KR100316300B1 - 플라즈마처리장치및플라즈마처리장치의프라즈마클리닝방법 - Google Patents

플라즈마처리장치및플라즈마처리장치의프라즈마클리닝방법 Download PDF

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Abstract

ECR 플라즈마 CVD장치는, 마이크로파 및 플라즈마 원료가스가 도입되는 플라즈마 생성실을 구비한다. 플라즈마 생성실을 둘러싸며, 또한 플라즈마 생성실 내에 마이크로파와의 전자 사이클로트론 공명자계를 형성하는 여자 솔레노이드가 배치되어 있다. 또, 반응성가스가 도입되는 플라즈마 반응실이 플라즈마생성실과 서로 연이어 통하게 설치되어 있다. 실리콘웨이퍼를 유지하는 기판된홀더가 플라즈마 반응실 내에 설치되어 있다. 플라즈마 반응실과 연이어 통하며, 열림도가 자유롭게 콘트를 가능한 누설식 밸브의 버터플라이밸브가 설치되어 있다. 버터플라이밸브의 후단에는 터보분자펌프가 설치되어 있다. 터보분자펌프의 후단에는 조절밸브를 통해서 서브펌프가 설치되어 있다.

Description

플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF PLASMA CLEANING A PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 플라즈마 처리장치에 관한 것이다. 특히, 전자 사이클로트론 플라즈마(Electron Cyclotron Resonance) CVD(이하, "ECR플라즈마 CVD" 라 한다) 장치에 관한 것이다.
본 발명은 또한 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법에 관한 것이다.
산화실리콘막은, 반도체장치의 제조프로세스에서, 예컨데 층간 절연막으로서 형성된다. 산화실리콘막은, 저온에서 막형성될 수 있을 것, 막의 내부응력이 작을 것, 에칭레이트가 작을 것, 막두께 분포가 양호할 것, 단차피막성이 양호할 것, 내투수성(耐透水性)이 뛰어날것 등의 여러 특성이 요구되고 있다.
이들 제반 조건을 충분히 만족시키는 막형성방법으로서, ECR플라즈마 CVD법이 있다, 제 1A 도는, 종래의 ECR 플라즈마 CVD장치(10)를 도시하는 개략도이다. 도면중 11은 기밀용기로 구성된 플라스마 처리실이다. 이 플라즈마 처리실(11)에는, 게이트밸브(12)를 통해서 터보분자펌프(turbo molecular pump)(13)가 접속되어 있다. 이 터보분자펌프(13)에는, 또한 밸브(14)를 통해서 드라이펌프(15)가 접속되어 있다. 터보분자펌프(13) 대신에, 모리큘러 드래그 펌프(molecular drag pump)도 사용된다.
ECR 플라즈마 CVD법에 의한 막형성처리는, 다음과 같이 행하여진다. 우선, 게이트밸브(12) 및 밸브(14)를 연다. 이 상태에서 터보분자펌프(13) 및 드라이펌프(15)를 구동시켜 플라즈마처리실(11)내를, 예를 들면 수 mTorr 급의 고진공상태로 유지한다. 고진공 상태의 플라즈마처리실(11)내에, 피처리체를 얹어놓고, 또한, 프로세스가스를 도입하므로서, 막형성처리가 행하여진다.
상술한 막형성처리에서는, 피처리체 뿐만아니라, 플라즈마처리실(11)내에도 반응생성물이 퇴적된다. 이 때문에, 정기적으로 플라즈마처리실(11)내의 이른바 인사이튜(insitu) 클리닝이 행하여진다. 즉, 플라즈마처리실(11)내에 클리닝용의 플라즈마를 발생시켜서 에칭에 의하여 플라즈마처리실(11)내에 퇴적된 반응생성물을 제거한다. 이와 같은 클리닝 프로세스는, 통상 막형성처리시의 압력보다도 높은 압력, 즉, 수 Torr급의 압력 분위기내에서 행하여진다.
그러나, 이와 같은 압력은, 터보분자펌프(13)의 동작 가능한 압력(0.5Torr)보다 높다. 또한, 터보분자펌프의 배기속도가 크기 때문에, 클리닝에 필요한 가스보다 많은 가스를 흘릴 필요가 있으며, 이 결과, 클리닝조건이 변화한다. 따라서, 위에 설명한 인사이튜 클리닝시에 터보분자펌프를 일단 정지시킬 필요가 있다. 그러나, 통상적인 터보분자펌프(13)의 경우, 예를 들면 기동에 15분, 정지에 10분의 시간을 요하므로, 터보분자펌프(13)를 클리닝시마다 정지시키면 현저하게 생산효율이 저하하여 버린다.
