JP2006169576A - 真空装置 - Google Patents

真空装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006169576A
JP2006169576A JP2004362586A JP2004362586A JP2006169576A JP 2006169576 A JP2006169576 A JP 2006169576A JP 2004362586 A JP2004362586 A JP 2004362586A JP 2004362586 A JP2004362586 A JP 2004362586A JP 2006169576 A JP2006169576 A JP 2006169576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
vessel
vessels
pump
vacuum vessel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004362586A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Takahashi
信行 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk
Original Assignee
Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk filed Critical Cyg Gijutsu Kenkyusho Kk
Priority to JP2004362586A priority Critical patent/JP2006169576A/ja
Priority to US11/302,378 priority patent/US20060124666A1/en
Publication of JP2006169576A publication Critical patent/JP2006169576A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】 この発明は、真空装置自体の能力を維持すると共に、真空を形成する部品点数を減少させた真空装置を提供する。
【解決手段】 この発明は、仕切バルブを介して連設された複数の真空容器と、該真空容器内に配され、それぞれの真空容器間を移動可能な少なくとも一つのキャリヤと、それぞれの真空容器に接続される一次排気機構と、それぞれの真空容器に接続される真空形成機構と、それぞれの真空容器にスパッタ用ガスを供給するスパッタ用ガス供給機構とを少なくとも具備する真空装置において、前記真空形成機構は、一つの真空ポンプと、該真空ポンプとそれぞれの真空容器との間に配される一つの中間真空容器とを具備する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、スパッタ装置等のように真空を利用する装置であって、真空容器を複数個設置した真空装置に関する。
特許文献１は、スパッタ処理等の真空処理と、その前後処理との流れ作業の円滑化を図ることを目的とし、挿入室の前段の大気側には前処理された複数枚の基板を集積し、且つ挿入室に搬送しうる補助収容器を設置し、取出室の後段の大気側には真空処理された真空内の基板を集積し且つ後処理工程に搬送しうる補助収容容器を設置する連続真空処理装置を開示する。
特許文献２は、それぞれ独立した排気系を有する複数の基板処理室（基板の入出力室を含む）が、やはり独立した排気系を有するセパレーション室の周囲にそれぞれゲートバルブを介して配置され、前記複数の基板処理室とセパレーション室の間に設けられたゲートバルブが、複数の基板処理室とセパレーション室の間を完全に遮断する能力を持つと同時に、ゲートバルブ相互は同時に開くことがなく、且つ１つのゲートバルブが開くときには他のゲートバルブは必ず閉められており、１つのゲートバルブが閉まってから一定の遅延時間の後に他のゲートバルブが開くように構成された基板処理装置を開示する。
特許文献３は、真空処理装置の処理対象物搬入部又は搬出部に連設されるロードロック装置において、荒引排気系が接続された複数の真空チャンバが処理対象物搬送路の形成が可能な仕切弁を介して連設されているものを開示する。
特開昭５７−６３６７７号公報 特開昭６３−１５７８７０号公報 特開平７−１２６８４９号公報
上述した特許文献１では、挿入室、スパッタ室、取出室のそれぞれに独立した排気ポンプが設けられることが開示され、特許文献２では、複数の基板処理室が独立した排気系を有することが開示される。また、特許文献３では、スパッタリングを行うスパッタリングチャンバの前後に複数の真空室からなるロードロック装置が連設されることが開示され、このロードロック装置が複数の真空チャンバから構成され、スパッタリングチャンバの手前にあるローディングチャンバには真空排気ポンプが接続され、ローディングチャンバの手前の真空チャンバには荒引きポンプ（ロータリポンプ）が接続されることが開示される。
しかしながら、処理基板の小型化に伴って真空容器自体が小型化され、それぞれの真空容器に独立した排気系が形成されることから、小型化に限界があるという問題点があった。また、処理基板の小型化に伴って処理基板自体の価格が低下してきたため、設備の原価低減が必要となってきている。
このため、この発明は、真空装置自体の能力を維持すると共に、真空を形成する部品点数を減少させた真空装置を提供することある。
