JP2021019057A

JP2021019057A - 複合積層基板及び電子機器

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Publication number: JP2021019057A
Application number: JP2019133110A
Authority: JP
Inventors: 俊樹岩井; Toshiki Iwai; 泰治酒井; Taiji Sakai
Original assignee: Fujitsu Interconnect Technologies Ltd
Current assignee: FICT Ltd
Priority date: 2019-07-18
Filing date: 2019-07-18
Publication date: 2021-02-15
Anticipated expiration: 2039-07-18
Also published as: JP7401988B2

Abstract

【課題】優れた接続信頼性を得ることができる複合積層基板及び電子機器を提供する。【解決手段】複合積層基板は、第１の配線を有する第１の基板と、前記第１の基板に積層され、第２の配線を有し、前記第１の基板に対向する面に前記第２の配線に達する開口部が形成された第２の基板と、前記開口部内に設けられ、前記第２の配線に接続された導電性ペーストと、前記第１の配線に接続され、前記開口部内で前記導電性ペーストに接触する導電性ポストと、を有し、前記第１の基板は、樹脂を基材とし、前記第２の基板は、ガラスを基材とし、前記導電性ペーストの弾性率は、前記樹脂の弾性率より低い。【選択図】図１

Description

本発明は、複合積層基板及び電子機器に関する。

配線基板は、絶縁層と絶縁層上に形成された配線とを含む。従来、絶縁層にガラス板又は樹脂層が用いられている。また、ガラス板及び樹脂層の両方を絶縁層に用いた配線基板も知られている。

特開２００５−２５９８０１号公報特開２０１６−１１１２４４号公報特開２０１７−２２８７２７号公報特開２０１７−１０７９３４号公報特開２０１５−１７７１７４号公報

用途及びコスト等の観点から、ガラス板を用いた配線基板と樹脂層を用いた配線基板とを積層して複合積層基板を構成することが考えられる。このような複合積層基板では、樹脂の熱膨張率がガラスの熱膨張率より大きいため、製造中又は使用時に温度変化が生じると、樹脂層を用いた配線基板がガラス板を用いた配線基板よりも大きく変形しようとする。従って、互いに逆方向の熱応力が作用する。そして、特にガラス基板は脆いため、熱応力によってガラス基板にクラックが発生しやすい。クラックの発生はショート、断線、層間ビアの破断等を引き起こし得る。このため、優れた接続信頼性を得ることが困難である。従って、優れた接続信頼性を得ることが困難である。

本開示の目的は、優れた接続信頼性を得ることができる複合積層基板及び電子機器を提供することにある。

本開示の一形態によれば、第１の配線を有する第１の基板と、前記第１の基板に積層され、第２の配線を有し、前記第１の基板に対向する面に前記第２の配線に達する開口部が形成された第２の基板と、前記開口部内に設けられ、前記第２の配線に接続された導電性ペーストと、前記第１の配線に接続され、前記開口部内で前記導電性ペーストに接触する導電性ポストと、を有し、前記第１の基板は、樹脂を基材とし、前記第２の基板は、ガラスを基材とし、前記導電性ペーストの弾性率は、前記樹脂の弾性率より低い複合積層基板が提供される。

本開示によれば、優れた接続信頼性を得ることができる。

第１の実施形態に係る複合積層基板の構成を示す断面図である。第１の実施形態に係る複合積層基板の作用を示す断面図である。第２の実施形態に係る複合積層基板の構成を示す断面図である。第２の実施形態に係る複合積層基板の作用を示す断面図である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その１）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その２）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その３）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その４）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その５）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その６）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その７）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その８）である。第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図（その９）である。導電性ポストの形状の一例を示す断面図である。第３の実施形態に係る電子機器を示す断面図である。

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。なお、便宜上、平面視とは、基板の主面に垂直な方向から対象物を視ることをいう。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る複合積層基板の構成を示す断面図である。

