JP7205191B2 - 超音波センサー、及び電子機器 - Google Patents
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Description
特許文献1の超音波センサーでは、開口部は、第1方向の長さに対して第2方向の長さが大きいアスペクト比の長方形状に形成されている。また、この開口部を閉塞する振動板には第2方向に沿って複数の能動部が設けられており、各能動部の間に柱状部が設けられている。これにより、各能動部は、開口部及び柱状部の縁に囲われることで、その大きさが規定され、所望の周波数の超音波を送受信することが可能となる。
以下、第一実施形態について説明する。
図1は、第一実施形態の電子機器の一例である距離測定装置100の概略構成を示すブロック図である。
図1に示すように、本実施形態の距離測定装置100は、超音波センサー10と、超音波センサー10を制御する制御部20とを備える。この距離測定装置100では、制御部20は、駆動回路30を介して超音波センサー10を制御し、超音波センサー10から超音波を送信する。そして、対象物により超音波が反射され、超音波センサー10により反射波が受信されると、制御部20は、超音波の送信タイミングから超音波の受信タイミングの時間に基づいて、超音波センサー10から対象物までの距離を算出する。
以下、このような距離測定装置100の構成について、具体的に説明する。
図2は、超音波センサー10の一部を示す概略平面図である。図3は、図2のI-I線で超音波センサー10を切断した際の断面図である。
また、超音波センサー10は、図3に示すように、素子基板11と、振動板12と、圧電素子13と、封止板14と、を備えて構成されている。
素子基板11は、Si等の半導体基板で構成され、振動板12を支持する所定の厚みを有する基板である。素子基板11は、第一面11Aと、第一面11Aとは反対側の第二面11Bとを有する。ここで、以降の説明にあたり、第一面11Aから第二面11Bに向かう方向をZ方向とし、Z方向に直交する方向をX方向とし、X方向及びZ方向に直交する方向をY方向とする。第一面11A及び第二面11Bは、XY平面に平行な面となる。なお、本実施形態では、一例として、Y方向がX方向に対して直交する例を示すが、Y方向がX方向に対して90°以外の角度で傾斜していてもよい。
なお、開口部111の詳細な説明については後述する。
振動板12は、例えばSiO2や、SiO2及びZrO2の積層体等より構成されている。振動板12のZ方向に沿った厚みは、素子基板11に対して十分小さい厚みとなる。この振動板12は、上述のように、開口部111を構成する素子基板11の隔壁部112により支持されることで、開口部111の-Z側を閉塞する。
Z方向から見た平面視で、振動板12の開口部111と重なる部分、つまり、振動板12の開口部111を閉塞する部分は、封止板14に設けられた梁部141Aによって、複数の能動部121に区画されている。つまり、各能動部121は、開口部111の第一面11A側の開口縁と、梁部141Aの縁とにより囲われる部分により外縁が規定される。これらの能動部121は、超音波の送受信において振動される振動領域であり、それぞれ、圧電素子13が設けられて、この圧電素子13の駆動によって振動可能となる。
圧電素子13は、振動板12の素子基板11とは反対側の面で、各能動部121上に設けられている。この圧電素子13は、振動板12側から順に、下部電極131、圧電膜132、及び上部電極133が順に積層されることで構成されている。
これらの超音波トランスデューサーTrでは、下部電極131及び上部電極133の間に電圧が印加されることにより、圧電素子13が伸縮し、圧電素子13が設けられた能動部121が、能動部121の幅に応じた周波数で振動する。これにより、能動部121から超音波が送信される。
また、開口部111から入力された超音波によって能動部121が振動すると、圧電膜132の上下で電位差が発生する。これにより、下部電極131及び上部電極133の間に発生する電位差を検出することで、超音波を検出(受信)することが可能となる。