したがって、この発明は、仕切バルブを介して連設された複数の真空容器と、該真空容器内に配され、それぞれの真空容器間を移動可能な少なくとも一つのキャリヤと、それぞれの真空容器に接続される一次排気機構と、それぞれの真空容器に接続される真空形成機構と、それぞれの真空容器にガスを供給するガス供給機構とを少なくとも具備する真空装置において、前記真空形成機構は、一つの真空ポンプと、該真空ポンプとそれぞれの真空容器との間に配される一つの中間真空容器とを具備することにある。
また、前記真空形成機構は、さらに前記中間真空容器と前記それぞれの真空容器との間を接続するそれぞれの接続部を有し、該接続部は、前記中間容器と真空容器とを接続する配管と、該配管を開閉する開閉弁とを具備するものである。
したがって、この発明によれば、それぞれの真空容器の真空引きを行う一台の真空ポンプで行うことができると共に、１台のポンプによる真空引きによる不具合である各真空容器の真空度への影響を、中間真空容器によって緩和することができるため、真空装置の小型化及び設備費用の低減が図れるものである。また、これによって利益率を向上させることができるものである。
以下、この発明の実施例について図面により説明する。
本願発明の実施例に係る真空装置１は、例えば図１に示すものである。この真空装置１は、少なくとも仕切バルブ２を介して連設された複数の真空容器３，４，５と、この真空容器３，４，５内に配され、それぞれの真空容器３，４，５間を移動可能な少なくとも一つのキャリヤ６と、それぞれの真空容器３，４，５に接続される一次排気機構２０と、それぞれの真空容器３，４，５に接続される真空形成機構４０と、それぞれの真空容器３，４，５にスパッタ用ガス等の処理用ガスを供給するガス供給機構６０とを具備する。
前記真空容器３，４，５内では、例えば、スパッタ、ドライエッチ、ＣＶＤなどの処理がなされる。したがって、それぞれの真空容器３，４，５内において、独立して前記処理がなされる場合には、前記仕切バルブ２を閉状態としてそれぞれの真空容器３，４，５を遮断し、またそれぞれの真空容器３，４，５内に、処理基板７が載置されるキャリヤ６を配する。また、前記処理基板７に連続して異なる処理を行いたい場合には、前記仕切バルブ２を開いて、前記処理基板７が載置されたキャリヤ６を、搬送機構８によって真空容器３から真空容器４へ、さらには真空容器４から真空容器５へと移動させて連続した処理を可能にするものである。また、前記真空容器３，４，５には、それぞれの真空容器３，４，５の真空度を検出することができる真空ゲージ９，１０，１１が備えられる。
前記一次排気機構２０は、排気ポンプ３０と、この排気ポンプ３０から延出する共通配管３１と、前記真空容器３，４，５のそれぞれと前記共通配管３１とを接続する分岐配管２１，２２，２３と、前記分岐配管２１，２２，２３のそれぞれを開閉する開閉弁２４，２５，２６と、前記排気ポンプ３０によって排気された状態を検出する圧力ゲージ２７，２８，２９とによって少なくとも構成される。これによって、処理基板７が載置されたキャリヤ６が、真空容器３，４，５に設置された後、真空引きする前段階として、所定の圧力（例えば、１０Ｐａ程度）まで所定の真空容器３，４，５の圧力を減じることができるものである。
前記真空形成機構４０は、例えばクライオポンプ等の真空ポンプ４１と、この真空ポンプ４１と開閉弁５６を介して接続される中間真空容器４２と、この中間真空容器４２とそれぞれの真空容器３，４，５を接続する配管４４，４５，４６と、これらの配管４４，４５，４６を開閉する開閉弁４７，４８，４９と、それぞれの真空容器３，４，５の真空引き状態を検出する真空ゲージ５０，５１，５２とによって構成される。さらに、前記配管４４，４５，４６には、前記真空容器３，４，５内と大気側とを接続するリーク弁５３，５４，５５が設けられる。また、前記中間真空容器４２には、圧力を検出するための圧力ゲージ４３が設けられる。これによって、前記一次排気機構２０によって所定の圧力まで低下された真空容器３，４，５は、さらに真空形成機構４０によって、１×１０−４Ｐａ程度の真空状態まで真空引きされるものである。
前記ガス供給機構６０は、図示しないガスボンベと接続される共通配管６７と、この共通配管６７とそれぞれの真空容器３，４，５とを接続する分岐配管６１，６２，６３と、これらの分岐配管６１，６２，６３の開度を調整することができる可変流動弁６４，６５，６６とによって構成される。尚、前記ガスボンベに収容されるガスとしては、スパッタ用ガスとしてのアルゴンガスなどがある。これによって、前記真空形成機構４０によって真空状態にされた所定の真空容器３，４，５に、前記可変流動弁６４，６５，６６によって調整されたガスが、真空ゲージ９，１０，１１によって所定の値（例えば、１Ｐａ）となるまで充填され、前記処理が実行されるものである。
以上説明したように、この真空装置１では、真空容器３，４，５の真空排気系を一つの真空ポンプ４１で行うようにしたので、部品点数を減じることが可能となる。また、真空ポンプ４１によって、同時に複数の真空容器３，４，５の真空引きを行った場合、それぞれの真空容器３，４，５の真空状態が異なると、それぞれの真空容器３，４，５の真空状態が不安定になることがあるが、中間真空容器４２を設けたので、それぞれの真空容器３，４，５の真空状態の安定が図れるものである。
本願発明の実施例に係る真空装置の概略構成図である。
符号の説明
１ 真空装置
２ 仕切バルブ
３，４，５ 真空容器
２０ 一次排気機構
４０ 真空形成機構
４１ 真空ポンプ
４２ 中間真空容器
６０ ガス供給機構

