TWI736699B - 熱傳導性矽氧組合物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

熱傳導性矽氧組合物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種含有下述成分(A)、(B)、(C)以及(D)的熱傳導性矽氧組合物。其中，成分(A)為由下述平均組成式(1)所表示，且在25℃下的運動黏度為10~100000mm2/s的有機聚矽氧烷R1 aSiO(4-a)/2 (1)
(在通式(1)中，R1表示為氫原子或一價烴基，a為滿足1.8
Figure 106137092-A0202-11-0001-8
a

Description

熱傳導性矽氧組合物、半導體裝置及半導體裝置的製造方法
本發明涉及熱傳導性優異的矽氧組合物以及使用該矽氧組合物的半導體裝置。
由於多數的電子元件在使用中放熱，為了確實地發揮該電子元件的功能，需要從該電子元件去除熱。尤其是被用於個人電腦的CPU等的積體電路元件，由於操作頻率的高速化導致熱值增大，從而散熱對策則成為重要的問題。因此，人們提出了眾多的散放出該熱的方法。特別是提出了在放熱量多的電子元件中，於電子元件和散熱體等的元件之間借助熱傳導性潤滑脂和熱傳導性片材的熱傳導性材料進行放熱的方法。
在日本特開平2-153995號公報(專利文獻1)中，揭示了將一定粒徑範圍的球狀六方晶系氮化鋁粉配合在特定的有機聚矽氧烷中的矽氧潤滑脂組合物；在日本特開平3-14873號公報(專利文獻2)中，揭示了組合細粒徑的氮化鋁粉和粗粒徑的氮化鋁粉的熱傳導性有機矽氧烷組合物；在日本特開平10-110179號公報(專利文獻3)中，揭示了組合氮化鋁粉和氧化鋅粉的熱傳導性矽氧潤滑脂組合物；在日本特開2000-63872號公報(專利文獻4)中，揭示了使用有機矽烷處理了的氮化鋁 粉的熱傳導性潤滑脂組合物。
氮化鋁的熱傳導率為70~270W/mK，由此作為比氮化鋁熱傳導性高的材料，有熱傳導率900~2000W/mK的金剛石。在日本特開2002-30217號公報(專利文獻5)中，揭示了使用了矽氧樹脂、金剛石、氧化鋅以及分散劑的熱傳導性矽氧組合物。
另外，在日本特開2000-63873號公報(專利文獻6)和日本特開2008-222776號公報(專利文獻7)中，揭示了於矽油等的基礎油中混合了金屬鋁粉的熱傳導性潤滑脂組合物。
進一步，在日本專利3130193號公報(專利文獻8)和日本專利3677671號公報(專利文獻9)中還揭示了將熱傳導率高的銀粉作為填充劑使用的矽橡膠組合物等。
在上述的熱傳導性材料和熱傳導性潤滑脂中雖存在有顯示出高熱傳導率者，但顯示出高熱傳導率之者，其由於黏接強度不充分，熱傳導性潤滑脂與放熱性電子元件或熱傳導性潤滑脂與散熱體剝離，從而導致熱阻增加，且缺乏可靠性。因此，以上所有的熱傳導性材料和熱傳導性潤滑脂均不能充分地對應最近的發熱量大的CPU等的積體電路元件的放熱量。
現有技術文獻 專利文獻
專利文獻1日本特開平2-153995號公報
專利文獻2日本特開平3-14873號公報
專利文獻3日本特開平10-110179號公報
專利文獻4日本特開2000-63872號公報
專利文獻5日本特開2002-30217號公報
專利文獻6日本特開2000-63873號公報
專利文獻7日本特開2008-222776號公報
專利文獻8日本專利3130193號公報
專利文獻9日本專利3677671號公報
因此，本發明的目的在於，提供一種發揮良好的放熱效果的熱傳導性矽氧組合物以及具有該熱傳導性矽氧組合物的高可靠性的半導體裝置。
為了達到上述目的，本發明人們依據精心研究的結果，找出了藉由將具有特定的粒徑的銀奈米粒子和特定的粉末混合在特定的有機聚矽氧烷中，從而能夠飛躍性地提高散熱效果的方法，進而完成了本發明。即，本發明為提供以下的熱傳導性矽氧組合物等的發明。
[1]一種熱傳導性矽氧組合物，其包含：成分(A)、成分(B)、成分(C)以及成分(D)，其中，成分(A)為由下述平均組成式(1)所表示，且在25℃下的運動黏度為10~100000mm2/s的有機聚矽氧烷，R1 aSiO(4-a)/2 (1)
通式(1)中，R1表示氫原子或碳原子數為1~18的飽和或不 飽和的一價烴基，a為滿足1.8
Figure 106137092-A0202-12-0004-10
a
Figure 106137092-A0202-12-0004-11
2.2的數；成分(B)為平均粒徑3~600nm的銀奈米粒子，相對於成分(A)100質量份，該成分(B)為50~1700質量份；成分(C)為平均粒徑0.7~100μm，具有10W/m℃以上的熱傳導率，並為成分(B)以外的熱傳導性填充材料，相對於成分(A)100質量份，該成分(C)為50~3000質量份；以及成分(D)為選自鉑族催化劑、有機過氧化物以及縮合反應用催化劑中的催化劑，該成分(D)的配合量為催化劑用量。
[2]如[1]所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，在150℃、90分鐘的條件下加熱後的熱阻與加熱前的熱阻的比值(加熱後的熱阻/加熱前的熱阻)為0.5以下；且(在150℃、90分鐘的條件下加熱後的黏接強度)/(在60℃、90分鐘的條件下加熱後的黏接強度)的值為2.0以上。
[3]如[1]或[2]所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，成分(C)的熱傳導性填充材料為平均粒徑0.7~20μm的銀粉末。
[4]如[1]~[3]中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，成分(B)的銀奈米粒子的質量α和成分(C)的熱傳導性填充材料的質量β的質量比α/β為0.03~40。
[5]如[1]~[4]中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，成分(C)的熱傳導性填充材料的振實密度為3.0~7.0g/cm3、比表面積為0.08~2.0m2/g。
[6]如[1]~[5]中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，成分(A)的全部或其一部分為成分(E)和/或成分(F)， 成分(E)為在1個分子中至少含有2個與矽原子鍵結的烯基的有機聚矽氧烷；成分(F)為在1個分子中至少含有2個與矽原子鍵結的氫原子的有機氫化聚矽氧烷。
[7]如[1]~[6]中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物，其進一步含有作為成分(G)的有機矽烷，該作為成分(G)的有機矽烷由下述平均組成式(2)所表示，R2 bSi(OR3)4-b (2)
在通式(2)中，R2表示選自碳原子數為1~18的可具有取代基的飽和或不飽和的一價烴基、環氧基、丙烯基以及甲基丙烯基中的1種或2種以上的基團；R3表示為碳原子數為1~18的一價烴基；b為滿足1
Figure 106137092-A0202-12-0005-12