つまり、本実施形態では、下部バイパス配線131Aにより接続される所定数の素子列により1つのチャンネルが構成される。図2では、図示を省略するが、本実施形態では、このようなチャンネルが、Y方向に複数配置されている。各チャンネルには、それぞれ独立した駆動端子131Pが設けられている。このため、各駆動端子131Pに対して、それぞれ独立した駆動信号を入力することで、各チャンネルを、それぞれ個別に駆動させることが可能となる。
封止板14は、振動板12の-Z側に設けられ、素子基板11及び振動板12を補強する機能を有する。この封止板14は、Z方向から見た際の平面形状が例えば素子基板11と同形状に形成され、Si等の半導体基板や、絶縁体基板により構成される。
これらの突出部141のうち、Z方向からの平面視で開口部111と重なる突出部141は、梁部141Aを構成し、上述のように、能動部121の外周縁を規定する。
ここで、本実施形態では、X方向に並ぶ複数の梁部141Aのうち、-X側端部の能動部121の-X外周縁を規定する第一梁部141A1は、Z方向から見た平面視で、開口部111の-X側端部と重なる位置に接合されている。つまり、図3に示すように、第一梁部141A1は、開口部111の-X側端部(後述する第三辺113C)の-Z側で振動板12に接合されている。また、X方向に並ぶ複数の梁部141Aのうち、+X側端部の能動部121の+X外周縁を規定する第二梁部141A2(図4参照)は、開口部111の+X側端部(後述する第四辺113D)の-Z側で振動板12に接合されている。
次に、素子基板11に設けられる開口部111の具体的な構成について説明する。
図4は、素子基板11の開口部111を第一面11A側から見た際、つまり、-Z側から+Z側に向かって見た際の開口縁の形状を示す図である。図5は、素子基板の開口部111を、第二面11B側から見た際、つまり、+Z側から-Z側に向かって見た際の平面図である。図6は、図5におけるII-II線における素子基板11及び振動板12の断面形状を示す断面図である。図7は、図5におけるIII-III線における素子基板11及び振動板12の断面形状を示す断面図である。図8は、開口部111を、第二面11B側から見た際の斜視図である。
ここで、Z方向から見た平面視において、図4に示すように、第三辺113Cは、第一梁部141A1と重なる位置に設けられ、第四辺113Dは、第二梁部141A2と重なる位置に設けられている。
まず、Siを素材とした素子基板11を用意する。素子基板11は、第二面11Bの結晶面が(110)面となる基板である。このような素子基板11に対して、まず、第一面11A側を熱酸化処理してSiO2とする。そして、SiO2面にさらにZr層を積層し、これを熱酸化処理してZrO2とし、振動板12を形成する。そして、振動板12上に圧電素子13やバイパス配線等の配線電極を形成する。
この後、素子基板11の第二面11Bに開口部111を形成するためのマスクパターンを形成し、第二面11Bから結晶異方性エッチングを行うことで開口部111を形成する。この場合、エッチングレートが低い(111)面によって、直交面113K、第一傾斜面113I、及び第二傾斜面113Jが形成される。
この場合、梁部141Aにより能動部121の形状を決定することができ、各能動部121間の距離も、梁部141AのX方向の厚みのみにより規定することができる。このため、本実施形態の能動部121間の間隔は、従来の正方形状の開口部を複数配置する超音波センサーに比べて小さくできる。また、本実施形態では、上記のように、第二面11Bを(110)面とすることで、X方向に沿った直交面113Kを容易に形成することが可能である。このため、従来の超音波センサーに比べて、Y方向に隣り合う開口部111間の距離も短くできる。これにより、超音波センサーのさらなる小型化を促進できる。
図1に戻り、制御部20について説明する。
制御部20は、超音波センサー10を駆動させる駆動回路30と、演算部40とを含んで構成されている。また、制御部20には、その他、距離測定装置100を制御するための各種データや各種プログラム等を記憶した記憶部を備えていてもよい。
基準電位回路31は、超音波センサー10の上部電極133の共通端子133Pに接続され、上部電極133に基準電位、例えば-3V等を印加する。
