JP2020033576A5 - - Google Patents

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(実施例1)
上述の成膜方法に基づいて、コランダム構造を有する酸化ガリウム(α−Ga)の成膜を行った。
具体的には、まず、臭化ガリウム0.1mol/の水溶液を調整し、さらに48%臭化水素酸溶液を体積比で10%となるように含有させ、これを原料溶液104aとした。
上述のようにして得た原料溶液104aをミスト発生源104内に収容した。このときの溶液の温度は25℃であった。次に、基体110として4インチ(直径100mm)のc面サファイア基板を、成膜室107内でホットプレート108に隣接するように設置し、ホットプレート108を作動させて温度を500℃に昇温した。
続いて、流量調節弁103a、103bを開いてキャリアガス源102a、102bからキャリアガスとして酸素ガスを成膜室107内に供給し、成膜室107の雰囲気をキャリアガスで十分に置換するとともに、主キャリアガスの流量を5L/分に、希釈用キャリアガスの流量を0.5L/minにそれぞれ調節した。すなわち、キャリアガス流量Q=5.5L/分とした。
キャリアガス温度Tは、キャリアガス温度制御部150として、キャリアガス供給配管の周囲に温度調整した水の配管を巻くことで、調整できるようにした。
実施例1においては、キャリアガス温度Tを45℃とした。つまり、T+Q=50.5である。
次に、超音波振動子106を2.4MHzで振動させ、その振動を、水105aを通じて原料溶液104aに伝播させることによって、原料溶液104aをミスト化してミストを生成した。このミストを、キャリアガスによって供給管109aを経て成膜室107内に導入した。そして、大気圧下、500℃の条件で、成膜室107内でミストを熱反応させて、基体110上にコランダム構造を有する酸化ガリウム(α−Ga)の薄膜を形成した。成膜時間は30分とした。
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