위에 설명한 불이익을 회피하기 위하여, 종래에 제 1B 도에 도시하는 바와같이, 플라즈마처리실(11) 및 밸브(14)와 드라이펌프(15)와의 사이를 연결하는 파이프와의 사이에 바이패스 배기배관(16)이 접속되어 있다. 바이패스 배기배관(16)의 도중에는, 밸브(17)가 설치되어 있다.
이와같은 바이패스가 설치된 ECR 플라즈마 CVD장치(10')에서는, 클리닝프로세스시에, 터보분자펌프(13)를 작동시킨채로, 게이트밸브(12)를 닫고, 밸브(17)를 열어 클리닝 프로세스용의 배기배관(16)과, 드라이펌프(15)에 의한 배기가 행하여진다. 이에 의하여, 터보분자펌프(13)의 내부압력은, 고진공도로 유지되므로, 터보분자점프의 정상적인 동작이 보증된다. 이 결과, 터보분자펌프(13)를 정지시킴이 없이 클리닝 프로세스를 실행할 수 있다.
그러나, 위에 설명한 ECR 플라즈마 CVD장치(10')와 같이 바이패스 배기배관(16) 및 밸브(17) (이하, 바이패스라인이라 한다)를 설치한 경우, 장치가 크고, 보다 더 복잡하게 된다.
또한, 플라즈마처리실(11)내를 고진공상태로 하기 위해서는,터보분자펌프(13)를 가급적 플라즈마처리실(11) 근처에 설치하는 것이 바람직하다. 따라서, 게이트밸브(12)는, 플라즈마처리실(11)의 바로 근방에 배치된다. 이 때문에, 게이트밸브(12)내에 반응생성물이 부착하여, 파티클의 발생원인이 되기 쉽다. 이 결과, 수율이 저하한다. 또, 게이트밸브(12)가 플라즈마처리실(11)에 가깝기 때문에, 막형성처리시에 플라즈마처리실(11)내에서 발생한 플라즈마애 의하여 , 게이트밸브(12)의 0링이나 베어링 등이 충격을 받아, 신뢰성의 저하 및 생산효율의 저하를 초래할 염려가 있다.
본 발명의 제 1 목적은, 파티클의 발생을 억제할 수 있고, 수율의 향상을 도모할 수가 있음과 동시에, 신뢰성 및 생산효율의 향상을 도모할 수가 있는 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.
본 발명의 제 2의 목적은, 파티클의 발생을 억제할 수 있고, 수출의 향상을 도모할 수가 있음과 동시에, 신뢰성 및 생산효율의 향상을 도모할 수가 있는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법을 제공함에 있다.
본 발명은, 처리실과, 상기 처리실내에 가스를 공급하기 위한 공급기구와, 상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와, 상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기 위한 고진공펌프와, 상기 처리실과 상기 고진공펌프와의 접속로를 개폐하기위한 버터플라이밸브를 구비하는 플라즈마처리장치에 있어시 , 상기 처리실내를 제 1 압력으로 설정한 상태에서 주(主) 플라즈마 처리공정을 행한 후, 상기 플라즈마 처리장치를 플라즈마 클리닝하는 방법으로서 상기 주 플라즈마 처리공정에서, 상기 고진공펌프의 작동을 계속한 상태에서 상기 버터플라이밸브를 패쇄상태로 함으로써 상기 처리실내를 상기 제 1 압력보다도 높은 제 2 압력으로 설정하는 공정과, 상기 제 2 압력으로 설정한 상기 처리실내에 클리닝가스를 공급하는 공정과, 상기 클리닝가스를 플라즈마화하여 클리닝처리를 행하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 처리실과, 상기 처리실내에 가스를 공급하기 위한 공급기구와, 상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와, 상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기 위한 고진공펌프를 구비하는 플리즈마 처리장치에 있어서, 상기 처리실내를 제 1 압력으로 설정한 상태에서 주 플라즈마 처리공정을 행한 후, 상기 플라즈마 처리장치를 플라즈마 클리닝하는 방법으로서, 상기 주 플라즈마 처리공정에서, 상기 고진공펌프의 작동을 계속한 상태에서 상기 고진공펌프의 회전수를 내림으로써 상기 처리실내를 상기 제 1 압력보다도 높은 제 2 압력으로 설정하는 공정과, 상기 제 2 압력으로 설정한 상기 처리실내에 클리닝가스를 공급하는 공정과, 상기 클리닝가스를 플라즈마화하여 클리닝처리를 행하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법을 제공한다.
