JP2021010014A - 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション - Google Patents
突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021010014A JP2021010014A JP2020160004A JP2020160004A JP2021010014A JP 2021010014 A JP2021010014 A JP 2021010014A JP 2020160004 A JP2020160004 A JP 2020160004A JP 2020160004 A JP2020160004 A JP 2020160004A JP 2021010014 A JP2021010014 A JP 2021010014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic device
- ntc
- connecting member
- ntc element
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 26
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 22
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000037237 body shape Effects 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 10
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000009958 sewing Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1413—Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/001—Mass resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/041—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient formed as one or more layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Description
部(複数)の間の電気抵抗を表している。
くはこの固定部材は、バッテリ配線への電気的に導通した接続を生成するように構成されて配設されている。好ましくはこの固定部材はさらに、バッテリ配線への機械的結合を生成するように構成されて配設されている。好ましくはこの固定部材はさらに、上記の接続部材(複数)間の(間接的な)機械的結合を生成するように構成されて配設されている。
La(1−x)EA(x)Mn(1−a−b−c)Fe(a)Co(b)Ni(c)O(3±δ)
上式で0≦x≦0.5、および0≦(a+b+c)≦0.5である。EAは、アルカリ土類元素、たとえばMg,Ca,Sr,またはBaを表す。δは、化学当量的な酸素の比率からのずれ(酸素過多あるいは酸素不足)を表す。好ましくは|δ|≦0.5であり、とりわけ好ましくは|δ|=0である。たとえば、上記のNTCセラミックは、La0.95Sr0.05MnO3の組成を備える。
、たとえば複合金属板として構成されてよい。この複合材料は、銅−インバール−銅(CIC)を備えてよい。材料として、インバールの代わりにコバールまたはモリブデンが用いられてもよい。インバールあるいはコバールあるいはモリブデンは、小さな熱膨張係数を有する。典型的には、これらの材料熱膨張係数は、10ppm/K以下となっており、たとえば7ppm/Kとなっている。これによってコバール/インバール/モリブデンの膨張係数はNTC素子2の膨張係数に非常に近いものとなっている。上記の複合材料の層(複数)の厚さの比を適切に選択することにより、接続部材3の膨張係数は、このNTC素子2の膨張係数に良好に合わせ込むことができる。熱応力は低減あるいは避けることができる。
図9は、図8に示す電子デバイスの1つの部分領域の上面図を示す。
成されている(図9参照)。これらの膨張ギャップ15は、0.05mm〜0.2mmの幅、たとえば0.1mmの幅を有する。これらの膨張ギャップ15により、所定の動作の際に上記のNTC素子2において、より小さな熱応力が生成される。
2 : NTC素子/NTCセラミック
2a : セグメント
3 : 接続部/接続部材
3a : 第1の部分領域
3b : 第2の部分領域
3c : 第3の部分領域
4 : 張力緩和部
5 : ケーブルシュー
6 : ハウジング
6a : 穴
7 : 結合材料
8 : 穴
9 : スペーサ
9a : 穴
10 : ナット
11 : ねじ棒
12a : 負側接続部材
12b : 正側接続部材
13 : 端部領域
14 : 絶縁性の部材
15 : 膨張ギャップ
L : 長手方向の軸
V : 垂直方向の軸
Claims (16)
- 突入電流制限のための電子デバイス(1)であって、
少なくとも1つのNTC素子(2)と、
少なくとも2つの導電性の接続部材(3)と、
を備え、
前記NTC素子(2)は、1つの結合材料(7)を介してそれぞれの前記接続部材(3)と電気的に導通して結合されており、
それぞれの前記接続部材(3)の熱膨張係数は、前記NTC素子(2)の熱膨張係数に合わせ込まれており、
前記NTC素子(2)は、25℃の温度で公称抵抗R25≦1Ωを備え、
前記電子デバイス(1)は、12V及び24V電源における直流電圧で1000Aまでの電流での使用に適用されうる、ことを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1に記載の電子デバイスにおいて、
前記NTC素子(2)は、上面および下面を備え、
前記上面および前記下面は、少なくとも部分的にそれぞれの接続部材(3)によって電気的に導通して接続されている、ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記接続部材(3)は、1つの複合材料を備える、ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイス。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子デバイスにおいて、
前記接続部材(3)は、銅を含み、
前記接続部材(3)は、インバールまたはコバールを含む、ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記接続部材(3)は、銅−インバール−銅の1つのシート構造を備え、10%≦銅≦30%,50%≦インバール/コバール≦80%,10%≦銅≦30%の厚さの比を有する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記結合材料(7)は、焼結銀を含むこと、を特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記NTC素子(2)は、2個,3個,またはこれ以上のセグメント(2a)を備える、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイス(1)の初期状態における前記NTC素子(2)の電気比抵抗は、2Ωcm以下である、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記接続部材(3)は、厚さdを有し、0.3mm≦d≦0.8mmとなっている、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記NTC素子(2)は、厚さdを有し、100μm≦d≦600μmとなっている、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電子デバイスにおいて、
