CN112460285B - 真空压力计的寿命提升装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种真空压力计的寿命提升装置，包括：三通阀和控制单元；三通阀的第一接口和抽气管路相连，第二接口连接真空压力计，第三接口连接冲洗气体；三通阀的第二接口具有常开控制阀，第三接口具有常关控制阀；控制单元控制常开控制阀和常关控制阀的工作，包括控制进行固态生成物清除步骤，在固态生成物清除步骤中，常开控制阀关闭以及常关控制阀打开，冲洗气体流动将生长工艺产生的固态生成物清除出三通阀内部区域并被抽气管路抽掉。本发明还公开了一种真空压力计的寿命提升方法。本发明能防止真空工艺腔的生长工艺中产生固态生成物沉积在设置在抽气管路的真空压力计的接口上，从而能提高真空压力计的寿命。

Description

真空压力计的寿命提升装置和方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种真空压力计的寿命提升装置。本发明还涉及一种真空压力计的寿命提升方法。
背景技术
在半导体集成电路制造中，往往需要在真空环境下进行工艺，例如化学气相沉积(CVD)工艺以及物理气相沉积(PVD)工艺都需要在真空环境下进行，所以，为了实现真空工艺，需要设置真空工艺腔(chamber)，真空工艺腔会通过抽气管路和真空泵连接，根据真空工艺腔的真空要求不同，会选用不同的真空泵。在真空度要求比较低时，直接采用一个干泵(dry pump)即可；如果真空度要求较高，能在干泵的基础上在设置一个涡轮泵(turbopump)，由于窝轮泵能达到很低的压强，故需要在干泵将真空工艺腔的压强降低到一定值的基础上再启动涡轮泵，这时，干泵对应的抽气管路称为初抽管路(foreline)。
除了真空工艺腔除了需要采用抽气管路和真空泵，还需要通过各种真空压力计(gauge)来监测chamber、foreline等处的压强。然而一旦gauge受到干扰或损坏，便无法完成实时监测的功能，这样就可能导致gauge读数不准确，设备出现报警，甚至可能会影响产品的质量。
其中foreline gauge即设置在foreline上的gauge通过监测foreline的压强，来监测dry pump的状态，例如：抽气速率(pumping speed)，当foreline gauge读数异常时，便可知道dry pump有异常；这种异常通常是指dry pump的抽气速率降低，使得foreline的压强降不下去，foreline gauge的读数也会超出正常值，最后也会使得真空工艺腔的真空度不够，无法进行真空工艺。而且在有tubo pump的真空工艺腔体中，一旦foreline压强过高，超过50mtorr，tubo pump便无法开启。所以监控foreline压力至关重要。
在一些工艺中，反应腔室会生成一些固体物质。这些固态物质有小部分会沉积在foreline的管路上，加之foreline gauge接入口管径较细如1/4英寸(inch)，导致一些固态产物沉积在gauge的前端，导致gauge读数出现异常。
如图1所示，是现有PVD设备的结构示意图；真空工艺腔即为PVD腔101用于对晶圆102进行PVD生长工艺。进行PVD生长之前，晶圆102通常会防止在载片台103上，载片台103通常为一个加热器(heater)，这样可以控制晶圆102的温度，载片台103可以上下运动以方便设置晶圆102的位置。载片台103的底部装置104则能为载片台103的运动提供动力以及为加热提供供电以及冷却供水。
所述PVD腔101还和射频功率源105相连，为所述PVD腔101内的PVD工艺提供所需要的能源。
可以看出，所述PVD腔101通过初抽管路201和干泵202相连；真空压力计203通过接口204连接在初抽管路201上。
