JP6624727B2 - 炭化ケイ素成長用原料粒子、炭化ケイ素成長用原料粒子の製造方法および炭化ケイ素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
このため、炭化ケイ素は、大電力パワーデバイス、耐高温半導体素子、耐放射線半導体素子、高周波半導体素子等への応用が可能であり、炭化ケイ素を使ったパワーエレクトロニクス技術が期待を集めている。
このような背景から、炭化ケイ素単結晶の成長技術について研究開発が精力的に進められ、実用化の促進に向けて主に製造コスト低減の観点から大口径化技術の確立が進められている。
大口径かつ高品質の炭化ケイ素単結晶ウェハを効率良く低コストで製造するために、より大型の炭化ケイ素単結晶を製造する方法が望まれている。
Siが枯渇しCリッチの環境になると、4Hの多形が不安定化して異種多形が混入して品質が低下しやすくなる。また昇華速度も減少し、不経済である。
このSi/C比及び昇華ガス量の時間変化は、炭化ケイ素成長用原料粒子の被覆層厚さを調整することで、調整することができる。また被覆層厚さの異なる複数種類の炭化ケイ素成長用原料粒子を用いると、Si/C比と昇華ガス量をより精密に調整し、均一化することができる。
以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
図1は、本発明の一態様に係る炭化ケイ素成長用原料粒子1の断面模式図である。
炭化ケイ素成長用原料粒子1は、昇華法によってSiC単結晶を結晶成長させる際に用いる原料である。炭化ケイ素成長用原料粒子1は、粒子核(粒子本体)2と、粒子核2の少なくとも一部を被覆する被覆層3からなる。
また被覆層3が完全に昇華しきらない場合でも、結晶成長前半において被覆層3の多くが昇華することでCの昇華量は抑制され、被覆層3の厚みが薄くなることでSiの昇華量が増加する。そのため、被覆層3が完全に昇華しない場合でも結晶成長後半がCリッチな環境となることを防ぐことができる。
カーボン微粒子の集合体は、スパッタ、蒸着、噴霧等により粒子核2の表面に付着したカーボン微粒子の集合体であり、全体で被覆層3として機能する。
樹脂炭化層は、粒子核2の表面を樹脂コートし、その樹脂を炭化することで得られる層であり、被覆層3として機能する。
本発明の一態様に係る炭化ケイ素成長用原料粒子の製造方法は、粒子核2を準備する工程と、被覆層3を作製する工程とを有する。
ついで、得られた樹脂コートされた粒子核2を減圧加熱する。減圧加熱により、樹脂コートが不完全燃焼を起こし、炭化され、炭化ケイ素成長用原料粒子1が得られる。コート液の粘度を有機溶剤等で調整することで、被覆層の厚みは容易に調整できる。
図2は、本発明の一態様に係る炭化ケイ素単結晶の製造方法に用いられる製造装置の一例の断面模式図である。炭化ケイ素単結晶は、坩堝11によって囲まれた反応空間K内に収納された原料14から昇華したガスが、種結晶13表面で再結晶化することで得られる。種結晶13は、原料14に対向するように配置された坩堝11の設置部12に設置されている。
図3は、本発明の一態様に係る炭化ケイ素単結晶の製造方法に用いられる製造装置において、坩堝内に収容する原料の収容状態の一例を模式的に示した断面図である。図3に示す製造装置20は、原料14が2層に分けて積層されている点が、図2に示す製造装置10と異なる。種結晶13に近い側から順に第1原料14A,第2原料14Bであり、原料14は、上述の炭化ケイ素成長用原料粒子1からなる第1原料14Aと、炭化ケイ素粒子からなる第2原料14Bからなる。
Claims (13)
- 昇華ガスを種結晶上に再結晶化して炭化ケイ素単結晶を生成するための炭化ケイ素成長用原料粒子であって、
粒子本体表面の少なくとも一部が炭素からなる被覆層で被覆され、
前記被覆層が前記粒子本体の表面を被覆するカーボン微粒子の集合体からなる炭化ケイ素成長用原料粒子。 - 前記粒子本体が、SiC、Si、Si3N4のいずれかからなる請求項1に記載の炭化ケイ素成長用原料粒子。
- 前記被覆層が粒子全面を被覆している請求項1または2に記載の炭化ケイ素成長用原料粒子。
- 昇華ガスを種結晶上に再結晶化して炭化ケイ素単結晶を生成するための炭化ケイ素成長用原料粒子を製造する方法であって、
SiCからなる粒子本体を減圧加熱しながらその表面を炭化し、前記粒子本体表面の少なくとも一部を覆う炭素からなる被覆層を形成する炭化ケイ素成長用原料粒子の製造方法。 - 昇華ガスを種結晶上に再結晶化して炭化ケイ素単結晶を生成するための炭化ケイ素成長用原料粒子を製造する方法であって、
SiC、Si、Si3N4のいずれかからなる粒子本体の表面にカーボンコーティングを行うことで前記粒子本体表面の少なくとも一部を覆う炭素からなる被覆層を形成する炭化ケイ素成長用原料粒子の製造方法。 - 前記カーボンコーティングを行う手段として、スパッタ法、蒸着法、カーボンスプレー法のいずれかを用いる請求項5に記載の炭化ケイ素成長用原料粒子の製造方法。
- 昇華ガスを種結晶上に再結晶化して炭化ケイ素単結晶を生成するための炭化ケイ素成長用原料粒子を製造する方法であって、
SiC、Si、Si3N4のいずれかからなる粒子本体の表面に樹脂をコーティングし、前記樹脂を減圧加熱しながら炭化することで前記粒子本体表面の少なくとも一部を覆う炭素からなる被覆層を形成する炭化ケイ素成長用原料粒子の製造方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の炭化ケイ素成長用原料粒子とSiCからなる炭化ケイ素粒子とを混合するか個別に種結晶とともに坩堝に収容し、
坩堝内を加熱することで前記炭化ケイ素成長用原料粒子と前記炭化ケイ素粒子から個別に昇華ガスを発生させながら前記種結晶上にSiC単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の炭化ケイ素成長用原料粒子を種結晶とともに坩堝に収容し、
坩堝内を加熱することで前記炭化ケイ素成長用原料粒子から昇華ガスを発生させながら前記種結晶上にSiC単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 前記炭化ケイ素成長用原料粒子の被覆層の厚みによりSi/C比の時間変化を調整する請求項8又は請求項9のいずれかに記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
- 被覆層厚さが異なる複数種類の炭化ケイ素成長用原料粒子を用いる請求項8〜10のいずれか一項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
- 前記SiC単結晶成長初期に前記炭化ケイ素成長用原料粒子からSi/C比においてSiの比率を低く抑えた昇華ガスを発生させ、
前記SiC単結晶成長後半に前記炭化ケイ素成長用原料粒子からSi/C比においてCの比率を低く抑えた昇華ガスを発生させてSiC単結晶成長を行う請求項8〜11のいずれか一項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。 - 前記炭化ケイ素成長用原料粒子とSiCからなる炭化ケイ素粒子を個別に種結晶とともに坩堝に収容するにあたり、前記炭化ケイ素成長用原料粒子と前記炭化ケイ素粒子を個別に層状に配置する請求項8、10〜12のいずれか一項に記載の炭化ケイ素単結晶の製造方法。
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