図１に示すように、第１の実施形態に係る複合積層基板１００は、第１の配線１２０を有する第１の基板１１０と、第１の基板１１０に積層された第２の基板１３０とを有する。第２の基板１３０は第２の配線１４０を有し、第２の基板１３０の第１の基板１１０に対向する面１３０Ａに第２の配線１４０に達する開口部１３０Ｂが形成されている。複合積層基板１００は、更に、開口部１３０Ｂ内に設けられ、第２の配線１４０に接続された導電性ペースト１５０と、第１の配線１２０に接続され、開口部１３０Ｂ内で導電性ペースト１５０に接触する導電性ポスト１６０とを有する。第１の基板１１０は樹脂を基材とし、第２の基板１３０はガラスを基材とする。導電性ペースト１５０の弾性率は、第１の基板１１０の基材の樹脂の弾性率より低い。

ここで、複合積層基板１００の作用について説明する。図２は、第１の実施形態に係る複合積層基板の作用を示す断面図である。

複合積層基板１００に温度変化が生じると、樹脂の熱膨張率がガラスの熱膨張率より大きいため、樹脂を基材とする第１の基板１１０が、ガラスを基材とする第２の基板１３０よりも大きく熱変形しようとする。このとき、導電性ポスト１６０は、第１の配線１２０に接続されているため、第１の基板１１０の熱変形に付随して移動しようとする。また、複合積層基板１００では、導電性ペースト１５０の弾性率が、第１の基板１１０の基材の樹脂の弾性率より低い。このため、図２に示すように、導電性ポスト１６０は容易に移動することができる。そして、導電性ポスト１６０の移動により、第１の基板１１０と第２の基板１３０との間の熱応力が緩和される。従って、第２の基板１３０の基材であるガラスのクラック等を抑制し、優れた接続信頼性を得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図３は、第２の実施形態に係る複合積層基板の構成を示す断面図である。

図３に示すように、第２の実施形態に係る複合積層基板２００は、第１の基板２１０と、第１の基板２１０に積層された第２の基板２３０とを有する。第１の基板２１０は樹脂を基材とし、第２の基板２３０はガラスを基材とする。例えば、第２の基板２３０の基材であるガラスの弾性率は、第１の基板２１０の基材である樹脂の弾性率より高い。

第１の基板２１０は、互いに積層された３つの樹脂層２１１、２１２及び２１３を有する。樹脂層２１１〜２１３は、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を含む。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂又はフッ素樹脂等が用いられる。熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂等が用いられる。樹脂層２１１〜２１３に含まれる樹脂の弾性率は、例えば、常温で４．０ＧＰａ〜３０．０ＧＰａ程度である。樹脂層２１１〜２１３がガラス繊維等の繊維を含んでいてもよく、シリカフィラー等のフィラーを含んでいてもよい。なお、第１の基板２１０に含まれる樹脂層の数は３に限定されず、１層以上でよい。

第１の基板２１０は、４つの配線層２２１、２２２、２２３及び２２４を有する。配線層２２１は、樹脂層２１１の樹脂層２１２とは反対側の面に設けられている。配線層２２２は、樹脂層２１１と樹脂層２１２との間に設けられている。配線層２２３は、樹脂層２１２と樹脂層２１３との間に設けられている。配線層２２４は、樹脂層２１３の樹脂層２１２とは反対側の面に設けられている。配線層２２１〜２２４は、例えばＣｕを含む。配線層２２４は第１の配線の一例である。

第１の基板２１０は、樹脂層２１１内の導電性ペースト２７１と、樹脂層２１２内の導電性ペースト２７２と、樹脂層２１３内の導電性ペースト２７３とを有する。導電性ペースト２７１は、配線層２２１及び２２２に接触し、配線層２２１と配線層２２２とを互いに電気的に接続する。導電性ペースト２７２は、配線層２２２及び２２３に接触し、配線層２２２と配線層２２３とを互いに電気的に接続する。導電性ペースト２７３は、配線層２２３及び２２４に接触し、配線層２２３と配線層２２４とを互いに電気的に接続する。導電性ペースト２７１〜２７３は、樹脂と金属との混合物を含む。例えば、導電性ペースト２７１〜２７３に用いられる樹脂は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂であり、導電性ペースト２７１〜２７３に用いられる金属は、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｎｉ若しくはＰｂ又はこれらの任意の組み合わせである。

第１の基板２１０は、樹脂層２１３及び配線層２２４を覆うソルダレジスト層２１４を有する。ソルダレジスト層２１４には、配線層２２４の一部を露出する開口部２１４Ａが形成されている。