Claims (2)

  1. 仕切バルブを介して連設された複数の真空容器と、該真空容器内に配され、それぞれの真空容器間を移動可能な少なくとも一つのキャリヤと、それぞれの真空容器に接続される一次排気機構と、それぞれの真空容器に接続される真空形成機構と、それぞれの真空容器にガスを供給するガス供給機構とを少なくとも具備する真空装置において、
    前記真空形成機構は、一つの真空ポンプと、該真空ポンプとそれぞれの真空容器との間に配される一つの中間真空容器とを具備することを特徴とする真空装置。
  2. 前記真空形成機構は、さらに前記中間真空容器と前記それぞれの真空容器との間を接続するそれぞれの接続部を有し、該接続部は、前記中間容器と真空容器とを接続する配管と、該配管を開閉する開閉弁とを具備することを特徴とする請求項１記載の真空装置。
JP2004362586A 2004-12-15 2004-12-15 真空装置 Pending JP2006169576A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004362586A JP2006169576A (ja) 2004-12-15 2004-12-15 真空装置
US11/302,378 US20060124666A1 (en) 2004-12-15 2005-12-14 Vacuum device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004362586A JP2006169576A (ja) 2004-12-15 2004-12-15 真空装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006169576A true JP2006169576A (ja) 2006-06-29

Family

ID=36582622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004362586A Pending JP2006169576A (ja) 2004-12-15 2004-12-15 真空装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060124666A1 (ja)
JP (1) JP2006169576A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100724092B1 (ko) * 2005-10-27 2007-06-04 한국표준과학연구원 Ｉｎ ―ｓｉｔｕ법에 의한 진공게이지의 절대교정 및 비교교정 장치 및 방법
JP6576862B2 (ja) * 2016-03-16 2019-09-18 東芝メモリ株式会社 トランスファ成型装置
US20180274615A1 (en) * 2017-03-27 2018-09-27 Goodrich Corporation Common vacuum header for cvi/cvd furnaces
DE102017214687A1 (de) * 2017-08-22 2019-02-28 centrotherm international AG Behandlungsvorrichtung für Substrate und Verfahren zum Betrieb einer solchen Behandlungsvorrichtung
GB2584881B (en) * 2019-06-19 2022-01-05 Edwards Vacuum Llc Multiple vacuum chamber exhaust system and method of evacuating multiple chambers

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401507A (en) * 1982-07-14 1983-08-30 Advanced Semiconductor Materials/Am. Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
EP1014426A3 (en) * 1998-12-22 2004-02-04 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method for processing a substrate
KR100384907B1 (ko) * 1999-03-05 2003-05-23 동경 엘렉트론 주식회사 진공 장치
AU767161B2 (en) * 1999-08-20 2003-10-30 Kaneka Corporation Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20060124666A1 (en) 2006-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101327715B1 (ko) 진공 배기 장치 및 진공 배기 방법, 그리고 기판 처리 장치
JP3486821B2 (ja) 処理装置及び処理装置内の被処理体の搬送方法
JP4983745B2 (ja) 圧力調整装置、これを用いた処理システム及び圧力調整方法
JP2006310561A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
JP4472005B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2008075135A (ja) 真空処理装置および大気開放方法
JP2006169576A (ja) 真空装置
JP5224567B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP4521889B2 (ja) 基板処理装置
WO2005001925A1 (ja) 真空処理装置の操作方法
US6767504B2 (en) Heat treatment furnace
JP6463846B2 (ja) インライン式コーティング設備を運転する方法およびインライン式コーティング設備
JP2010167338A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2013236033A (ja) 真空処理装置及び試料の搬送方法
JPH09306972A (ja) 半導体製造装置
JP2826479B2 (ja) ガス供給装置及びその操作方法
JPH0982594A (ja) 半導体製造装置における室内減圧方法
JP2004136275A (ja) 真空処理装置における処理対象物搬送方法
US20230402268A1 (en) Plasma preclean system for cluster tool
JPH11230034A (ja) 真空排気システム及びその運転方法
JP2008124481A (ja) 真空処理装置における処理対象物搬送方法
JP2010258089A (ja) 真空処理装置の運転方法
JP2012209321A (ja) マルチチャンバー型真空処理装置
JPH11229141A (ja) 基板搬送方法
JP3521334B2 (ja) ロードロック装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090310

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090317

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090714