CN118263114A - 等离子体处理装置和蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。本发明能够提高蚀刻速率。
Description
本案是申请日为2020年2月18日、申请号为202010098798.3的名为“蚀刻方法”这一申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置和蚀刻方法。
背景技术
一直以来，提出有对被处理体一边进行冷却一边进行蚀刻来实现高蚀刻速率的蚀刻处理方法。例如，专利文献1提出有将被处理体的温度控制在﹣50℃以下来实现高蚀刻速率的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-147273号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种提高蚀刻速率的技术。
用于解决技术问题的技术方案
依照本发明的一个方式，提供一种蚀刻方法，其包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。
发明效果
依照一个方面，能够提高蚀刻速率。
附图说明
图1是表示一实施方式的蚀刻方法的图。
图2是表示氧化硅膜的蚀刻速率的基片温度相关性的图。
图3是表示气相中的HF蚀刻剂的量的图。
图4是表示氧化硅膜蚀刻中的基片温度上升的偏置功率相关性的图。
图5是表示一实施方式的等离子体处理装置的一例的图。
附图标记说明
1 腔室
2 等离子体
3 上部电极
4 下部电极
5 静电吸盘
6、7 RF源
8 气体源
9 排气装置
10 等离子体处理装置
80 控制部
100 掩模
110 氧化硅膜
120 氮化硅膜
W 基片
ST 载置台。
具体实施方式
在一个例示的实施方式中，提供一种蚀刻膜的方法。该方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻氧化硅膜的步骤；和使基片的表面温度上升，使通过蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。依照该实施方式，能够提高蚀刻速率。
在一个例示的实施方式中，也可以包括在使副生成物挥发的步骤中，通过基片的背面与载置台之间的空间的压力、和供给到载置台的偏置高频电功率，来控制基片的表面温度的步骤。
在一个例示的实施方式中，也可以为基片还包括氧化硅膜以外的含硅膜。
在一个例示的实施方式中，也可以为基片包括氧化硅膜和多晶硅膜的层叠膜、或者氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜。
在一个例示的实施方式中，也可以为在含硅膜上形成有含金属掩模。
在一个例示的实施方式中，也可以为含金属掩模由含有钨、钛、钼、钌、铪或铝的材料形成。
在一个例示的实施方式中，也可以为形成在基片的凹部的高宽比为5以上。
在一个例示的实施方式中，也可以为在进行蚀刻的步骤中，使供给到载置台的偏置高频电功率的占空比变化。
在一个例示的实施方式中，也可以为在进行蚀刻的步骤中，使等离子体生成用的高频电功率的占空比变化。
在一个例示的实施方式中，也可以为在进行蚀刻的步骤中，将脉冲状的直流电压施加到载置台。
以下，参照附图，说明用于实施本发明的方式。在各附图中，对相同的构成部分标注相同的附图标记，省略重复的说明。
在以下的说明中，将从图5中的2个高频电源(RF源)的一者供给到等离子体处理装置内的电功率称为HF功率，将从另一者施加到等离子体处理装置内的电功率称为LF功率。HF功率主要是有助于等离子体生成的高频电功率。LF功率是主要有助于对基片W引入离子的偏置高频电功率。作为处理对象的基片W是直径为300mm的晶片。基片W的表面温度通过用硅胶(silicon gel)等接合剂粘贴在基片W的表面的温度传感器来计量。