b
Figure 106137092-A0202-12-0005-13
3的數，並且，相對於成分(A)100質量份，所述作為成分(G)的有機矽烷的含量為0.1~20質量份。
[8]一種具備放熱性電子元件和散熱體的半導體裝置，其將如[1]~[7]中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物介入在所述放熱性電子元件和散熱體之間。
[9]一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，該方法具有如下製程：於放熱性電子元件和散熱體之間，在施加0.01MPa以上的壓力的狀態下將如[1]~[7]中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物加熱至80℃以上。
本發明的熱傳導性矽氧組合物由於在其固化後具有良好的散熱效果和優異的黏接強度，因此，如果使用該熱傳導性矽氧組合物則能夠獲得高可靠性的半導體裝置。
1‧‧‧基板
2‧‧‧放熱性電子元件(CPU)
3‧‧‧熱傳導性矽氧組合物層
4‧‧‧散熱體(蓋)
圖1為表示本發明的一實施例之半導體裝置的縱剖面概略圖。
以下，對本發明的熱傳導性矽氧組合物加以詳細地說明。在以下的說明中，本發明的熱傳導性矽氧組合物可被單純地記載為“組合物”。
成分(A)：
為成分(A)的有機聚矽氧烷為由下述平均組成式(1)所表示，且在25℃下的運動黏度為10~100000mm2/s的有機聚矽氧烷。
R1 aSiO(4-a)/2 (1)
〔通式(1)中，R1表示選自氫原子、羥基或碳原子數為1~18的飽和或不飽和的一價烴基的組中的一種或二種以上的基團，a滿足1.8
Figure 106137092-A0202-12-0006-14
a
Figure 106137092-A0202-12-0006-22
2.2。〕
在上述通式(1)中，作為由R1表示的碳原子數為1~18的飽和或不飽和的一價烴基，可列舉例如，甲基、乙基、丙基、己基、辛基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基以及十八烷基等的烷基；環戊基、環己基等的環烷基；乙烯基、烯丙基等的烯基；苯基、甲苯基等的芳基；2-苯乙基、2-甲基 -2-苯乙基等的芳烷基；3,3,3-三氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、2-(全氟辛基)乙基以及對氯苯基等的鹵化烴基。如果將本發明的矽氧組合物作為潤滑脂使用，從作為矽氧潤滑脂組合物所要求的濃稠度的觀點考慮，a較佳為1.8~2.2，特別佳為1.9~2.1。
另外，在本發明中使用的有機聚矽氧烷在25℃下的運動黏度如果低於10mm2/s，則在製成組合物時容易出現滲油，如果高於100000mm2/s，則在形成組合物時的黏度將增高，進而降低其操作性。因此，作為(A)成分的有機聚矽氧烷的在25℃下的運動黏度需要為10mm2/s~100000mm2/s，特別佳為30mm2/s~10000mm2/s。需要說明的是，有機聚矽氧烷的運動黏度為在25℃下用奧斯特瓦爾德黏度計所測定的值。
成分(E)和成分(F)
成分(A)的全部或一部分，其較佳為作為成分(E)的在1個分子中至少含有2個與矽原子鍵結的烯基的有機聚矽氧烷和/或作為成分(F)的在1個分子中至少含有2個與矽原子鍵結的氫原子的有機氫化聚矽氧烷。
作為成分(E)的含有與矽原子鍵結的烯基的有機聚矽氧烷，其在一分子中至少具有2個(通常為2~50個)、較佳為2~20個、更佳為2~10個左右的與矽原子鍵結的烯基。作為成分(E)的有機聚矽氧烷中的烯基，可列舉例如，乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等。其中，尤其較佳為乙烯基。成分(E)中的烯基，其既可與分子鏈末端的矽原子鍵結，也可與非為分子鏈末端的部位的矽原子鍵結，並且可同時與分子鏈末端部位的矽原子和非為分子鏈末端的部位的矽原子鍵結。
在為成分(E)的有機聚矽氧烷中，作為除烯基以外的與矽原子鍵結的有機基，可列舉例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基以及庚基等的烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基以及萘基等的芳基；苄基、苯乙基等的芳烷基；氯甲基、3-氯丙基以及3,3,3-三氟丙基等的鹵化烷基等。其中，尤其較佳為甲基、苯基。
作為這樣的成分(E)的分子結構，雖可列舉，例如直鏈狀、具有部分支鏈的直鏈狀、環狀、支鏈狀、三維網狀等，但較佳為基本上主鏈由二有機矽氧烷單元(D單元)的重複所構成，且分子鏈兩末端用三有機矽氧基封端的直鏈狀二有機聚矽氧烷；或為該直鏈狀的二有機聚矽氧烷和支鏈狀或三維網狀的有機聚矽氧烷的混合物。
為成分(F)的有機氫化聚矽氧烷，其在一分子中至少含有2個(通常為2~300個)、較佳為2~100個左右的與矽原子鍵結的氫原子(即，SiH基)，也可為直鏈狀、支鏈狀、環狀或三維網狀結構的樹脂狀物的任意一種。成分(F)中的氫原子，其既可與分子鏈末端的矽原子鍵結，也可與非為分子鏈末端的部位的矽原子鍵結，並且可同時與分子鏈末端部位的矽原子和非為分子鏈末端的部位的矽原子鍵結。
在為成分(F)的有機氫化聚矽氧烷中，作為氫原子以外的已與矽原子鍵結的有機基團，可列舉例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基以及庚基等的烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基以及萘基等的芳基；苄基、苯乙基等的芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等的鹵化烷基等。尤其較佳為甲基、 苯基。
另外，在添加成分(A)的由平均組合式(1)所表示的有機聚矽氧烷的同時，也可配合由下述通式(3)表示的具有水解性基的有機聚矽氧烷(成分H)。該水解性有機聚矽氧烷的含量，相對於成分(A)較佳為0.1~20質量%的量，更佳為0.1~10質量%的量。
Figure 106137092-A0202-12-0009-1
在通式(3)中，R4為碳原子數1~6的烷基、R5彼此獨立地為碳原子數1~18的可具有取代基的飽和或不飽和的一價烴基，c為5~120的數。由上述通式(3)所示的有機聚矽氧烷輔助將粉末高填充於矽氧組合物中。另外，還可藉由該有機聚矽氧烷對粉末的表面進行疏水化處理。