第２の基板２３０は、互いに積層された３つのガラス板２３１、２３２及び２３３を有する。ガラス板２３１〜２３３は、例えば、弾性率が８０ＧＰａ程度のアルカリフリーガラスの板である。なお、第２の基板２３０に含まれるガラス板の数は３に限定されず、例えば１でもよい。

第２の基板２３０は、３つの配線層２４１、２４２及び２４３を有する。配線層２４１は、ガラス板２３１とガラス板２３２との間に設けられている。配線層２４２は、ガラス板２３２とガラス板２３３との間に設けられている。配線層２４３は、ガラス板２３３のガラス板２３２とは反対側の面に設けられている。配線層２２１〜２２４は、例えばＣｕを含む。配線層２４１は第２の配線の一例である。ガラス板２３２に貫通孔２３２Ａが形成されており、配線層２４２は貫通孔２３２Ａを通じてガラス板２３２のガラス板２３１側の面まで達している。
ガラス板２３３に貫通孔２３３Ａが形成されており、配線層２４３は貫通孔２３３Ａを通じてガラス板２３３のガラス板２３２側の面まで達している。

第２の基板２３０は、ガラス板２３１とガラス板２３２とを接着する接着層２８１と、ガラス板２３２とガラス板２３３とを接着する接着層２８１とを有する。接着層２８１〜２８２は、例えば、ガラスフィラーを含むエポキシの層である。接着層２８１〜２８２に、エポキシ以外の熱硬化性材料を用いてもよく、熱可塑性材料、例えばポリイミドを用いてもよく、液晶ポリマー等を用いてもよい。

第２の基板２３０は、配線層２４１及び２４２に接触し、配線層２４１と配線層２４２とを互いに電気的に接続する導電性ペースト２９２と、配線層２４２及び２４３に接触し、配線層２４２と配線層２４３とを互いに電気的に接続する導電性ペースト２９３とを有する。導電性ペースト２９２〜２９３は、樹脂と金属との混合物を含む。例えば、導電性ペースト２９２〜２９３に用いられる樹脂は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂であり、導電性ペースト２９２〜２９３に用いられる金属は、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｎｉ若しくはＰｂ又はこれらの任意の組み合わせである。

第２の基板２３０の第１の基板２１０に対向する面２３０Ａに配線層２４１に達するビアホール２３０Ｂが形成されている。ビアホール２３０Ｂの形状は、例えば、配線層２４１から離間するほど径が大きくなるテーパ形状である。また、例えば、ビアホール２３０Ｂの内壁面は、面２３０Ａから配線層２４１に近づくほど急峻になっている。例えば、面２３０Ａが平面を有し、この平面からビアホール２３０Ｂの内壁面の傾斜が連続して変化していることが好ましい。傾斜が不連続になる点、すなわち尖った点はクラックの起点になりやすいからである。ビアホール２３０Ｂの面２３０Ａ側の開口径は、開口部２１４Ａの開口径より大きく、平面視で、ビアホール２３０Ｂの面２３０Ａ側の縁は、開口部２１４Ａの外側に位置する。

複合積層基板２００は、ビアホール２３０Ｂ内に設けられ、配線層２４１に接続された導電性ペースト２５０を有する。導電性ペースト２５０は、樹脂と金属との混合物を含む。例えば、導電性ペースト２５０に用いられる樹脂は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂であり、導電性ペースト２５０に用いられる金属は、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｎｉ若しくはＰｂ又はこれらの任意の組み合わせである。導電性ペースト２５０の弾性率は、第１の基板２１０の基材の樹脂の弾性率より低い。導電性ペーストの弾性率は、例えば、常温で１．０ＧＰａ〜５．０ＧＰａ程度である。例えば、少なくとも−５５℃〜３００℃の温度範囲で、導電性ペースト２５０の弾性率は第１の基板２１０の基材の樹脂の弾性率より低く、特に使用温度（−５５℃〜１２５℃）において弾性率が低い。

複合積層基板２００は、面２３０Ａ上に設けられた接着層２５１を有する。接着層２５１には、ビアホール２３０Ｂと繋がる開口部２５１Ａが形成されている。導電性ペースト２５０は開口部２５１Ａ内にも設けられている。接着層２５１により、第１の基板２１０と第２の基板２３０とが接着されている。

