JP2021034725A5

JP2021034725A5 - 基板処理システム

Info

Publication number: JP2021034725A5
Application number: JP2020131891A
Authority: JP
Filing date: 2020-08-03
Publication date: 2023-04-27
Anticipated expiration: 2040-08-03

Description

本開示の一の態様によれば、少なくとも一つのガス供給口及び少なくとも一つのガス排気口を有するチャンバと、前記ガス供給口に接続され、前記チャンバの内部に処理ガスを供給するように構成されたガス供給部と、前記チャンバの内部の圧力を制御するように構成された圧力制御装置と、制御部と、を備える基板処理システムであって、前記圧力制御装置は、第１の排気ラインと、第２の排気ラインとを有し、前記第１の排気ラインは、一端が前記ガス排気口に接続された第１の管と、前記第１の管の第１位置に配置された第１の排気装置と、前記第１の管において前記チャンバ及び前記第１の排気装置の間に配置された第１の圧力制御器と、前記第１の管の他端に接続された第２の排気装置と、前記第１の管において前記第１の排気装置及び前記第２の排気装置の間に配置された第１の遮蔽バルブと、を有し、前記第２の排気ラインは、一端が前記ガス排気口に接続され、前記第１の管よりも断面積が小さい第２の管と、前記第２の管の第２位置に配置された第２の遮蔽バルブと、前記第２の管に接続された前記第２の排気装置と、前記第２の管において前記第２の遮蔽バルブ及び前記第２の排気装置の間に配置された第２の圧力制御器と、を有し、前記制御部は、プロセッサ及びメモリを含み、前記メモリは、（ａ）前記ガス供給部により前記チャンバ内に前記処理ガスを供給する工程と（ｂ）前記第１の遮蔽バルブ及び前記第１の圧力制御器を開放し、前記第２の遮蔽バルブ及び前記第２の圧力制御器を閉鎖し、前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力制御器によって制御しながら、前記第１の排気装置及び前記第２の排気装置によって前記第１の排気ラインから前記チャンバ内の排気を行うことにより、前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に制御する工程と、（ｃ）前記第１の遮蔽バルブ及び前記第１の圧力制御器を閉鎖し、前記第２の遮蔽バルブ及び前記第２の圧力制御器を開放し、前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力制御器によって制御しながら、前記第２の排気装置によって前記第２の排気ラインから前記チャンバ内の排気を行うことにより、前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御する工程と、（ｄ）前記（ｂ）と、前記（ｃ）とを切り替える工程と、を含むプログラム命令を記憶する、基板処理システムが提供される。

