JP2017029270A5 - 超音波デバイス及び超音波モジュール - Google Patents

Claims (10)

1. 複数の超音波トランスデューサーがアレイ状に配置された超音波トランスデューサーアレイを備え、第一面、及び前記第一面とは反対側の第二面を有する素子基板と、
   前記素子基板の前記第一面で、かつ、前記第一面の法線方向から見た平面視において、
   前記超音波トランスデューサーアレイよりも外側に設けられ、前記超音波トランスデューサーに電気的に接続される端子部と、
   前記素子基板の前記第二面で、前記平面視において前記端子部と重なる領域に設けられ、前記素子基板よりも曲げ剛性が大きい補強板と、
   を備えたことを特徴とする超音波デバイス。
2. 請求項１に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記素子基板の前記第一面側に設けられた封止板を備え、
   前記封止板には、前記平面視において前記端子部と重なる領域に、前記封止板を厚み方向に貫通する貫通孔が設けられ、
   前記補強板は、前記平面視において前記貫通孔と重なる領域に設けられている
   ことを特徴とする超音波デバイス。
3. 請求項１又は請求項２に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記素子基板は、所定の基準厚み寸法を有する基準厚み部と、前記基準厚み部よりも小さい厚み寸法の薄厚部とを有し、
   前記素子基板における前記補強板が設けられる領域は、前記薄厚部であり、かつ、当該領域の前記第二面は、前記基準厚み部における前記第二面よりも前記第一面側に位置している
   ことを特徴とする超音波デバイス。
4. 請求項３に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記素子基板は、複数の前記超音波トランスデューサーにそれぞれ対応した開口部と、前記開口部の前記第一面側を閉塞する振動部と、を備え、
   前記素子基板の前記補強板が設けられる領域の前記第二面は、前記振動部の前記開口部に臨む面と同一平面である
   ことを特徴とする超音波デバイス。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記超音波トランスデューサーアレイは、第一方向に沿って並び、かつ、同一の信号線で接続された複数の前記超音波トランスデューサーにより構成される超音波トランスデューサー群が、前記第一方向に対して交差する第二方向に沿って複数配置されるアレイ構造を有し、
   前記端子部は、各超音波トランスデューサー群の前記第一方向の両端のうちの少なくとも一端側に配置され、
   前記補強板は、前記超音波トランスデューサーアレイの前記第一方向の両端のうちの少なくとも前記一端側に、前記第二方向に沿って配置される
   ことを特徴とする超音波デバイス。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記補強板は、前記平面視において、枠形状に形成され、かつ、前記超音波トランスデューサーアレイを囲む
   ことを特徴とする超音波デバイス。
7. 請求項６に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記超音波トランスデューサーアレイは、第一方向に沿って並び、かつ、同一の信号線で接続された複数の前記超音波トランスデューサーにより構成される超音波トランスデューサー群が、前記第一方向に対して交差する第二方向に沿って複数配置されるアレイ構造を有し、
   前記素子基板には、前記超音波トランスデューサーアレイの前記第二方向の両端側に、前記第一方向に沿って並ぶ複数の評価用超音波トランスデューサーが設けられ、
   前記端子部は、各超音波トランスデューサー群の前記第一方向の両端側にそれぞれ配置され、
   前記補強板は、前記超音波トランスデューサーアレイにおける前記第一方向の両端側で、前記第二方向に沿って配置される端子領域補強部と、前記超音波トランスデューサーアレイにおける前記第二方向の両端側で、かつ、前記平面視において複数の前記評価用超音波トランスデューサーと重なる領域に、前記第一方向に沿って配置される評価素子領域補強部と、を備える
   ことを特徴とする超音波デバイス。
8. 請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記素子基板は、複数の前記超音波トランスデューサーのそれぞれ対応した開口部と、前記開口部の前記第一面側を閉塞する振動部とを備え、
   前記補強板における前記素子基板に接合されない面は、前記開口部の開口面と同一平面、又は、前記開口面に対して前記第一面から遠ざかる方向に位置している
   ことを特徴とする超音波デバイス。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の超音波デバイスにおいて、
   前記補強板は、前記平面視において、前記端子部と重なる領域に設けられた端子領域補強部と、前記超音波トランスデューサー間に配置された素子間領域補強部と、を備えている
   ことを特徴とする超音波デバイス。
10. 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の超音波デバイスと、
    前記端子部と接続される接続部材と、
    前記端子部を覆う保護部材と、
    前記接続部材と接続される配線基板と、
    を備えたことを特徴とする超音波モジュール。