在真空压力计203的上游的初抽管路201上还设置有通过管路107和涡轮泵106相连的接口。
涡轮泵106只有在真空压力计203的读数低于一定值如50mtorr时，涡轮泵106才开始进行抽气，否则，较高的气压会使涡轮泵106的叶片损坏。
真空压力计203虽然和重要，但是所述PVD腔101中工艺反应的幅产物都会通过初抽管路201抽除，幅产物中包括固态生成物，这使得初抽管路201的管壁上容易沉积固态生成物；而由于真空压力计203的接口就设置在初抽管路201的管壁上，固态生成物也就容易沉积在真空压力计203的接口上，时间长了真空压力计203的接口会被堵住，从而使得真空压力计203无法正常工作，从需要进行真空压力计203的更换，这显然大大缩短真空压力计203的使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种真空压力计的寿命提升装置，能防止真空工艺腔的生长工艺中产生固态生成物沉积在设置在抽气管路的真空压力计的接口上，从而能防止固态生成物将真空压力计的接口堵塞，从而能消除固态生成物对真空压力计的不利影响并提高真空压力计的寿命。为此，本发明还提供一种真空压力计的寿命提升方法。
为解决上述技术问题，本发明提供的真空压力计的寿命提升装置包括：三通阀和控制单元。
所述三通阀的第一接口和抽气管路的第一接口相连，所述抽气管路的上游端连接真空工艺腔，所述抽气管路的下游端连接第一真空泵。
所述三通阀的第二接口连接真空压力计。
所述三通阀的第三接口连接冲洗气体。
所述三通阀的第二接口具有常开控制阀，所述三通阀的第三接口具有常关控制阀。
所述控制单元控制所述常开控制阀和所述常关控制阀的工作，包括：
在所述真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，在所述固态生成物清除步骤中，所述常开控制阀关闭以及所述常关控制阀打开，在所述常关控制阀打开后所述冲洗气体从所述三通阀的第二接口流入并从所述三通阀的第三接口流出以将所述生长工艺产生的固态生成物清除出所述三通阀内部区域并被所述抽气管路抽掉。
进一步的改进是，所述真空工艺腔包括CVD工艺腔或PVD工艺腔。
进一步的改进是，所述第一真空泵包括干泵，所述抽气管路为预抽管路。
进一步的改进是，在所述抽气管路的第一接口的上游具有第二接口，涡轮泵设置在所述真空工艺腔和所述抽气管路的第二接口之间，当所述真空压力计检测到所述抽气管路的压强低于设定值时，所述涡轮泵开始工作并通过所述涡轮泵抽取所述真空工艺腔。
进一步的改进是，在所述真空工艺腔空闲时，所述常开控制阀打开以及所述常关控制阀关闭。
进一步的改进是，所述三通阀的第一接口的直径大于所述三通阀的第二接口的直径。
进一步的改进是，所述冲洗气体包括氮气和惰性气体。
进一步的改进是，所述冲洗气体经过加热的热气体。
进一步的改进是，所述常开控制阀为常开气动阀，所述常关控制阀为常关气动阀。
为解决上述技术问题，本发明提供的真空压力计的寿命提升方法包括：
步骤一、通过三通阀将真空压力计安装在抽气管路上，包括：
所述三通阀的第一接口和抽气管路的第一接口相连，所述抽气管路的上游端连接真空工艺腔，所述抽气管路的下游端连接第一真空泵。
所述三通阀的第二接口连接所述真空压力计。
所述三通阀的第三接口连接冲洗气体。
所述三通阀的第二接口具有常开控制阀，所述三通阀的第三接口具有常关控制阀。
步骤二、通过控制单元控制所述常开控制阀和所述常关控制阀的工作，包括：
在所述真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，在所述固态生成物清除步骤中，所述常开控制阀关闭以及所述常关控制阀打开，在所述常关控制阀打开后所述冲洗气体从所述三通阀的第二接口流入并从所述三通阀的第三接口流出以将所述生长工艺产生的固态生成物清除出所述三通阀内部区域并被所述抽气管路抽掉。