在本实施方式中，参照图1，说明蚀刻基片的方法MT。在以下的说明中，除了图1之外，还参照图5。此外，下面，以使用等离子体处理装置10对基片W应用方法MT的情况为例，说明方法MT。方法MT包括步骤S1～S5。另外，步骤S3至少包括步骤S3-1～S3-3。
在步骤S1中，如图5所示，包含蚀刻对象膜的基片W在腔室1内由载置台ST保持。载置台ST包括静电吸盘5，通过静电力保持基片W。蚀刻对象膜是含硅膜。含硅膜包含氧化硅膜(SiO2)。而且含硅膜也可以包含氧化硅膜以外的含硅膜。含硅膜可以包含两种以上的含硅膜。两种以上的含硅膜可以包含氧化硅膜和多晶膜的层叠膜、或者氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜。在本实施方式中，给出蚀刻作为蚀刻对象膜的氧化硅膜的例子。例如，能够使用3D-NAND或DRAM用的高宽比(aspect ratio)在30以上的高高宽比蚀刻。
基片W还可以包括在蚀刻对象膜上具有开口的掩模。掩模可以由作为蚀刻对象膜的含硅膜(包含2种以上的含硅膜)和能够获得选择比的各种膜构成的掩模形成。掩模可以为含碳膜。含碳的膜的一例，包含光致抗蚀剂、或者非晶碳。蚀刻中能够使用含氟和氢的气体。含氟的气体可以为CF4、C2F6、C4F6、C4F8等碳氟化合物、CH3F、CHF3等氢氟碳化合物、SF6、NF6等气体、或者从上述物质选择的一个以上的气体的组合。含氢气体可以为H2、NH3、H2O、CH4等。另外，除了上述的气体之外，还可以包含Ar等稀有气体。由含氟和氢的气体生成的等离子体的氟离子和氢离子较轻，不容易对掩模造成损伤。由此，能够获得高掩模选择比。
含硅膜之上的掩模可以为含金属掩模。含金属掩模优选由钨(W)系、钛(Ti)系、钼(Mo)系、钌(Ru)系、铪(Hf)系或铝(Al)系的材料形成。此外，通过实施方式的蚀刻方法形成在基片的凹部的高宽比可以为5以上。
接着，在步骤S2中，将载置台ST的温度设定为﹣70℃以下。可以使用冷却器冷却载置台ST，也可以通过使液氮或者氟利昂之类等的冷媒在载置台ST中流通来冷却载置台ST。而且，对静电吸盘5与保持于其上的基片W的背面之间供给导热气体。导热气体能够使用非活性气体。在一个例子中，稀有气体例如可以使用氦气。在一个的例子中，将基片W的背面与静电吸盘5之间的空间的压力设定为10Torr～200Torr。该压力被设定成能够实现等离子体处理中的基片W的所希望的温度上升率。具体而言，压力可以基于蚀刻开始温度和LF功率的大小来决定。例如，可以将上述压力设定成使蚀刻开始温度与蚀刻结束时的基片表面温度之差在30℃～50℃以上。在此，蚀刻开始温度，是指开始等离子体蚀刻时的载置台ST的温度。在没有来自等离子体的输入热量时，载置台ST的温度和基片W的表面温度实质上相同。
接着，在步骤S3中蚀刻基片W。在步骤S3-1中，从气体源8将蚀刻气体供给到腔室内，从RF源6对上部电极3供给27MHz～100MHz的高频电功率将蚀刻气体等离子体化。从RF源6供给的高频的频率在一例中为60MHz。作为蚀刻气体能够使用碳氟化合物气体(例如CF4)。还供给氢气(H2)。另外，可以添加稀有气体。在蚀刻对象膜包含氮化硅膜的情况下，作为蚀刻气体能够使用碳氟化合物、氢氟碳化合物气体(例如CHF)。还供给氢气(H2)。另外，可以添加稀有气体。等离子体生成用的高频电功率不限于连续波，也可以为具有规定的占空比的脉冲波。可以使占空比在蚀刻中变化。
在步骤S3-2中，为了将生成的等离子体中的离子引入基片W，从RF源7对载置台ST供给200kHz～13.56MHz的频率的偏置电功率。从RF源7供给的高频的频率在一例中为3.2MHz。偏置高频电功率可以为2kW以上，更优选为5kW以上。进一步优选为10kW以上。偏置高频电功率不限于连续波，可以为具有规定的占空比的脉冲波。可以使占空比在蚀刻中变化。另外，可以与等离子体生成用的高频电功率同步地供给。
在接下来的步骤S3-3中，调节基片W的背面与静电吸盘5之间的压力。压力基于在步骤S3-2中施加的偏置高频电功率的大小来决定。该压力在一例中被设定为10Torr(1.3kPa)～200Torr(26.7kPa)。也可以决定该压力以使温度或者温度上升率为规定值。例如，可以设定该压力，以使得通在蚀刻开始温度与蚀刻结束时的温度之间具有30～50℃以上的差。在蚀刻中将压力设定为一定值，也可以使压力变化。在步骤S3中，开始进行将蚀刻开始时的载置台ST的温度调节为﹣70℃以下的规定温度(一例中为﹣110℃)的后蚀刻，调节在蚀刻中的来自等离子体的输入热量和由传热气体传递到载置台ST的热量。由此，进行控制以使得在蚀刻中基片的表面温度或者基片温度以规定的速率上升到所希望的温度。下面，举出在蚀刻中控制基片的表面温度的例子进行说明。
在步骤S4中，控制载置台ST的温度使基片的表面温度上升，使副生成物挥发。其中，可以并行地进行步骤S3和步骤S4。即，可以在对基片进行等离子体蚀刻的期间，使基片的表面温度上升，使副生成物挥发。在步骤S5中，从腔室1送出基片W，方法MT结束。
(蚀刻速率)
图2表示在下述的条件下改变基片的表面温度蚀刻氧化硅膜时的蚀刻速率。
(步骤S3的条件)
HF功率 100W、60MHz
LF功率 1kW、3.2MHz
气体 CF4气体、H2气体
晶片背面与静电吸盘5之间的空间的压力50Torr
蚀刻速率以基片的表面温度从20℃附近(室温)至﹣60℃～﹣70℃程度上升，在﹣70℃以下单调减少。﹣70℃附近的蚀刻速率为20℃附近的蚀刻速率的大约2倍。
图3表示气相中所包含的HF的量与基片的表面温度的相关性。据此，气相中的HF气体的量从0℃附近开始减少。并且，从﹣70℃附近开始去往低温侧，减少的情况变缓慢。即，从室温至﹣70℃附近为止吸附到基片上的HF的量增加。推测这是因为，图2所示的蚀刻速率的增加随着基片的表面温度从室温成为低温而HF(蚀刻剂)的供给量增大，在﹣70℃程度最大化。另一方面，在比﹣70℃低的温度下蚀刻剂的吸附量过剩时，若来自等离子体的离子能不够大则存在蚀刻不进展的可能性。由此，供给到基片的偏置高频电功率(LF功率)需要被赋予充足的能量以对蚀刻剂给予能量而蚀刻剂和氧化硅反应。该LF功率的大小在2kW以上。为了增加蚀刻速率，增大LF功率即可，例如可以为5kW以上、或10kW以上。当增大LF功率时，入射到基片的离子的指向性(垂直性)提高，对蚀刻凹部侧壁的入射相对减少，因此能够抑制在侧壁产生侧弯(bowing)等形状异常。
氧化硅膜被含氟和氢的气体蚀刻时，作为副生成物生成SiFx(此处为SiF4)。例如，温度越低，蚀刻副生成物从基片挥发的挥发量越减少。从促进副生成物的挥发的观点出发，基片的表面温度适合为﹣110℃以上的温度。进一步优选﹣70℃以上的温度。更优选0℃以上。另外，能够增大LF功率，增加挥发量，提高蚀刻速率。
(蚀刻中的基片的表面温度)
接着，参照图4，说明蚀刻中的基片的表面温度的变化。以下给出步骤S3的条件。
(步骤S3的条件)
HF功率 2kW、60MHz
LF功率 0.5～4kW、3.2MHz
气体 CF4气体、H2气体
晶片背面与静电吸盘5之间的空间的压力10Torr(1.3kPa)、50Torr(6.7kPa)
蚀刻时间30秒
图4的横轴表示LF功率，纵轴表示基片的表面温度的差分ΔT。
LF功率越大，基片的表面温度的上升量ΔT越变大。可知，能够用对载置台ST施加的LF功率的大小来控制蚀刻中的基片的表面温度的上升。通过使来自等离子体的输入热量超过基片背面与静电吸盘5之间的空间的氦气导致的基片的热量传递到载置台ST侧的传递量，能够提高基片的表面温度。
图4的图表中的直线A表示将基片背面与静电吸盘5之间的空间的压力控制为10Torr进行了蚀刻时的基片的表面温度的变化。直线B表示将基片背面与静电吸盘5之间的空间的压力控制为50Torr进行了蚀刻时的基片的温度的变化。可知，通过改变基片背面与静电吸盘5之间的空间的压力，调节基片背面的传热量，能够控制基片的表面温度的上升。
在一例中，控制在蚀刻中施加的LF功率和/或基片背面与静电吸盘5之间的空间的压力来提高蚀刻速率。
蚀刻速率由蚀刻剂的吸附量和用于引起化学反应的离子能供给量决定。当成为低温时，能够增大蚀刻剂的吸附量，另一方面，为了引起化学反应，需要更多的离子能。
因此，施加比较小的LF功率(例如不到2kW)，对基片的表面温度在大约﹣100℃以下的温度的基片进行蚀刻时，发生蚀刻停止或者蚀刻速率降低的可能性较高。
另一方面，通过施加比较大的LF功率(例如5kW以上)，蚀刻开始温度越低而能够使蚀刻速率越高。这是因为，在低温下蚀刻剂的供给变多，LF功率的离子能促进反应。
另外，在﹣70℃以下的低温下继续蚀刻时，因蚀刻而生成的副生成物的挥发性降低而蚀刻速率降低。为了提高蚀刻速率可以增大LF功率，或者使基片的表面温度上升促进副生成物的挥发。
为了使蚀刻进展，需要对蚀刻凹部的底部供给蚀刻剂。随着蚀刻进行而高宽比变高，需要对比蚀刻凹部的开口附近深的区域供给足够的量的蚀刻剂。当与低温相比成为高温时，附着系数变小，容易将蚀刻剂供给至底部。
除了因毛细冷凝(capillary condensation)现象而凝固/凝结点向高温侧移动副生成物的蒸气压变低之外，挥发物再次附着到侧壁的可能性变高，因此在高宽比高的区域生成物难以挥发。因此，优选随着蚀刻进展而使基片的表面温度上升，促进副生成物的挥发。在一例中，与蚀刻开始时相比，使基片的表面温度上升30～50℃以上。
如上所述，蚀刻开始温度(载置台ST的温度)优选蚀刻剂的吸附量变大的﹣70℃以下，在蚀刻结束的时刻的基片的表面温度(以下，也称为“蚀刻结束温度”)可以为比蚀刻开始温度高的温度。随着蚀刻进展而副生成物变得难以挥发，因此随着蚀刻进展，使温度与蚀刻开始时相比上升，促进副生成物的排出。通过使基片的表面温度上升，蚀刻剂的附着系数变小，因此与高宽比低的区域相比能够向高宽比高的区域供给蚀刻剂。当基片的表面温度上升时，能够促进副生成物的排出。蚀刻结束温度优选为副生成物(SiF4)挥发的﹣70℃以上。并且，当考虑副生成物的排出性时，更优选为0℃以上。能够调节供给到基片背面与静电吸盘之间的传热气体的压力、以及调节LF功率，来控制基片的温度上升即可。
另外，已知在存在水和氨水的情况下，促进蚀刻剂的吸附。在存在水的情况下供给处理气体，进行蚀刻，由此能够促进对蚀刻凹部的底部供给蚀刻剂，能够增加蚀刻速率。关于水，由于吸附在腔室1的内壁的水(H2O)的分子脱离，而在腔室1内存在或气体供给部供给。氨气是从气体供给部供给的。通过由作为处理气体的四氟化碳气体和氢气产生的氟化氢与水或氨气的氢键[0]的相互作用，而氟化氢以比不存在水或氨气的情况高的温度吸附在基片，供给到形成于基片的蚀刻凹部的底部。
此外，为了使基片的温度从蚀刻开始温度上升至蚀刻结束温度，如图4所示，可以调节基于LF功率的来自等离子体的输入热量的调节和/或基片背面与静电吸盘5之间的空间的压力。也可以控制流入载置台ST的热交换介质的温度，使基片的温度从蚀刻开始温度上升至蚀刻结束温度。在另一例子中，可以通过射线、微波、紫外线、红外线、可见光、激光等热源使基片的温度上升。
以上，通过控制蚀刻开始前的基片的表面温度、和之后的基片的表面温度的温度上升，能够实现高蚀刻速率。
在另一例子中，也可以代替CF4和H2而供给氟化氢。另外，作为另一例子，也可以为在进行等离子体蚀刻的步骤中，作为含氟和氢的气体，代替四氟化碳(CF4)气体而供给含有三氟化氮(NF3)的气体。根据需要，也可以供给氩气等稀有气体。另外，还可以添加水或氨气。
另外，作为另一例子，也可以为在进行等离子体蚀刻的步骤中，作为含氟和氢的气体，代替四氟化碳(CF4)气体而供给六氟化硫(SF6)气体。也可以根据需要，供给氩气等稀有气体。另外，还可以添加水或氨气。
也可以在对基片进行等离子体蚀刻步骤之后，进行S4步骤，即使基片的表面温度上升、使副生成物挥发的步骤。由此，能够用不同的腔室进行等离子体蚀刻基片的步骤和使基片的温度上升的步骤。另外，也可以在将本实施方式的蚀刻作为主蚀刻进行后，在不同的腔室中以比本实施方式高的温度进行过蚀刻(over etching)。
(等离子体处理装置)
蚀刻处理能够使用下述的等离子体处理装置。下述的等离子体处理装置为用于从处理气体激发等离子体的若干等离子体生成系统的一例。图5示出了电容耦合等离子体(CCP)装置，在腔室1、上部电极3和载置台ST之间形成等离子体2。载置台ST具有下部电极4和静电吸盘5。在下部电极4上保持晶片W。如图5所示，RF源6和RF源7与上部电极3和下部电极4这两者结合，能够使用不同的RF频率。在其他的例子中，也可以为RF源6和RF源7与相同的电极结合。另外，直流电流(DC)功率可以与上部电极结合。腔室1与气体源8连接，供给处理气体。另外，腔室1与排气装置9连接，对腔室1内部进行排气。另外，可以设置以非接触的方式测量基片的温度的温度传感器。
图5的等离子体处理装置具有包含处理器和存储器的控制部80，控制等离子体处理装置的各要素对晶片W进行等离子体处理。
此外，在实施方式的蚀刻方法中，在蚀刻氧化硅膜的步骤中，可以将脉冲状的直流电压施加到载置台ST。另外，也可以使从RF源7施加的LF功率的占空比变化。
此外，在使基片的表面温度上升，使副生成物挥发的步骤中，参照载置台ST的温度上升而有所希望的温度以上的上升的情况下，可以对基片和载置台ST之间供给传热气体和/或控制高频电功率来控制基片的表面温度的上升速度。
也可以在蚀刻氧化硅膜的步骤中，至蚀刻即将结束时之前在低温下进行蚀刻，使温度上升至常温而结束蚀刻。即，也可以在低温下进行主蚀刻，使(常温程度)温度上升来进行过蚀刻。能够使温度上升以使蚀刻停止。此时，可以在不同的腔室中进行低温下的主蚀刻和常温下的过蚀刻。
也可以在主蚀刻与过蚀刻之间进行使用等离子体的干清洁(dry cleaning)。
应当认为本次公开的一实施方式的蚀刻方法在所有方面均是例示，而并非是限制性的。上述的实施方式在不超出所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式变形和改良。上述多个实施方式所记载的内容，在不矛盾的范围内能够采用其他构成，另外，在不矛盾的范围内能够组合。
本发明的等离子体处理装置示出了Capacitively Coupled Plasma(CCP，电容耦合等离子体)型的等离子体处理装置，但是，也可以使用其他等离子体处理装置。例如，能够使用Inductively Coupled Plasma(ICP，电感耦合等离子体)、Radial Line Slot Antenna(RLSA，径向线缝隙天线)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR，电子回旋共振等离子体)、Helicon Wave Plasma(HWP，螺旋波等离子体)。
Claims (16)
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
腔室；
所述腔室内的载置台；
冷却器，其构成为能够使热交换介质在所述载置台中流通，以控制所述载置台的温度；
等离子体生成用的高频电源；
偏置电源；和
控制部，
所述控制部构成为能够执行处理，
所述处理包括：
步骤(a)，将具有含硅膜的基片置于载置台上；和
步骤(b)，将所述载置台的温度设定为﹣70℃以下后，蚀刻所述含硅膜，
所述步骤(b)包括：
步骤(b1)，供给含氟和氢的处理气体；
步骤(b2)，从所述处理气体生成等离子体；和
步骤(b3)，使所述基片的表面温度上升。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述偏置电源构成为能够对所述载置台供给偏置高频电功率。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述偏置电源构成为能够对所述载置台供给脉冲状的直流电压。
4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
还包括与所述载置台相对的上部电极，所述等离子体生成用的高频电功率被供给到所述上部电极。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述步骤(b3)中，通过控制对所述载置台供给的偏置电功率、对所述基片与所述载置台之间供给的传热气体的压力或流入所述载置台的热交换介质的温度，使所述基片的表面温度上升。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述控制部利用射线、微波、紫外线、红外线、可见光或激光，使所述基片的温度上升。
7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述步骤(b3)中，使所述基片的温度与所述步骤(b)开始时相比上升30℃以上。
8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述控制部在所述步骤(b3)中，利用来自所述等离子体的输入热量，使通过蚀刻所述含硅膜而生成的副生成物挥发。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
作为所述处理气体，供给氟化氢气体。
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述处理气体含有水或氨气。
11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述基片在所述含硅膜上具有含碳掩模或含金属掩模。
12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述含金属掩模是钨系、钛系、钼系、钌系、铪系或铝系的材料制的。
13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
还包括步骤(c)，所述步骤(c)在所述步骤(b)之后，以比所述步骤(b)高的温度进行过蚀刻。
14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述步骤(c)在与所述步骤(b)不同的腔室中实施。
15.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
腔室；
载置台，其构成为配置于所述腔室内，能够支承具有含硅膜的基片；
气体供给部，其构成为能够对所述腔室内供给含氟和氢的处理气体；
冷却器，其构成为能够使热交换介质在所述载置台中流通，可将所述载置台的温度控制成﹣70℃以下；
等离子体生成用的高频电源，其构成为能够从所述处理气体生成等离子体，以蚀刻所述含硅膜；
偏置电源，其构成为能够对所述载置台供给偏置功率；和
控制部，其构成为能够利用所述偏置功率、传热气体的压力和所述热交换介质的温度中的任一者，在所述蚀刻中使所述基片的温度上升，
所述控制部对向所述基片与所述载置台之间供给的所述传热气体进行控制。
16.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：
步骤(a)，将具有含硅膜的基片置于载置台上；和
步骤(b)，将所述载置台的温度设定为﹣70℃以下后，蚀刻所述含硅膜，
所述步骤(b)包括：
步骤(b1)，供给含氟和氢的处理气体；
步骤(b2)，从所述处理气生成等离子体；和
步骤(b3)，使所述基片的表面温度上升。
Applications Claiming Priority (2)
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| JP2019-026951 | 2019-02-18 | ||
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