JP2017005147A5 - - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］ コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする結晶性半導体膜。
［２］ 水素濃度が１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］記載の結晶性半導体膜。
［３］
膜の最表面から１００ｎｍ以上の深さにおける膜中の水素濃度が２×１０ １７ （ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ ）以下である請求項１記載の結晶性半導体膜。
［４］ 膜の一部または全部におけるハロゲン濃度が１×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［５］ 半導体が酸化物半導体である前記［１］〜［４］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［６］ 半導体が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムの少なくともいずれか一つを含む前記［１］〜［５］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［７］ 半導体がガリウムを含む前記［１］〜［６］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［８］ ドーパントを含む前記［１］〜［６］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［９］ 前記［１］〜［８］のいずれかに記載の結晶性半導体膜を含む半導体装置。
［１０］ ダイオードまたはトランジスタである前記［９］記載の半導体装置。
［１］ コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする結晶性半導体膜。
［２］ 水素濃度が１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］記載の結晶性半導体膜。
［３］
膜の最表面から１００ｎｍ以上の深さにおける膜中の水素濃度が２×１０ １７ （ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ ）以下である請求項１記載の結晶性半導体膜。
［４］ 膜の一部または全部におけるハロゲン濃度が１×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［５］ 半導体が酸化物半導体である前記［１］〜［４］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［６］ 半導体が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムの少なくともいずれか一つを含む前記［１］〜［５］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［７］ 半導体がガリウムを含む前記［１］〜［６］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［８］ ドーパントを含む前記［１］〜［６］のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
［９］ 前記［１］〜［８］のいずれかに記載の結晶性半導体膜を含む半導体装置。
［１０］ ダイオードまたはトランジスタである前記［９］記載の半導体装置。
Claims (10)
- コランダム構造を有する半導体を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする結晶性半導体膜。
- 水素濃度が１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である請求項１記載の結晶性半導体膜。
- 膜の最表面から１００ｎｍ以上の深さにおける膜中の水素濃度が２×１０ １７ （ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ ）以下である請求項１記載の結晶性半導体膜。
- 膜の一部または全部におけるハロゲン濃度が１×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である請求項１〜３のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
- 半導体が酸化物半導体である請求項１〜４のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
- 半導体が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムの少なくともいずれか一つを含む請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
- 半導体がガリウムを含む請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
- ドーパントを含む請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性半導体膜。
- 請求項１〜８のいずれかに記載の結晶性半導体膜を含む半導体装置。
- ダイオードまたはトランジスタである請求項９記載の半導体装置。
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