複合積層基板２００は、配線層２２４に接続され、ビアホール２３０Ｂ内で導電性ペースト２５０に接触する導電性ポスト２６０を有する。導電性ポスト２６０は配線層２２４に接続されている。導電性ポスト２６０は、例えば金属結合により配線層２２４に固定されている。導電性ポスト２６０は配線層２２４上に開口部２１４Ａを貫通するようにして形成されている。導電性ポスト２６０は、例えば、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ若しくはＡｕ又はこれらの任意の組み合わせを含む。導電性ポスト２６０は、例えば、配線層２２４から離間するほど径が小さくなる形状であればよく、円錐台の形状や多角錐台の形状を有する。

ここで、複合積層基板２００の作用について説明する。図４は、第２の実施形態に係る複合積層基板の作用を示す断面図である。

複合積層基板２００に温度変化が生じると、樹脂を基材とする第１の基板２１０が、ガラスを基材とする第２の基板２３０よりも大きく熱変形しようとする。このとき、導電性ポスト２６０は、配線層２２４に接続され、かつ配線層２２４と金属結合しているため、第１の基板２１０の熱変形に付随して移動しようとする。また、複合積層基板２００では、導電性ペースト２５０の弾性率が、第１の基板２１０の基材の樹脂の弾性率より低い。このため、図４に示すように、導電性ポスト２６０は容易に移動することができる。そして、導電性ポスト２６０の移動により、第１の基板２１０と第２の基板２３０との間の熱応力が緩和される。従って、第２の基板２３０の基材であるガラスのクラック等を抑制し、優れた接続信頼性を得ることができる。

次に、第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法について説明する。図５Ａ〜図５Ｉは、第２の実施形態に係る複合積層基板２００の製造方法を示す断面図である。

まず、図５Ａに示すように、第１の基板２１０を準備し、図５Ｂに示すように、第２の基板２３０を準備する。この時点で、第２の基板２３０にビアホール２３０Ｂは形成されていない。

次いで、図５Ｃに示すように、ガラス板２３１にビアホール２３０Ｂを形成する。ビアホール２３０Ｂの形成では、例えば、レーザ光の照射により、ガラス板２３１のビアホール２３０Ｂを形成しようとする部分を改質し、ふっ酸を用いたエッチングを行う。レーザ光の光源には、炭酸ガス（ＣＯ_２）レーザ又は紫外線（ＵＶ）レーザ等を用いることができる。サンドブラスト又はドリル加工等によりビアホール２３０Ｂを形成してもよい。また、これらの加工方法のうちの複数を組み合わせてもよい。

その後、図５Ｄに示すように、ドライフィルム型の接着層２５１を面２３０Ａに形成し、接着層２５１に開口部２５１Ａを形成する。開口部２５１Ａは、例えばＣＯ_２レーザ光の照射により形成することができる。その他にサンドブラストやプラズマエッチングなどの方法で形成してもよい。

次いで、図５Ｅに示すように、ビアホール２３０Ｂ及び開口部２５１Ａ内に導電性ペースト２５０を設ける。導電性ペースト２５０は、例えばスクリーン印刷法により設けることができる。

また、図５Ｆに示すように、開口部２１４Ａを露出する開口部２９０Ａを備えたドライフィルムレジスト２９０をソルダレジスト層２１４上に形成する。

次いで、図５Ｇに示すように、配線層２２４の開口部２１４Ａ及び２９０Ａから露出する部分上にめっき膜２６１を形成する。めっき膜２６１は配線層２２４と金属結合する。

その後、図５Ｈに示すように、ドライフィルムレジスト２９０を除去する。更に、めっき膜２６１に等方性エッチングを施すことにより、導電性ポスト２６０を形成する。

続いて、図５Ｉに示すように、接着層２５１を間に挟んで第１の基板２１０と第２の基板２３０とを積層し、熱間プレスする。この結果、接着層２５１及び導電性ペースト２５０が軟化した後に硬化し、複合積層基板２００が完成する。

熱間プレスの際に、樹脂を基材とする第１の基板２１０が、ガラスを基材とする第２の基板２３０よりも大きく熱変形しようとするが、導電性ポスト２６０が容易に面内方向で移動することができる。このため、熱間プレスの際にも、第１の基板２１０と第２の基板２３０との間の熱応力を緩和し、第２の基板２３０の基材であるガラスのクラック等を抑制し、優れた接続信頼性を得ることができる。

なお、導電性ポスト２６０の形状は円錐台に限定されず、円柱又は角柱等の形状であってもよい。ただし、導電性ポスト２６０の形状を円錐台に近似したときに、下記の条件が満たされていることが好ましい。図６は、導電性ポスト２６０の形状の一例を示す断面図である。ここでは、導電性ポスト２６０の配線層２２４から最も離間した点を通り、面２３０Ａに平行な面を面Ｐ１とする。面Ｐ１は、第１の基板２１０及び第２の基板２３０の厚さ方向に垂直な平面である。

面Ｐ１におけるビアホール２３０Ｂの径Ｄ１は、第２の基板２３０内のビアホール２３０Ｂが形成されたガラス板２３１を除くガラス板、すなわちガラス板２３２、２３３に形成された貫通孔２３２Ａ、２３３Ａの最大径Ｄ２よりも大きいことが好ましい。導電性ポスト２６０が面内方向で移動できる範囲を広く確保するためである。

ビアホール２３０Ｂの内壁面と面Ｐとが交わる交線上において、ビアホール２３０Ｂの内壁面と面Ｐとのなす角の角度θ２は、導電性ポスト２６０を近似した円錐台の側面と面Ｐ１とのなす角の角度θ１より大きいことが好ましい。導電性ポスト２６０が面内方向で移動できる範囲を広く確保するためである。角度θ１は第１の傾斜角度の一例であり、角度θ２は第２の傾斜角度の一例である。

ビアホール２３０Ｂの配線層２４１側の端部もテーパ形状に加工されていてもよい。つまり、ガラス板２３１の厚さ方向の途中から第１の基板２１０側の端部に向かって径が大きくなるだけでなく、配線層２４１側の端部に向かっても径が大きくなっていてもよい。

貫通孔２３２Ａ、２３３Ａの形状は限定されない。例えば、貫通孔２３２Ａ、２３３Ａの形状は、ガラス板２３２、２３３の各々において、一方の面から他方の面に向かって径が小さくなる片側テーパ形状でもよい。また、貫通孔２３２Ａ、２３３Ａの形状は、ガラス板２３２、２３３の各々において、両方の面から厚さ方向の中心に向かって径が小さくなる両側テーパ形状でもよい。

なお、第２の基板２３０に含まれるガラス板の数は複数に限定されず、１であってもよい。また、複合積層基板２００に含まれる第１の基板２１０及び第２の基板２３０の数は限定されず、例えば、複合積層基板２００が、交互に積層された第１の基板２１０と第２の基板２３０とを含んでいてもよい。また、複合積層基板２００の表裏に第１の基板２１０が配置されていてもよく、複合積層基板２００の表裏に第２の基板２３０が配置されていてもよい。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、第２の実施形態に係る複合積層基板２００を含む電子機器に関する。図７は、第３の実施形態に係る電子機器を示す断面図である。

第３の実施形態に係る電子機器３００は、複合積層基板２００と、複合積層基板２００上に実装された電子部品３１０とを有する。電子部品３１０は、例えば、集積回路（integrated circuit：ＩＣ）チップである。電子部品３１０は、本体３１１と、本体３１１の複合積層基板２００側に設けられた外部端子３１２とを有する。外部端子３１２と配線層２４３とが、はんだボール等の導電材３２０を介して互いに接続されている。本体３１１と複合積層基板２００との間の空間はアンダーフィル３３０により充填されている。

電子部品３１０を複合積層基板２００に実装する際には、例えば２５０℃〜２６０℃程度の温度でのリフローが行われる。このリフローの際に複合積層基板２００に温度変化が生じるが、上記のように、第２の基板１３０の基材であるガラスのクラック等を抑制し、優れた接続信頼性を得ることができる。

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）
第１の配線を有する第１の基板と、
前記第１の基板に積層され、第２の配線を有し、前記第１の基板に対向する面に前記第２の配線に達する開口部が形成された第２の基板と、
前記開口部内に設けられ、前記第２の配線に接続された導電性ペーストと、
前記第１の配線に接続され、前記開口部内で前記導電性ペーストに接触する導電性ポストと、
を有し、
前記第１の基板は、樹脂を基材とし、
前記第２の基板は、ガラスを基材とし、
前記導電性ペーストの弾性率は、前記樹脂の弾性率より低いことを特徴とする複合積層基板。
（付記２）
前記導電性ポストは、前記第１の配線に固定されていることを特徴とする付記１に記載の複合積層基板。
（付記３）
前記開口部の径は、前記第１の基板に向けて径が大きくなことを特徴とする付記１又は２に記載の複合積層基板。
（付記４）
前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面は、平面を有し、
前記開口部の内壁面の傾斜は、前記平面から連続して変化していることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の複合積層基板。
（付記５）
前記導電性ポストの径は、前記第２の基板に向けて小さくなることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の複合積層基板。
（付記６）
前記導電性ポストを近似した円錐台の側面の、前記第１の基板及び前記第２の基板の厚さ方向に垂直な平面からの第１の傾斜角度は、
前記開口部の内壁面の、前記第１の基板及び前記第２の基板の厚さ方向に垂直な平面のうちで前記導電性ポストの前記第２の配線から最も離間した点を通る平面と交わる交線上での第２の傾斜角度より大きいことを特徴とする付記５に記載の複合積層基板。
（付記７）
前記第２の基板は、互いに積層された複数のガラス板を含み、
前記複数のガラス板のうちの一つのガラス板に前記開口部が形成され、
前記複数のガラス板のうちの残りのガラス板に貫通孔が形成され、
前記第１の基板及び前記第２の基板の厚さ方向に垂直な平面のうちで前記導電性ポストの前記第２の配線から最も離間した点を通る平面における前記開口部の径は、前記貫通孔の最大径より大きいことを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の複合積層基板。
（付記８）
前記ガラスの弾性率は、前記樹脂の弾性率より高いことを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項に記載の複合積層基板。
（付記９）
付記１乃至８のいずれか１項に記載の複合積層基板と、
前記複合積層基板上に実装された電子部品と、
を有することを特徴とする電子機器。

１００、２００：複合積層基板
１１０、２１０：第１の基板
１２０：第１の配線
１３０、２３０：第２の基板
１３０Ａ、２３０Ａ：面
１３０Ｂ：開口部
１４０：第２の配線
１５０、２５０：導電性ペースト
１６０、２６０：導電性ポスト
２１１、２１２、２１３：樹脂層
２２１、２２２、２２３、２２４、２４１、２４２、２４３：配線層
２３０Ｂ：ビアホール
２３１、２３２、２３３：ガラス板
３００：電子機器
３１０：電子部品

Claims

第１の配線を有する第１の基板と、
前記第１の基板に積層され、第２の配線を有し、前記第１の基板に対向する面に前記第２の配線に達する開口部が形成された第２の基板と、
前記開口部内に設けられ、前記第２の配線に接続された導電性ペーストと、
前記第１の配線に接続され、前記開口部内で前記導電性ペーストに接触する導電性ポストと、
を有し、
前記第１の基板は、樹脂を基材とし、
前記第２の基板は、ガラスを基材とし、
前記導電性ペーストの弾性率は、前記樹脂の弾性率より低いことを特徴とする複合積層基板。
前記導電性ポストは前記第１の配線に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の複合積層基板。
前記開口部の径は、前記第１の基板に向けて径が大きくなことを特徴とする請求項１又は２に記載の複合積層基板。
前記第２の基板の前記第１の基板に対向する面は、平面を有し、
前記開口部の内壁面の傾斜は、前記平面から連続して変化していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の複合積層基板。
前記導電性ポストの径は、前記第２の基板に向けて小さくなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の複合積層基板。
前記導電性ポストを近似した円錐台の側面の、前記第１の基板及び前記第２の基板の厚さ方向に垂直な平面からの第１の傾斜角度は、
前記開口部の内壁面の、前記第１の基板及び前記第２の基板の厚さ方向に垂直な平面のうちで前記導電性ポストの前記第２の配線から最も離間した点を通る平面と交わる交線上での第２の傾斜角度より大きいことを特徴とする請求項５に記載の複合積層基板。
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の複合積層基板と、
前記複合積層基板上に実装された電子部品と、
を有することを特徴とする電子機器。