JP2020141130A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020141130A5 JP2020141130A5 JP2020008376A JP2020008376A JP2020141130A5 JP 2020141130 A5 JP2020141130 A5 JP 2020141130A5 JP 2020008376 A JP2020008376 A JP 2020008376A JP 2020008376 A JP2020008376 A JP 2020008376A JP 2020141130 A5 JP2020141130 A5 JP 2020141130A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- source region
- layer
- conductive type
- base region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 53
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 49
- 230000000087 stabilizing Effects 0.000 claims 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
Description
上記目的を達成するため、請求項1または2に記載のSiC半導体装置は、SiCからなる第1または第2導電型の基板(1)と、基板の上に形成され、基板よりも低不純物濃度とされた第1導電型のSiCからなるドリフト層(2、3、5)と、ドリフト層の上に形成された第2導電型のSiCからなるベース領域(6)と、ベース領域の上に形成され、ドリフト層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型のSiCからなるソース領域(8)と、ソース領域の表面からベース領域よりも深く形成されたゲートトレンチ(11)内に、該ゲートトレンチの内壁面を覆うゲート絶縁膜(12)と該ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極(13)とを備えて構成され、一方向を長手方向として複数本がストライプ状に並べられたトレンチゲート構造と、ゲート電極およびゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜(14)と、コンタクトホールを通じて、ソース領域にオーミック接触させられたソース電極(15)と、基板の裏面側に形成されたドレイン電極(16)と、を含む半導体素子を備えている。そして、ソース領域は、ベース領域側に形成されたエピタキシャル成長層によって構成されている第1ソース領域(8a)と、ソース電極に接すると共に第1ソース領域よりも第1導電型不純物濃度が高くされたイオン注入層によって構成されている第2ソース領域(8b)と、を有している。
請求項5または6に記載の発明は、請求項1または2に記載のSiC半導体装置の製造方法に関するものである。
Claims (14)
- 反転型の半導体素子を備えている炭化珪素半導体装置であって、
炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)と、
前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2、3、5)と、
前記ドリフト層の上に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(6)と、
前記ベース領域の上に形成され、前記ドリフト層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型の炭化珪素からなるソース領域(8)と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深く形成されたゲートトレンチ(11)内に、該ゲートトレンチの内壁面を覆うゲート絶縁膜(12)と該ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極(13)とを備えて構成され、一方向を長手方向として複数本がストライプ状に並べられたトレンチゲート構造と、
前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜(14)と、
前記コンタクトホールを通じて、前記ソース領域にオーミック接触させられたソース電極(15)と、
前記基板の裏面側に形成されたドレイン電極(16)と、を含む前記半導体素子を備え、
前記ソース領域は、前記ベース領域側に形成されたエピタキシャル成長層によって構成されている第1ソース領域(8a)と、前記ソース電極に接すると共に前記第1ソース領域よりも第1導電型不純物濃度が高くされたイオン注入層によって構成されている第2ソース領域(8b)と、を有し、
前記第1ソース領域は、前記ベース領域に接して形成されている炭化珪素半導体装置。 - 反転型の半導体素子を備えている炭化珪素半導体装置であって、
炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)と、
前記基板の上に形成され、前記基板よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2、3、5)と、
前記ドリフト層の上に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(6)と、
前記ベース領域の上に形成され、前記ドリフト層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型の炭化珪素からなるソース領域(8)と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深く形成されたゲートトレンチ(11)内に、該ゲートトレンチの内壁面を覆うゲート絶縁膜(12)と該ゲート絶縁膜の上に配置されたゲート電極(13)とを備えて構成され、一方向を長手方向として複数本がストライプ状に並べられたトレンチゲート構造と、
前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜を覆うと共にコンタクトホールが形成された層間絶縁膜(14)と、
前記コンタクトホールを通じて、前記ソース領域にオーミック接触させられたソース電極(15)と、
前記基板の裏面側に形成されたドレイン電極(16)と、を含む前記半導体素子を備え、
前記ソース領域は、前記ベース領域側に形成されたエピタキシャル成長層によって構成されている第1ソース領域(8a)と、前記ソース電極に接すると共に前記第1ソース領域よりも第1導電型不純物濃度が高くされたイオン注入層によって構成されている第2ソース領域(8b)と、を有し、
前記ベース領域と前記ソース領域との間には、厚さが0.05〜0.2μmとされ、キャリア濃度が1.0×1016/cm3以下とされたノンドープ層(7)が備えられている炭化珪素半導体装置。 - 前記第1ソース領域は、厚さが0.2〜0.5μmとされ、不純物濃度が2.0×1016〜1.0×1017/cm3とされ、
前記第2ソース領域は、厚さが0.1μm以上とされていると共に、第2導電型不純物濃度が1.0×1018〜5.0×1019/cm3とされている請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲートトレンチは、前記第2ソース領域と対応する部分において丸みを有して傾斜している請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置。
- 反転型の半導体素子を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)を用意することと、
前記基板の上に、前記基板よりも低不純物濃度の第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2、3、5)を形成することと、
前記ドリフト層の上に、第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(6)を形成することと、
前記ベース領域の上に、前記ドリフト層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型の炭化珪素からなり、前記ベース領域側に配置される第1ソース領域(8a)と該第1ソース領域の上に該第1ソース領域よりも高不純物濃度とされた第2ソース領域(8b)とを有するソース領域(8)を形成することと、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深いゲートトレンチ(11)を、一方向を長手方向としてストライプ状に複数本形成したのち、前記ゲートトレンチの内壁面にゲート絶縁膜(12)を形成すると共に、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極(13)を形成することでトレンチゲート構造を形成することと、
前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極(15)を形成することと、
前記基板の裏面側にドレイン電極(16)を形成することと、を含み、
前記ベース領域を形成することでは、前記ベース領域をエピタキシャル成長によって形成し、
前記ソース領域を形成することでは、前記第1ソース領域を前記ベース領域の表面にエピタキシャル成長によって形成したのち、前記第1ソース領域に対して第1導電型不純物をイオン注入することで前記第2ソース領域を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 反転型の半導体素子を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)を用意することと、
前記基板の上に、前記基板よりも低不純物濃度の第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2、3、5)を形成することと、
前記ドリフト層の上に、第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(6)を形成することと、
前記ベース領域の上に、厚さが0.05〜0.2μmとされ、キャリア濃度が1.0×10 16 /cm 3 以下とされたノンドープ層(7)を形成することと、
前記ノンドープ層の上に、前記ドリフト層よりも第1導電型不純物濃度が高くされた第1導電型の炭化珪素からなり、前記ベース領域側に配置される第1ソース領域(8a)と該第1ソース領域の上に該第1ソース領域よりも高不純物濃度とされた第2ソース領域(8b)とを有するソース領域(8)を形成することと、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域よりも深いゲートトレンチ(11)を、一方向を長手方向としてストライプ状に複数本形成したのち、前記ゲートトレンチの内壁面にゲート絶縁膜(12)を形成すると共に、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極(13)を形成することでトレンチゲート構造を形成することと、
前記ソース領域に電気的に接続されるソース電極(15)を形成することと、
前記基板の裏面側にドレイン電極(16)を形成することと、を含み、
前記ベース領域を形成することでは、前記ベース領域をエピタキシャル成長によって形成し、
前記ソース領域を形成することでは、前記第1ソース領域をエピタキシャル成長によって形成したのち、前記第1ソース領域に対して第1導電型不純物をイオン注入することで前記第2ソース領域を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記ベース領域を形成することと前記ノンドープ層を形成することとは、同じエピタキシャル成長装置内において、温度を維持したまま連続的に行われる請求項6に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記ベース領域を形成することから前記第1ソース領域を形成することまでは、同じエピタキシャル成長装置内において、温度を維持したまま連続的に行われる請求項6または7に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 測定対象層となるn型の炭化珪素層(2、5、8a)をエピタキシャル成長させることと、
前記炭化珪素層をエピタキシャル成長させたのちに、前記炭化珪素層の表面電子を安定化させることと、
前記表面電子の安定化後に、電荷を塗布して前記炭化珪素層の表面を帯電させたのち、前記炭化珪素層の表面電位を測定することによって該炭化珪素層のn型不純物濃度を測定することと、を含む炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記炭化珪素層の表面電子を安定化させることは、前記炭化珪素層を形成したのち、大気雰囲気下において10時間以上保持することである、請求項9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記炭化珪素層の表面電子を安定化させることは、前記炭化珪素層を形成したのち、該炭化珪素層の表面を酸洗浄することである、請求項9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記酸洗浄することは、塩酸過酸化水素水溶液、硫酸過酸化水素水溶液、オゾン洗浄のいずれか1つを用いた洗浄である、請求項11に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素バルク基板(1)の上に、n型層(2)をエピタキシャル成長させることを含み、
前記炭化珪素層の表面電子を安定化させることは、前記n型層を前記炭化珪素層として、該n型層の表面電子を安定化させることであり、
前記n型不純物濃度を測定することは、前記n型層のn型不純物濃度を測定することである、請求項9ないし12のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素バルク基板(1)の上に、エピタキシャル成長層(3)を形成することと、
前記エピタキシャル成長層に対して不純物のイオン注入を行って不純物層(4)を形成することと、
前記エピタキシャル成長層および前記不純物層の上に、n型層(8a)をエピタキシャル成長させることを含み、
前記炭化珪素層の表面電子を安定化させることは、前記n型層を前記炭化珪素層として、該n型層の表面電子を安定化させることであり、
前記n型不純物濃度を測定することは、前記n型層のn型不純物濃度を測定することである、請求項9ないし12のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202080016354.9A CN113498544B (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-13 | 碳化硅半导体装置及其制造方法 |
CN202311330705.5A CN117276345A (zh) | 2019-02-27 | 2020-02-13 | 碳化硅半导体装置的制造方法 |
PCT/JP2020/005592 WO2020175157A1 (ja) | 2019-02-27 | 2020-02-13 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US17/410,044 US20210384343A1 (en) | 2019-02-27 | 2021-08-24 | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019034380 | 2019-02-27 | ||
JP2019034380 | 2019-02-27 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020141130A JP2020141130A (ja) | 2020-09-03 |
JP2020141130A5 true JP2020141130A5 (ja) | 2021-03-11 |
JP7140148B2 JP7140148B2 (ja) | 2022-09-21 |
Family
ID=72280700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020008376A Active JP7140148B2 (ja) | 2019-02-27 | 2020-01-22 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210384343A1 (ja) |
JP (1) | JP7140148B2 (ja) |
CN (1) | CN113498544B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116325170A (zh) * | 2020-10-22 | 2023-06-23 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2022149402A (ja) * | 2021-03-25 | 2022-10-06 | 株式会社デンソー | 半導体装置とその製造方法 |