在上述通式(3)中，R4為碳原子數1~6的烷基、例如，雖可列舉甲基、乙基、丙基等的碳原子數1~6的烷基等，但特別佳為甲基、乙基。R5彼此獨立地為碳原子數1~18、較佳為碳原子數1~10的可具有取代基的飽和或不飽和的非取代或取代的一價烴基。作為該一價烴基，可列舉例如，甲基、乙基、丙基、己基、辛基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基以及十八烷基等的烷基；環戊基和環己基等的環烷基；乙烯基和烯丙基等的烯基；苯基和甲苯基等的芳基；2-苯乙基和2-甲基-2-苯乙基等的芳烷基；或藉由用氟、溴、氯等鹵原子、氰 基等取代這些基團中的一部分或所有的氫原子而成的基團，例如，可列舉3,3,3-三氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、2-(全氟辛基)乙基、對氯苯基等。其中，特別佳為甲基。在上述通式(3)中，c為5~120的數，較佳為10~90的數。
成分(B)：
成分(B)為平均粒徑3~600nm的銀奈米粒子。成分(B)的銀奈米粒子的平均粒徑如果小於3nm，則導致組合物的黏度上升，進而導致操作性惡化。另外，成分(B)的銀納粒子的平均粒徑如果大於600nm，則難以形成銀奈米粒子的熱傳導通道，進而導致熱傳導性降低。因此，成分(B)的銀奈米粒子的平均粒徑為3~600nm，較佳為50~400nm，更佳為100~350nm。需要說明的是，在本發明中，銀奈米粒子的平均粒徑為藉由使用掃描電子顯微鏡(SEM)，在倍率5000倍下測定600個的粒子的投影徑的定向徑所求得的平均值。
用於本發明的為成分(B)的銀奈米粒子，能夠藉由混合羧酸鹽的銀鹽和脂肪族伯胺，然後添加還原劑，使其在20~80℃的反應溫度下析出銀奈米粒子進行製備。另外，作為成分(B)的銀奈米粒子也可以使用習知的銀粉末。
相對於(A)成分100質量份，為成分(B)的銀奈米粒子的配合量如果少於50質量份則所得到的組合物的熱傳導率降低。為成分(B)的銀奈米粒子的該配合量如果高於1700質量份則所得到的組合物的黏度上升，從而導致操作性惡化。因此，為成分(B)的銀奈米粒子的配合量為50~1700質量份，較佳為250~1100質量份，更佳為400~800質量份。
成分(C)：
成分(C)為平均粒徑0.7~100μm，且具有10W/m℃以上的熱傳導率的成分(B)以外的熱傳導性填充材料。
成分(C)的熱傳導性填充材料的平均粒徑如果小於0.7μm，則所得到的組合物的熱傳導性降低。另外，成分(C)的熱傳導性填充材料的平均粒徑如果大於100μm，則所得到的組合物的熱阻加大，進而導致熱傳導性填充材料的性能降低。因此，成分(C)的熱傳導性填充材料的平均粒徑以在0.7~100μm的範圍為宜，較佳為在1~50μm的範圍，更佳為在1.5~30μm的範圍。需要說明的是，在本發明中，熱傳導性填充材料的平均粒徑為能夠藉由Nikkiso Co.,Ltd.製造MicroTrac MT330 OEK(鐳射衍射/散射式粒徑分佈測定儀)進行測定的體積基準的體積平均粒徑[MV]。
成分(C)的熱傳導率為10W/m℃以上，以10~2000W/m℃為宜，較佳為100~2000W/m℃，更佳為200~2000W/m℃。如果該熱傳導率小於10W/m℃，則組合物的熱傳導率變小。需要說明的是，在本發明中的熱傳導性填充材料的熱傳導率為藉由日本京都電子工業股份有限公司製造的QTM-500(快速熱導儀)進行測定的值。
相對於成分(A)100質量份，成分(C)的熱傳導性填充材料的配合量為50~3000質量份，較佳為100~1700質量份，更較佳為200~1200質量份。成分(C)的熱傳導性填充材料的配合量，若相對於成分(A)100質量份為少於50質量份，則所得到的組合物的熱傳導率降低；若相對於成分(A)100質量份為多 於3000質量份，則所得到的組合物的黏度上升，從而導致操作性惡化。
作為成分(C)的熱傳導性填充材料，可以列舉為銀、鋁、氧化鋅、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋁、氫氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、金剛石、金、銅、炭、鎳、銦、鎵以及金屬矽等的粉末，其較佳為銀粉末。
在作為成分(C)的熱傳導性填充材料使用銀粉末的情況下，銀粉末的平均粒徑較佳為0.7~20μm。銀粉末的平均粒徑如果小於0.7μm，則所得到的組合物的熱傳導率降低；如果大於20μm則所得到的組合物的熱阻加大，從而導致性能降低。因此，銀粉末的平均粒徑以0.7~20μm為宜，較佳為1~15μm，更佳為1.5~10μm。另外，成分(C)的銀粉末可以使用習知的銀粉末。銀粉末的形狀並無特殊的限定，可以使用例如，球狀、粒狀或薄片狀(鱗片狀)的銀粉末。
成分(B)的銀奈米粒子的質量α和成分(C)在為熱傳導性填充材料的情況下的熱傳導性填充材料的質量β的質量比α/β如果小於0.03則組合物的熱傳導率降低；質量比α/β如果大於40則所得到的組合物的黏度上升，從而導致操作性惡化。因此，該質量比α/β較佳為0.03~40，特別佳為0.1~10，更佳為0.3~3。
成分(C)的熱傳導性填充材料，其較佳為振實密度為3.0~7.0g/cm3，比表面積為0.08~2.0m2/g。為成分(C)的熱傳導性填充材料的振實密度如果小於3.0g/cm3，則有可能對成分(C)的組合物不能提升填充率，從而組合物的黏度上升， 導致操作性變劣。因此，成分(C)的熱傳導性填充材料的振實密度以3.0~7.0g/cm3為宜，較佳為4.0~7.0g/cm3，更佳為4.5~7.0g/cm3。需要說明的是，本說明書所記載的作為熱傳導性填充材料被使用的銀粉末的振實密度為，稱量出100g銀粉末，用漏斗柔和地將其灑落在100ml量筒中後，將該量筒載置於振實密度測定儀上，並以落差距離20mm、60次/分鐘的速度振擊銀粉末600次，從而測定了已壓縮的銀粉末的容積的值。
另外，成分(C)的熱傳導性填充材料的比表面積如果大於2.0m2/g，則不能夠提升組合物中的該熱傳導性填充材料的填充率，從而組合物的黏度上升，導致操作性變劣。因此，成分(C)的銀粉末的比表面積以0.08~2.0m2/g為宜，較佳為0.08~1.5m2/g，更佳為0.08~1.0m2/g。作為成分(C)的熱傳導性填充材料的銀粉末的比表面積由BET法計算。首先稱取約2g的銀粉末作為樣本，在60±5℃條件下脫氣10分鐘後，使用比表面積自動測定裝置測定了總表面積，其後，稱量樣本，用下述公式(4)進行計算而算出。
比表面積(m2/g)=總表面積(m2)/樣本量(g) (4)
另外，成分(C)的熱傳導性填充材料，也可以根據需要用有機矽烷、有機矽氮烷、有機聚矽氧烷以及有機氟化合物等實施疏水化處理。作為疏水化處理方法，可為一般習知的方法，例如，可列舉使用TRIMIX(註冊商標)、TWINMIX(註冊商標)、PLANETARY MIXER(註冊商標)、ULTRA MIXER(註冊商標)以及HIVIS DISPER MIX(註冊商標)等的混合機混合鋁粉末和；有機矽烷或其部分水解物。此時，根據需要也可將其加 熱至50~100℃。需要說明的是，在混合時也可以使用甲苯、二甲苯、石油醚、礦物油精、異鏈烷烴、異丙醇以及乙醇等的溶劑。此時，較佳為使用真空裝置等除去混合後的溶劑。另外，作為稀釋溶劑，可以使用為本發明的液體成分的成分(A)的有機聚矽氧烷。在這種情況下，能夠預先將作為處理劑的有機矽烷或其部分水解物與有機聚矽氧烷進行混合，將成分(C)的熱傳導性填充材料加入其中，進而同時進行處理和混合。用該方法所製備的組合物也為屬於在本發明的範圍內。