Claims

少なくとも一つのガス供給口及び少なくとも一つのガス排気口を有するチャンバと、
前記ガス供給口に接続され、前記チャンバの内部に処理ガスを供給するように構成されたガス供給部と、
前記チャンバの内部の圧力を制御するように構成された圧力制御装置と、
制御部と、を備える基板処理システムであって、
前記圧力制御装置は、第１の排気ラインと、第２の排気ラインとを有し、
前記第１の排気ラインは、一端が前記ガス排気口に接続された第１の管と、前記第１の管の第１位置に配置された第１の排気装置と、前記第１の管において前記チャンバ及び前記第１の排気装置の間に配置された第１の圧力制御器と、前記第１の管の他端に接続された第２の排気装置と、前記第１の管において前記第１の排気装置及び前記第２の排気装置の間に配置された第１の遮蔽バルブと、を有し、
前記第２の排気ラインは、一端が前記ガス排気口に接続され、前記第１の管よりも断面積が小さい第２の管と、前記第２の管の第２位置に配置された第２の遮蔽バルブと、前記第２の管に接続された前記第２の排気装置と、前記第２の管において前記第２の遮蔽バルブ及び前記第２の排気装置の間に配置された第２の圧力制御器と、を有し、
前記制御部は、プロセッサ及びメモリを含み、
前記メモリは、
（ａ）前記ガス供給部により前記チャンバ内に前記処理ガスを供給する工程と
（ｂ）前記第１の遮蔽バルブ及び前記第１の圧力制御器を開放し、前記第２の遮蔽バルブ及び前記第２の圧力制御器を閉鎖し、前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力制御器によって制御しながら、前記第１の排気装置及び前記第２の排気装置によって前記第１の排気ラインから前記チャンバ内の排気を行うことにより、前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ）前記第１の遮蔽バルブ及び前記第１の圧力制御器を閉鎖し、前記第２の遮蔽バルブ及び前記第２の圧力制御器を開放し、前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力制御器によって制御しながら、前記第２の排気装置によって前記第２の排気ラインから前記チャンバ内の排気を行うことにより、前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に制御する工程と、
（ｄ）前記（ｂ）と、前記（ｃ）とを切り替える工程と、
を含むプログラム命令を記憶する、基板処理システム。
前記プログラム命令は、更に、前記（ａ）の前に、前記チャンバ内の圧力を測定する工程を含む、請求項１に記載の基板処理システム。
前記プログラム命令は、更に、前記（ｃ）の前に、前記チャンバ内の圧力Ｐ１と、前記第２の管内における前記第２の圧力制御器よりも前記第２の排気装置に近い第３の位置の圧力Ｐ２とを測定する工程を備え、
前記圧力Ｐ２が前記圧力Ｐ１よりも小さい場合に、前記（ｃ）を実行する、
請求項１又は２に記載の基板処理システム。
前記（ｂ）の後に第１の処理を実行し、前記（ｃ）の後に第２の処理を実行する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記第１の処理はエッチング処理又は成膜処理であり、前記第２の処理はアッシング処理又はクリーニング処理である、請求項４に記載の基板処理システム。
前記（ｂ）では、前記チャンバ内の圧力を８００ｍＴｏｒｒ以下に制御し、
前記（ｃ）では、前記チャンバ内の圧力を８００ｍＴｏｒｒよりも高く制御する、
請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記（ｃ）では、前記チャンバ内の圧力を１Ｔｏｒｒ～１００Ｔｏｒｒの範囲に制御する、
請求項６に記載の基板処理システム。
前記処理ガスを所定圧力で貯留可能なタンクをさらに備え、
前記（ｄ）において、前記プログラム命令は、更に、前記（ｂ）から前記（ｃ）へ切り替える際に、前記ガス供給部及び前記タンクから前記チャンバ内に前記処理ガスを供給することにより、前記チャンバ内を昇圧する、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記タンクは、前記チャンバ及び前記ガス供給部に接続するガス供給ラインのバイパスガスラインに設けられ、前記バイパスガスラインは、前記ガス供給ラインから分岐している、請求項８に記載の基板処理システム。
前記タンクは、前記チャンバ及び前記ガス供給部に接続するガス供給ラインのバイパスガスラインに設けられ、前記バイパスガスラインは、前記ガス供給ラインとは別に配置されている、請求項８に記載の基板処理システム。
前記（ｄ）において、前記プログラム命令は、更に、前記（ｂ）から前記（ｃ）に切り替える際に、前記（ｂ）の制御圧力に達するまで又は前記制御圧力に達する直前まで、前記ガス供給部から供給される前記処理ガスのガス流量を、前記制御圧力に達した後の処理ガスのガス流量よりも多くすることにより、前記チャンバ内を昇圧する、請求項１～１０のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記圧力制御装置は、更に、前記チャンバの内部の圧力を測定する少なくとも一つの圧力センサを含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記圧力制御装置は、更に、前記圧力Ｐ１をそれぞれ測定するように構成された第１の圧力センサ及び第２の圧力センサを含む、請求項３に記載の基板処理システム。
前記圧力制御装置は、更に、前記圧力Ｐ２を測定するように構成された第３の圧力センサを含む、請求項３に記載の基板処理システム。
前記第２の管の直径は、前記第１の管の直径の１／８以上であって１／６以下である、請求項１～１４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記第２の管の他端は、連結部で前記第１の管に接続されている、請求項１～１５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記第１の排気装置は、ターボ分子ポンプ、メカニカルブースターポンプ、クライオポンプの少なくともいずれかである、請求項１～１６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
前記第２の排気装置は、ドライポンプ又はメカニカルブースターポンプである、請求項１～１７のいずれか一項に記載の基板処理システム。