进一步的改进是，所述真空工艺腔包括CVD工艺腔或PVD工艺腔；
所述第一真空泵包括干泵，所述抽气管路为预抽管路。
进一步的改进是，所述真空工艺腔的生长工艺的步骤通过工艺菜单设置，所述生长工艺完成后包括腔体抽取步骤，所述固态生成物清除步骤设置在所述腔体抽取步骤中；
在所述真空工艺腔空闲时，所述常开控制阀打开以及所述常关控制阀关闭。
进一步的改进是，所述三通阀的第一接口的直径大于所述三通阀的第二接口的直径；
所述冲洗气体包括氮气和惰性气体。
进一步的改进是，所述冲洗气体经过加热。
进一步的改进是，所述常开控制阀为常开气动阀，所述常关控制阀为常关气动阀。
和现有技术中真空压力计直接接到抽气管路上不同，本发明中真空压力计是通过三通阀连接到抽气管路，而且三通阀的第三接口和冲洗气体相连，同时，本发明还在三通阀的第二接口中设置了常开控制阀以及在三通阀的第三接口中设置了常关控制阀，通过控制单元的控制，能在真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，固态生成物清除步骤是通过使常开控制阀关闭以及常关控制阀打开来实现，这时，冲洗气体会从三通阀的第二接口流入并从三通阀的第三接口流出从而能将三通阀内部的固态生成物清除出去并被抽气管路抽掉，这样就能防止真空工艺腔的生长工艺中产生固态生成物沉积在设置在抽气管路的真空压力计的接口上，从而能防止固态生成物将真空压力计的接口堵塞，从而能消除固态生成物对真空压力计的不利影响并提高真空压力计的寿命。
另外，由于本发明的真空压力计是通过三通阀和抽气管路连接，故三通阀的第一接口能大于第二接口，三通阀的第二接口是和真空压力计的接口大小相同如直径为1/4英寸，本发明的三通阀的第一接口的直径能设置为1英寸，这等于将真空压力计和抽气管路的接口的直径由1/4英寸增加到1英寸，这能够很大程度上减少在工艺中产生的固态物质沉积在真空压力计的接口处，降低了固态生成物堵塞真空压力计的接口的风险。
另外，由于本发明的常开控制阀和常关控制阀容易控制，故很容易将固态生成物清除步骤设置在生长工艺完成的腔体抽取步骤中，由于生长工艺完成后的腔体抽取步骤是用于对真空工艺腔中的副产物进行去除，副产物中包括了固态生成物，在腔体抽取步骤中设置固态生成物清除步骤能及时将固态生成物清除出三通阀内部，而且阻挡固态生成物进入到三通阀内部，这会大大降低固态生成物对真空压力计的影响，提高真空压力计的寿命。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是现有PVD设备的结构示意图；
图2是本发明实施例采用的三通阀的结构示意图；
图3是本发明实施例真空压力计的寿命提升装置在固态生成物清除步骤时的结构示意图；
图4是本发明实施例真空压力计的寿命提升装置在真空压力计正常使用时的结构示意图。
具体实施方式
如图2所示，是本发明实施例采用的三通阀1的结构示意图；如图3所示，是本发明实施例真空压力计303的寿命提升装置在固态生成物清除步骤时的结构示意图；如图4所示，是本发明实施例真空压力计303的寿命提升装置在真空压力计303正常使用时的结构示意图；本发明实施例真空压力计303的寿命提升装置包括：三通阀1和控制单元。
所述三通阀1的第一接口2和抽气管路301的第一接口相连，所述抽气管路301的上游端连接真空工艺腔，所述抽气管路301的下游端连接第一真空泵302。
所述三通阀1的第二接口3连接真空压力计303。
所述三通阀1的第三接口4连接冲洗气体。
所述三通阀1的第二接口3具有常开控制阀51，所述三通阀1的第三接口4具有常关控制阀52。本发明实施例中，所述常开控制阀51为常开气动阀，所述常关控制阀52为常关气动阀，所述常开控制阀51和所述常关控制阀52组成三通气动阀5。