또한 본 발명은, 처리실과, 상기 처리실내에 메인 처리가스 및 클러닝가스를 선택적으로 공급하기 위한 공급기구와, 상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와, 상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기 위한 고진공펌프와, 상기 처리실과 상기 고진공펌프와의 접속로를 개폐하기위한 버터플라이밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.
또한 본 발명은, 처리실과, 상기 처리실내에 주 처리가스 및 클리닝가스를 선택적으로 공급하기 위한 공급기구와, 상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와, 상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기위한 고진공펌프로서, 회전수의 제어가 가능한 고진공펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.
(실시 예 )
제 2 도는, 본 발명의 ECR 플라즈마 CVD장치의 일예를 도시하는 개략도이다.
도면중 21은, 마이크로파 전원(19)에 접속된 도파관(導波管)이다.
도파관(21)은, 도파창(22)을 통하여 플라즈마 생성실(23)에 장착되어 있다.
플라즈마 생성실(23) 주위에는, 여자(勵磁) 솔레노이드(24)가 설치되어 있다. 또한, 플라즈마 생성실(23)내에 가스를 도입하기 위한 제 1 가스 도입계(25)가 접속되어 있다. 제 1 가스 도입계(25)는, 클리닝가스 공급원(18), F 도글가스 공급원(46), 질소가스 공급원(44), 및 산소가스 공급원(47)에 접속되어있다.
플라즈마 생싱실(23) 하부에는, 플라즈마 반응실(26)이 연이어 실치되어있다. 플라즈마 생성실(23) 및 플라즈마 반응실(26)사이에는 플라즈마 인출용 창(27)이 설치되어 있다. 플라즈마 인출용 창(27)을 통해서, 플라즈마 반응실(26)에 플라즈마류가 인출된다.
플라즈마 반응실(26)에는, 제 2 가스 도입계(28) 및 제 3 가스 도입계(45)가 접속되어 있다. 플라즈마 반응실(26) 내부에는, 제 2 가스 도입계(28)의 도입구 하류에 해당하는 장소에, 기판홀더(29)가 설치되어 있다. 제 2 가스 도입계(28)는, 실란가스 공급원(43)에 접속되어 있다. 제 3 가스 도입계(45)에는, F 도프 가스공급원(46)이 접속되어 있다.
기판홀더(29)의 배면측에는, 서브솔레노이드(30)가, 여자솔레노이드(24)와 동축으로 배치되어 있다. 서브솔레노이드(30)는, 여자솔레노이드(24)와 역방향의 자계를 발생시켜, 기판(W)의 근방에 미러(mirror)자계 또는 커스프드(cusped)자계를 형성한다. 기판홀더(29)에는 고주파전원(31)이 접속되어 있다.
플라즈마 반응실(26)의 측벽면에는, 플라즈마 반응실(26)의 중심에 대하여 대칭인 위치에 2개의 배기구(32,33)가 형성되어 있다. 배기구(32,33)의 하부에는, 각각, 누설형의 버터플라이 밸브(34,35)가 설치되어 있다.
버터플라이 밸브(34,35)의 하류측에는, 각각, 2대의 터보분자펌프(36,37)가 접속되어 있다. 이들 터보분자펌프(36,37)는, 플라즈마 반응실(26)의 내부를 고진공 분위기로 하기 위하여 사용된다. 고진공이란, 예로서 수 mTorr 급의 압력, 보다 구체적으로는, 0.5∼5mTorr의 범위내의 압력을 말한다.
