JP6135088B2 - 超音波トランスデューサーデバイス、プローブヘッド、超音波プローブ、電子機器及び超音波診断装置 - Google Patents
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Description
図1(A)、図1(B)に本実施形態の超音波トランスデューサーデバイスに含まれる超音波トランスデューサー素子(薄膜圧電型超音波トランスデューサー素子)10の基本的な構成例を示す。本実施形態の超音波トランスデューサー素子10は、振動膜(メンブレン、支持部材)42と、圧電素子部とを有する。圧電素子部は、下部電極(第1電極層)21、圧電体膜(圧電体層)30、上部電極(第2電極層)22を有する。なお、本実施形態の超音波トランスデューサー素子10は図1(A)、図1(B)の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
図2は、本実施形態の超音波トランスデューサーデバイス200の構成例の断面図である。超音波トランスデューサーデバイス200は、複数の超音波トランスデューサー素子10、基板60及び補強部材50を含む。なお、本実施形態の超音波トランスデューサーデバイス200は図2の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素に置き換えたり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
図9に、本実施形態の電子機器(超音波診断装置)の基本的な構成例を示す。超音波診断装置は、超音波プローブ300、超音波診断装置本体401を含む。超音波プローブ300は、プローブヘッド310、処理装置330を含む。超音波診断装置本体401は、制御部410、処理部420、ユーザーインターフェース部(UI部)430、表示部440を含む。
22 第2電極層(上部電極)、30 圧電体膜(圧電体層)、40 空洞領域、
42 振動膜、45 開口、49 保護膜、50 補強部材、51 第1の溝部、
52 第2の溝部、53 第3の溝部、54 貫通孔、55 開口領域に対向する領域、
56、57 開口領域の周囲領域に対向する領域、60 基板、61 仕切り壁部、
70 音響レンズ、71 保護層、
200 超音波トランスデューサーデバイス、210 接続部、240 プローブ筐体、
250 プローブ基体、251 貫通孔、300 超音波プローブ、
310 プローブヘッド、320 プローブ本体、330 処理装置、
332 送信部、334 送受信制御部、335 受信部、350 ケーブル、
400 電子機器本体、410 制御部、420 処理部、
425 プローブヘッド側コネクター、426 プローブ本体側コネクター、
430 ユーザーインターフェース部、440 表示部、500 集積回路装置
Claims (11)
- 複数の開口がアレイ状に設けられた基板と、
前記基板の厚み方向から見た平面において、前記開口に重なる位置に設けられた超音波トランスデューサー素子と、
前記基板に設けられた補強部材とを含み、
前記補強部材が、前記開口と対向して設けられた複数の第1の溝部と、複数の前記第1の溝部と連通する第2の溝部とを有することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。 - 請求項1において、
前記補強部材が、前記第2の溝部と外部空間とを連通し、前記補強部材の厚み方向に貫通する貫通孔を有することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。 - 請求項1又は2において、
前記補強部材が、前記基板の前記開口を囲う周囲領域に対向する領域において、前記外部空間と連通し、前記第1の溝部及び前記第2の溝部のいずれにも連通しない第3の溝部を有することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。 - 請求項1において、
前記第1の溝部は、前記補強部材の前記基板と接合している面において、第1の方向に沿って設けられ、
前記第2の溝部は、前記補強部材の前記基板と接合している面において、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って設けられ、
前記第1の溝部の少なくとも一端と前記第2の溝部とが、前記基板の前記開口を囲う周囲領域に対向する領域において、連通することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。 - 請求項4において、
前記補強部材と前記基板とが接合している面において、前記基板の開口を囲う周囲領域に対向する領域には、
前記外部空間と連通し、前記第1の溝部及び前記第2の溝部のいずれにも連通しない第3の溝部が設けられ、
前記第3の溝部は、
前記補強部材の前記第1の方向側の端辺又は前記第1の方向と反対側の端辺に沿う領域において、前記第1の方向に沿って設けられ、
或いは、前記補強部材の前記第2の方向側の端辺又は前記第2の方向と反対側の端辺に沿う領域において、前記第2の方向に沿って設けられ、
前記第3の溝部の一端は、前記第1の溝部及び前記第2の溝部のいずれからも分離し、前記第3の溝部の他端は、前記補強部材の前記端辺と接合していることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。 - 請求項1乃至5のいずれかにおいて、
前記補強部材は、
アレイ状に設けられた前記開口を隔てる仕切り壁部に対して、少なくとも1カ所の接合領域において接合していることを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記超音波トランスデューサー素子は、
前記開口を塞ぐ振動膜と、
前記振動膜に設けられた圧電素子部とを有することを特徴とする超音波トランスデューサーデバイス。 - 請求項1乃至7のいずれかに記載の超音波トランスデューサーデバイスを含むことを特徴とするプローブヘッド。
- 請求項8に記載のプローブヘッドと、
前記超音波トランスデューサーデバイスからの信号を処理する処理装置とを含むことを特徴とする超音波プローブ。 - 請求項9に記載の超音波プローブを含むことを特徴とする電子機器。
- 請求項9に記載の超音波プローブと、
表示用画像データを表示する表示部とを含むことを特徴とする超音波診断装置
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