JP2020033253A5 - - Google Patents
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Claims (4)
- ２インチ以上の直径を有し、最も近い低指数の結晶面が（０００１）面である主面を有する窒化物半導体基板であって、
多光子励起顕微鏡により視野２５０μｍ角で前記主面を観察したときに検出される暗点の９５％以上は、異物または点欠陥を起因とした非発光中心ではなく転位に対応している
窒化物半導体基板。 - 前記多光子励起顕微鏡により視野２５０μｍ角で前記主面を観察して暗点密度から転位密度を求めたときに、前記転位密度が１×１０ ６ ｃｍ −２ 未満である領域が前記主面の８０％以上存在する
請求項１に記載の窒化物半導体基板。 - 前記多光子励起顕微鏡により視野２５０μｍ角で前記主面を観察して暗点密度から転位密度を求めたときに、前記転位密度が３×１０ ６ ｃｍ −２ を超える領域が前記主面に存在しない
請求項１又は２に記載の窒化物半導体基板。 - 前記主面は、重ならない５０μｍ角の無転位領域を１００個／ｃｍ２以上の密度で有する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2019170992A JP7166998B2 (ja) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 窒化物半導体基板 |
| JP2022171211A JP7403608B2 (ja) | 2019-09-20 | 2022-10-26 | 窒化物半導体基板 |
| JP2023209560A JP2024019512A (ja) | 2019-09-20 | 2023-12-12 | 窒化物半導体基板 |
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| JP2019170992A JP7166998B2 (ja) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 窒化物半導体基板 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018159988A Division JP6595677B1 (ja) | 2018-08-29 | 2018-08-29 | 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022171211A Division JP7403608B2 (ja) | 2019-09-20 | 2022-10-26 | 窒化物半導体基板 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020033253A JP2020033253A (ja) | 2020-03-05 |
| JP2020033253A5 true JP2020033253A5 (ja) | 2021-08-26 |
| JP7166998B2 JP7166998B2 (ja) | 2022-11-08 |
Family
ID=69667013
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2019170992A Active JP7166998B2 (ja) | 2019-09-20 | 2019-09-20 | 窒化物半導体基板 |
| JP2022171211A Active JP7403608B2 (ja) | 2019-09-20 | 2022-10-26 | 窒化物半導体基板 |
| JP2023209560A Pending JP2024019512A (ja) | 2019-09-20 | 2023-12-12 | 窒化物半導体基板 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022171211A Active JP7403608B2 (ja) | 2019-09-20 | 2022-10-26 | 窒化物半導体基板 |
| JP2023209560A Pending JP2024019512A (ja) | 2019-09-20 | 2023-12-12 | 窒化物半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JP7166998B2 (ja) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5159023B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2013-03-06 | モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク | 窒化ガリウム結晶、ホモエピタキシャル窒化ガリウムを基材とするデバイス、及びその製造方法 |
| US7786503B2 (en) * | 2002-12-27 | 2010-08-31 | Momentive Performance Materials Inc. | Gallium nitride crystals and wafers and method of making |
| JP4849296B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2012-01-11 | 日立電線株式会社 | ＧａＮ基板 |
| JP5297219B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-09-25 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶薄膜を有する基板の製造方法 |
| WO2010092736A1 (ja) * | 2009-02-16 | 2010-08-19 | 日本碍子株式会社 | ３ｂ族窒化物の結晶成長方法及び３ｂ族窒化物結晶 |
| JP5552873B2 (ja) | 2010-04-08 | 2014-07-16 | 日立金属株式会社 | 窒化物半導体基板、その製造方法及び窒化物半導体デバイス |
| JP6031733B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2016-11-24 | 住友電気工業株式会社 | ＧａＮ結晶の製造方法 |
| JP5888208B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2016-03-16 | 三菱化学株式会社 | 窒化物結晶の製造方法 |
| JP5949064B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-07-06 | 三菱化学株式会社 | ＧａＮバルク結晶 |
| WO2015037232A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 国立大学法人東京農工大学 | 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置 |
| JP2017139247A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-10 | 三菱化学株式会社 | エピタキシャルウエハ、半導体発光素子、発光装置及びエピタキシャルウエハの製造方法 |
| JP6776711B2 (ja) | 2016-08-08 | 2020-10-28 | 三菱ケミカル株式会社 | ＧａＮ単結晶およびＧａＮ単結晶製造方法 |
| JP6513165B2 (ja) * | 2017-11-08 | 2019-05-15 | 住友化学株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体単結晶の製造方法 |
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2019
- 2019-09-20 JP JP2019170992A patent/JP7166998B2/ja active Active
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