JP2019530326A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 複数のトランスデューサ要素とフレックス回路とを備えており、
   前記フレックス回路は、
   第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する絶縁層と；
   前記絶縁層の前記第１の表面の複数の第１の導電性パッドと、ここで前記複数の第１の導電性パッドの各々は対応するトランスデューサ要素に電気的に結合され、かつ接触しており；
   前記絶縁層の前記第１の表面における複数の導電性配線と、ここで導電性配線の各々は対応する第１の導電性パッドに電気的に結合されており、
   前記絶縁層の前記第２の表面の複数の第２の導電性パッドと、ここで、前記複数の第２の導電性パッドの各々は、対応する第１の導電性パッドに電気的に結合されており、さらに対応する前記第１の導電性パッドに電気的に結合され、かつ接触している対応する前記トランスデューサ要素に電気的に結合され、かつ接触しており、
   ここで、前記第１の導電性パッド及び前記第２の導電性パッドの各々は、前記導電性配線の幅よりも大きい幅を有しており、
   ここで、前記第１の導電性パッドは、対応する前記第１の導電性パッド及び前記第２の導電性パッドを貫通して形成されている導電性ビアにより、対応する第２の導電性パッドに電気的に結合されており、
   を含んでいる
   超音波トランスデューサ。
2. 前記複数の第１の導電性パッド及び前記複数の第２の導電性パッドは、それぞれ前記複数のトランスデューサ要素に取り付けられている
   請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
3. 前記複数のトランスデューサ要素の上に配置されており、かつそれに取り付けられた音響整合層をさらに備えている
   請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
4. 前記絶縁層はポリイミドを含んでいる
   請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
5. 第１の表面と前記第１の表面とは反対側の第２の表面とを有する絶縁層と；
   前記絶縁層の前記第１の表面の複数の導電性配線と、ここで前記導電性配線の各々は第１の幅を有しており、；
   前記絶縁層の前記第１の表面の複数の第１の導電性パッドと、ここで前記第１の導電性パッドの各々は対応する導電性配線に電気的に結合されており、前記第１の導電性パッドの各々は前記導電性配線の前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有しており、；
   前記絶縁層の前記第２の表面の複数の第２の導電性パッドと；
   複数の導電性ビアと、ここで前記導電性ビアの各々は、対応する第１の導電性パッド、前記絶縁層および対応する第２の導電性パッドを貫通して延在していて、前記導電性ビアの各々は、対応する前記第１の導電性パッドと前記第２の導電性パッドとを互いに電気的に結合させるようになっており、
   複数のトランスデューサ要素と、ここで、前記トランスデューサ要素の各々は、対応する第１の導電性パッド及び対応する第２の導電性パッドと電気的に結合され、かつ接触しており、
   を含んでいるフレックス回路を備えている
   超音波トランスデューサ。
6. 前記トランスデューサ要素の各々は、対応する前記第１の導電性パッドと前記第２の導電性パッドとに取り付けられている
   請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
7. 前記複数のトランスデューサ要素上に配置されており、かつそれに取り付けられた音響整合層をさらに備えている
   請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
8. 前記絶縁層はポリイミドを含む
   請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
9. 絶縁層の第１の表面に複数の導電性配線を形成するステップと；
   前記絶縁層の前記第１の表面に複数の第１の導電性パッドを形成するステップと、ここで前記第１の導電性配線の各々は対応する第１の導電性パッドに電気的に結合されており、前記第１の導電性パッドの各々は前記導電性配線の幅よりも大きい第１の幅を有しており、；
   前記絶縁層の第２の表面に複数の第２の導電性パッドを形成するステップと、ここで前記第２の表面は前記第１の表面の反対側であり、前記第２の導電性パッドの各々は前記導電性配線の幅よりも大きい第２の幅を有しており、；
   複数の導電性ビアを形成することにより、前記第１の導電性パッドの各々を対応する第２の導電性パッドに電気的に結合させるステップと、ここで前記導電性ビアの各々は対応する第１の導電性パッド、前記絶縁層及び対応する第２の導電性パッドを貫通して延びており、；
   対応する第１の導電性パッド及び対応する第２の導電性パッドを、対応する超音波トランスデューサ要素に電気的に結合させるステップと、ここで、対応する前記第１の導電性パッド及び前記第２の導電性パッドは、対応する前記超音波トランスデューサ要素と接触しており、
   を備えている
   方法。
10. 前記複数の第１の導電性パッドを形成するステップは、
    導電性バスを前記絶縁層の前記第１の表面に取り付けるステップと、ここで前記第１の導電性配線の各々は前記導電性バスの対応する部分に結合されており；
    前記導電性バスをダイシングして前記複数の第１の導電性パッドを形成するステップとを含んでいる
    請求項９に記載の方法。
11. 前記複数の第２の導電性パッドを形成するステップは、
    導電性バスを前記絶縁層の前記第２の表面に取り付けるステップと；
    前記導電性バスをダイシングして前記複数の第２の導電性パッドを形成するステップとを含んでいる
    請求項９に記載の方法。
12. 前記複数の第１の導電性パッドを形成するステップは、前記絶縁層の前記第１の表面に第１の導電性バスを取り付けるステップと、前記第１の導電性バスをダイシングするステップとを含んでおり、
    前記複数の第２の導電性パッドを形成するステップは、前記絶縁層の前記第２の表面に第２の導電性バスを取り付けるステップと、前記第２の導電性バスをダイシングするステップとを含んでいる
    請求項９に記載の方法。
13. 対応する前記超音波トランスデューサ要素に音響整合層を形成するステップをさらに備えている
    請求項９に記載の方法。
14. 圧電材料のブロックを前記複数の第１の導電性パッドおよび前記複数の第２の導電性パッドに取り付けるステップと；
    前記圧電材料のブロックをダイシングして複数の超音波トランスデューサ要素を形成するステップとをさらに備えている
    請求項９に記載の方法。
15. 前記第２の導電性パッドは、前記第１の導電性パッドとは異なる形状を有している
    請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
16. 前記第２の導電性パッドの各々は、前記導電性配線の前記第１の幅よりも大きい第３の幅を有している
    請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
17. 前記第２の導電性パッドは、前記第１の導電性パッドとは異なる形状を有している
    請求項５に記載の超音波トランスデューサ。