CN115152032B (zh) * | 2021-09-17 | 2023-03-14 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体装置 |
CN113990923B (zh) * | 2021-10-20 | 2023-04-04 | 电子科技大学 | 一种集成沟道二极管的碳化硅双槽mosfet |
EP4333078A1 (en) | 2021-12-17 | 2024-03-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102593101B1 (ko) * | 2022-03-11 | 2023-10-24 | 화인칩스 주식회사 | 파워 모스펫 |
CN114678277B (zh) * | 2022-05-27 | 2022-08-16 | 深圳平创半导体有限公司 | 中心注入p+屏蔽区的分裂栅平面mosfet及其制造方法 |
CN116314338B (zh) * | 2023-05-18 | 2023-08-01 | 深圳平创半导体有限公司 | 一种半导体结构及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5767430B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2015-08-19 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4793390B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2009283540A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2012169384A (ja) * | 2011-02-11 | 2012-09-06 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5685736B2 (ja) | 2012-02-10 | 2015-03-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN104285301B (zh) * | 2012-05-15 | 2017-03-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6048317B2 (ja) | 2013-06-05 | 2016-12-21 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
JP6479347B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2019-03-06 | ローム株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造装置、およびSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
US10969370B2 (en) | 2015-06-05 | 2021-04-06 | Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd. | Measuring semiconductor doping using constant surface potential corona charging |
JP6415749B2 (ja) * | 2015-12-07 | 2018-10-31 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6648743B2 (ja) * | 2016-10-05 | 2020-02-14 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2018082114A (ja) * | 2016-11-18 | 2018-05-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7327905B2 (ja) | 2017-07-07 | 2023-08-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6740986B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2020-08-19 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US10957792B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-03-23 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with latchup immunity |
JP7243094B2 (ja) * | 2018-09-11 | 2023-03-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2020
- 2020-01-22 JP JP2020008376A patent/JP7140148B2/ja active Active
- 2020-02-13 CN CN202080016354.9A patent/CN113498544B/zh active Active
-
2021
- 2021-08-24 US US17/410,044 patent/US20210384343A1/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020141130A5 (ja) | ||
JP6572423B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10002952B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP5298691B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 | |
JP6855700B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20180358445A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2010521799A5 (ja) | ||
JP2019046909A5 (ja) | ||
JP2017092368A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6918302B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6857351B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6853977B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JPWO2020110514A1 (ja) | 超接合炭化珪素半導体装置および超接合炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JPWO2011092808A1 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 | |
JPWO2014073127A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2013239489A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI534910B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
CN103959472A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
CN109564932A (zh) | 半导体装置 | |
KR20140121197A (ko) | 그래핀 소자 및 이의 제조 방법 | |
KR20120055251A (ko) | 광 검출 소자 및 이를 제조하는 방법 | |
JP6104743B2 (ja) | ショットキーダイオードを内蔵するfet | |
US8872242B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP6873937B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006324517A5 (ja) |