切替回路32は、駆動端子131Pと、送信回路33と、受信回路34とに接続される。この切替回路32は、スイッチング回路により構成されており、各駆動端子131Pのそれぞれと送信回路33とを接続する送信接続、及び、各駆動端子131Pのそれぞれと受信回路34とを接続する受信接続を切り替える。
すなわち、演算部40は、切替回路32を送信接続に切り替え、送信回路33から超音波センサー10を駆動させて、超音波の送信処理を実施する。また、演算部40は、超音波を送信した直後に、切替回路32を受信接続に切り替えさせ、対象物で反射された反射波を超音波センサー10で受信させる。そして、演算部40は、例えば、超音波センサー10から超音波を送信した送信タイミングから、受信信号が受信されるまでの時間と、空気中における音速とを用いて、ToF(Time of Flight)法により、超音波センサー10から対象物までの距離を算出する。
上述したような本実施形態では、以下のような効果を奏することができる。
すなわち、本実施形態の距離測定装置100は、超音波センサー10と、超音波センサー10を制御する制御部20とを備える。
超音波センサー10は、第一面11A及び第二面11Bを有し、Z方向に貫通する開口部111を備える素子基板11と、第一面11Aに設けられて開口部111を閉塞する振動板12を備える。また、振動板12の素子基板11とは反対側の面に接合される複数の梁部141Aによって、振動板12は、複数の能動部121に区画されており、各能動部121に圧電素子13が設けられている。また、開口部111の第一面11Aにおける開口縁は、X方向に平行な第一辺113A及び第二辺113Bと、第一辺113A及び第二辺113Bの端部間を接続する第三辺113C及び第四辺113Dとを有する。そして、第三辺113C及び第四辺113Dは、第一辺113A及び第二辺113Bに対して鋭角または鈍角で傾斜している。
このような構成では、例えば、開口部が四角錐台形状となる場合に比べて、Y方向に隣り合う開口部111間の距離を短くできる。これにより、所定数の超音波トランスデューサーTrをY方向に並べる際に、従来に比べて、各超音波トランスデューサーTr間の距離を短くできるので、超音波センサー10の小型化を促進できる。
また、所定サイズの素子基板11に対し、Y方向に超音波トランスデューサーTrを配置する場合に、従来に比べてより多くの超音波トランスデューサーTrを配置することができる。この場合、送信超音波の増大、超音波の受信感度の向上を図れる。また、Y方向に沿ってより多くのチャンネルを配置することができるため、各チャンネルの駆動を制御することで、送信超音波のビームの送信方向やビーム形状をより精細に制御することができる。
このような構成では、各能動部121から出力され、開口部111の内でX方向に向かって進む超音波を、第一傾斜面113I及び第二傾斜面113Jで、開口部111から離れる方向に反射させることができる。これにより、開口部111内での超音波の多重反射をより適正に抑制することができ、クロストークやノイズ信号をより低減することができる。
これに対して、本実施形態では、第一傾斜面113I及び第二傾斜面113Jが設けられることで、振動板12の第三辺113Cや第四辺113Dと重なる位置での応力を抑制でき、振動板12のクラックを抑制できる。これにより、超音波センサー10の信頼性を向上できる。
このような構成では、例えば、素子基板に対して複数の正方形状の開口部をX方向に沿って配置して超音波トランスデューサーを構成する場合に比べ、X方向に並ぶ超音波トランスデューサー間の間隔を小さくできる。つまり、複数の正方形状の開口部を素子基板のX方向に配置する場合、素子基板の第二面を(100)面として結晶異方性エッチングを行うが、この場合、開口部が四角錐台形状となる。これに対して、本実施形態では、梁部141AのX方向の幅で能動部121のX方向の幅を規定でき、X方向に多くの能動部121を配置することができる。
上述したように、素子基板11に、開口部111を閉塞する振動板12を設ける構成では、振動板12の第三辺113Cや第四辺113Dと重なる位置に応力が集中して、振動板12にクラックが生じるおそれがある。
これに対して、本実施形態では、第一面11Aの開口部111の開口縁である第三辺113C及び第四辺113Dと重なる位置に、梁部141Aが設けられている。これにより、振動板12の開口部111の開口縁と重なる位置での応力をより緩和することができ、振動板12のクラックを抑制できる。これにより、超音波センサー10の信頼性をさらに向上できる。
