JP2020169231A - 熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置 - Google Patents
熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020169231A JP2020169231A JP2019069871A JP2019069871A JP2020169231A JP 2020169231 A JP2020169231 A JP 2020169231A JP 2019069871 A JP2019069871 A JP 2019069871A JP 2019069871 A JP2019069871 A JP 2019069871A JP 2020169231 A JP2020169231 A JP 2020169231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone composition
- conductive silicone
- thermally conductive
- group
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
- C08J3/20—Compounding polymers with additives, e.g. colouring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
- C08J3/20—Compounding polymers with additives, e.g. colouring
- C08J3/203—Solid polymers with solid and/or liquid additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/28—Nitrogen-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
- C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
- C09K5/08—Materials not undergoing a change of physical state when used
- C09K5/14—Solid materials, e.g. powdery or granular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3731—Ceramic materials or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/28—Nitrogen-containing compounds
- C08K2003/282—Binary compounds of nitrogen with aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/002—Physical properties
- C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】高い熱伝導率を有し、10μm以下に圧縮可能である熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法を提供する。【解決手段】熱伝導性シリコーン組成物が、(A)アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサン、(B)平均粒子径が0.5μm以上2.0μm以下であり、かつレーザー回折型粒度分布測定法による粒子中の粒子径10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%以下である窒化アルミニウム粒子:50〜70体積%を含み、ホットディスク法での熱伝導率が1.3W/mK以上のものである。【選択図】なし
Description
本発明は、熱伝導性シリコーン組成物に関する。詳細には、電子部品を効率的に冷却する熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置に関する。
電子部品は使用中の発熱及びそれによる性能の低下が広く知られており、これを解決するための手段として、様々な放熱技術が用いられている。一般的に、発熱部付近に冷却部材(ヒートシンク等)を配置し、両者を密接させたうえで冷却部材から効率的に除熱することにより放熱を行っている。その際、発熱部材と冷却部材との間に隙間があると、熱伝導性の悪い空気が介在することにより熱抵抗が増大し、発熱部材の温度が十分に下がらなくなってしまう。このような現象を防ぐため、熱伝導率がよく、部材の表面に追随性のある放熱材料、例えば液状放熱材料や放熱シートが用いられている。特に、装置によっては間隙が10μm以下と非常に狭い場合もあり、10μm以下に圧縮することが可能な液状放熱材料が使用される(特許文献1〜13)。
また、発熱部と冷却部材との間は電気的に絶縁状態を確保しなければならない場合が多く、熱伝導性材料に絶縁性が求められることがある。この場合、熱伝導性充填材としてアルミニウムや銅、銀等の金属粒子を用いることができず、多くは水酸化アルミニウム、アルミナ(酸化アルミニウム)等の絶縁性熱伝導性充填材が用いられることが多い。水酸化アルミニウムやアルミナは、それ自体の熱伝導率が低いためにこれらを用いて、高熱伝導性を有する熱伝導性材料を得ようとすると多量に充填しなければならない。その結果、熱伝導性材料の粘度が非常に高くなり塗布が困難である、十分な圧縮ができなくなるなどの問題が生じる(特許文献14、15)。
さらに、発熱部と冷却部材は発熱・冷却を繰り返すため、部材が熱収縮を繰り返すことが知られている。これによって、熱伝導性シリコーン組成物のオイル成分と熱伝導性充填剤の分離が促される。また、熱伝導性シリコーン組成物が発熱部と冷却部材の間から押し出されるポンプアウトといった現象が起こる。その結果、熱抵抗が上昇し効率的に発熱部を冷やすことができなくなる。このような現象を防ぐために増粘剤を添加して熱伝導性シリコーン組成物の粘度を高める手法が提案されている。しかしながら、粘度が非常に高くなり、塗布が困難であるといった問題があった(特許文献16)。
上述したように、高い熱伝導率と10μm以下への圧縮性を両立する熱伝導性シリコーン組成物の開発が求められている。本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、従来の熱伝導性シリコーン組成物に比べ、高い熱伝導率を有し、10μm以下に圧縮可能である熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を達成するために、本発明では、
下記(A)及び(B)成分:
(A)アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサン、
(B)平均粒子径が0.5μm以上2.0μm以下であり、かつレーザー回折型粒度分布測定法による粒子中の粒子径10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%以下である窒化アルミニウム粒子:50〜70体積%、
を含み、ホットディスク法での熱伝導率が1.3W/mK以上のものである熱伝導性シリコーン組成物を提供する。
下記(A)及び(B)成分:
(A)アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサン、
(B)平均粒子径が0.5μm以上2.0μm以下であり、かつレーザー回折型粒度分布測定法による粒子中の粒子径10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%以下である窒化アルミニウム粒子:50〜70体積%、
を含み、ホットディスク法での熱伝導率が1.3W/mK以上のものである熱伝導性シリコーン組成物を提供する。
この熱伝導性シリコーン組成物は、従来の熱伝導性シリコーン組成物に比べ高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好なものである。
前記窒化アルミニウム粒子の酸素含有量は1.0質量%以下であることが好ましい。
前記酸素含有量が所定の値以下であると、熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率が更に高くなる。
前記酸素含有量が所定の値以下であると、熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率が更に高くなる。
この熱伝導性シリコーン組成物のレーザーフラッシュ法で測定した25℃での熱抵抗は5.0mm2・K/W以下であることが好ましい。
前記熱抵抗が所定の値以下であると、熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率が更に高くなる。
前記熱抵抗が所定の値以下であると、熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率が更に高くなる。
この熱伝導性シリコーン組成物のスパイラル粘度計で測定した25℃、ずり速度6S−1での絶対粘度が3〜500Pa・Sであることが好ましい。
前記絶対粘度が上記所定の範囲であると、この熱伝導性シリコーン組成物の形状保持と吐出が容易で作業性が良好である。
前記絶対粘度が上記所定の範囲であると、この熱伝導性シリコーン組成物の形状保持と吐出が容易で作業性が良好である。
また、本発明は、前記熱伝導性シリコーン組成物が、発熱体と冷却体の間に形成された厚み10μm以下の間隙に介在された半導体装置を提供する。
この半導体装置は、発熱体と冷却体の間に形成された狭い間隙に従来の熱伝導性シリコーン組成物に比べ高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好な熱伝導性シリコーン組成物が介在されたものであることから、高い冷却性能を有するものである。
この半導体装置は、発熱体と冷却体の間に形成された狭い間隙に従来の熱伝導性シリコーン組成物に比べ高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好な熱伝導性シリコーン組成物が介在されたものであることから、高い冷却性能を有するものである。
前記発熱体は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)であることが好ましい。
前記発熱体がIGBTであると、この半導体装置はIGBTが効率的に冷却されるものとなる。
前記発熱体がIGBTであると、この半導体装置はIGBTが効率的に冷却されるものとなる。
さらに、本発明は、前記(A)及び(B)成分を100℃以上の温度で30分以上混合する工程を含む、前記熱伝導性シリコーン組成物を製造する製造方法を提供する。
この製造方法により、従来の熱伝導性シリコーン組成物に比べ高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好な熱伝導性シリコーン組成物を製造できる。
この製造方法により、従来の熱伝導性シリコーン組成物に比べ高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好な熱伝導性シリコーン組成物を製造できる。
本発明によれば、従来の熱伝導性シリコーン組成物に比べ高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好である熱伝導性シリコーン組成物を得ることができる。
上述のように、高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好であるシリコーン組成物の開発が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサンと、平均粒子径が特定の範囲にあり、かつ粗粉の含有量が少ない窒化アルミニウムを含むシリコーン組成物が、従来のシリコーン組成物に比べ高い熱伝導率を有し、かつ10μm以下への圧縮性が良好なものであることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、
下記(A)及び(B)成分:
(A)アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサン、
(B)平均粒子径が0.5μm以上2.0μm以下であり、かつレーザー回折型粒度分布測定法による粒子中の粒子径10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%以下である窒化アルミニウム粒子:50〜70体積%、
を含み、ホットディスク法での熱伝導率が1.3W/mK以上のものである熱伝導性シリコーン組成物である。
下記(A)及び(B)成分:
(A)アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサン、
(B)平均粒子径が0.5μm以上2.0μm以下であり、かつレーザー回折型粒度分布測定法による粒子中の粒子径10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%以下である窒化アルミニウム粒子:50〜70体積%、
を含み、ホットディスク法での熱伝導率が1.3W/mK以上のものである熱伝導性シリコーン組成物である。
以下、本発明について詳細に説明する。
[(A)成分]
(A)成分は、アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサンである。(A)成分は、後述する(B)成分の熱伝導性充填材の表面処理剤として作用する。そのため、(A)成分と(B)成分の熱伝導性充填剤の相互作用が強くなる。その結果、(B)成分の熱伝導性充填剤を熱伝導性シリコーン組成物に多量に充填しても、熱伝導性シリコーン組成物が流動性を保つことができる。同時に、経時でのオイル分離やポンプアウトに起因する放熱性能の低下も抑えることができる。(A)成分としては、例えば下記一般式(1)で表されるオルガノポリシロキサンが挙げられる。中でも、3官能の加水分解性オルガノポリシロキサンを含有することが好ましい。
[(A)成分]
(A)成分は、アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサンである。(A)成分は、後述する(B)成分の熱伝導性充填材の表面処理剤として作用する。そのため、(A)成分と(B)成分の熱伝導性充填剤の相互作用が強くなる。その結果、(B)成分の熱伝導性充填剤を熱伝導性シリコーン組成物に多量に充填しても、熱伝導性シリコーン組成物が流動性を保つことができる。同時に、経時でのオイル分離やポンプアウトに起因する放熱性能の低下も抑えることができる。(A)成分としては、例えば下記一般式(1)で表されるオルガノポリシロキサンが挙げられる。中でも、3官能の加水分解性オルガノポリシロキサンを含有することが好ましい。
上記式(1)中、R1は独立に非置換又は置換の、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜3の1価炭化水素基であり、その例としては、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、オクチル基が挙げられる。分岐鎖状アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、2−エチルヘキシル基が挙げられる。環状アルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、2−フェニルエチル基、2−メチル−2−フェニルエチル基が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、例えば、3,3,3−トリフルオロプロピル基、2−(ノナフルオロブチル)エチル基、2−(ヘプタデカフルオロオクチル)エチル基が挙げられる。R1として、メチル基、フェニル基、ビニル基が好ましい。
R2の炭素数1〜4のアルキレン基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。R3は独立に脂肪族不飽和結合を含有しない、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは1〜6、さらに好ましくは1〜3の非置換又は置換の1価炭化水素基である。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基等のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、メチルベンジル基等のアラルキル基、ならびにこれらの基の炭素原子が結合している水素原子の一部又は全部が、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換された基等が挙げられる。
上記R4は独立に炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシアルキル基もしくはアルケニル基、又はアシル基である。上記R4のアルキル基としては、例えば、R1について例示したものと同様の、炭素数1〜4のアルキル基等が挙げられる。アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシエチル基、メトキシプロピル基等が挙げられる。上記R4のアシル基としては、例えば、炭素数2〜8のものが好ましく、アセチル基、オクタノイル基等が挙げられる。R4はアルキル基であることが好ましく、特にはメチル基、エチル基であることが好ましい。
a、bは上記の通りであるが、好ましくはa+bが10〜1000であり、より好ましくは10〜300である。nは0又は1であり、gは0〜2の整数であり、好ましくは0である。なお、分子中にOR4基は1〜6個、特に3又は6個有することが好ましい。なお、括弧内に示される各シロキサン単位の結合順序は、下記に制限されるものではない。
(A)成分の好適な具体例としては、下記のものを挙げることができる。
(A)成分の好適な具体例としては、下記のものを挙げることができる。
(A)成分は熱伝導性シリコーン組成物の主成分であり、その配合量は熱伝導性シリコーン組成物中30〜50体積%が好ましく、さらに好ましくは40〜50体積%である。この範囲の(A)成分を含有することで良好な圧縮性を保ちつつ、オイル分離やポンプアウトに起因する熱抵抗の悪化を防ぐことができる。また、(A)成分は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて配合してよい。
[(B)成分]
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、熱伝導性充填材として(B)窒化アルミニウム粒子を含む。窒化アルミニウムはアルミナと比較して高い熱伝導率を有する。したがって、酸化アルミニウムと比較して、より少ない量で高い熱伝導率を有する熱伝導性シリコーン組成物を得ることができる。(B)成分の窒化アルミニウム粒子の平均粒子径は0.5μm以上2.0μm以下であり、好ましくは0.5μm以上1.5μm以下である。(B)窒化アルミニウム粒子の平均粒子径が2.0μm超だと、得られる熱伝導性シリコーン組成物の圧縮性が著しく悪化する。また、(B)窒化アルミニウム粒子の平均粒子径が0.5μm未満だと、熱伝導性シリコーン組成物の粘度が著しく上昇する。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、熱伝導性充填材として(B)窒化アルミニウム粒子を含む。窒化アルミニウムはアルミナと比較して高い熱伝導率を有する。したがって、酸化アルミニウムと比較して、より少ない量で高い熱伝導率を有する熱伝導性シリコーン組成物を得ることができる。(B)成分の窒化アルミニウム粒子の平均粒子径は0.5μm以上2.0μm以下であり、好ましくは0.5μm以上1.5μm以下である。(B)窒化アルミニウム粒子の平均粒子径が2.0μm超だと、得られる熱伝導性シリコーン組成物の圧縮性が著しく悪化する。また、(B)窒化アルミニウム粒子の平均粒子径が0.5μm未満だと、熱伝導性シリコーン組成物の粘度が著しく上昇する。
前記平均粒子径はマイクロトラック(レーザー回折錯乱法)による体積平均粒子径(累積平均径D50(メディアン径)であり、例えば、日機装(株)製マイクロトラックMT330OEXにより測定できる。
(B)成分の窒化アルミニウム粒子中の粒子径10μm以上の粗粉の含有量は1.0体積%以下である。当該粗粉の含有量が1.0体積%を超えると、熱伝導性シリコーン組成物を圧縮したときの厚みを10μm以下とすることができない。
当該粗粉の含有量は、例えば、日機装(株)製マイクロトラックMT330OEXにより測定できる。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、(B)窒化アルミニウム粒子を50〜70体積%含むものである。(B)窒化アルミニウム粒子の含有量が50体積%未満だと熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率が低下し、70体積%を超えると、熱伝導性シリコーン組成物が均一にならない。
当該粗粉の含有量は、例えば、日機装(株)製マイクロトラックMT330OEXにより測定できる。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、(B)窒化アルミニウム粒子を50〜70体積%含むものである。(B)窒化アルミニウム粒子の含有量が50体積%未満だと熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率が低下し、70体積%を超えると、熱伝導性シリコーン組成物が均一にならない。
(B)成分の窒化アルミニウム粒子の酸素含有量は1.0質量%以下が好ましく、0.5質量%以下がより好ましい。(B)成分の窒化アルミニウム粒子として酸素含有量を1.0質量%以下としたものを用いることで、熱伝導性シリコーン組成物の熱伝導率を向上させることができる。前記酸素含有量の下限は特に限定されないが、例えば0.13質量%とすることができる。なお、酸素含有量はHORIBA製 ENGA−120によって測定できる。
(B)成分の窒化アルミニウム粒子の製法は直接窒化法でも還元窒化法でもどちらでもよいが、好ましくは還元窒化法である。直接窒化法は破砕工程を含むため、窒化アルミニウム粒子が不定形のものであるが、還元窒化法で製造された窒化アルミニウム粒子は一般に丸み状のもので充填性がよいものだからである。
[その他の成分]
本発明の熱伝導性シリコーン組成物には、当該組成物の弾性率や粘度を調整するためにメチルポリシロキサン等のオルガノ(ポリ)シロキサンを配合してもよい。また、熱伝導性シリコーン組成物の劣化を防ぐために、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を必要に応じて配合してもよい。さらに、チクソ性付与剤、染料、顔料、難燃剤、沈降防止剤、チクソ性向上剤等を必要に応じて配合することができる。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物には、当該組成物の弾性率や粘度を調整するためにメチルポリシロキサン等のオルガノ(ポリ)シロキサンを配合してもよい。また、熱伝導性シリコーン組成物の劣化を防ぐために、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を必要に応じて配合してもよい。さらに、チクソ性付与剤、染料、顔料、難燃剤、沈降防止剤、チクソ性向上剤等を必要に応じて配合することができる。
[シリコーン組成物]
本発明の熱伝導性シリコーン組成物のホットディスク法での熱伝導率は1.3W/mK以上である。なお、熱伝導率の測定方法の詳細は、例えば後述する実施例の方法である。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物のホットディスク法での熱伝導率は1.3W/mK以上である。なお、熱伝導率の測定方法の詳細は、例えば後述する実施例の方法である。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、良好な圧縮性を有するものである。4.1MPaの加圧を2分間行った時の熱伝導性シリコーン組成物の厚みは0.5〜10μmの範囲にあることが好ましく、0.5〜5μmにあることがより好ましい。なお、加圧を行った時の厚みの測定方法は、例えば後述する実施例の方法である。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物は、高い熱伝導率と良好な圧縮性を両立しているため、低い熱抵抗を持つものとなる。熱伝導性シリコーン組成物の熱抵抗はレーザーフラッシュ法で測定した25℃で5.0mm2・K/W以下が好ましく、さらに好ましくは3.0mm2・K/Wである。下限については特に制限はないが、物理的な問題として例えば0.1mm2・K/Wとすることができる。なお、熱抵抗の測定方法の詳細は、例えば後述する実施例の方法である。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物の25℃にて測定される絶対粘度は3〜500Pa・sであることが好ましく、10〜500Pa・sであることがより好ましい。絶対粘度が3Pa・s以上であると、形状保持が容易で作業性が良くなる。一方、絶対粘度が500Pa・s以下である場合にも吐出が容易となるため作業性が良くなる。絶対粘度は、上述した各成分の配合により調整できる。本発明において、絶対粘度は例えばマルコム(株)製スパイラル粘度計により測定した25℃、ズリ速度6S−1での値である。
[半導体装置]
本発明の半導体装置は、IGBTなどの発熱体と冷却体との間に形成された厚み10μm以下の間隙に本発明の熱伝導性シリコーン組成物を介在されたものである。本発明の熱伝導性シリコーン組成物は厚み10μm以下まで圧縮される。これにより従来の熱伝導性シリコーン組成物と比較して、冷却効率の向上が期待できる。代表的な構造を図1に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。図1に示される半導体装置は、発熱体であるIGBT1と冷却体である冷却フィン3との間の間隙に熱伝導性シリコーン組成物2が介在しているものである。IGBT1で発生した熱は熱伝導性シリコーン組成物2を介して冷却フィン3に伝わり、冷却フィン3と接する冷却水4へ放熱される。
本発明の半導体装置は、IGBTなどの発熱体と冷却体との間に形成された厚み10μm以下の間隙に本発明の熱伝導性シリコーン組成物を介在されたものである。本発明の熱伝導性シリコーン組成物は厚み10μm以下まで圧縮される。これにより従来の熱伝導性シリコーン組成物と比較して、冷却効率の向上が期待できる。代表的な構造を図1に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。図1に示される半導体装置は、発熱体であるIGBT1と冷却体である冷却フィン3との間の間隙に熱伝導性シリコーン組成物2が介在しているものである。IGBT1で発生した熱は熱伝導性シリコーン組成物2を介して冷却フィン3に伝わり、冷却フィン3と接する冷却水4へ放熱される。
本発明の半導体装置の製造方法は特に限定されないが、熱伝導性シリコーン組成物の厚さを10μm以下にするため、好ましくは0.1Mpa以上の圧力で、さらに好ましくは4.0Mpa以上の圧力で組み立てられる。熱伝導性シリコーン組成物の加圧時の圧力を上げることで圧縮にかかる時間を低減できる。
[熱伝導性シリコーン組成物の製造方法]
本発明の熱伝導性シリコーン組成物の製造方法について説明するが、これらに限定されるものではない。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物を製造する方法は、従来の熱伝導性シリコーン組成物の製造方法に従えばよく、特に制限されるものでない。例えば、上記(A)及び(B)成分を混合する工程を含むものが挙げられ、具体的には、上記(A)及び(B)成分、その他の任意成分を混合することにより得ることができる。混合装置としては特に限定されず、トリミックス、ツウィンミックス、プラネタリーミキサー(いずれも井上製作所(株)製混合機の登録商標)、ウルトラミキサー(みずほ工業(株)製混合機の登録商標)、ハイビスディスパーミックス(特殊機化工業(株)製混合機の登録商標)等の混合機を用いることができる。また、熱伝導性充填剤である(B)窒化アルミニウム粒子の凝集を解砕するために3本ロール仕上げ処理などを施してもよい。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物の製造方法について説明するが、これらに限定されるものではない。
本発明の熱伝導性シリコーン組成物を製造する方法は、従来の熱伝導性シリコーン組成物の製造方法に従えばよく、特に制限されるものでない。例えば、上記(A)及び(B)成分を混合する工程を含むものが挙げられ、具体的には、上記(A)及び(B)成分、その他の任意成分を混合することにより得ることができる。混合装置としては特に限定されず、トリミックス、ツウィンミックス、プラネタリーミキサー(いずれも井上製作所(株)製混合機の登録商標)、ウルトラミキサー(みずほ工業(株)製混合機の登録商標)、ハイビスディスパーミックス(特殊機化工業(株)製混合機の登録商標)等の混合機を用いることができる。また、熱伝導性充填剤である(B)窒化アルミニウム粒子の凝集を解砕するために3本ロール仕上げ処理などを施してもよい。
上記(A)及び(B)成分を混合する工程の際に100℃以上の温度で30分以上混合することで、(B)成分が(A)成分によって十分に表面処理され、経時での熱抵抗の悪化を抑えることができる。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
使用した成分は以下のとおりである。
使用した成分は以下のとおりである。
[(B)成分]
(B−1)平均粒子径1.0μmで、10μm以上の粗粉が0.1体積%以下の窒化アルミニウム粒子
(B−2)平均粒子径1.4μmで、10μm以上の粗粉が0.4体積%以下の窒化アルミニウム
(B―3)平均粒子径0.7μmで、10μm以上の粗粉が0.1体積%以下の窒化アルミニウム
(B―4)平均粒子径1.5μmで、10μm以上の粗粒が5.0体積%以上の窒化アルミニウム(比較品)
(B−1)平均粒子径1.0μmで、10μm以上の粗粉が0.1体積%以下の窒化アルミニウム粒子
(B−2)平均粒子径1.4μmで、10μm以上の粗粉が0.4体積%以下の窒化アルミニウム
(B―3)平均粒子径0.7μmで、10μm以上の粗粉が0.1体積%以下の窒化アルミニウム
(B―4)平均粒子径1.5μmで、10μm以上の粗粒が5.0体積%以上の窒化アルミニウム(比較品)
[実施例1〜5、比較例1〜4]
〈熱伝導性シリコーン組成物の調製〉
上記(A)及び(B)成分を、下記表1及び2に示す配合量に従い、下記に示す方法で配合して熱伝導性シリコーン組成物を調製した。
5リットルのプラネタリーミキサー(井上製作所(株)製)に(A)及び(B)成分を加え、170℃で1時間混合した。常温になるまで冷却した後、均一になるように混合し、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。
上記方法で得られた各熱伝導性組成物について、下記の方法に従い、粘度、熱伝導率、圧縮性、及び熱抵抗を測定した。結果を表1及び2に示す。
〈熱伝導性シリコーン組成物の調製〉
上記(A)及び(B)成分を、下記表1及び2に示す配合量に従い、下記に示す方法で配合して熱伝導性シリコーン組成物を調製した。
5リットルのプラネタリーミキサー(井上製作所(株)製)に(A)及び(B)成分を加え、170℃で1時間混合した。常温になるまで冷却した後、均一になるように混合し、熱伝導性シリコーン組成物を調製した。
上記方法で得られた各熱伝導性組成物について、下記の方法に従い、粘度、熱伝導率、圧縮性、及び熱抵抗を測定した。結果を表1及び2に示す。
[粘度]
熱伝導性シリコーン組成物の絶対粘度を(株)マルコム製スパイラル粘度計を用い、25℃、回転数6S−1の条件で測定した。
熱伝導性シリコーン組成物の絶対粘度を(株)マルコム製スパイラル粘度計を用い、25℃、回転数6S−1の条件で測定した。
[熱伝導率]
熱伝導性シリコーン組成物をキッチンラップに包み、巾着状にした試験片の熱伝導率を京都電子工業(株)製TPA−501で25℃の条件で測定した。
熱伝導性シリコーン組成物をキッチンラップに包み、巾着状にした試験片の熱伝導率を京都電子工業(株)製TPA−501で25℃の条件で測定した。
[圧縮性]
製造した熱伝導性シリコーン組成物を直径1mmの円にカットされたシリコーンウエハに挟み、SHIMAZU製オートグラフAG−5KNZPLUSを用いて4.1MPaで2分間の加圧を行った後に厚みを測定した。
製造した熱伝導性シリコーン組成物を直径1mmの円にカットされたシリコーンウエハに挟み、SHIMAZU製オートグラフAG−5KNZPLUSを用いて4.1MPaで2分間の加圧を行った後に厚みを測定した。
[熱抵抗]
上記の試験片を用いてレーザーフレッシュ法に基づく熱抵抗測定器(ネッツ社製、キセノンフラッシュアナライザー;LFA447NanoFlash)により25℃にて測定した。
上記の試験片を用いてレーザーフレッシュ法に基づく熱抵抗測定器(ネッツ社製、キセノンフラッシュアナライザー;LFA447NanoFlash)により25℃にて測定した。
[ヒートサイクル後の熱抵抗]
上記の試験片を(株)エスペック製冷熱衝撃試験機TSE−11Aを用い、−40℃×30分→150℃×30分を1サイクルとする冷熱衝撃試験を1000サイクル行った後、熱抵抗を25℃にて測定した。
上記の試験片を(株)エスペック製冷熱衝撃試験機TSE−11Aを用い、−40℃×30分→150℃×30分を1サイクルとする冷熱衝撃試験を1000サイクル行った後、熱抵抗を25℃にて測定した。
表1及び2の結果より本発明の要件を満たす実施例1〜5では高い熱伝導率を有し、同時に10μm以下への良好な圧縮性を有する熱伝導性シリコーン組成物が得られた。
一方、本発明の(A)成分を用いていない比較例1では均一な熱伝導性シリコーン組成物が得られなかった。また、熱伝導性充填剤が70体積%より多い比較例2でも均一な熱伝導性シリコーン組成物が得られなかった。さらに熱伝導性充填剤の含有量が50体積%未満の比較例3では熱伝導率が大きく低下した。熱伝導性充填剤として10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%より多い窒化アルミニウム粒子を用いた比較例4では圧縮性が著しく悪化した。
一方、本発明の(A)成分を用いていない比較例1では均一な熱伝導性シリコーン組成物が得られなかった。また、熱伝導性充填剤が70体積%より多い比較例2でも均一な熱伝導性シリコーン組成物が得られなかった。さらに熱伝導性充填剤の含有量が50体積%未満の比較例3では熱伝導率が大きく低下した。熱伝導性充填剤として10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%より多い窒化アルミニウム粒子を用いた比較例4では圧縮性が著しく悪化した。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1・・・IGBT、2・・・シリコーン組成物、3・・・冷却フィン、
4・・・冷却水。
4・・・冷却水。
Claims (7)
- 下記(A)及び(B)成分:
(A)アルコキシシリル基を有する加水分解性オルガノポリシロキサン、
(B)平均粒子径が0.5μm以上2.0μm以下であり、かつレーザー回折型粒度分布測定法による粒子中の粒子径10μm以上の粗粉の含有量が全体の1.0体積%以下である窒化アルミニウム粒子:50〜70体積%、
を含み、ホットディスク法での熱伝導率が1.3W/mK以上のものであることを特徴とする熱伝導性シリコーン組成物。 - 前記窒化アルミニウム粒子の酸素含有量が1.0質量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- レーザーフラッシュ法で測定した25℃での熱抵抗が5.0mm2・K/W以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- スパイラル粘度計で測定した25℃、ずり速度6S−1での絶対粘度が3〜500Pa・Sであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱伝導性シリコーン組成物。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱伝導性シリコーン組成物が、発熱体と冷却体の間に形成された厚み10μm以下の間隙に介在されたものであることを特徴とする半導体装置。
- 前記発熱体が絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記(A)及び(B)成分を100℃以上の温度で30分以上混合する工程を含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱伝導性シリコーン組成物を製造する製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019069871A JP7027368B2 (ja) | 2019-04-01 | 2019-04-01 | 熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置 |
CN202080025483.4A CN113632220A (zh) | 2019-04-01 | 2020-02-10 | 导热性有机硅组合物、其制备方法及半导体装置 |
PCT/JP2020/005048 WO2020202800A1 (ja) | 2019-04-01 | 2020-02-10 | 熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置 |
KR1020217030881A KR20210148140A (ko) | 2019-04-01 | 2020-02-10 | 열전도성 실리콘 조성물, 그의 제조방법 및 반도체장치 |
EP20782534.0A EP3951859A4 (en) | 2019-04-01 | 2020-02-10 | HEAT-CONDUCTING SILICONE COMPOSITION, METHOD OF MAKING THEREOF AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
US17/440,641 US20220162447A1 (en) | 2019-04-01 | 2020-02-10 | Thermal-conductive silicone composition, production method therefor, and semiconductor device |
TW109105821A TWI846825B (zh) | 2019-04-01 | 2020-02-24 | 熱傳導性矽氧組成物、其製造方法及半導體裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019069871A JP7027368B2 (ja) | 2019-04-01 | 2019-04-01 | 熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020169231A true JP2020169231A (ja) | 2020-10-15 |
JP7027368B2 JP7027368B2 (ja) | 2022-03-01 |
Family
ID=72668920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019069871A Active JP7027368B2 (ja) | 2019-04-01 | 2019-04-01 | 熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220162447A1 (ja) |
EP (1) | EP3951859A4 (ja) |
JP (1) | JP7027368B2 (ja) |
KR (1) | KR20210148140A (ja) |
CN (1) | CN113632220A (ja) |
TW (1) | TWI846825B (ja) |
WO (1) | WO2020202800A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023057347A1 (en) | 2021-10-06 | 2023-04-13 | Wacker Chemie Ag | Thermally conductive silicone composition and method for producing the same |
KR20230055965A (ko) | 2021-10-19 | 2023-04-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 열전도성 실리콘 조성물 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024024498A1 (ja) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000109373A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 放熱用シリコーングリース組成物及びそれを使用した半導体装置 |
JP2012069783A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 熱伝導性シリコーン組成物およびこれを用いる実装基板 |
JP2017031231A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 縮合硬化型シリコーン組成物 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4933094B1 (ja) | 1968-12-31 | 1974-09-04 | ||
JPS4913874B1 (ja) | 1969-08-29 | 1974-04-03 | ||
JPS4917380B1 (ja) | 1970-07-06 | 1974-04-30 | ||
JPS58366B2 (ja) | 1973-10-06 | 1983-01-06 | ソニー株式会社 | 表面材貼付方法 |
JPS58366A (ja) | 1981-06-23 | 1983-01-05 | Nippon Steel Corp | 連続鋳造鋼のモ−ルド焼付き検出方法 |
JP2938428B1 (ja) | 1998-02-27 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性グリース組成物 |
JP2938429B1 (ja) | 1998-02-27 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物 |
JP3957596B2 (ja) | 2002-09-04 | 2007-08-15 | 電気化学工業株式会社 | 熱伝導性グリース |
JP3952184B2 (ja) | 2002-10-10 | 2007-08-01 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シート |
JP4933094B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
JP5283346B2 (ja) | 2007-04-10 | 2013-09-04 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性硬化物及びその製造方法 |
JP5233325B2 (ja) | 2008-02-29 | 2013-07-10 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性硬化物及びその製造方法 |
JP4656340B2 (ja) | 2008-03-03 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
JP4572243B2 (ja) | 2008-03-27 | 2010-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性積層体およびその製造方法 |
JP5447337B2 (ja) | 2010-10-29 | 2014-03-19 | 信越化学工業株式会社 | シリコーン構造体の製造方法及び半導体装置 |
JP5553006B2 (ja) | 2010-11-12 | 2014-07-16 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーングリース組成物 |
WO2016190189A1 (ja) * | 2015-05-22 | 2016-12-01 | モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 | 熱伝導性組成物 |
JP6610429B2 (ja) | 2016-05-24 | 2019-11-27 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーン組成物、その硬化物及びその製造方法 |
JP6708005B2 (ja) | 2016-06-20 | 2020-06-10 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性シリコーンパテ組成物 |
CN111032665A (zh) * | 2017-08-10 | 2020-04-17 | 信越化学工业株式会社 | 有机硅化合物及固化性导热性硅酮组合物 |
-
2019
- 2019-04-01 JP JP2019069871A patent/JP7027368B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-10 EP EP20782534.0A patent/EP3951859A4/en not_active Withdrawn
- 2020-02-10 US US17/440,641 patent/US20220162447A1/en active Pending
- 2020-02-10 CN CN202080025483.4A patent/CN113632220A/zh active Pending
- 2020-02-10 WO PCT/JP2020/005048 patent/WO2020202800A1/ja unknown
- 2020-02-10 KR KR1020217030881A patent/KR20210148140A/ko unknown
- 2020-02-24 TW TW109105821A patent/TWI846825B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000109373A (ja) * | 1998-10-02 | 2000-04-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 放熱用シリコーングリース組成物及びそれを使用した半導体装置 |
JP2012069783A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 熱伝導性シリコーン組成物およびこれを用いる実装基板 |
JP2017031231A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 縮合硬化型シリコーン組成物 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023057347A1 (en) | 2021-10-06 | 2023-04-13 | Wacker Chemie Ag | Thermally conductive silicone composition and method for producing the same |
KR20230055965A (ko) | 2021-10-19 | 2023-04-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 열전도성 실리콘 조성물 |
EP4169984A1 (en) | 2021-10-19 | 2023-04-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Thermally conductive silicone composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI846825B (zh) | 2024-07-01 |
WO2020202800A1 (ja) | 2020-10-08 |
EP3951859A4 (en) | 2023-04-05 |
TW202104533A (zh) | 2021-02-01 |
JP7027368B2 (ja) | 2022-03-01 |
EP3951859A1 (en) | 2022-02-09 |
US20220162447A1 (en) | 2022-05-26 |
CN113632220A (zh) | 2021-11-09 |
KR20210148140A (ko) | 2021-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI742051B (zh) | 熱傳導性聚矽氧組成物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
TWI736699B (zh) | 熱傳導性矽氧組合物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
WO2020202800A1 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物、その製造方法及び半導体装置 | |
TWI454564B (zh) | Thermal conductive silicone grease composition | |
TWI667291B (zh) | Thermally conductive fluorenone composition | |
JP5898139B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP2009096961A (ja) | リワーク性に優れた熱伝導性シリコーングリース組成物 | |
JP6705426B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP6614362B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP2015140395A (ja) | 熱伝導性シリコーングリース組成物 | |
JP5947267B2 (ja) | シリコーン組成物及び熱伝導性シリコーン組成物の製造方法 | |
JP2009138036A (ja) | 熱伝導性シリコーングリース組成物 | |
JP7070320B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP2008222776A (ja) | 熱伝導性シリコーングリース組成物 | |
JP7237884B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP2018058953A (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置 | |
JP2011088953A (ja) | 放熱用熱伝導性シリコーングリース組成物及びその使用方法 | |
JP6579272B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
WO2006043334A1 (ja) | 放熱用シリコーン組成物 | |
WO2021235214A1 (ja) | 高熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP7060097B2 (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物及び熱伝導性シート | |
JP2021191823A (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2019001900A (ja) | 熱伝導性シリコーン組成物 | |
JP2008291069A (ja) | 熱伝導性シリコーングリース組成物 | |
JP2008255275A (ja) | 熱伝導性シリコーングリース組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7027368 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |