JP2020141130A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020141130A5 JP2020141130A5 JP2020008376A JP2020008376A JP2020141130A5 JP 2020141130 A5 JP2020141130 A5 JP 2020141130A5 JP 2020008376 A JP2020008376 A JP 2020008376A JP 2020008376 A JP2020008376 A JP 2020008376A JP 2020141130 A5 JP2020141130 A5 JP 2020141130A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- source region
- layer
- conductive type
- base region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 53
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 49
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 49
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202080016354.9A CN113498544B (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-13 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
| CN202311330705.5A CN117276345A (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-13 | 碳化硅半导体装置的制造方法 |
| PCT/JP2020/005592 WO2020175157A1 (ja) | 2019-02-27 | 2020-02-13 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| US17/410,044 US12057498B2 (en) | 2019-02-27 | 2021-08-24 | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019034380 | 2019-02-27 | ||
| JP2019034380 | 2019-02-27 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020141130A JP2020141130A (ja) | 2020-09-03 |
| JP2020141130A5 true JP2020141130A5 (https=) | 2021-03-11 |
| JP7140148B2 JP7140148B2 (ja) | 2022-09-21 |
Family
ID=72280700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020008376A Active JP7140148B2 (ja) | 2019-02-27 | 2020-01-22 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US12057498B2 (https=) |
| JP (1) | JP7140148B2 (https=) |
| CN (1) | CN113498544B (https=) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112020007709T5 (de) | 2020-10-22 | 2023-08-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
| JP7563750B2 (ja) * | 2021-03-12 | 2024-10-08 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP7613670B2 (ja) | 2021-03-19 | 2025-01-15 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP7543960B2 (ja) * | 2021-03-25 | 2024-09-03 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
| JP7582061B2 (ja) * | 2021-05-14 | 2024-11-13 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JP7676979B2 (ja) * | 2021-06-16 | 2025-05-15 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP7187620B1 (ja) * | 2021-07-13 | 2022-12-12 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
| WO2023042359A1 (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-23 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置 |
| CN113990923B (zh) * | 2021-10-20 | 2023-04-04 | 电子科技大学 | 一种集成沟道二极管的碳化硅双槽mosfet |
| EP4333078A4 (en) | 2021-12-17 | 2024-10-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR102593101B1 (ko) * | 2022-03-11 | 2023-10-24 | 화인칩스 주식회사 | 파워 모스펫 |
| JP7694816B2 (ja) * | 2022-04-14 | 2025-06-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
| JP7757235B2 (ja) * | 2022-05-13 | 2025-10-21 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
| CN114678277B (zh) * | 2022-05-27 | 2022-08-16 | 深圳平创半导体有限公司 | 中心注入p+屏蔽区的分裂栅平面mosfet及其制造方法 |
| CN115458584B (zh) * | 2022-09-15 | 2025-01-28 | 深圳市森国科科技股份有限公司 | SiC MOSFET器件结构 |
| JP7841410B2 (ja) * | 2022-11-18 | 2026-04-07 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP7798759B2 (ja) * | 2022-12-14 | 2026-01-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| CN116314338B (zh) * | 2023-05-18 | 2023-08-01 | 深圳平创半导体有限公司 | 一种半导体结构及其制备方法 |
| DE102023205312A1 (de) | 2023-06-07 | 2024-12-12 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement mit reduzierter spreizung des flächenspezifischen durchgangswiderstands und mit verbesserter kurzschlussfähigkeit |
| CN118888592A (zh) * | 2024-07-18 | 2024-11-01 | 长飞先进半导体(武汉)有限公司 | 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4894104B2 (ja) | 2001-07-27 | 2012-03-14 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度測定方法 |
| JP5767430B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2015-08-19 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4793390B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009283540A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010177269A (ja) | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | Ｎ型半導体ウェハの抵抗率測定方法 |
| JP2012169384A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-06 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| JP5685736B2 (ja) | 2012-02-10 | 2015-03-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN104285301B (zh) | 2012-05-15 | 2017-03-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP6048317B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2016-12-21 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
| JP6479347B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2019-03-06 | ローム株式会社 | ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置、およびＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
| DE112015004766B4 (de) | 2014-10-20 | 2021-11-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtungen |
| US10969370B2 (en) | 2015-06-05 | 2021-04-06 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Measuring semiconductor doping using constant surface potential corona charging |
| US10347724B2 (en) * | 2015-12-07 | 2019-07-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Silicon carbide semiconductor device |
| JP6648743B2 (ja) * | 2016-10-05 | 2020-02-14 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| JP2018082114A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7327905B2 (ja) | 2017-07-07 | 2023-08-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP6740986B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2020-08-19 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| US10957792B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-03-23 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with latchup immunity |
| JP7243094B2 (ja) * | 2018-09-11 | 2023-03-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2020
- 2020-01-22 JP JP2020008376A patent/JP7140148B2/ja active Active
- 2020-02-13 CN CN202080016354.9A patent/CN113498544B/zh active Active
-
2021
- 2021-08-24 US US17/410,044 patent/US12057498B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2020141130A5 (https=) | ||
| US20240405084A1 (en) | Semiconductor device having gate electrode and interlayer insulating film provided in trench | |
| JP6572423B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| US10002952B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
| JP2019046909A5 (https=) | ||
| JP6855700B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP6918302B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP4865166B2 (ja) | トランジスタの製造方法、ダイオードの製造方法 | |
| JPWO2020110514A1 (ja) | 超接合炭化珪素半導体装置および超接合炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP2010521799A5 (https=) | ||
| JP6857351B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JP6853977B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| TWI534910B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
| WO2013168796A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPWO2014073127A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20140121197A (ko) | 그래핀 소자 및 이의 제조 방법 | |
| CN109564932A (zh) | 半导体装置 | |
| CN102969288B (zh) | 带有埋置电极的半导体器件 | |
| KR20120055251A (ko) | 광 검출 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP6104743B2 (ja) | ショットキーダイオードを内蔵するｆｅｔ | |
| US8872242B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| CN111326584B (zh) | 碳化硅mosfet及其制备方法 | |
| JP5880311B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| JP5742712B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| WO2012066820A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置 |