이 플랩퍼(51)의 사이즈는, 도면중 실선으로 표시하는, 완전히 플랩퍼가 닫힌 상태, 즉 플랩퍼(51)가 실질적으로 수평인 상태(이하, 완전히 닫힌 상태라 한다)에 있어서도, 내벽(52)과의 사이에 약간의 간극(예컨대 약 0.1mm의 간격)이 생기는 정도의 사이즈이다. 이와같이 본 발명에서는 완전히 닫힌 상태라도 약간 기류가 생기는 것을 허용하는 밸브를 사용할 수 있다. 이 밸브를 누설식 밸브라한다.
이상 설명한 ECR 플라즈마 CVD 장치(20)에서의 막형성처리 및 클리닝처리에관해서 설명한다.
우선, 피처리체인 실리콘웨이퍼(W)를 기판홀더(29)상에 재치한다. 다음에, 버터플라이밸브(34) 및 (35)를 전개상태로 한다.
동시에, 조절밸브(40)도 전개상태로 한다. 이 상태에서 우선, 드라이펌프(41)를 작동시키고, 플라즈마 반응실(26)의 내부압력을 0.1∼1 Torr의 범위내까지 감압한다. 다음에, 2대의 터보분자펌프(38,37)를 작동시켜, 플라즈마 반응실(26)의 내부를 소정의 고진공, 즉 수밀리 Torr 정도, 보다 구체적으로는, 0.5mTorr의 범위내까지 감압하고 또한 유지한다.
마이크로파전원(19)에서 발생한 마이크로파를 도파관(21) 및 도파창(22)을 통해서 플라즈마 생성실(23)내로 도입한다.
제 1 가스 도입계(25)로부터 플라즈마 원료가스로서 산소가스를 플라즈마생성실(23)로 도입하여, 플라즈마를 발생시킨다.
발생한 플라즈마는, 여자 솔레노이드(24)가 형성하는 전자 사이클로트론 공명자재에 의하여 플라즈마 반응실(26)로 인출된다.
플라즈마 반응실(26)에는, 제 2 가스 도입계(28)를 통해서, 반응성 가스로서 실란가스를 도입한다. 이에 의하여, 실란가스가 플라즈마의 에너지로 분해된다. 실란가스 분해물은, 여자솔레노이드(24) 및 서브솔레노이드(30)에 의하여, 기판홀더(29) 근방에 형성된 미러자계영역에 의해서 기판홀더(29)상에 얹어 놓인 웨이퍼 W의 표면에 퇴적하여, 산화실리콘막이 형성된다.
위 설명과 같은 산화실리콘막의 웨이퍼(W) 표면으로의 막형성처리를 몇번 행한 다음, 플라즈마 반응실(26)의 내벽면이나 버터플라이밸브(35,34)의 플랩퍼(flapper:51)의 양면에 부착시킨 산화실리콘막을 제거하기 위하여, 다음과 같은 클리닝처리를 한다.
2대의 터보분자펌프(36),(37) 및 드라이펌프(41)를 작동시킨채로, 2개의 버터플라이밸브(34,35)를 완전히 닫힌 상태로 한다. 이와 동시에, 조절밸브(40)도 어느 징도 닫아서 배기를 제한할 수도 있다. 이에 의하여, 플라즈마 반응실(26)내의 압력을, 터보분자펌프(36,37)가 구동 가능한 저진공 분위기, 즉 수 Torr 정도, 더 구체적으로는, 0.1∼2 Torr의 범위내로 설정한다. 그리고, 플라즈마 반응실(26)의 압력을 높이는 다른수단으로서는, 터보분자펌프의 회전수를 낮추는 것을 들 수가 있다.
이와 같은 저진공 분위기의 플라즈마 생성실(23)에, 클리닝가스(구체적으로는, NF3)를 제 1 가스 도입계(25)를 통해서 공급한다.
동시에, 플라즈마를 발생시킨다. 이에 의하여, 플라즈마 생성실(23), 플라즈마 반응실(26), 배기구(32,33) 및 버터플라이밸브(34,35) 표면에 퇴적된 산화실리콘막이 제거된다. 버터플라이밸브(34,35)의 플랩퍼(51)의 일방 면은, 버터플라이밸브(34,35)가 완전히 닫힌 상태인 경우, 상방, 즉 플라즈마 반응실(26) 방향을 향한 상태로 되어 있다, 이에 의하여, 플라즈마 처리실(26)에서 발생한 플라즈마에 의해서, 이 플랩퍼(51)의 일방의 면이 클리닝된다.
그러나, 막형성처리시에는, 플랩퍼(51)는 실질적으로 수직상태이다.
