JP2020136669A5 - エッチング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
本開示の一の態様によれば、エッチング方法であって、酸化シリコン膜を含むシリコン含有膜を有する基板を載置台の上に提供する工程と、前記基板の表面温度を－７０℃以下の温度に制御する工程と、前記制御する工程の後、プラズマ生成用の高周波電力を供給してフッ素と水素を含むガスからプラズマを生成して前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、前記基板の表面温度を上昇させ、前記エッチングにより生成した副生成物を揮発させる工程と、を含み、前記副生成物を揮発させる工程において、前記基板の裏面と前記載置台との間の空間の圧力と、前記載置台に供給するバイアス高周波電力と、により前記基板の表面温度を制御する工程を含む、エッチング方法を提供する。
Claims (22)
- エッチング方法であって、
酸化シリコン膜を含むシリコン含有膜を有する基板を載置台の上に提供する工程と、
前記基板の表面温度を－７０℃以下の温度に制御する工程と、
前記制御する工程の後、プラズマ生成用の高周波電力を供給してフッ素と水素を含むガスからプラズマを生成して前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、
前記基板の表面温度を上昇させ、前記エッチングにより生成した副生成物を揮発させる工程と、を含み、
前記副生成物を揮発させる工程において、前記基板の裏面と前記載置台との間の空間の圧力と、前記載置台に供給するバイアス高周波電力と、により前記基板の表面温度を制御する工程を含む、
エッチング方法。 - 前記基板は、さらに前記酸化シリコン膜以外の膜を含む、
請求項１に記載のエッチング方法。 - 前記シリコン含有膜は、前記酸化シリコン膜とポリシリコン膜との積層膜、又は前記酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜を含む、
請求項２に記載のエッチング方法。 - 前記シリコン含有膜の上には、メタル含有マスクが形成されている、
請求項２又は３に記載のエッチング方法。 - 前記メタル含有マスクは、タングステン、チタン、モリブデン、ルテニウム、ハフニウム又はアルミニウムを含む材料から形成されている、
請求項４に記載のエッチング方法。 - 前記基板に形成する凹部のアスペクト比は、５以上である、
請求項１～５のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記エッチングする工程において、前記載置台に供給されるバイアス高周波電力のデューティ比を変化させる、
請求項１～６のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記エッチングする工程において、前記プラズマ生成用の高周波電力のデューティ比を変化させる、
請求項１～７のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記エッチングする工程において、パルス状の直流電圧を載置台に印加する、
請求項１～８のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記フッ素と水素を含むガスは、フッ化水素ガスである、
請求項１～９のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記ガスは、さらに水、またはアンモニアを含む、
請求項１～１０のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - エッチング方法であって、
酸化シリコン膜を含むシリコン含有膜の上にルテニウム含有マスクを有する基板を載置台の上に提供する工程と、
前記基板の表面温度を－７０℃以下の温度に制御する工程と、
プラズマ生成用の高周波電力を供給してフッ化水素を含むガスからプラズマを生成して前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、
前記基板の表面温度を上昇させ、前記エッチングにより生成した副生成物を揮発させる工程と、を含む、
エッチング方法。 - 前記エッチングする工程を終了するときの基板の表面温度は、前記エッチングする工程を開始するときの基板の表面温度よりも３０℃以上高い、
請求項１～１２のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記エッチングする工程を終了するときの基板の表面温度は、前記エッチングする工程を開始するときの基板の表面温度よりも５０℃以上高い、
請求項１３に記載のエッチング方法。 - 前記基板の前記表面温度を上昇させる工程は、プラズマを用いて前記シリコン含有膜をエッチングする間に実行される、
請求項１～１４のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - 前記エッチング方法は、上部電極を有するチャンバ内にて実行され、前記プラズマが生成されている間に前記高周波電力が前記上部電極に供給される、
請求項１～１５のいずれか一項に記載のエッチング方法。 - チャンバと、前記チャンバ内に設けられた載置台と、制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
酸化シリコン膜を含むシリコン含有膜を有する基板を載置台の上に提供する工程と、
前記基板の表面温度を－７０℃以下の温度に制御する工程と、
前記制御する工程の後、プラズマ生成用の高周波電力を供給してフッ素と水素を含むガスからプラズマを生成して前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、
前記基板の表面温度を上昇させ、前記エッチングにより生成した副生成物を揮発させる工程とを、含む工程を実行するように制御し、
前記副生成物を揮発させる工程において、前記基板の裏面と前記載置台との間の空間の圧力と、前記載置台に供給するバイアス高周波電力と、により前記基板の表面温度を制御する、プラズマ処理装置。 - 前記フッ素と水素を含むガスは、フッ化水素ガスである、
請求項１７に記載のプラズマ処理装置。 - チャンバと、前記チャンバ内に設けられた載置台と、制御部と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、
酸化シリコン膜を含むシリコン含有膜の上にルテニウム含有マスクを有する基板を載置台の上に提供する工程と、
前記基板の表面温度を－７０℃以下の温度に制御する工程と、
プラズマ生成用の高周波電力を供給してフッ化水素を含むガスからプラズマを生成して前記シリコン含有膜をエッチングする工程と、
前記基板の表面温度を上昇させ、前記エッチングにより生成した副生成物を揮発させる工程と、を含む工程を実行するように制御する、プラズマ処理装置。 - 前記制御部は、
前記エッチングする工程において、前記載置台に供給されるバイアス高周波電力のデューティ比を変化させるように制御する、
請求項１７～１９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、
前記エッチングする工程において、前記プラズマ生成用の高周波電力のデューティ比を変化させるように制御する、
請求項１７～２０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、
前記エッチングする工程において、パルス状の直流電圧を載置台に印加するように制御する、
請求項１７～２１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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