另外，本發明的熱傳導性矽氧組合物，除成分(A)、成分(B)、成分(C)以及下述的成分(D)以外，在不有損於本發明的效果的範圍內，也可兼顧含有無機化合物粉末和/或有機化合物材料。該無機化合物粉末其較佳為熱傳導率高的無機化合物粉末，可列舉，例如選自鋁粉末、氧化鋅粉末、氧化鈦粉末、氧化鎂粉末、氧化鋁粉末、氫氧化鋁粉末、氮化硼粉末、氮化鋁粉末、金剛石粉末、金粉末、銅粉末、炭粉末、鎳粉末、銦粉末、鎵粉末、金屬矽粉末以及二氧化矽粉末中的1種或2種以上。有機化合物材料也較佳為熱傳導率高的有機化合物材料，其可列舉，例如選自碳素纖維、石墨烯、石墨、碳奈米管以及碳材料中的1種或2種以上。
這些無機化合物粉末的表面和有機化合物材料的表面，可根據需要用有機矽烷、有機矽氮烷、有機聚矽氧烷以及有機氟化合物等進行疏水化處理。為了提高其在組合物中的填充率，無機化合物粉末和有機化合物材料的平均粒徑，其較佳為0.5~100μm，特別佳為1~50μm。另外，碳素纖維的纖維 長度由於不論是小於10μm還是大於500μm，其對於所得到的組合物的填充率都得不到提高。因此，作為成分(A)、成分(B)、成分(C)以及成分(D)以外的成分的無機化合物粉末和有機化合物材料的平均粒徑較佳為10~500μm，特別佳為30~300μm。相對於成分(A)的100質量份，上述無機化合物粉末和有機化合物材料的總配合量若高於3000質量份則流動性變劣，從而操作性變劣。因此，相對於成分(A)的100質量份，上述無機化合物粉末和有機化合物材料的總配合量較佳為0.1~3000質量份、特別佳為0.1~2000質量份。
成分(D)：
成分(D)為選自鉑族催化劑、有機過氧化物以及縮合反應用催化劑組中的催化劑。本發明組合物藉由配合該成分(D)的催化劑從而能夠形成固化性的組合物。
若在使本發明組合物藉由矽氫化反應進行固化的情況下，將作為成分(D)的鉑族催化劑添加於作為成分(A)的成分(E)以及成分(F)中。相對於成分(E)的烯基1莫耳，成分(F)的配合量較佳為使成分(F)中的與矽原子鍵結的氫原子成為0.1~15.0莫耳的量，進一步更佳為使成分(F)中的與矽原子鍵結的氫原子成為0.1~10.0莫耳的量，特別佳為使成分(F)中的與矽原子鍵結的氫原子成為0.1~5.0莫耳的量。作為鉑族催化劑，可列舉例如，鉑-二乙烯基-四甲基二矽氧烷、氯鉑酸、氯鉑酸的醇溶液、鉑的鏈烯絡合物、鉑的烯基矽氧烷絡合物以及鉑的羰基絡合物。在本發明的組合物中，鉑族催化劑的含量為對本發明的組合物的固化所必需的量，即為所謂的催化劑量。具體說來，相對於 (A)成分的配合量，本成分(D)中的鉑金屬的濃度較佳為以質量單位計為0.1~2000ppm的量，特別佳為0.1~1500ppm的量。
另外，為了調節本發明組合物的固化速度，從而提高操作性，可含有固化反應抑制劑。該固化反應抑制劑可列舉為，2-甲基-3-丁炔-2-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、1-乙炔基-1-環己醇等的乙炔類化合物；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等的烯-炔化合物；其它的肼類化合物、膦類化合物、硫醇類化合物等。該固化反應抑制劑的含量並無限定，相對於(A)成分100質量份，其較佳為0.0001~1.0質量份。
另一方面，在使本發明組合物藉由由有機過氧化物的自由基反應進行固化的情況下，其固化催化劑較佳為使用有機過氧化物。作為該有機過氧化物，可列舉，例如，苯醯過氧化物、二(p-甲基苯醯基)過氧化物、二(o-甲基苯醯基)過氧化物、過氧化二異丙苯、2,5-二甲基-2,5-雙-(過氧化苯甲酸叔丁酯)己烷、二叔丁基過氧化物、過氧化苯甲酸叔丁酯以及1,1-雙(叔丁基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷。該有機過氧化物的含量，為使本發明的組合物固化所必需的量，即為所謂的催化劑量。具體說來，相對於(A)成分100質量份，該有機過氧化物的含量較佳為0.1~8質量份。
另外，在藉由縮合反應固化本發明組合物的情況下，其較佳為在組合物中作為固化劑含有在一分子中具有至少3個與矽原子鍵結的水解性基團的矽烷或矽氧烷低聚物；並作為固化催化劑含有縮合反應用催化劑。在此，作為與矽原子鍵結的水解性基團，可例示烷氧基、烷氧烷氧基、醯氧基、酮肟基、鏈烯 氧基、氨基、氨氧基以及醯胺基。另外，除上述的水解性基團之外，有機基團能夠鍵結於該矽烷的矽原子。作為如此的有機基團，可鍵結例如與上述同樣，直鏈狀烷基、支鏈狀烷基、環狀烷基、烯基、芳基、芳烷基以及鹵化烷基。作為這樣的矽烷或矽氧烷低聚物，可列舉例如，四乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、甲基三(甲基乙基酮肟)矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙基正矽酸鹽、乙烯基三異丙烯基氧基矽烷。該矽烷或矽氧烷低聚物的含量，為使本發明的組合物固化所必需的量，即為所謂的催化劑量。具體說來，相對於(A)成分100質量份，較佳為0.01~20質量份，特別佳為0.1~10質量份。
另外，縮合反應用催化劑為任意成分，例如，在將具有氨氧基、氨基、酮肟基等的水解性基團的矽烷作為固化劑使用的情況下可不為必需。作為這樣的縮合反應用催化劑，可列舉例如，四丁基鈦酸酯、四異丙基鈦酸酯等的有機鈦酸酯；二異丙氧基雙(乙醯醋酸酯)鈦、二異丙氧基雙(乙醯醋酸酯)鈦等的有機鈦螯合物化合物；三(乙醯丙酮)鋁、三(乙醯乙酸乙酯)鋁等的有機鋁化合物；四(乙醯丙酮)鋯、四丁酸鋯等的有機鋯化合物；二丁基二辛酸錫、二丁基二月桂酸錫、丁基-2-乙基己酸錫等的有機錫化合物；萘酸錫、油酸錫、丁酸錫、萘酸鈷、硬脂酸鋅等的有機羧酸的金屬鹽；己胺、磷酸十二胺等的胺化合物以及其鹽；苄基三乙基乙酸銨等的季銨鹽；醋酸鉀等的鹼金屬的低級脂肪酸鹽；二甲基羥胺、二乙基羥胺等的二烷基羥胺；含有胍基的有機矽化合物；以及四甲基胍基丙基三甲氧基矽烷。
在本發明的組合物中，該縮合反應用催化劑的含量為任意量。在進行配合時，具體說來，相對於(A)成分100質量份，該縮合反應用催化劑的含量較佳為0.01~20質量份，特別佳為0.1~10質量份。
成分(G)：
進一步，在本發明的組合物中，作為成分(G)也可以配合由下述通式(2)表示的有機矽烷。
R2 bSi(OR3)4-b (2)
在通式(2)中，R2表示選自碳原子數為1~18、較佳為1~6的可具有取代基的飽和或不飽和的一價烴基；環氧基；丙烯基以及甲基丙烯基中的1種或2種以上的基團。R3表示為碳原子數為1~8，較佳為1~6的一價烴基、b滿足1
Figure 106137092-A0202-12-0018-16
b
Figure 106137092-A0202-12-0018-17
3。
