された前記接着剤を前記第1の隙間と前記第2の隙間に注入させる工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170053416A (ko) * 2015-11-06 2017-05-16 주식회사 엘지화학 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7238330B2 (ja) * 2018-10-18 2023-03-14 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7378333B2 (ja) * 2020-03-26 2023-11-13 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
US20220157673A1 (en) * 2020-11-19 2022-05-19 Fuji Electric Co., Ltd. Module-type semiconductor device and method of manufacturing module-type semiconductor device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2720009B2 (ja) * 1993-11-29 1998-02-25 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュール
DE19719703C5 (de) * 1997-05-09 2005-11-17 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat
JP4424199B2 (ja) * 2004-12-27 2010-03-03 日産自動車株式会社 半導体装置
JP4242401B2 (ja) * 2006-06-29 2009-03-25 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4985116B2 (ja) * 2007-03-08 2012-07-25 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7944042B2 (en) 2007-03-08 2011-05-17 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP4985012B2 (ja) * 2007-03-22 2012-07-25 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5310660B2 (ja) * 2010-07-01 2013-10-09 富士電機株式会社 半導体装置
JP5815454B2 (ja) * 2012-03-30 2015-11-17 新電元工業株式会社 パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法
JP5939041B2 (ja) * 2012-06-01 2016-06-22 住友電気工業株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
JP6107362B2 (ja) * 2013-04-18 2017-04-05 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置

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