次に第二実施形態について説明する。
上記第一実施形態では、開口部111の第三辺113C及び第四辺113Dと重なる位置に梁部141Aが設けられる構成を例示した。これに対して、第二実施形態では、開口部111の第三辺113C及び第四辺113Dが、梁部141Aの外側に設けられる点で上記第一実施形態と相違する。なお、以降の説明にあたり、既に説明した構成については同符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
本実施形態では、図9に示すように、開口部111の第三辺113Cが、梁部141Aよりも-X側に位置する。つまり、-X側端部の能動部121の-X側の縁を規定する第一梁部141A1と、第一梁部141A1の-X側に設けられる突出部141との間に位置する。
また、図9における図示は省略しているが、第四辺113Dと梁部141Aとの位置関係も同様であり、第四辺113Dは、梁部141Aよりも+X側に位置する。つまり、第四辺113Dは、+X側端部の能動部121の+X側の縁を規定する第二梁部141A2と、第二梁部141A2の+X側に設けられる突出部141との間に位置する。
本実施形態では、第三辺113C及び第四辺113Dは、梁部141Aよりも、能動部121から離れる側に位置する。つまり、第三辺113Cは、X方向に並ぶ複数の梁部141Aのうち、-X側の端部に配置された第一梁部141A1よりも-X側に位置し、第四辺113Dは、X方向に並ぶ複数の梁部141Aのうち、+X側の端部に配置された第二梁部141A2よりも+X側に位置する。
このような構成では、能動部121の振動が、開口部111の±X側端部の第三辺113C及び第四辺113Dに伝達されにくくなり、振動板12のクラックを抑制することができる。
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良、及び各実施形態を適宜組み合わせる等によって得られる構成は本発明に含まれるものである。
第二実施形態において、Z方向から見た平面視で、第三辺113C及び第四辺113Dと重なる位置に、さらに、突出部141を配置する構成としてもよい。
この場合、振動板12において、応力が集中する開口部111の±X側端部を突出部141によりさらに補強することができる。
上記第一実施形態及び第二実施形態では、素子基板11の第二面11Bを(110)面で構成し、結晶異方性エッチングによって第一傾斜面113I及び第二傾斜面113Jを形成したが、これに限定されない。
例えば、イオンミリング装置を用いたドライエッチングにより、開口部111を形成してもよい。この場合、第一傾斜面113I及び第二傾斜面113Jが設けられず、開口部111の第二面11B側の開口縁が、Z方向からの平面視で第一面11A側の開口縁と一致する構成となる。つまり、開口部111は、振動板12に対して略直交する直交面により囲われる構成となる。このような場合でも、第三辺113Cを含む直交面、及び、第四辺113Dを含む直交面は、X方向に対して傾斜している。よって、能動部121からX方向に向かって出力された超音波が、開口部111の±X側端部で反射される不都合を抑制でき、クロストークを低減できる。
また、素子基板11の第二面11Bを(100)面として結晶異方性エッチングにより、開口部111を形成してもよい。この場合、開口部111を構成する隔壁部112の開口部111に臨む面に、振動板12に直交する直交面が含まれなくなり、振動板12の開口部111の開口縁と重なる位置での応力集中を軽減できる。
上記第一実施形態では、電子機器の一例として距離測定装置100を例示したが、これに限定されない。例えば、超音波の送受信結果に応じて、構造体の内部断層像を測定する超音波測定装置等に適用することもできる。
Claims (5)
- 第一面、及び前記第一面とは反対側の第二面を有し、前記第一面から前記第二面に向かうZ方向に貫通する開口部を備える素子基板と、
前記素子基板の前記第一面に設けられて前記開口部を閉塞し、Z方向から見た平面視で前記開口部と重なる位置に、Z方向に直交するX方向に沿った複数の振動領域が設けられる振動板と、
