JP2020037512A - 半導体用支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板 - Google Patents
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Abstract
Description
構造物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを樋状構造物の下頂端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス基板を製造する方法である。オーバーフローダウンドロー法では、ガラス基板の表面となるべき面は樋状耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、板厚が小さいガラス基板を作製し易くなると共に、少量の研磨によって、或いは研磨処理しなくても、全体板厚偏差を2.0μm未満、特に1.0μm未満まで低減することができ、結果として、ガラス基板の製造コストを低廉化することができる。なお、樋状構造物の構造や材質は、所望の寸法や表面精度を実現できるものであれば、特に限定されない。また、下方への延伸成形を行う際に、力を印加する方法も特に限定されない。例えば、充分に大きい幅を有する耐熱性ロールをガラスに接触させた状態で回転させて延伸する方法を採用してもよいし、複数の対になった耐熱性ロールを帯状ガラスの端面近傍のみに接触させて延伸する方法を採用してもよい。
まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れた後、1500〜1600℃で24時間溶融、清澄、均質化を行った。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出して、板状に成形した後、徐冷点付近の温度で30分間徐冷した。
まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れた後、1500〜1600℃で24時間溶融、清澄、均質化を行った。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出して、板状に成形した後、徐冷点付近の温度で30分間徐冷した。
まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを連続溶融炉に投入した後、1500〜1600℃で24時間溶融、清澄、均質化を行った。次いで、オーバーフローダウンドロー法でガラス基板に成形した。
まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れた後、1500〜1600℃で24時間溶融、清澄、均質化を行った。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出して、板状に成形した後、徐冷点付近の温度で30分間徐冷した。
まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを連続溶融炉に投入した後、1500〜1600℃で24時間溶融、清澄、均質化を行った。次いで、オーバーフローダウンドロー法でガラス基板に成形した。続いて、得られたガラス基板をφ300mm×0.7mm厚に切断加工した。
まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを連続溶融炉に投入した後、1500〜1600℃で24時間溶融、清澄、均質化を行った。次いで、ロールアウト法でガラス基板に成形した。続いて、得られたガラス基板をφ300mm×0.7mm厚に切断加工した後、その両表面を研磨装置により研磨処理した。
(1) ガラス基板40の粗面化領域を有する表面を下側にして支持台41に載置する。なお、両表面に粗面化領域を有しない場合は、どちらの表面が下側でもよい。
(2) イオナイザ付きエアーガン45により、ガラス基板40を10V以下に除電する。
(3) プレート43を上昇させてガラス基板40に接触させるとともに真空吸着させて、プレート43とガラス基板40を30秒間密着させる。
(4) プレート43を下降させることでガラス基板40を剥離し、ガラス基板40中央部に発生する帯電量を表面電位計で連続的に測定する。
(5) (3)と(4)を繰り返し、計5回の帯電量の評価を連続して行う。
(6) 各測定における最大帯電量を求め、これらを積算して帯電量とする。
10、26、31、40 半導体用支持ガラス基板(ガラス基板)
11、24、34 半導体基板
12、32 剥離層
13、21、25、33 接着層
20 支持部材
22、35 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
36 研磨装置
37 紫外光
41 支持台
42 パッド
43 プレート
44 表面電位計
45 エアーガン
Claims (10)
- 半導体基板を積層させる側となる第一の表面と第一の表面とは反対側の表面である第二の表面とを有し、第一の表面及び第二の表面の少なくとも一方に、表面粗さRaが0.3nm以上、且つ表面粗さRmaxが100nm以下となる粗面化領域を有することを特徴とする半導体用支持ガラス基板。
- 粗面化領域が、第二の表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体用支持ガラス基板。
- 粗面化領域が、面積比で、第二の表面の5%以上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体用支持ガラス基板。
- 粗面化領域が、第一の表面と第二の表面の両方に形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体用支持ガラス基板。
- 粗面化領域内に、円弧状の研磨傷が存在することを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の半導体用支持ガラス基板。
- 全体板厚偏差が3.0μm以下であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の半導体用支持ガラス基板。
- 板厚が2.0mm未満であり、且つ反り量が60μm以下であることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の半導体用支持ガラス基板。
- 少なくとも半導体基板と半導体基板を支持するための半導体用支持ガラス基板とを備える積層基板であって、半導体用支持ガラス基板が請求項1〜7の何れかに記載の半導体用支持ガラス基板であることを特徴とする積層基板。
- 半導体用支持ガラス基板の20〜260℃における平均熱膨張係数が50×10−7/℃以上であり、且つ半導体基板が少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項8に記載の積層基板。
- 半導体用支持ガラス基板が無アルカリガラスであり、且つ半導体基板がシリコンウェハを備えることを特徴とする請求項8に記載の積層基板。
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