前記電子デバイス(1)は、複数のNTC素子(2)および複数の接続部材(3)を備え、
複数の前記NTC素子(2)は互いに並列に回路接続されている、ことを特徴とする電子デバイス。 - 請求項11に記載の電子デバイスにおいて、
前記NTC素子(2)は積層体形状に上下に重なって配設されており、
隣り合った2つの前記NTC素子(2)の間には、それぞれ1つの接続部材(3)が配設されており、
複数の前記NTC素子(2)は、前記接続部材(3)を介して互いに熱的にカップリングされている、ことを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電子デバイスにおいて、
前記NTC素子(2)は、以下の組成
La(1−x)EA(x)Mn(1−a−b−c)Fe(a)Co(b)Ni(c)O(3±δ)
を備え、
0≦x≦0.5、および0≦(a+b+c)≦0.5であり、EAはアルカリ土類元素を表し、δは、化学当量的な酸素の比率からのずれを表し、当該アルカリ土類元素(EA)は、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、またはバリウムから選択されており、|δ|≦0.5となっている、ことを特徴とする電子デバイス。 - 前記NTC素子(2)は、7ppm/K〜10ppm/Kの熱膨張係数を備える、ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 請求項1乃至14のいずれか1項に記載の電子デバイスにおいて、
前記電子デバイス(1)は、1つの固定部材(10,11)を備え、
前記固定部材(10,11)は、−40℃の動作温度での前記NTC素子(2)の抵抗と同じかあるいは大きくなっている電気抵抗を有する、ことを特徴とする電子デバイス。 - 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の電子デバイス(1)の、自動車分野におけるスタート/ストップシステムへのアプリケーション。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016107931.6A DE102016107931A1 (de) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements |
DE102016107931.6 | 2016-04-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554544A Division JP2019523980A (ja) | 2016-04-28 | 2017-04-18 | 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021010014A true JP2021010014A (ja) | 2021-01-28 |
JP7186753B2 JP7186753B2 (ja) | 2022-12-09 |
Family
ID=58668845
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554544A Pending JP2019523980A (ja) | 2016-04-28 | 2017-04-18 | 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション |
JP2020160004A Active JP7186753B2 (ja) | 2016-04-28 | 2020-09-24 | 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018554544A Pending JP2019523980A (ja) | 2016-04-28 | 2017-04-18 | 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11289244B2 (ja) |
EP (1) | EP3449490A1 (ja) |
JP (2) | JP2019523980A (ja) |
KR (1) | KR20180136944A (ja) |
CN (2) | CN114156027B (ja) |
DE (1) | DE102016107931A1 (ja) |
WO (1) | WO2017186527A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017215233A1 (de) * | 2017-08-31 | 2019-02-28 | Seg Automotive Germany Gmbh | NTC-Bauteil zum Einbau in den Stromkreis einer elektrischen Baueinheit |
DE102018104459A1 (de) * | 2018-02-27 | 2019-08-29 | Tdk Electronics Ag | Vielschichtbauelement mit externer Kontaktierung |
CN110698189B (zh) * | 2019-11-15 | 2021-11-02 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种镧离子掺杂的深低温热敏电阻材料及制备方法 |
CN114029493B (zh) * | 2021-09-16 | 2024-01-09 | 清华大学深圳国际研究生院 | 一种与ZnO-V2O5系压敏电阻共烧的纯银内电极及其制备方法与应用 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4447799A (en) * | 1981-01-30 | 1984-05-08 | General Electric Company | High temperature thermistor and method of assembling the same |
JPS63138705A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | ティーディーケイ株式会社 | サ−ミスタ素子およびその製造方法 |
JPH0470701U (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-23 | ||
JPH0729667A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Mitsubishi Materials Corp | 放電型サージアブソーバ及びその製造方法 |
US6081416A (en) * | 1998-05-28 | 2000-06-27 | Trinh; Hung | Lead frames for mounting ceramic electronic parts, particularly ceramic capacitors, where the coefficient of thermal expansion of the lead frame is less than that of the ceramic |
JP2011222737A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サーミスタ素子及び温度センサ |
JP2013197127A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子 |
JP2018510507A (ja) * | 2015-02-27 | 2018-04-12 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | セラミック素子用の電気接続用接点、セラミック素子および素子システム |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE620678C (de) * | 1933-05-23 | 1935-10-26 | Patra Patent Treuhand | Elektrische Widerstandsanordnung aus parallel geschalteten Widerstaenden mit hohem negativem Temperaturkoeffizienten |
NL77388C (ja) * | 1949-02-08 | 1955-02-15 | ||
FR1332617A (fr) * | 1962-06-02 | 1963-07-19 | Perfectionnements aux procédés de fabrication de résistances électriques et aux résistances fabriquées selon ces procédés | |
US3358362A (en) * | 1965-01-21 | 1967-12-19 | Int Resistance Co | Method of making an electrical resistor |
US3435399A (en) | 1966-04-19 | 1969-03-25 | Gen Electric | Thermistor device and method of producing said device |
JP2643396B2 (ja) * | 1988-12-15 | 1997-08-20 | 日立電線株式会社 | セラミックコンデンサに半田接合される板状のリード線 |
JP3346239B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2002-11-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
JPH11135304A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Murata Mfg Co Ltd | Ntcサーミスタ及び電流制限回路 |
JPH11340007A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | 負特性サーミスタおよび電子複写機 |
JP3801872B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2006-07-26 | 株式会社日立製作所 | 抵抗体素子および熱式流体測定計 |
DE10317466A1 (de) | 2003-04-16 | 2004-12-09 | Robert Bosch Gmbh | Elektromotor |
JP5059332B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-10-24 | 日本特殊陶業株式会社 | サーミスタ素子、これを用いた温度センサ、及びサーミスタ素子の製造方法 |
KR100732878B1 (ko) * | 2006-03-02 | 2007-07-02 | (주)성음하이텍 | 서미스터 온도 감지 회로를 장착한 사운드(보이스) 컵 |
DE102006053085A1 (de) | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Epcos Ag | Elektrische Baugruppe mit PTC-Widerstandselementen |
DE102006060387A1 (de) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Isabellenhütte Heusler Gmbh & Co. Kg | Widerstand, insbesondere SMD-Widerstand, und zugehöriges Herstellungsverfahren |
JP5398534B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2014-01-29 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミック材料およびntcサーミスタ |
US8228160B2 (en) * | 2008-11-14 | 2012-07-24 | Epcos Ag | Sensor element and process for assembling a sensor element |
JP5304822B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2013-10-02 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
KR101471829B1 (ko) * | 2010-06-24 | 2014-12-24 | 티디케이가부시기가이샤 | 칩 서미스터 및 그 제조 방법 |
DE102010053389A1 (de) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | Vishay Electronic Gmbh | Elektrischer Leistungswiderstand |
DE102012109704A1 (de) | 2012-10-11 | 2014-04-17 | Epcos Ag | Keramisches Bauelement mit Schutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN103066662B (zh) * | 2013-01-07 | 2015-08-05 | 雷星亮 | 应急电源 |
JP2015111652A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-06-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
DE202013009973U1 (de) * | 2013-11-04 | 2013-11-20 | Isabellenhütte Heusler Gmbh & Co. Kg | Widerstand, insbesondere niederohmiger Strommesswiderstand |
JP2015160224A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 日立金属株式会社 | 接合用材料 |
KR101646711B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2016-08-09 | (주) 래트론 | 온도 센서 소자 및 그 제조 방법 |
DE102014107450A1 (de) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Epcos Ag | Elektronisches Bauelement |
CN105006317A (zh) * | 2015-08-03 | 2015-10-28 | 成都顺康电子有限责任公司 | 一种玻璃封装ptc热敏电阻及其制作方法 |
DE102015121982A1 (de) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Epcos Ag | NTC-Keramik, elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
-
2016
- 2016-04-28 DE DE102016107931.6A patent/DE102016107931A1/de active Pending
-
2017
- 2017-04-18 EP EP17721065.5A patent/EP3449490A1/de active Pending