前記振動板の複数の前記振動領域のそれぞれに対応して設けられた複数の圧電素子と、
前記振動板の前記素子基板とは反対側で、隣り合う前記振動領域の間に設けられ、前記平面視で前記開口部と重なる前記振動板を複数の前記振動領域に区画する複数の梁部と、を備え、
前記開口部は、前記第一面において、X方向に平行な第一辺及び第二辺と、前記第一辺及び前記第二辺のX方向の端部間を、前記第一辺及び前記第二辺に対して鋭角または鈍角で接続する第三辺及び第四辺と、を含み、
前記第三辺及び前記第四辺は、前記平面視において、前記梁部と重なる位置に設けられている
ことを特徴とする超音波センサー。 - 第一面、及び前記第一面とは反対側の第二面を有し、前記第一面から前記第二面に向かうZ方向に貫通する開口部を備える素子基板と、
前記素子基板の前記第一面に設けられて前記開口部を閉塞し、Z方向から見た平面視で前記開口部と重なる位置に、Z方向に直交するX方向に沿った複数の振動領域が設けられる振動板と、
前記振動板の複数の前記振動領域のそれぞれに対応して設けられた複数の圧電素子と、
前記振動板の前記素子基板とは反対側で、隣り合う前記振動領域の間に設けられ、前記平面視で前記開口部と重なる前記振動板を複数の前記振動領域に区画する複数の梁部と、を備え、
前記開口部は、前記第一面において、X方向に平行な第一辺及び第二辺と、前記第一辺及び前記第二辺のX方向の端部間を、前記第一辺及び前記第二辺に対して鋭角または鈍角で接続する第三辺及び第四辺と、を含み、
前記開口部を複数の前記梁部で区画した領域のうち、前記第三辺を含む領域と前記第四辺を含む領域には前記圧電素子が配置されず、前記第三辺を含む領域と前記第四辺を含む領域との間に配置される複数の領域に前記圧電素子が配置されて前記振動領域を構成する
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1または請求項2に記載の超音波センサーにおいて、
前記開口部は、前記第二面において、X方向に平行な第五辺及び第六辺と、前記第五辺及び前記第六辺の端部間を、前記第五辺及び前記第六辺に対して鋭角または鈍角で接続する第七辺及び第八辺と、を含み、
前記第一辺と前記第五辺は、Z方向から見た平面視で少なくとも一部が重なり合い、
前記第二辺と前記第六辺は、Z方向から見た平面視で少なくとも一部が重なり合う
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項3に記載の超音波センサーにおいて、
X方向に直交する方向をY方向として、
前記第一辺は、XYZ座標において、点A(X1,Y1,Z1)から、点A(X1,Y1,Z1)よりも+X側の点B(X2,Y1,Z1)まで延設される辺であり、
前記第二辺は、XYZ座標において、点A(X1,Y1,Z1)よりも-X側、+Y側に位置する点C(X3,Y2,Z1)から、点B(X2,Y1,Z1)よりも-X側、+Y側に位置する点D(X4,Y2,Z1)までの辺であり、
前記第三辺は、XYZ座標において、点A(X1,Y1,Z1)から点C(X3,Y2,Z1)までの辺であり、前記第四辺は、XYZ座標において、点B(X2,Y1,Z1)から点D(X4,Y2,Z1)までの辺であり、
前記第五辺は、XYZ座標において、点C(X3,Y2,Z1)よりも-X側、-Y側、+Z側に位置する点E(X5,Y1,Z2)から、点B(X2,Y1,Z1)の+Z側の点F(X2,Y1,Z2)までの辺であり、
前記第六辺は、XYZ座標において、点C(X3,Y2,Z1)の+Z側の点G(X3,Y2,Z2)から、点B(X2,Y1,Z1)よりも+X側、+Y側、+Z側に位置する点G(X6,Y2,Z2)までの辺であり、
前記開口部は、点E(X5,Y1,Z2)から前記第三辺に向かう第一傾斜面と、点H(X6,Y2,Z2)から前記第四辺に向かう第二傾斜面と、を有する
ことを特徴とする超音波センサー。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の超音波センサーと、
前記超音波センサーを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする電子機器。
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