所述控制单元控制所述常开控制阀51和所述常关控制阀52的工作，包括：
在所述真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，在所述固态生成物清除步骤中，所述常开控制阀51关闭以及所述常关控制阀52打开，在所述常关控制阀52打开后所述冲洗气体从所述三通阀1的第二接口3流入并从所述三通阀1的第三接口4流出以将所述生长工艺产生的固态生成物清除出所述三通阀1内部区域并被所述抽气管路301抽掉。图3中，箭头线306表示所述冲洗气体流动。
本发明实施例中，所述真空工艺腔为PVD工艺腔。在其他实施例中，也能为：所述真空工艺腔CVD工艺腔。通常，在具有所述真空工艺腔的半导体设备中，都包括气动阀控制模块，气动阀控制模块通过半导体设备的系统软件控制，本发明实施例中，所述控制单元仅需增加对所述常开控制阀51和所述常关控制阀52控制信号即可实现，系统软件则通过工艺菜单的方式选择对所述常开控制阀51和所述常关控制阀52的控制。
所述第一真空泵302包括干泵，所述抽气管路301为预抽管路。
本发明实施例中还能包括涡轮泵，在其他实施例中也能不设置涡轮泵。涡轮泵能使所述真空工艺腔的真空度更高，在设置有涡轮泵时，设置如下：在所述抽气管路301的第一接口的上游具有第二接口，涡轮泵设置在所述真空工艺腔和所述抽气管路301的第二接口之间，当所述真空压力计303检测到所述抽气管路301的压强低于设定值如50mtorr时，所述涡轮泵开始工作并通过所述涡轮泵抽取所述真空工艺腔。
所述真空工艺腔的生长工艺的步骤通过工艺菜单设置，所述生长工艺完成后包括腔体抽取步骤，所述固态生成物清除步骤设置在所述腔体抽取步骤中。所述生长工艺用于在晶圆上形成薄膜，在所述生长工艺中，所述真空压力计303正常工作并实时监测所述抽气管路301内的压强。如图3所示，当所述生长工艺完成后，由于所述生长工艺会在所述真空工艺腔中形成副产物，所述幅产物中通常会包括所述固态生成物，故下所述生长工艺完成后，需要进行腔体抽取步骤以将所述真空工艺腔中的幅产物抽掉，所述腔体抽取如箭头线304所示，所抽取的物质305中会包括所述幅产物。这时，现有技术中所述固态生成物容易沉积在真空压力计的接口上，但是本发明实施例中，通过将所述常开控制阀51关闭，能防止所述固态生成物影响所述真空压力计303的接口；同时，所述常关控制阀52打开后，所述冲洗气体会从所述三通阀1的第二接口3流入，由于所述抽气管路301的下游的所述第一真空泵302一直在抽气，故所述冲洗气体会从所述三通阀1的第一接口2流出，这样，能够将三通阀1内部的固态生成物清除出去并被抽气管路301抽掉，主要为：首先、所述冲洗气体会使所述三通阀1的内部具有较大的压强，所述固态生成物不容易进入到所述三通阀1的内部；其次、如果所述三通阀1具有所述固态生成物，在所述冲洗气体的流动作业下也会被清除干净。
本发明实施例中，所述冲洗气体为氮气。在其他实施例中也能为：所述冲洗气体为惰性气体。较佳选择为，所述冲洗气体经过加热的热气体，热气体有利于对一些需要加热才能很好清除的所述固态生成物的清除。
本发明实施例中，所述三通阀1的第一接口2的直径大于所述三通阀1的第二接口3的直径。通常，所述固态生成物容易沉积在所述三通阀的第一接口2处，所述三通阀的第一接口2变大后，即使在所述三通阀的第一接口上具有未被清除的所述固态生成物，也不容易使所述三通阀1的第一接口堵塞，所述真空压力计303依然能够很好的读取所述抽气管路301中的真空度。
如图4所示，在所述真空工艺腔空闲时，所述常开控制阀51打开以及所述常关控制阀52关闭。这时，所述真空压力计303能实时监测所述抽气管路301内的压强。所述真空工艺腔空闲时，所述第一真空泵302也同样会对所述真空工艺腔进行进行抽气如箭头线304所示，只不过此时所抽取的物质305所含的幅产物不多。
由上可知，和现有技术中真空压力计303直接接到抽气管路301上不同，本发明实施例中真空压力计303是通过三通阀1连接到抽气管路301，而且三通阀1的第三接口4和冲洗气体相连，同时，本发明实施例还在三通阀1的第二接口3中设置了常开控制阀51以及在三通阀1的第三接口4中设置了常关控制阀52，通过控制单元的控制，能在真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，固态生成物清除步骤是通过使常开控制阀51关闭以及常关控制阀52打开来实现，这时，冲洗气体会从三通阀1的第二接口3流入并从三通阀1的第三接口4流出从而能将三通阀1内部的固态生成物清除出去并被抽气管路301抽掉，这样就能防止真空工艺腔的生长工艺中产生固态生成物沉积在设置在抽气管路301的真空压力计303的接口上，从而能防止固态生成物将真空压力计303的接口堵塞，从而能消除固态生成物对真空压力计303的不利影响并提高真空压力计303的寿命。
另外，由本发明实施例的真空压力计303是通过三通阀1和抽气管路301连接，故三通阀1的第一接口2能大于第二接口，三通阀1的第二接口3是和真空压力计303的接口大小相同如直径为1/4英寸，本发明实施例的三通阀1的第一接口2的直径能设置为1英寸，这等于将真空压力计303和抽气管路301的接口的直径由1/4英寸增加到1英寸，这能够很大程度上减少在工艺中产生的固态物质沉积在真空压力计303的接口处，降低了固态生成物堵塞真空压力计303的接口的风险。
另外，由于本发明实施例的常开控制阀51和常关控制阀52容易控制，故很容易将固态生成物清除步骤设置在生长工艺完成的腔体抽取步骤中，由于生长工艺完成后的腔体抽取步骤是用于对真空工艺腔中的副产物进行去除，副产物中包括了固态生成物，在腔体抽取步骤中设置固态生成物清除步骤能及时将固态生成物清除出三通阀1内部，而且阻挡固态生成物进入到三通阀1内部，这会大大降低固态生成物对真空压力计303的影响，提高真空压力计303的寿命。
本发明实施例真空压力计303的寿命提升方法包括：
步骤一、通过三通阀1将真空压力计303安装在抽气管路301上，包括：
所述三通阀1的第一接口2和抽气管路301的第一接口相连，所述抽气管路301的上游端连接真空工艺腔，所述抽气管路301的下游端连接第一真空泵302。
所述三通阀1的第二接口3连接所述真空压力计303。
所述三通阀1的第三接口4连接冲洗气体。
所述三通阀1的第二接口3具有常开控制阀51，所述三通阀1的第三接口4具有常关控制阀52。
本发明实施例方法中，所述真空工艺腔为PVD工艺腔。在其他实施例中，也能为：所述真空工艺腔CVD工艺腔。通常，在具有所述真空工艺腔的半导体设备中，都包括气动阀控制模块，气动阀控制模块通过半导体设备的系统软件控制，本发明实施例中，所述控制单元仅需增加对所述常开控制阀51和所述常关控制阀52控制信号即可实现，系统软件则通过工艺菜单的方式选择对所述常开控制阀51和所述常关控制阀52的控制。
所述第一真空泵302包括干泵，所述抽气管路301为预抽管路。
本发明实施例方法中还能包括涡轮泵，在其他实施例方法中也能不设置涡轮泵。涡轮泵能使所述真空工艺腔的真空度更高，在设置有涡轮泵时，设置如下：在所述抽气管路301的第一接口的上游具有第二接口，涡轮泵设置在所述真空工艺腔和所述抽气管路301的第二接口之间，当所述真空压力计303检测到所述抽气管路301的压强低于设定值如50mtorr时，所述涡轮泵开始工作并通过所述涡轮泵抽取所述真空工艺腔。
所述常开控制阀51为常开气动阀，所述常关控制阀52为常关气动阀。
步骤二、通过控制单元控制所述常开控制阀51和所述常关控制阀52的工作，包括：
在所述真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，在所述固态生成物清除步骤中，所述常开控制阀51关闭以及所述常关控制阀52打开，在所述常关控制阀52打开后所述冲洗气体从所述三通阀1的第二接口3流入并从所述三通阀1的第三接口4流出以将所述生长工艺产生的固态生成物清除出所述三通阀1内部区域并被所述抽气管路301抽掉。
所述真空工艺腔的生长工艺的步骤通过工艺菜单设置，所述生长工艺完成后包括腔体抽取步骤，所述固态生成物清除步骤设置在所述腔体抽取步骤中。所述生长工艺用于在晶圆上形成薄膜，在所述生长工艺中，所述真空压力计303正常工作并实时监测所述抽气管路301内的压强。如图3所示，当所述生长工艺完成后，由于所述生长工艺会在所述真空工艺腔中形成副产物，所述幅产物中通常会包括所述固态生成物，故下所述生长工艺完成后，需要进行腔体抽取步骤以将所述真空工艺腔中的幅产物抽掉，所述腔体抽取如箭头线304所示，所抽取的物质305中会包括所述幅产物。这时，现有技术中所述固态生成物容易沉积在真空压力计的接口上，但是本发明实施例方法中，通过将所述常开控制阀51关闭，能防止所述固态生成物影响所述真空压力计303的接口；同时，所述常关控制阀52打开后，所述冲洗气体会从所述三通阀1的第二接口3流入，由于所述抽气管路301的下游的所述第一真空泵302一直在抽气，故所述冲洗气体会从所述三通阀1的第一接口2流出，这样，能够将三通阀1内部的固态生成物清除出去并被抽气管路301抽掉，主要为：首先、所述冲洗气体会使所述三通阀1的内部具有较大的压强，所述固态生成物不容易进入到所述三通阀1的内部；其次、如果所述三通阀1具有所述固态生成物，在所述冲洗气体的流动作业下也会被清除干净。
本发明实施例方法中，所述冲洗气体为氮气。在其他实施例中也能为：所述冲洗气体为惰性气体。较佳选择为，所述冲洗气体经过加热的热气体，热气体有利于对一些需要加热才能很好清除的所述固态生成物的清除。
本发明实施例方法中，所述三通阀1的第一接口2的直径大于所述三通阀1的第二接口3的直径。通常，所述固态生成物容易沉积在所述三通阀的第一接口2处，所述三通阀的第一接口2变大后，即使在所述三通阀的第一接口上具有未被清除的所述固态生成物，也不容易使所述三通阀1的第一接口堵塞，所述真空压力计303依然能够很好的读取所述抽气管路301中的真空度。
如图4所示，在所述真空工艺腔空闲时，所述常开控制阀51打开以及所述常关控制阀52关闭。这时，所述真空压力计303能实时监测所述抽气管路301内的压强。所述真空工艺腔空闲时，所述第一真空泵302也同样会对所述真空工艺腔进行进行抽气如箭头线304所示，只不过此时所抽取的物质305所含的幅产物不多。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种真空压力计的寿命提升装置，其特征在于，包括：三通阀和控制单元；
所述三通阀的第一接口和抽气管路的第一接口相连，所述抽气管路的上游端连接真空工艺腔，所述抽气管路的下游端连接第一真空泵；
所述三通阀的第二接口连接真空压力计；
所述三通阀的第三接口连接冲洗气体；
所述三通阀的第二接口具有常开控制阀，所述三通阀的第三接口具有常关控制阀；
所述控制单元控制所述常开控制阀和所述常关控制阀的工作，包括：
在所述真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，在所述固态生成物清除步骤中，所述常开控制阀关闭以及所述常关控制阀打开，在所述常关控制阀打开后所述冲洗气体从所述三通阀的第三接口流入并从所述三通阀的第一接口流出以将所述生长工艺产生的固态生成物清除出所述三通阀内部区域并被所述抽气管路抽掉。
2.如权利要求1所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：所述真空工艺腔包括CVD工艺腔或PVD工艺腔。
3.如权利要求2所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：所述第一真空泵包括干泵，所述抽气管路为预抽管路。
4.如权利要求3所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：在所述抽气管路的第一接口的上游具有第二接口，涡轮泵设置在所述真空工艺腔和所述抽气管路的第二接口之间，当所述真空压力计检测到所述抽气管路的压强低于设定值时，所述涡轮泵开始工作并通过所述涡轮泵抽取所述真空工艺腔。
5.如权利要求2所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：在所述真空工艺腔空闲时，所述常开控制阀打开以及所述常关控制阀关闭。
6.如权利要求1所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：所述三通阀的第一接口的直径大于所述三通阀的第二接口的直径。
7.如权利要求1所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：所述冲洗气体包括氮气和惰性气体。
8.如权利要求7所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：所述冲洗气体为经过加热的热气体。
9.如权利要求1所述的真空压力计的寿命提升装置，其特征在于：所述常开控制阀为常开气动阀，所述常关控制阀为常关气动阀。
10.一种真空压力计的寿命提升方法，其特征在于，包括：
步骤一、通过三通阀将真空压力计安装在抽气管路上，包括：
所述三通阀的第一接口和抽气管路的第一接口相连，所述抽气管路的上游端连接真空工艺腔，所述抽气管路的下游端连接第一真空泵；
所述三通阀的第二接口连接所述真空压力计；
所述三通阀的第三接口连接冲洗气体；
所述三通阀的第二接口具有常开控制阀，所述三通阀的第三接口具有常关控制阀；
步骤二、通过控制单元控制所述常开控制阀和所述常关控制阀的工作，包括：
在所述真空工艺腔的生长工艺完成后进行固态生成物清除步骤，在所述固态生成物清除步骤中，所述常开控制阀关闭以及所述常关控制阀打开，在所述常关控制阀打开后所述冲洗气体从所述三通阀的第三接口流入并从所述三通阀的第一接口流出以将所述生长工艺产生的固态生成物清除出所述三通阀内部区域并被所述抽气管路抽掉。
11.如权利要求10所述的真空压力计的寿命提升方法，其特征在于：所述真空工艺腔包括CVD工艺腔或PVD工艺腔；
所述第一真空泵包括干泵，所述抽气管路为预抽管路。
12.如权利要求11所述的真空压力计的寿命提升方法，其特征在于：所述真空工艺腔的生长工艺的步骤通过工艺菜单设置，所述生长工艺完成后包括腔体抽取步骤，所述固态生成物清除步骤设置在所述腔体抽取步骤中；
在所述真空工艺腔空闲时，所述常开控制阀打开以及所述常关控制阀关闭。
13.如权利要求10所述的真空压力计的寿命提升方法，其特征在于：所述三通阀的第一接口的直径大于所述三通阀的第二接口的直径；
所述冲洗气体包括氮气和惰性气体。
14.如权利要求13所述的真空压力计的寿命提升方法，其特征在于：所述冲洗气体经过加热。
15.如权利要求10所述的真空压力计的寿命提升方法，其特征在于：所述常开控制阀为常开气动阀，所述常关控制阀为常关气动阀。
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