따라서, 플랩퍼(51)의 양면(51a,51b)에 산화 실리콘막이 퇴적된다, 그래서,본 발명에서 사용되는 버터플라이밸브(34,35)는, 플랩퍼(51)가 수평을 기준으로 실질적으로 180° 회전가능한 것이 바람직하다. 이 경우, 도면중 화살표 A로 표시하는 바와같이, 플랩퍼(51)는, 한쪽 면(51a)이 상방을 향하는 완전히 닫힌 상태로 부터, 타 일방의 면(51b)이 상방을 향하는 완전히 닫힌 상태까지 회전 가능하다. 이에 의하여 플랩퍼(51)의 양면의 면(51a,51b)을 상방, 즉 플라즈마 반응실(26) 방향으로 향하게 할 수가 있다. 플라즈마 처리실(26)내에서 발생한 플라즈마에 의하여, 플랩퍼(51)의 양면의 면(51a,51b)을 각각 클리닝할 수가 있다. 따라서, 어떤 클리닝 처리에서는, 플랩퍼(51)의 일방의 면(51a)에 퇴적된 산화실리콘막을 제거한다. 다음의 클리닝 처리에서는, 플랩퍼(51)의 다른 일방의 면(51b)을 제거한다. 이 결과, 플랩퍼(51)의 어느 일방의 면에만 산화실리콘막이 클리닝되지 못하고 남게되는 것을 방지할 수 있다.
위 설명과 같이, 버터플라이밸브(34,35)는 누설식이다.
따라서, 완전히 닫힌 상태에서도, 약간의 가스흐름이 형성된다. 이 때문에, 터보분자펌프(36,37)를 정지시키지 않고 클리닝을 할 수 있는 이점이 있다.
또, 버터플라이밸브(34,35)는, 게이트밸브와 같이, 구경이 큰 0링 등을 사용하지 않고 있으므로, 예를 들면, 버터플라이밸브(34,35)가 클리닝으로 인한 플라즈마의 영향을 받아서 열화되어 사용가능 기간이 단축되는 일도 없다. 또, 빈번한 보수유지를 할 필요도 없다.
이상 설명과 같이, 본 실시예에 의하면, 터보분자펌프(35,36)를 클리닝시에 정지시킬 필요가 없다. 이 때문에, 터보분자펌프(35,36)의 정지 및 시동을 생략할수가 있어, 클리닝처리에 필요한 시간을 단축할 수가 있다.
또, 본 실시예의 ECR 플라즈마 CVD장치(20)는 제 1B 도와 같이, 바이패스라인을 설치할 필요가 없다. 이 때문에, 장치를 보다 더 소형으로, 또한 보다 더 단순하게 할 수가 있다. 또한, 바이패스라인의 메인티넌스의 필요가 없다.
본 실시예의 ECR플라즈마 CVD장치(20)에 있어서는, 플라즈마 반응실(26)의 내부가 저진공상태로 되면, 플라즈마 반응실(26) 내의 기류는 점성(粘性)흐름에 의존하게 된다. 이 때문에, 터보분자펌프(36,37)는 기류의 치우침을 방지하고, 클리닝가스가 플라즈마 반응실(26) 내부의 전체에 고르게 미치도록 하기 위하여 위 설명과 같이 플라즈마 반응실(26)의 중심으로서 대칭이 되는 위치에 장착하는 것이 바람직하다.
또, 터보분자펌프(36,37)는 고진공 분위기 하에서 콘덕턴스를 올리고, 배기효율을 향상시키기 위하여, 가급적 플라즈마 반응실(26)에 가까운 위치에 장착하는 것이 바람직하다.
제 1a 도 및 제 1b 도는 각각, 종래의 ECR 플라즈마 CVD장치를 도시하는 개략도.
제 2 도는 본 발명의 ECR플라즈마 CVD장치의 한 예를 도시하는 개략도.