作為上述通式(2)的R2的具體例，可列舉例如，甲基、乙基、丙基、己基、辛基、壬基、癸基、十二烷基以及十四烷基等的烷基；環烷基烯基、丙烯基、環氧基、環戊基和環己基等的環烷基；乙烯基和烯丙基等的烯基；苯基和甲苯基等的芳基；2-苯乙基和2-甲基-2-苯乙基等的芳烷基；3，3，3-三氟丙基、2-(全氟丁基)乙基、2-(全氟辛基)乙基、對氯苯基等的鹵化烴基等。作為一價烴基的取代基，可列舉丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基等。另外，b為1~3的數。作為R3，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基以及己基等的碳原子數為1~6的1種或2種以上的烷基。其中，特別佳為甲基和乙基。
作為成分(G)的由通式(2)所表示的有機矽烷的具體例子，可例舉如下。
C10H21Si(OCH3)3 C12H25Si(OCH3)3 C12H25Si(OC2H5)3 C10H21Si(CH3)(OCH3)2 C10H21Si(C6H6)(OCH3)2 C10H21Si(CH3)(OC2H5)2 C10H21Si(CH=CH2)(OCH3)2 C10H21Si(CH2CH2CF3)(OCH3)2、CH2=C(CH3)COOC8H16Si(OCH3)3
在將成分(G)的有機矽烷配合於本發明的組合物的情況下，相對於(A)成分100質量份，該成分(G)的有機矽烷被添加為0.1~20質量份為宜，更佳為0.1~10質量份。
本發明的矽氧組合物的製備方法只要是遵循以往的矽氧潤滑脂組合物的製備方法即可，並無特殊的限制。例如，可藉由將上述(A)成分~(D)成分以及根據需要的其它成分用TRIMIX(註冊商標)、TWINMIX(註冊商標)、PLANETARY MIXER(註冊商標)、ULTRA MIXER(註冊商標)以及HIVIS DISPER MIX(註冊商標)等的混合機進行30分鐘~4小時的混合而製備。另外，根據需要，也可在50~200℃範圍的溫度下一邊加熱一邊進行混合。
本發明的熱傳導性矽氧組合物，其在為25℃時所測定的絕對黏度為10~600Pa‧s，較佳為15~500Pa‧s，更佳為15~400Pa‧s。如果絕對黏度在上述範圍內，則能夠提供良好的熱傳導性矽氧組合物。另外，本發明的熱傳導性矽氧組 合物具有優異的操作性。藉由以上述的配合量調整各成分，從而能夠得到該絕對黏度。上述絕對黏度為，藉由使用由Malcom Co.,Ltd.製造的PC-1TL(10rpm)所測定的結果。
本發明的熱傳導性矽氧組合物的固化方法：
本發明的熱傳導性矽氧組合物，其藉由固化進而能夠被使用。本發明的熱傳導性矽氧組合物藉由加熱能夠被固化。加熱溫度較佳為80℃以上，更佳為90~300℃，進一步更佳為100~300℃，特別佳為120~300℃。如果加熱溫度為80℃以上，則銀奈米粒子和銀粉末能夠有效地形成熱傳導通道，從而提高本發明的熱傳導性矽氧組合物的熱傳導性。另外，如果加熱溫度為300℃以下，則能夠將熱傳導性矽氧組合物形成為適宜的硬度。
加熱時間較佳為1分鐘以上，更佳為10~300分鐘，進一步更佳為30~300分鐘，特別佳為60~300分鐘。如果加熱時間為1分鐘以上，則銀奈米粒子和銀粉末能夠形成熱傳導通道，從而提高熱傳導性。如果加熱時間為300分鐘以下，則能夠將熱傳導性矽氧組合物形成為適宜的硬度。另外，也可以在加熱時施加壓力。該壓力較佳為0.01MPa以上，更佳為0.05~100MPa，進一步更佳為0.1~100MPa。
本發明的熱傳導性矽氧組合物，其在150℃、90分鐘的條件下進行加熱固化後所得到的矽氧組合物的熱阻與加熱固化前的熱阻的比(加熱後的熱阻/加熱前的熱阻)的值為0.5以下，較佳為0.3以下。該熱阻的比值雖然越小越好，但實際上的下限為0.01。本發明的熱傳導性矽氧組合物在150℃、90分鐘的條件下進行加熱固化後的熱阻較佳為5.0mm2‧ K/W以下，更佳為3.5mm2‧K/W以下，進一步更佳為2.5mm2‧K/W以下，特別佳為2.0mm2‧K/W以下。另外，本發明的熱傳導性矽氧組合物在加熱前的為25℃時的熱阻較佳為50mm2‧K/W以下，更佳為25mm2‧K/W以下，進一步更佳為20mm2‧K/W以下，特別佳為15mm2‧K/W以下。以下為熱阻的測定方法。即，首先將組合物夾著在2枚φ12.7mm的鋁板之間，在施加0.14MPa的壓力的狀態下，在室溫條件下放置15分鐘，製備試驗片，並測定了該組合物的加熱前的熱阻。進一步，在其後施加0.35MPa的壓力的狀態下，將該試驗片裝入在150℃的烤箱內，進而對構成該試驗片的組合物進行了90分鐘的加熱並使其固化，且測定了該組合物的加熱後的熱阻。
有關已被貼著在矽片上之後所測定的本發明的熱傳導性矽氧組合物的黏接強度，其在150℃、90分鐘的條件下進行加熱固化後的黏接強度與在60℃、90分鐘的條件下進行加熱固化後的黏接強度的比值為2.0以上，較佳為4.0以上。本發明的組合物在80℃以上的溫度條件下加熱後的黏接強度，較佳為5.0kgf/cm2以上，更佳為8.0kgf/cm2以上，進一步更佳為10.0kgf/cm2以上，特別佳為15.0kgf/cm2以上。本發明的組合物在低於80℃的溫度條件下加熱後的黏接強度，較佳為0.5kgf/cm2以上，更佳為1.0kgf/cm2以上，進一步更佳為2.0kgf/cm2以上，特別佳為2.5kgf/cm2以上。
本發明的組合物的黏接強度是由以下方法測定。將組合物夾著在1mm×1mm的矽片和2.5mm×2.5mm的矽片之間，藉由1.8kgf的夾持件進行加壓，同時在60℃的條件下加 熱90分鐘，並測定黏接強度。另外，將組合物夾著在1mm×1mm的矽片和2.5mm×2.5mm的矽片之間，藉由1.8kgf的夾持件進行加壓，同時在150℃的條件下加熱90分鐘，並測定黏接強度。
半導體裝置：
本發明的半導體裝置，其特徵之一在於，本發明的熱傳導性矽氧組合物介於放熱性電子元件的表面和放熱體之間。本發明的熱傳導性矽氧組合物，其較佳為以10~200μm的厚度介於上述兩者之間。圖1示出了本發明的半導體裝置的構造例，但本發明並不被限定於此。在圖1中，1表示為基板、2表示為放熱性電子元件(CPU)、3表示為熱傳導性矽氧組合物層、4表示為散熱體(蓋)。
為了製造本發明的半導體裝置，較佳為將本發明的熱傳導性矽氧組合物放置於放熱性電子元件和放熱體之間，並在施加0.01MPa以上的壓力的狀態下，將其加熱至80℃以上。藉由疊層放熱性電子元件、熱傳導性矽氧組合物以及放熱體，從而形成具有疊層結構的構造體。此時，被施加於如此的構造體的壓力較佳為0.01MPa以上，特別佳為0.05MPa~100MPa，更佳為0.1MPa~100MPa。加熱溫度必須為80℃以上，較佳為90℃~300℃，更佳為100℃~300℃，進一步更佳為120℃~300℃。由上述所例舉的方法所得到的熱傳導性矽氧固化物的性狀並不被限定，可列舉，例如，凝膠狀、低硬度的橡膠狀或高硬度的橡膠狀。本發明的熱傳導性矽氧組合物的橡膠狀固化物的硬度能夠使用ASKER橡膠硬度計C型所測定。藉由ASKER橡膠硬度計C型所測定的橡膠狀固化物的硬 度，其以大約80作為劃分標準，例如，若硬度低於80的情況下則有可能被作為低硬度的橡膠狀固化物處理，若硬度為80以上的情況下則有可能被作為高硬度的橡膠狀固化物處理。
