JP2020507922A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板上にハードマスク層を形成する方法であって、
   処理チャンバ内にシード層混合ガスを供給することによって、基板上にシード層を形成することと、
   前記処理チャンバ内に遷移層混合ガスを供給することよって、前記シード層上に、タングステン、ホウ素、及び炭素を含む遷移層を形成することと、
   前記処理チャンバ内に主要堆積混合ガスを供給することよって、前記遷移層上に、タングステン、ホウ素、及び炭素を含むバルクハードマスク層を形成することとを含む、
   方法。
2. 前記遷移層混合ガスが、少なくとも、ホウ素ベースの前駆体ガスと、炭素ベースの前駆体ガスと、タングステンベースの前駆体ガスとを含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記主要堆積混合ガスが、前記ホウ素ベースの前駆体ガスと、前記炭素ベースの前駆体ガスと、前記タングステンベースの前駆体ガスとを含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記シード層混合ガスが、少なくとも、前記ホウ素ベースの前駆体ガスと前記炭素ベースの前駆体ガスとを含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記ホウ素ベースの前駆体ガスはＢ_２Ｈ_６であり、前記炭素ベースの前駆体ガスはＣ_３Ｈ_６であり、前記タングステンベースの前駆体ガスはＷＦ_６である、請求項３に記載の方法。
6. 前記遷移層混合ガスが、前記ホウ素ベースの前駆体ガスの一定のガス流量を維持しつつ、前記炭素ベースの前駆体ガスのガス流量を減少させることによって、前記処理チャンバに供給される、請求項２に記載の方法。
7. 前記遷移層混合ガスが、前記タングステンベースの前駆体ガスのガス流量を漸増させることによって、前記処理チャンバに供給される、請求項６に記載の方法。
8. 前記主要堆積混合ガスが、前記ホウ素ベースの前駆体ガス、前記炭素ベースの前駆体ガス、及び前記タングステンベースの前駆体ガスを一定的に供給することによって、前記処理チャンバに供給される、請求項７に記載の方法。
9. 前記シード層を形成している間、前記遷移層を形成している間、および前記バルクハードマスク層を形成している間において、水素ベースの前駆体ガスを前記処理チャンバ内に供給することを更に含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記水素ベースの前駆体ガスを前記処理チャンバ内に供給することが、前記水素ベースの前駆体ガスを前記処理チャンバ内に一定的に供給することを含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記シード層を形成している間、および前記遷移層を形成している間において、高周波ＲＦ電力を勾配させることと、
    前記バルクハードマスク層を形成している間において、前記高周波ＲＦ電力を一定的に供給することとを更に含む、請求項１に記載の方法。
12. ハードマスク層を形成する方法であって、
    処理チャンバ内に配置されった基板の表面上に、少なくとも、ホウ素ベースの前駆体ガスと、炭素ベースの前駆体ガスとを含む混合ガスを供給して、シード層を形成することと、
    前記処理チャンバ内への前記ホウ素ベースの前駆体ガスの一定の流れを維持しつつ、前記炭素ベースの前駆体ガスを漸減し、前記混合ガスにおいて供給されるタングステンベースの前駆体ガスを漸増して、前記シード層上に遷移層を形成することと、
    前記混合ガスにおける前記タングステンベースの前駆体ガスを、前記タングステンベースの前駆体ガスが所定の流量に到達するまで継続的に供給し、且つ前記タングステンベースの前駆体ガスを一定の所定の流量に維持して、バルクハードマスク層を形成することと
    を含む、方法。
13. シード層と、遷移層と、前記遷移層上に配置されたバルクハードマスク層とを備えたハードマスク層であって、
    前記シード層が炭化ホウ素層であり、前記遷移層が勾配タングステン炭化ホウ素層であり、かつ、前記バルクハードマスク層がタングステン炭化ホウ素層である、ハードマスク層。
14. 約５０〜約７０原子パーセントのタングステンと、約１０〜約３０原子パーセントの炭素と、約１０〜約２０原子パーセントのホウ素とを含む、請求項１３に記載のハードマスク層。
15. 勾配膜構造を有する、請求項１３に記載のハードマスク層。