- 2017-04-18 KR KR1020187028851A patent/KR20180136944A/ko not_active IP Right Cessation
- 2017-04-18 CN CN202111490705.2A patent/CN114156027B/zh active Active
- 2017-04-18 JP JP2018554544A patent/JP2019523980A/ja active Pending
- 2017-04-18 US US16/090,805 patent/US11289244B2/en active Active
- 2017-04-18 WO PCT/EP2017/059132 patent/WO2017186527A1/de active Application Filing
- 2017-04-18 CN CN201780026076.3A patent/CN109074923A/zh active Pending
-
2020
- 2020-09-24 JP JP2020160004A patent/JP7186753B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4447799A (en) * | 1981-01-30 | 1984-05-08 | General Electric Company | High temperature thermistor and method of assembling the same |
JPS63138705A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | ティーディーケイ株式会社 | サ−ミスタ素子およびその製造方法 |
JPH0470701U (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-23 | ||
JPH0729667A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Mitsubishi Materials Corp | 放電型サージアブソーバ及びその製造方法 |
US6081416A (en) * | 1998-05-28 | 2000-06-27 | Trinh; Hung | Lead frames for mounting ceramic electronic parts, particularly ceramic capacitors, where the coefficient of thermal expansion of the lead frame is less than that of the ceramic |
JP2011222737A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サーミスタ素子及び温度センサ |
JP2013197127A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子 |
JP2018510507A (ja) * | 2015-02-27 | 2018-04-12 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | セラミック素子用の電気接続用接点、セラミック素子および素子システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114156027A (zh) | 2022-03-08 |
US20200118718A1 (en) | 2020-04-16 |
DE102016107931A1 (de) | 2017-11-02 |
WO2017186527A1 (de) | 2017-11-02 |
EP3449490A1 (de) | 2019-03-06 |
CN109074923A (zh) | 2018-12-21 |
US11289244B2 (en) | 2022-03-29 |
CN114156027B (zh) | 2024-10-01 |
KR20180136944A (ko) | 2018-12-26 |
JP2019523980A (ja) | 2019-08-29 |
JP7186753B2 (ja) | 2022-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7186753B2 (ja) | 突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスのアプリケーション | |
JP5264484B2 (ja) | 熱的に結合したmov過電圧要素とpptc過電流要素を有する回路保護デバイス | |
JP7475987B2 (ja) | Ntcセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法 | |
JP6210196B2 (ja) | 加熱装置 | |
JP2023505740A (ja) | センサ装置、センサ装置を有する電気装置及びセンサ装置を有する乗り物 | |
JP2024084854A (ja) | ポリマー正温度係数ボディ | |
US20210144811A1 (en) | PTC Heating Cell | |
JP6383013B2 (ja) | 電子デバイス | |
JP2019079774A (ja) | ヒータ及びヒータシステム | |
US20160190424A1 (en) | Multilayer Component Comprising an External Contact and Method for Producing a Multilayer Component Comprising an External Contact | |
US3414706A (en) | Self-regulating heating device | |
JP2663935B2 (ja) | 板状セラミックヒータ及びその製造方法 | |
JPH0329288A (ja) | 固定抵抗器 | |
US10978635B2 (en) | Piezoelectric element, piezoelectric actuator and piezoelectric transformer | |
JP7210019B2 (ja) | ヒータ | |
JP2511538B2 (ja) | 半導体感温素子 | |
JP2613408B2 (ja) | 積層型圧電アクチュエータ | |
JPH04365303A (ja) | 正抵抗温度係数発熱体およびその製造方法 | |
US803451A (en) | Rheostat. | |
KR20160014443A (ko) | Ptc 구조체 | |
JPS5953672B2 (ja) | 発熱体及びその製造方法 | |
JPS58147003A (ja) | 電気抵抗素子 | |
JPH02135681A (ja) | 正低抗温度係数発熱体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220106 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220908 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220908 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20220908 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220929 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20221012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7186753 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |