TW202104533A - 熱傳導性矽氧組成物、其製造方法及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種熱傳導性矽氧組成物，其包含：(A)水解性有機聚矽氧烷，其具有烷氧矽烷基；(B)氮化鋁粒子，其平均粒徑為0.5μm以上且2.0μm以下，並且根據雷射繞射型粒度分佈測定法而得的粒子中的粒徑為10μm以上的粗粉的含量為整體的1.0體積%以下，該(B)成分的量為50～70體積%；並且，藉由熱碟法而得的熱傳導率為1.3W/mK以上。藉由本發明，能夠提供一種熱傳導性矽氧組成物及其製造方法，該熱傳導性矽氧組成物具有高熱傳導率，且可壓縮成厚度為10μm以下。

Description

熱傳導性矽氧組成物、其製造方法及半導體裝置
本發明有關一種熱傳導性矽氧組成物。詳細而言，本發明有關一種熱傳導性矽氧組成物、其製造方法及半導體裝置，該熱傳導性矽氧組成物能夠有效率地冷卻電子零件。
電子零件在使用中的發熱及因該發熱而導致性能下降的情形已廣為人知，作為用以解決此情形的手段，已使用各種散熱技術。一般而言，是藉由下述方式來實行散熱：在發熱部分附近配置冷卻構件(散熱座等)，並使兩者密接之後，從冷卻構件有效率地去除熱量。此時，如果發熱構件與冷卻構件之間存在空隙，則熱傳導性差的空氣會介入其中，由此導致熱阻增加，從而使得發熱構件的溫度無法充分下降。為了防止這樣的現象，使用了一種熱傳導率良好且對構件表面具有追隨性的散熱材料，例如液狀散熱材料或散熱片材。尤其，隨著裝置不同，也會有間隙為10μm以下而非常狹窄的情況，從而使用一種可壓縮成厚度為10μm以下的液狀散熱材料(專利文獻1～13)。
又，發熱部分與冷卻構件之間大多必須確保電性絕緣狀態，從而有時對熱傳導性材料要求絕緣性。此時，作為熱傳導性填充材料無法使用鋁和銅、銀等的金屬粒子，大多是使用氫氧化鋁、鋁土(氧化鋁)等的絕緣性熱傳導性填充材料。氫氧化鋁和鋁土，由於其本身的熱傳導率較低，因此如果想要使用這些熱傳導性填充材料來獲得具有高熱傳導性的熱傳導性材料，則必須填充較多的量。其結果，產生了下述問題：熱傳導性材料的黏度變非常高而難以塗佈、變得無法充分壓縮等(專利文獻14、15)。
進一步，已知發熱部分與冷卻構件會反覆發熱、冷卻，因此構件會反覆熱收縮。由此，促使熱傳導性矽氧組成物的油成分與熱傳導性填充劑分離。又，會發生下述被稱為抽出(pump-out)的現象：熱傳導性組成物從發熱部分與冷卻構件之間被押出。其結果，熱阻上升，且變得無法有效率地冷卻發熱部分。為了防止這樣的現象，提案了一種添加增黏劑來提高熱傳導性矽氧組成物的黏度的方法。然而，存在下述問題：黏度變非常高而難以塗佈(專利文獻16)。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本專利第2938428號公報 專利文獻2：日本專利第2938429號公報 專利文獻3：日本專利第3580366號公報 專利文獻4：日本專利第3952184號公報 專利文獻5：日本專利第4572243號公報 專利文獻6：日本專利第4656340號公報 專利文獻7：日本專利第4913874號公報 專利文獻8：日本專利第4917380號公報 專利文獻9：日本專利第4933094號公報 專利文獻10：日本特開2008-260798號公報 專利文獻11：日本特開2009-209165號公報 專利文獻12：日本特開2012-102283號公報 專利文獻13：日本特開2012-96361號公報 專利文獻14：日本特開2017-226724號公報 專利文獻15：日本特開2017-210518號公報 專利文獻16：日本特開2004-91743號公報
[發明所欲解決的問題]
如上所述，要求開發一種熱傳導性矽氧組成物，其兼具高熱傳導率和可壓縮成厚度為10μm以下的壓縮性。本發明是有鑑於上述情事而完成，其目的在於提供一種熱傳導性矽氧組成物及其製造方法，該熱傳導性矽氧組成物相較於過去的熱傳導性矽氧組成物，具有較高的熱傳導率，且可壓縮成厚度為10μm以下。 [解決問題的技術手段]
為了達成上述目的，本發明提供一種熱傳導性矽氧組成物，其包含下述(A)成分及(B)成分： (A)水解性有機聚矽氧烷，其具有烷氧矽烷基； (B)氮化鋁粒子，其平均粒徑為0.5μm以上且2.0μm以下，並且根據雷射繞射型粒度分佈測定法而得的粒子中的粒徑為10μm以上的粗粉的含量為整體的1.0體積%以下，該(B)成分的量為50～70體積%； 並且，藉由熱碟法而得的熱傳導率為1.3W/mK以上。
相較於過去的熱傳導性矽氧組成物，此熱傳導性矽氧組成物具有較高的熱傳導率，並且可壓縮成厚度為10μm以下，壓縮性良好。
較佳是前述氮化鋁粒子的氧含量為1.0質量%以下。 如果前述氧含量為規定值以下，則熱傳導性矽氧組成物的熱傳導率進一步變高。
較佳是此熱傳導性矽氧組成物藉由雷射閃光法所測得的在25℃時的熱阻為5.0mm2 ･K/W以下。 如果前述熱阻為規定值以下，則熱傳導性矽氧組成物的熱傳導率進一步變高。
較佳是此熱傳導性矽氧組成物藉由螺旋式黏度計所測得的在25℃、剪切速率為6S－1 時的絕對黏度為3～500Pa･S。 如果前述絕對黏度在上述規定的範圍內，則容易保持此熱傳導性矽氧組成物的形狀及容易噴射此熱傳導性矽氧組成物，且操作性良好。
又，本發明提供一種半導體裝置，前述熱傳導性矽氧組成物，介於被形成在發熱體與冷卻體之間的厚度為10μm以下的間隙中。 此半導體裝置，熱傳導性矽氧組成物介於被形成在發熱體與冷卻體之間的狹窄間隙中，該熱傳導性矽氧組成物相較於過去的熱傳導性矽氧組成物，具有較高的熱傳導率，並且可壓縮成厚度為10μm以下，壓縮性良好，因此該半導體裝置具有較高的冷卻性能。
較佳是前述發熱體為絕緣閘雙極電晶體(IGBT)。如果前述發熱體為IGBT，則此半導體裝置能夠有效率地冷卻IGBT。
進一步，本發明提供一種熱傳導性矽氧組成物的製造方法，是製造前述熱傳導性矽氧組成物的方法，其包含下述步驟：在100℃以上的溫度混合前述(A)成分及(B)成分30分鐘以上。 藉由此製造方法，能夠製造一種熱傳導性矽氧組成物，其相較於過去的熱傳導性矽氧組成物，具有較高的熱傳導率，並且可壓縮成厚度為10μm以下，壓縮性良好。
根據本發明，能夠獲得一種熱傳導性矽氧組成物，其相較於過去的熱傳導性矽氧組成物，具有較高的熱傳導率，並且可壓縮成厚度為10μm以下，壓縮性良好。
如上所述，要求開發一種矽氧組成物，其具有高熱傳導率，並且可壓縮成厚度為10μm以下，壓縮性良好。
本發明人針對上述目的反覆專心研究，結果發現一種矽氧組成物，其包含水解性有機聚矽氧烷及氮化鋁，該水解性有機聚矽氧烷具有烷氧矽烷基，該氮化鋁的平均粒徑在特定範圍內且粗粉的含量較少，該矽氧組成物相較於過去的矽氧組成物，具有較高的熱傳導率，並且可壓縮成厚度為10μm以下，壓縮性良好，從而完成本發明。
亦即，本發明是一種熱傳導性矽氧組成物，其包含下述(A)成分及(B)成分： (A)水解性有機聚矽氧烷，其具有烷氧矽烷基； (B)氮化鋁粒子，其平均粒徑為0.5μm以上且2.0μm以下，並且根據雷射繞射型粒度分佈測定法而得的粒子中的粒徑為10μm以上的粗粉的含量為整體的1.0體積%以下，該(B)成分的量為50～70體積%； 並且，藉由熱碟法而得的熱傳導率為1.3W/mK以上。
以下，詳細地說明本發明。 [(A)成分] (A)成分，是一種具有烷氧矽烷基之水解性有機聚矽氧烷。(A)成分，能夠作為下述(B)成分的熱傳導性填充材料的表面處理劑來發揮作用。因此，(A)成分與(B)成分的熱傳導性填充劑的交互作用變強。其結果，即便在熱傳導性矽氧組成物中填充大量的(B)成分的熱傳導性填充劑，熱傳導性矽氧組成物仍能夠保持流動性。同時，亦能夠抑制因經時的油分離或抽出所引起的散熱性能下降。作為(A)成分，可列舉例如由下述通式(1)表示的有機聚矽氧烷。其中，較佳是含有三官能的水解性有機聚矽氧烷。
Figure 02_image001
式1中，R1 獨立地為未被取代或經取代的一價烴基。X1 、X2 、X3 是由R1 或-(R2 )n -SiR3 g (OR4 )3-g 表示的基團，可各自不同，但至少1個是-(R2 )n -SiR3 g (OR4 )3-g 。R2 是氧原子或碳數為1～4的伸烷基，R3 獨立地為不含有脂肪族不飽和鍵之未被取代或經取代的一價烴基，R4 獨立地為碳數為1～4的烷基、烷氧烷基、烯基或醯基，n是0或1，g是0～2的整數。a和b各自是1≦a≦1000、0≦b≦1000。
上述式(1)中，R1 獨立地為未被取代或經取代的一價烴基，較佳是碳數為1～10，更佳是1～6，進一步更佳是1～3，作為其例子，可列舉：直鏈狀烷基、支鏈狀烷基、環狀烷基、烯基、芳基、芳烷基、鹵化烷基等。作為直鏈狀烷基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、己基、辛基。作為支鏈狀烷基，可列舉例如：異丙基、異丁基、三級丁基、2-乙基己基。作為環狀烷基，可列舉例如：環戊基、環己基。作為烯基，可列舉例如：乙烯基、烯丙基。作為芳基，可列舉例如：苯基、甲苯基。作為芳烷基，可列舉例如：2-苯乙基、2-甲基-2-苯乙基。作為鹵化烷基，可列舉例如：3,3,3-三氟丙基、2-(九氟丁基)乙基、2-(十七氟辛基)乙基。作為R1 ，較佳是甲基、苯基、乙烯基。
作為R2 的碳數為1～4的伸烷基，可列舉例如：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基等。R3 獨立地為不含有脂肪族不飽和鍵之未被取代或經取代的一價烴基，較佳是碳數為1～10，更佳是1～6，進一步更佳是1～3。可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、異丁基、三級丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基等的烷基；環戊基、環己基、環庚基等的環烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、聯苯基等的芳基；苯甲基、苯乙基、苯丙基、甲基苯甲基等的芳烷基；以及，這些基團的碳原子所鍵結的氫原子的一部分或全部被氟、氯、溴等的鹵素原子、氰基等取代而得之基團等。
上述R4 獨立地為碳數為1～4的烷基、烷氧烷基或烯基、或是醯基。作為上述R4 的烷基，可列舉例如與針對R1 所例示的烷基相同的碳數為1～4的烷基等。作為烷氧烷基，可列舉例如：甲氧乙基、甲氧丙基等。作為上述R4 的醯基，例如，較佳是碳數為2～8的醯基，可列舉：乙醯基、辛醯基等。R4 較佳是烷基，特佳是甲基、乙基。
a、b如上所述，較佳是a＋b為10～1000，更佳是10～300。n是0或1，g是0～2的整數，較佳是0。再者，較佳是分子中具有1～6個OR4 基，特佳是具有3或6個OR4 基。再者，括弧內所示的各矽氧烷單元的鍵結順序，不限制於下述。 作為(A)成分的適合的具體例，可列舉下述例子。
Figure 02_image003
(A)成分是熱傳導性矽氧組成物的主成分，其摻合量較佳是熱傳導性矽氧組成物中的30～50體積%，進一步更佳是40～50體積%。藉由含有此範圍的(A)成分，能夠保持良好的壓縮性，並且防止因油分離或抽出所引起的熱阻惡化。又，(A)成分，可摻合單獨1種，亦可將2種以上組合來加以摻合。
[(B)成分] 本發明的熱傳導性矽氧組成物，包含作為熱傳導性填充材料的(B)氮化鋁粒子。與鋁土相比，氮化鋁具有較高的熱傳導率。因此，與氧化鋁相比，能夠以更少的量來獲得一種具有較高熱傳導率的熱傳導性矽氧組成物。(B)成分的氮化鋁粒子的平均粒徑為0.5μm以上且2.0μm以下，較佳是0.5μm以上且1.5μm以下。如果(B)氮化鋁粒子的平均粒徑超過2.0μm，則所獲得的熱傳導性矽氧組成物的壓縮性會明顯惡化。又，當(B)氮化鋁粒子的平均粒徑小於0.5μm，則熱傳導性矽氧組成物的黏度會明顯上升。
前述平均粒徑，是根據MICROTRAC雷射繞射散射法而得的體積平均粒徑(累積平均直徑D50 (中值徑))，能夠藉由例如日機裝股份有限公司製造的MICROTRAC MT3300EX來進行測定。
(B)成分的氮化鋁粒子中的粒徑為10μm以上的粗粉的含量為1.0體積%以下。如果該粗粉的含量超過1.0體積%，則將熱傳導性矽氧組成物壓縮時無法將厚度設為10μm以下。關於下限，並無特別限制，根據技術上的偵測極限，該粗粉的含量，例如能夠設為0.001體積%以上。氮化鋁粒子中的粗粉以盡可能較小為佳，粗粉的粒徑較佳是12μm以下。 該粗粉的含量，能夠藉由例如日機裝股份有限公司製造的MICROTRAC MT3300EX來進行測定。 本發明的熱傳導性矽氧組成物，包含50～70體積%的(B)氮化鋁粒子。如果(B)氮化鋁粒子的含量少於50體積%，則熱傳導性矽氧組成物的熱傳導率會下降；如果超過70體積%，則無法使熱傳導性矽氧組成物均勻。
(B)成分的氮化鋁粒子的氧含量，較佳是1.0質量%以下，更佳是0.5質量%以下。藉由使用將氧含量設為1.0質量以下而得的氮化鋁粒子作為(B)成分的氮化鋁粒子，能夠提升熱傳導性矽氧組成物的熱傳導率。前述氧含量的下限，並無特別限定，例如能夠設為0.13質量%。再者，氧含量，能夠藉由HORIBA公司製造的ENGA-120來進行測定。
(B)成分的氮化鋁粒子的製法，可以是直接氮化法和還原氮化法的任一者，較佳是還原氮化法。原因在於，直接氮化法包含破碎步驟，因此氮化鋁粒子的形狀不固定，但是藉由還原氮化法所製造的氮化鋁粒子一般是圓形的，且填充性良好。
[其他成分] 本發明的熱傳導性矽氧組成物，可為了調整該組成的彈性模數或黏度而摻合甲基聚矽氧烷等的有機(聚)矽氧烷。又，為了防止熱傳導性矽氧組成物劣化，可根據需要而摻合2,6-二-三級丁基-4-甲苯酚等的過去公知的抗氧化劑。進一步，能夠根據需要而摻合搖變性賦予劑、染料、顏料、難燃劑、抗沉降劑、搖變性提升劑等。
[矽氧組成物] 本發明的熱傳導性矽氧組成物藉由熱碟法而得的熱傳導率為1.3W/mK以上。再者，熱傳導率的測定方法的詳細內容，例如是下述實施例的方法。關於上限，並無特別限定，藉由該熱碟法而得的熱傳導率的上限，例如能夠設為10W/mK。
本發明的熱傳導性矽氧組成物，具有良好的壓縮性。實行4.1MPa的加壓2分鐘時的熱傳導性矽氧組成物的厚度，較佳是在0.5～10μm的範圍內，更佳是在0.5～5μm內。再者，實行加壓時的厚度的測定方法，例如是下述實施例的方法。
本發明的熱傳導性矽氧組成物，兼具高熱傳導率和良好的壓縮性，因此能夠具有低熱阻。熱傳導性矽氧組成物的熱阻，較佳是藉由雷射閃光法測得在25℃時為5.0mm2 ･K/W以下，進一步更佳是3.0mm2 ･K/W以下。關於下限，並無特別限制，就物理問題來看，例如能夠設為0.1mm2 ･K/W。再者，熱阻的測定方法的詳細內容，例如是下述實施例的方法。
本發明的熱傳導性矽氧組成物在25℃時所測得的絕對黏度，較佳是3～500Pa･s，更佳是10～500Pa･s。如果絕對黏度為3Pa･s以上，則容易保持形狀且操作性變良好。另一方面，當絕對黏度為500Pa･s以下時，變得容易噴射，因此操作性變良好。絕對黏度，能夠藉由摻合上述各成分來調整。在本發明中，絕對黏度，例如是藉由Malcom股份有限公司製造的螺旋式黏度計所測得的25℃、剪切速率為6S－1 時的值。
[半導體裝置] 本發明的半導體裝置，使本發明的熱傳導性矽氧組成物介於被形成在IGBT等的發熱體與冷卻體之間的厚度為10μm以下的間隙中。本發明的熱傳導性矽氧組成物能夠壓縮至厚度為10μm以下。藉此，與過去的熱傳導性矽氧組成物相比，能夠期待冷卻效率提升。形成在發熱體與冷卻體之間的前述間隙的下限，並無特別限制，例如能夠設為0.2μm。代表性的結構如第1圖所示，但是本發明不限定此結構。第1圖所示的半導體裝置，熱傳導性矽氧組成物2介於在發熱體也就是IGBT1與冷卻體也就是冷卻片3之間的間隙中。由IGBT1所產生的熱量，藉由熱傳導性矽氧組成物2來傳遞至冷卻片3，並散熱至與冷卻片3接觸的冷卻水4。
本發明的半導體裝置的製造方法，並無特別限制，由於將熱傳導性矽氧組成物的厚度設為10μm以下，因此較佳是以0.1Mpa以上的壓力來組裝，進一步更佳是以4.0Mpa以上的壓力來組裝。熱傳導性矽氧組成物的加壓時，藉由提升壓力，能夠減少壓縮所花費的時間。
[熱傳導性矽氧組成物的製造方法] 說明本發明的熱傳導性矽氧組成物的製造方法，但是不限定於這些說明。 製造本發明的熱傳導性矽氧組成物的方法，只要依照過去的熱傳導性矽氧組成物的製造方法即可，並無特別限制。可列舉例如包含了混合上述(A)成分和(B)成分的步驟之方法，具體而言，能夠藉由混合上述(A)成分和(B)成分、其他任意成分來獲得。作為混合裝置，並無特別限定，能夠使用下述混合機：TRI-MIX、TWIN MIX、PLANETARY MIXER(皆為井上製作所股份有限公司製造的混合機的註冊商標)、Ultra mixer(MIZUHO工業股份有限公司製造的混合機的註冊商標)、HIVIS DISPER MIX(特殊機化工業股份有限公司製造的混合機的註冊商標)等。又，可為了碎解熱傳導性填充劑也就是(B)氮化鋁粒子的凝聚而實施三輥成形處理等。
混合上述(A)成分和(B)成分的步驟時，藉由以100℃以上的溫度進行混合30分鐘以上，能夠利用(A)成分來對(B)成分充分進行表面處理，從而抑制經時的熱阻惡化。該混合步驟時的溫度的上限，並無特別限制，較佳是20℃以下。又，該混合步驟的時間的上限，並無特別限制，例如能夠設為4小時。 [實施例]
以下，示出實施例及比較例來具體地說明本發明，但是本發明不限制於下述實施例。 所使用的成分如以下所述。
[(A)成分] (A-1)由下述式表示的單末端含三甲氧矽烷基之二甲基聚矽氧烷
Figure 02_image004
(A-2)由下述式表示的不具有水解性官能基之二甲基聚矽氧烷(比較品)
Figure 02_image005
[(B)成分] (B-1)平均粒徑為1.0μm且10μm以上的粗粉為0.1體積%以下的氮化鋁粒子 (B-2)平均粒徑為1.4μm且10μm以上的粗粉為0.4體積%以下的氮化鋁粒子 (B-3)平均粒徑為0.7μm且10μm以上的粗粉為0.1體積%以下的氮化鋁粒子 (B-4)平均粒徑為1.5μm且10μm以上的粗粉為5.0體積%以下的氮化鋁粒子(比較品)
[實施例1～5、比較例1～4] >熱傳導性矽氧組成物的製備> 依照下述表1和2所示的摻合量，並藉由下述所示的方法來摻合上述(A)成分和(B)成分，而製備熱傳導性矽氧組成物。 在5公升的行星式攪拌機(井上製作所股份有限公司製造)中加入(A)成分和(B)成分，並在170℃加以混合1小時。冷卻至變成常溫為止後，以成為均勻的方式進行混合，而製備製備熱傳導性矽氧組成物。 對於藉由上述方法所獲得的各熱傳導性組成物，依照下述方法，來測定黏度、熱傳導率、壓縮性、及熱阻。結果如表1和2所示。
[黏度] 使用Malcom股份有限公司製造的螺旋式黏度計，以25℃、旋轉數為6S－1 的條件來測定熱傳導性矽氧組成物的絕對黏度。
[熱傳導率] 利用京都電子工業股份有限公司製造的TPA-501，以25℃的條件來測定試驗片的熱傳導率，該試驗片是將熱傳導性矽氧組成物包裹在保鮮膜中，並使其成為囊袋狀而得。
[壓縮性] 將所製造的熱傳導性矽氧組成物夾於已切割成直徑為1mm的圓形的矽晶圓中，並使用SHIMAZU公司製造的自動立體測圖儀(autograph)AG-5KNZPLUS，以4.1MPa來實行2分鐘的加壓後，測定厚度。
[熱阻] 使用上述試驗片，並藉由根據雷射閃光法的熱阻測定器(NETZSCH公司製造的氙閃光分析儀，商品名：LFA447NanoFlash)來在25℃進行測定。
[熱循環後的熱阻] 對上述試驗片，使用ESPEC股份有限公司製造的冷熱衝擊試驗機TSE-11A，實行1000次循環的冷熱衝擊試驗後，在25℃測定熱阻，該冷熱衝擊試驗是將－40℃×30分鐘→150℃×30分鐘設為1次循環。
[表1]
Figure 02_image007
[表2]
Figure 02_image009
根據表1和2的結果，滿足本發明的要件之實施例1～5獲得一種熱傳導性矽氧組成物，其具有較高的熱傳導率，同時可壓縮成厚度為10μm以下，壓縮性良好。 另一方面，未使用本發明的(A)成分之比較例1未獲得均勻的熱傳導性矽氧組成物。又，熱傳導性填充劑多於70體積%之比較例2亦未獲得均勻的熱傳導性矽氧組成物。進一步，熱傳導性填充劑的含量少於50體積%之比較例3的熱傳導率大幅下降。比較例4使用了10μm以上的粗粉的含量多於整體的1.0體積%之氮化鋁粒子作為熱傳導性填充劑，壓縮性明顯惡化。
再者，本發明並不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，任何具有實質上與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想相同的構成且發揮相同功效者，皆包含在本發明的技術範圍內。
1:絕緣閘雙極電晶體(IGBT) 2:熱傳導性矽氧組成物 3:冷卻片 4:冷卻水
第1圖是表示半導體裝置的一例的剖面圖，本發明的熱傳導性矽氧組成物介於該半導體裝置的絕緣閘雙極電晶體與冷卻片的間隙中。
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1:絕緣閘雙極電晶體(IGBT)
2:熱傳導性矽氧組成物
3:冷卻片
4:冷卻水

Claims (11)

  1. 一種熱傳導性矽氧組成物，其特徵在於，包含下述(A)成分及(B)成分： (A)水解性有機聚矽氧烷，其具有烷氧矽烷基； (B)氮化鋁粒子，其平均粒徑為0.5μm以上且2.0μm以下，並且根據雷射繞射型粒度分佈測定法而得的粒子中的粒徑為10μm以上的粗粉的含量為整體的1.0體積%以下，該(B)成分的量為50～70體積%； 並且，藉由熱碟法而得的熱傳導率為1.3W/mK以上。
  2. 如請求項1所述之熱傳導性矽氧組成物，其中，前述氮化鋁粒子的氧含量為1.0質量%以下。
  3. 如請求項1所述之熱傳導性矽氧組成物，其中，藉由雷射閃光法所測得的在25℃時的熱阻為5.0mm2 ･K/W以下。
  4. 如請求項2所述之熱傳導性矽氧組成物，其中，藉由雷射閃光法所測得的在25℃時的熱阻為5.0mm2 ･K/W以下。
  5. 如請求項1所述之熱傳導性矽氧組成物，其中，藉由螺旋式黏度計所測得的在25℃、剪切速率為6S－1 時的絕對黏度為3～500Pa･S。
  6. 如請求項2所述之熱傳導性矽氧組成物，其中，藉由螺旋式黏度計所測得的在25℃、剪切速率為6S－1 時的絕對黏度為3～500Pa･S。
  7. 如請求項3所述之熱傳導性矽氧組成物，其中，藉由螺旋式黏度計所測得的在25℃、剪切速率為6S－1 時的絕對黏度為3～500Pa･S。
  8. 如請求項4所述之熱傳導性矽氧組成物，其中，藉由螺旋式黏度計所測得的在25℃、剪切速率為6S－1 時的絕對黏度為3～500Pa･S。
  9. 一種半導體裝置，其特徵在於，請求項1～8中任一項所述之熱傳導性矽氧組成物，介於被形成在發熱體與冷卻體之間的厚度為10μm以下的間隙中。
  10. 如請求項9所述之半導體裝置，其中，前述發熱體為絕緣閘雙極電晶體。
  11. 一種熱傳導性矽氧組成物的製造方法，是製造請求項1～8中任一項所述之熱傳導性矽氧組成物的方法，其特徵在於，包含下述步驟：在100℃以上的溫度混合前述(A)成分及(B)成分30分鐘以上。
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