實施例
以下，以進一步明確本發明的效果為目的，藉由實施例和比較例對本發明進行更為詳細地說明，但本發明並不被這些實施例和比較例所限制。
依據下述的方法進行了有關涉及本發明效果的試驗。
[黏度]
使用瑪律科姆黏度計(型號PC-1TL)，在25℃下測量了實施例或比較例的組合物的絕對黏度。
[熱阻測定]
將實施例或比較例的各組合物夾在2枚Φ12.7mm的鋁板之間，從而形成具有第一鋁板/組合物/第二鋁板的疊層結構的疊層體。在對該疊層體施加0.14MPa的壓力的狀態下，將其在室溫條件下放置15分鐘，從而製備了各試驗片，並測定了各試驗片的組合物的加熱前的熱阻。進一步，其後，在對各試驗片施加0.35MPa的壓力的狀態下，將各個試驗片裝入在150℃的烤箱內加熱90分鐘，從而使各組合物加熱固化，並測定了各試驗片的組合物的在加熱後的熱阻。需要說明的是，該熱阻測定藉由暫態閃光(NETZSCH公司製造、LFA447)所進行。
[壓縮時的最小厚度(BLT)測定]
測定了Φ12.7mm並厚度為1mm的鋁板2枚的厚度，接著製作了具有與上述測定熱阻時所使用的疊層體同樣的疊層結 構的疊層體，之後在對該疊層體施加0.14MPa的壓力的狀態下，在室溫條件下放置15分鐘，從而製備成BLT測定用的試驗片並測定了各試驗片的加熱前的厚度。進一步，其後，在對各試驗片施加0.35MPa的壓力的狀態下，將各個試驗片裝入在150℃的烤箱內加熱90分鐘，從而使各組合物加熱固化，並測定了各試驗片的在加熱後的厚度。BLT為以下述公式(5)進行計算而算出。
BLT(μm)=試驗片的厚度(μm)-已使用的鋁板2枚的厚度(μm) (5)
需要說明的是，厚度的測定，藉由數顯標準外徑千分尺(股份有限公司Mitutoyo公司製造、MDC-25MX)所進行。
[黏接強度]
將實施例或比較例的組合物夾著在1mm×1mm的矽片和2.5mm×2.5mm的矽片之間，進而使用1.8kgf的夾持件對具有該第一矽片/組合物/第二矽片的疊層結構的疊層體施加壓力，同時在60℃的條件下加熱90分鐘，並測定了黏接強度。另外，使用1.8kgf的夾持件對具有與上述同樣的疊層結構的各疊層體施加壓力，同時在150℃的條件下加熱90分鐘，並測定了黏接強度。需要說明的是，黏接強度的測定是藉由Dage Deutchland GmbH製造的Dage series-4000PXY所進行。
以下表示形成實施例或比較例的各組合物的各種成分。
成分(A)
A-1：兩末端用二甲基乙烯基甲矽烷基所封端，在25℃下 的運動黏度為600mm2/s的二甲基聚矽氧烷
A-2：由下述通式(6)表示的，在25℃下的運動黏度為30mm2/s的有機氫化聚矽氧烷
Figure 106137092-A0202-12-0025-2
A-3：兩末端用羥基所封端，在25℃下的運動黏度為5000mm2/s的二甲基聚矽氧烷
成分(B)
B-1：平均粒徑為350nm的銀奈米粒子。
B-2：平均粒徑為100nm的銀奈米粒子。
B-3：平均粒徑為600nm的銀奈米粒子。
B-4：(比較例)平均粒徑為0.5nm的銀奈米粒子。
B-5：(比較例)：平均粒徑為650nm的銀奈米粒子。
成分(C)
C-1：平均粒徑為2.5μm、熱傳導率為420W/m℃、振實密度為5.0g/cm3、比表面積為0.80m2/g的薄片狀銀粉末。
C-2：平均粒徑為3.5μm、熱傳導率為420W/m℃、振實密度為6.2g/cm3、比表面積為0.48m2/g的薄片狀銀粉末。
C-3：平均粒徑為1.0μm、熱傳導率為420W/m℃、振實密度為5.4g/cm3、比表面積為0.87m2/g的球狀銀粉末。
C-4：振平均粒徑為20μm、熱傳導率為230W/m℃、振實密度為1.5g/cm3、比表面積為0.3m2/g的鋁粉末。
C-5(比較例)：平均粒徑為110μm、熱傳導率為230W/m℃、振實密度為2.0g/cm3、比表面積為0.12m2/g的鋁粉末。
成分(D)
D-1(鉑催化劑)：作為鉑原子含有1wt%的，鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷絡合物的A-1溶液。
D-2(有機過氧化物)：過氧化物，日本油脂股份有限公司製造 商品名：PERHEXA C
D-3(縮合反應用催化劑)：四甲基胍基丙基三甲氧基矽烷
成分(G)
G-1：由下述通式表示的有機矽烷
Figure 106137092-A0202-12-0026-3
成分(H)固化反應抑制劑
H-1：1-乙炔基-1-環己醇
成分(I)固化劑
I-1：乙烯基三(異丙烯氧基)矽烷
實施例1~15和比較例1~7
按下述表1~3所示的組成且按如下所示方法進行混合，從而獲得了實施例1~15和比較例1~7的組合物。即，使用5公升行星式攪拌機(井上製作所股份有限公司製造)混煉成分(A)和成分(G)，再加入成分(B)和成分(C)在25℃條件下混合1.5小時。然後再添加成分(D)、成分(H)或成分(I)，並將其混合至均勻。
產業利用性
本發明作為半導體裝置的放熱性電子元件與放熱體之間的黏著劑為有用。
1‧‧‧基板
2‧‧‧放熱性電子元件(CPU)
3‧‧‧熱傳導性矽氧組合物層
4‧‧‧散熱體(蓋)

Claims (8)

  1. 一種熱傳導性矽氧組合物，其包含：成分(A)、成分(B)、成分(C)以及成分(D)，其中，成分(A)為由下述平均組成式(1)所表示，且在25℃下的運動黏度為10~100000mm2/s的有機聚矽氧烷，R1 aSiO(4-a)/2 (1)通式(1)中，R1表示氫原子或碳原子數為1~18的飽和或不飽和的一價烴基，a為滿足1.8
    Figure 106137092-A0305-02-0033-3
    a
    Figure 106137092-A0305-02-0033-4
    2.2的數；成分(B)為平均粒徑3~600nm的銀奈米粒子，相對於成分(A)100質量份，該成分(B)為50~1700質量份；成分(C)為平均粒徑0.7~100μm，且具有10W/m℃以上的熱傳導率，振實密度為3.0~7.0g/cm3、比表面積為0.08~2.0m2/g，並為成分(B)以外的熱傳導性填充材料，相對於成分(A)100質量份，該成分(C)為50~3000質量份；以及成分(D)為選自鉑族催化劑、有機過氧化物以及縮合反應用催化劑中的催化劑，該成分(D)的配合量為催化劑用量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，在150℃、90分鐘的條件下加熱後的熱阻與加熱前的熱阻的比值(加熱後的熱阻/加熱前的熱阻)為0.5以下；且(在150℃、90分鐘的條件下加熱後的黏接強度)/(在60℃、90分鐘的條件下加熱後的黏接強度)的值為2.0以上。
  3. 如申請專利範圍第1所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，成分(C)的熱傳導性填充材料為平均粒徑0.7~20μm的銀粉 末。