제 2 도는 제 2 도에 도시하는 ECR플라즈마 CVD장치의 버터플라이밸브를 도시하는 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>10 : CVD장치
10 : CVD 장치 11 : 플라즈마처리실
12 : 게이트벨브 13 : 터보분자펌프
14,17 : 밸브 15,41 : 드라이 펌프
16 : 바이패스 배기배관 18 : 클리닝가스 공급원
19 : 마이크로파 전원 21 : 도파관
22 : 도파창 23 : 플리즈마 생성실
24 : 여자(勵磁) 솔레노이드 25 : 제 1 가스도입계
26 : 플라즈마 반응실 27 : 인출용 창
28 : 제 2 가스도입계 29 : 기판홀더
30 : 서브 솔레노이드 31 : 고주파 전원
32,33 : 배기구 34,35 : 버터플라이밸브
36,37 : 터보분자펌프 38,39 : 배기배관
40 : 조절밸브 42 : 배관내벽
43 : 실란가스 공급원 44 : 질소가스 공급원
45 : 제 3 가스 도입계 46 : F도프가스 공급원
47 : 산소가스 공급원 50 : 회전축
51 : 플랩퍼 52 :내벽
51a,51b : 양면의 면

Claims (8)

  1. 처리실과,
    상기 처리실내에 가스를 공급하기 위한 공급기구와,
    상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와,
    상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기 위한 고진공펌프와,
    상기 처리실과 상기 고진공펌프와의 접속로를 개폐하기위한 버터플라이밸브를 구비하는 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 처리실내를 제 1 압력으로 설정한 상태에서 주(主) 플라즈마 처리공정을 행한 후, 상기 플라즈마 처리장치를 플라즈마 클리닝하는 방법으로서,
    상기 주 플라즈마 처리공정에서, 상기 고진공펌프의 작동을 계속한 상태에서 상기 버터플라이밸브를 패쇄상태로 함으로써 상기 처리실내를 상기 제 1 압력보다도 높은 제 2 압력으로 설정하는 공정과,
    상기 제 2 압력으로 설정한 상기 처리실내에 클리닝가스를 공급하는 공정과,
    상기 클리닝가스를 플라즈마화하여 클리닝처리를 행하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 버터플라이밸브는 수평을 기준으로 하여 180° 회전가능한 플랩퍼에 의해 상기 접속로를 개폐하는 밸브이고, 상기 클리닝 처리에 있어서는 상기 플랩퍼의 제 1 면을 상기 처리실측에 대향시킴과 동시에, 다음의 주 플라즈마처리공정후의 다음 클리닝처리에 있어서는, 상기 제 1 면과 반대측의 상기 플립퍼의 제 2면을 상기 처리실측에 대향시키는 것을 특징으로하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 압력은 0.5∼5 mTorr 이고, 상기 제 2 압력은 0.1∼2 Torr 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법.
  4. 처리실과,
    상기 처리실내에 가스를 공급하기 위한 공급기구와,
    상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와,
    상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기 위한 고진공펌프를 구비하는 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 처리실내를 제 1 압력으로 설정한 상태에서 주 플라즈마 처리공정을 행한 후, 상기 플라즈마 처리장치를 플라즈마 클리닝하는 방법으로서,
    상기 주 플라즈마 처리공정에서, 상기 고진공펌프의 작동을 계속한 상태에서 상기 고진공펌프의 회전수를 내림으로써 상기 처리실내를 상기 제 1 압력보다도 높은 제 2 압력으로 설정하는 공정과,
    상기 제 2 압력으로 설정한 상기 처리실내에 클리닝가스를 공급하는 공정과,
    상기 클리닝가스를 플라즈마화하여 클리닝처리를 행하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 제 1 압력은 0.5∼5 mTorr 이고, 상기 제 2 압력은 0.1∼2 Torr 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 플라즈마 클리닝방법.
  6. 처리실과,
    상기 처리실내에 메인 처리가스 및 클리닝가스를 선택적으로 공급하기 위한 공급기구와,
    상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와,
    상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기 위한 고진공펌프와,
    상기 처리실과 상기 고진공펌프와의 접속로를 개폐하기 위한 버터플라이밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 버터플라이밸브는 수평을 기준으로 하여 180° 회전이 가능한 플랩퍼에 의해 상기 접속로를 개폐하는 밸브인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 처리실과,
    상기 처리실내에 주 처리가스 및 클리닝가스를 선택적으로 공급한기 위한 공급기구와,
    상기 처리실내에 공급된 가스를 플라즈마화하기 위한 여기(勵起)기구와,
    상기 처리실내를 고진공 분위기로 설정하기 위한 고진공펌프로서, 회전수의 제어가 가능한 고진공펌프를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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