JP7090052B2 - 酸化ガリウム膜の製造方法 - Google Patents
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Description
基材は、表面に酸化ガリウム膜を成膜可能であり膜を支持できるもので、かつ、少なくとも表面が単結晶構造を有するものであれば特に限定されない。該基材としては、単結晶基板又は表面に単結晶薄膜を有する基板を用いることができ、素子に適用が容易な酸化ガリウム膜を製造することができる。例えば、基板として、サファイア、チタン酸バリウム、酸化コバルト、酸化クロム、酸化銅、スカンジウム酸ジスプロシウム、三酸化二鉄、四酸化三鉄、スカンジウム酸ガドリニウム、タンタル酸リチウム、タンタル酸カリウム、アルミン酸ランタン、ランタンストロンチウムアルミネート、ランタンストロンチウムガレート、アルミニウムタンタル酸ランタンストロンチウム、酸化マグネシウム、スピネル、酸化マンガン、酸化ニッケル、水晶、スカンジウムマグネシウムアルミネート、酸化ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、酸化スズ、酸化テルル、酸化チタン、YAG、イットリア安定化ジルコニア、イットリウムアルミネート、酸化亜鉛、等の酸化物の他、シリコン、ゲルマニウム、シリコンカーバイド、グラファイト、雲母、フッ化カルシウムや、銀、アルミニウム、金、銅、鉄、ニッケル、チタン、タングステン、亜鉛等の金属のなかから、単結晶基板を選択しても良いし、上記の材料から選択した基板の表面に単結晶膜を形成したものを用いることもできるが、これに限られるものではない。基材として、自立する単結晶酸化ガリウム膜、板状体の単結晶酸化ガリウム膜、単結晶酸化ガリウム膜を有する基板も用いることができ、この場合は、酸化ガリウム膜が、いわゆるホモエピタキシャル成長するため、より結晶性に優れた酸化ガリウム膜を得ることができる。
原料水溶液は、少なくともガリウムを含んでいる水溶液であれば特に限定されない。すなわち、ガリウムの他、例えば、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、イリジウム、ニッケル及びコバルトから選ばれる1種又は2種以上の金属を含んでもよい。
上述のような、少なくとも表面が単結晶構造を有する基材を準備し、この基材の表面に、上述の原料水溶液を供給し、原料水溶液が基材の表面に接触した状態で基材を加熱し熱反応させることで、基材上に、表面が平滑な酸化ガリウム膜を得ることができる。以下、製造方法の詳細を説明する。
まず、原料水溶液を基材表面に供給して、原料水溶液が基材の表面に接触した状態とする。原料水溶液の供給方法としては、一般的な塗布方法を採用することができ、溶液に直接浸漬する方法の他、スピンコート法、ディスペンサー等で滴下する方法、いずれを用いても構わない。なかでも、スピンコート法は、大面積の基材を用いた場合でも、基材表面に容易に均一な厚さで原料水溶液を塗布できるため、最も好ましい。原料水溶液を基材表面に供給、塗布することにより、基板表面や基板上の膜表面にある凹凸は原料水溶液により覆われ、後の熱反応により平坦な表面を得ることが可能となる。なお、原料水溶液は、成膜を行いたい部分にのみ塗布してもよいが、基材表面の略全面に塗布することが好ましい。ここでいう「略全面」とは、例えば基材のエッジ部近傍など、実際の製品に使用されない場所等には必ずしも塗布されていなくてもよいことを意味しており、例えば、表面全体のうち90%以上の領域を意味する。
原料水溶液を接触させた基材を加熱し、原料水溶液を熱反応させ、原料水溶液を結晶化させる。該基材を加熱する手段としては、例えば、ホットプレートや電気炉などを用いることができる。半導体基板を処理する熱処理炉等を用いることができることは言うまでもない。
上述の成膜方法に基づいて、基板上に直接、コランダム構造を有する酸化ガリウム(α-Ga2O3)膜の成膜を行った。具体的には、まず、原料水溶液として、臭化ガリウム0.1mol/Lの水溶液を調整し、さらに48%臭化水素酸溶液を体積比で10%となるように含有させた。次に、基材として4インチ(直径100mm)のc面サファイア基板を用い、この表面上に、ディスペンサーにて上記原料水溶液を滴下し、基板の略全面上に塗り広げた。当該基板をホットプレート上に載置し、ホットプレートを作動させて温度を500℃に昇温し熱反応させて、基板上にα-Ga2O3の薄膜を形成した。X線回折解析により、得られた膜は単結晶α-Ga2O3であることが確認された。また、得られた膜の表面を原子間力顕微鏡(AFM)で観察し、表面粗さを測定した。表面粗さRaは0.6nmと極めて小さい値が得られた。
実施例1において、原料水溶液を、ガリウムアセチルアセトナート0.1mol/Lと、臭化水素10%の混合水溶液とした。これ以外は実施例1と同じ条件で成膜、評価を行った。表面粗さRaは0.9nmであった。
実施例1において、原料水溶液を、ガリウムアセチルアセトナート0.1mol/Lと、アルミニウムアセチルアセトナート0.1mol/Lと、臭化水素10%の混合水溶液とした。これ以外は実施例1と同じ条件で成膜、評価を行った。表面粗さRaは1.1nmであった。
実施例3において、原料水溶液を滴下後、スピンコーターで均一に塗布した。これ以外は実施例3と同じ条件で成膜、評価を行った。表面粗さRaは0.7nmであった。
原料水溶液を実施例1と同じとし、ミストCVD法にて基板上にα-Ga2O3膜を1μm成膜した試料を用意した。これを実施例1と同じ条件で評価を行った。表面粗さRaは8.1nmと非常に大きかった。
比較例で得られた試料に原料水溶液を滴下し、基板表面の略全面上に塗り広げた。これ以外は実施例1と同じ条件で成膜、評価を行った。表面粗さRaは1.2nmであった。
Claims (5)
- 酸化ガリウム膜の製造方法であって、
少なくとも表面が単結晶構造を有する基材の表面に、少なくともガリウムを含む原料水溶液を供給して塗布し、
前記原料水溶液が前記基材の表面に接触した状態で前記基材を加熱することで、前記基材上に前記酸化ガリウム膜の成膜を行うことを特徴とする酸化ガリウム膜の製造方法。 - スピンコート法により前記原料水溶液を前記基材の表面に供給することを特徴とする請求項1に記載の酸化ガリウム膜の製造方法。
- 前記基材を加熱するときの加熱温度を100℃以上600℃以下とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化ガリウム膜の製造方法。
- 前記基材として、単結晶基板又は表面に単結晶薄膜を有する基板を用いることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の酸化ガリウム膜の製造方法。
- 前記基材として、前記成膜を行う表面の面積が100mm2以上のものを用いることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の酸化ガリウム膜の製造方法。
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