  4. 如申請專利範圍第1所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，成分(B)的銀奈米粒子的質量α和成分(C)的熱傳導性填充材料的質量β的質量比α/β為0.03~34。
  5. 如申請專利範圍第1所述的熱傳導性矽氧組合物，其中，成分(A)的全部或其一部分為成分(E)和/或成分(F)，成分(E)為在1個分子中至少含有2個與矽原子鍵結的烯基的有機聚矽氧烷；成分(F)為在1個分子中至少含有2個與矽原子鍵結的氫原子的有機氫化聚矽氧烷。
  6. 如申請專利範圍第1所述的熱傳導性矽氧組合物，其進一步含有作為成分(G)的有機矽烷，該作為成分(G)的有機矽烷由下述平均組成式(2)所表示，R2 bSi(OR3)4-b (2)在通式(2)中，R2表示選自碳原子數為1~18的可具有取代基的飽和或不飽和的一價烴基、環氧基、丙烯基以及甲基丙烯基中的1種或2種以上的基團；R3表示為碳原子數為1~18的一價烴基；b為滿足1
    Figure 106137092-A0305-02-0034-1
    b
    Figure 106137092-A0305-02-0034-2
    3的數，並且，相對於成分(A)100質量份，所述作為成分(G)的有機矽烷的含量為0.1~20質量份。
  7. 一種具備放熱性電子元件和散熱體的半導體裝置，其將如申請專利範圍第1~6項中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物介入在所述放熱性電子元件和散熱體之間。
  8. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，該方法具有如 下製程：於放熱性電子元件和散熱體之間，在施加0.01MPa以上的壓力的狀態下將如申請專利範圍第1~6項中任一項所述的熱傳導性矽氧組合物加熱至80℃以上。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018148282A1 (en) 2017-02-08 2018-08-16 Elkem Silicones USA Corp. Secondary battery pack with improved thermal management
KR20210105942A (ko) 2018-12-21 2021-08-27 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 열전도성 실리콘 조성물 및 반도체 장치
JP6965870B2 (ja) * 2018-12-25 2021-11-10 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
JP6965869B2 (ja) * 2018-12-25 2021-11-10 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
WO2020137332A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
KR20210106458A (ko) * 2018-12-27 2021-08-30 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 방열성 수지 조성물용 무기분체 및 이를 이용한 방열성 수지 조성물, 그리고 이들의 제조 방법
JP2022534855A (ja) * 2019-06-06 2022-08-04 ヴィンセント メディカル（ドングアン）マニュファクチャリング シーオー．，エルティーディー． 改良されたヒータープレート
JP7335678B2 (ja) * 2020-06-08 2023-08-30 信越化学工業株式会社 熱伝導性付加硬化型シリコーン組成物及びその硬化物
CN111718672B (zh) * 2020-06-11 2021-11-05 南京艾布纳密封技术股份有限公司 一种高性能有机硅导电屏蔽胶及其制备方法
CN112724921B (zh) * 2020-12-25 2022-07-05 杭州之江新材料有限公司 一种低粘度导热阻燃硅橡胶密封剂及其制备方法
EP4357419A1 (en) * 2021-06-16 2024-04-24 Momentive Performance Materials Japan LLC Thermally-conductive polysiloxane composition
WO2022264715A1 (ja) * 2021-06-16 2022-12-22 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 熱伝導性ポリシロキサン組成物
KR20240028463A (ko) * 2021-07-02 2024-03-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 열전도성 실리콘 조성물, 반도체 장치 및 그의 제조 방법
WO2023214468A1 (ja) * 2022-05-06 2023-11-09 日本電信電話株式会社 マルチチップモジュール
WO2024149458A1 (en) * 2023-01-11 2024-07-18 Wacker Chemie Ag Silicone based resin composition, and semiconductor device comprising the same
WO2024149457A1 (en) * 2023-01-11 2024-07-18 Wacker Chemie Ag Silicone based resin composition, and semiconductor device comprising the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070131912A1 (en) * 2005-07-08 2007-06-14 Simone Davide L Electrically conductive adhesives
TW200817474A (en) * 2006-08-30 2008-04-16 Shinetsu Chemical Co Heat-conductive silicone composition and cured product thereof

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0639591B2 (ja) 1988-12-05 1994-05-25 信越化学工業株式会社 シリコーングリース組成物
US5011870A (en) 1989-02-08 1991-04-30 Dow Corning Corporation Thermally conductive organosiloxane compositions
ES2113023T3 (es) 1993-10-06 1998-04-16 Dow Corning Toray Silicone Composiciones organosiloxanos electroconductoras cargadas de plata.
JP3130193B2 (ja) 1993-10-06 2001-01-31 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーンゴム用銀粉末、その製造方法、およびシリコーンゴム組成物
JP3142800B2 (ja) 1996-08-09 2001-03-07 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性材料及び熱伝導性シリコーングリース
JP2930298B1 (ja) 1998-08-18 1999-08-03 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物
US6136758A (en) 1998-08-17 2000-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Aluminum nitride powder and thermally conductive grease composition using the same
JP3948642B2 (ja) 1998-08-21 2007-07-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置
JP3677671B2 (ja) 1999-04-30 2005-08-03 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーンゴム用銀粉末の製造方法
JP2002030217A (ja) 2000-07-17 2002-01-31 Fujitsu Ltd 熱伝導性シリコーン組成物
JP4828146B2 (ja) * 2005-03-30 2011-11-30 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP4634891B2 (ja) * 2005-08-18 2011-02-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物
JP2008038137A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーングリース組成物およびその硬化物
EP1878767A1 (en) * 2006-07-12 2008-01-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat conductive silicone grease composition and cured product thereof
JP3130193U (ja) 2006-12-28 2007-03-15 ライオン株式会社 エアゾール缶用押しボタン
JP2008222776A (ja) 2007-03-09 2008-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーングリース組成物
TW200925199A (en) 2007-10-11 2009-06-16 Dow Corning Toray Co Ltd Metal particle dispersion structure, microparticles comprising this structure, articles coated with this structure, and methods of producing the preceding
US8044330B2 (en) 2008-01-17 2011-10-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive adhesive
US20130177658A1 (en) 2010-09-30 2013-07-11 Dow Corning Corporation Methods of Preparing a Metal Nanoparticle-Containing Silicone Composition
JP5648619B2 (ja) * 2011-10-26 2015-01-07 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
CN104854176B (zh) * 2012-12-20 2017-06-06 道康宁公司 可固化有机硅组合物、导电有机硅粘合剂、制备及使用它们的方法以及包含它们的电气装置
JP2014181316A (ja) 2013-03-21 2014-09-29 Gunze Ltd 導電性ペースト、それを用いた電磁波シールド材及びタッチパネル
WO2016116959A1 (ja) 2015-01-19 2016-07-28 京セラケミカル株式会社 導電性樹脂組成物および半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070131912A1 (en) * 2005-07-08 2007-06-14 Simone Davide L Electrically conductive adhesives
TW200817474A (en) * 2006-08-30 2008-04-16 Shinetsu Chemical Co Heat-conductive silicone composition and cured product thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018079362A1 (ja) 2018-05-03
US20210284803A1 (en) 2021-09-16
EP3533836B1 (en) 2021-11-24
EP3533836A4 (en) 2020-07-08
US11236203B2 (en) 2022-02-01
CN110023409B (zh) 2021-08-03
CN110023409A (zh) 2019-07-16
KR102288665B1 (ko) 2021-08-11
EP3533836A1 (en) 2019-09-04
MY194562A (en) 2022-12-02
JP2018070800A (ja) 2018-05-10
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