JP2013175879A5 - - Google Patents

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（１３）超音波トランスデューサー素子チップはプローブヘッドに組み込まれて利用されることができる。プローブヘッドは、超音波トランスデューサー素子チップと、前記超音波トランスデューサー素子チップを支持し、プローブ本体に取り付けられるように構成される筐体とを備えることができる。
マトリクスの行方向および列方向に隣接する開口４５同士の間には仕切り壁５１が区画される。開口４５同士は仕切り壁５１で仕切られる。仕切り壁５１の壁厚みｔは開口４５の空間同士の間隔に相当する。仕切り壁５１は相互に平行に広がる平面内に２つの壁面を規定する。壁厚みｔは壁面同士の距離に相当する。すなわち、壁厚みｔは壁面に直交して壁面同士の間に挟まれる垂線の長さで規定されることができる。例えば図１０のように、仕切り壁５１の厚みが基板の厚み方向に変化する場合には、壁厚みｔは壁面間の最大距離を意味する。仕切り壁５１の壁高さＨは開口４５の深さに相当する。開口４５の深さは基体４４の厚みに相当する。したがって、仕切り壁５１の壁高さＨは基体４４の厚み方向に規定される壁面の長さで規定されることができる。基体４４は均一な厚みを有することから、仕切り壁５１は全長にわたって一定の壁高さＨを有することができる。仕切り壁５１の壁厚みｔが縮小されれば、振動膜４３の配置密度は高められる。素子チップ１７の小型化に寄与することができる。壁厚みｔに比べて仕切り壁５１の壁高さＨが大きければ、素子チップ１７の曲げ剛性は高められることができる。こうして開口４５同士の間隔は開口４５の深さよりも小さく設定される。
図５に示されるように、開口４５は第１方向Ｄ１に列を形成する。開口４５の輪郭形状の図心４５ｃは第１方向Ｄ１の１直線５６上で等ピッチに配置される。開口４５は１つの輪郭形状の複写で象られることから、同一形状の開口４５が一定のピッチで繰り返し配置される。開口４５の輪郭４５ａは例えば四角形に規定される。具体的には矩形に形成される。矩形の長辺は第１方向Ｄ１に合わせ込まれる。こうして開口４５は矩形の輪郭４５ａを有することから、仕切り壁５１は全長にわたって一定の壁厚みｔを有することができる。このとき、仕切り壁５１の接合域は長辺の中央位置を含む領域であればよい。特に、仕切り壁５１の接合域は長辺の全長を含む領域であればよい。仕切り壁５１は長辺の全長にわたって開口４５同士の間の全面で補強板５２に面接合されることができる。さらに、仕切り壁５１の接合域は四角形の各辺に少なくとも１カ所ずつ配置されることができる。仕切り壁５１の接合域は四角形を途切れなく囲むことができる。仕切り壁５１は四角形の全周にわたって開口４５同士の間の全面で補強板５２に面接合されることができる。

Claims (13)

  1. 複数の開口がアレイ状に配置された基板と、
    前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、
    前記基板の前記超音波トランスデューサー素子が設けられる面とは反対側の面に固定され、前記基板の厚み方向からの平面視で前記複数の開口の少なくとも１つ以上を覆う板状部材とを備え、
    前記複数の開口の間の仕切り壁部では、壁厚みが壁高さより小さい
    ことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  2. 請求項１に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記板状部材は個々の前記仕切り壁部に少なくとも１カ所の接合域で接合されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  3. 請求項１または２に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記開口の輪郭は四角形で規定されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  4. 請求項３に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記四角形は対向する２辺の長辺を有し、前記仕切り壁部の前記接合域は前記長辺の中央位置を含む領域であることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  5. 請求項４に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記仕切り壁部の前記接合域は前記長辺の全長を含む領域であることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  6. 請求項５に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記仕切り壁部は前記長辺の全長にわたって前記開口同士の間の全面で面接合されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  7. 請求項３に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記仕切り壁部の前記接合域は前記四角形の各辺に少なくとも１カ所ずつ配置されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  8. 請求項７に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記仕切り壁部の前記接合域は前記四角形を途切れなく囲むことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  9. 請求項８に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記仕切り壁部は前記四角形の全周にわたって前記開口同士の間の全面で面接合されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップと、前記超音波トランスデューサー素子チップを支持する筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
  11. 請求項１０に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理する処理回路とを備えることを特徴とする電子機器。
  12. 請求項１０に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理し、画像を生成する処理回路と、前記画像を表示する表示装置とを備えることを特徴とする超音波診断装置。
  13. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップと、
    前記超音波トランスデューサー素子チップを支持し、プローブ本体に取り付けられるように構成される筐体と
    を備えることを特徴とするプローブヘッド。
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