JP2019504503A5

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Info

Publication number: JP2019504503A5
Application number: JP2018537774A
Authority: JP
Filing date: 2016-12-19
Publication date: 2020-02-06
Anticipated expiration: 2036-12-19

Claims

基板上に材料を堆積させるための方法であって、
シリコン基板に形成されたフィーチャの少なくとも１つの側壁と底面とを覆って、共形酸化物層を堆積させることであって、前記シリコン基板が、
前記フィーチャを取り囲むフィールド領域と、
裏側とを備え、前記フィーチャは前記フィールド領域から前記裏側に向かって延在する、共形酸化物層を堆積させることと、
前記シリコン基板の一部分を露出させるために、前記フィーチャの前記底面から前記共形酸化物層の一部分を選択的に除去することと、
前記フィーチャの底面の前記シリコン基板が露出した前記一部分に、金属シード層を堆積させることと、
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することとを含む、方法。
前記フィーチャの前記底面の前記シリコン基板が露出した前記一部分に前記金属シード層を堆積させた後に、前記共形酸化物層上に共形バリア層を形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することが、フッ化水素酸溶液を含む湿式接触液に前記シリコン基板の前記裏側を暴露すること、及び、銅を含有する溶液に前記金属シード層を暴露することを含む、請求項１に記載の方法。
前記湿式接触液はフッ化カリウムを更に含む、請求項３に記載の方法。
前記共形バリア層が、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、又は窒化タングステン―シリコン（ＷＳｉＮ）を含む、請求項２に記載の方法。
前記共形酸化物層が二酸化ケイ素層である、請求項５に記載の方法。
前記金属シード層の金属がコバルトとニッケルから選択される、請求項１に記載の方法。
前記金属シード層の金属が、無電解プロセスによって堆積されたニッケルである、請求項７に記載の方法。
前記金属シード層の金属が、無電解プロセスか化学気相堆積プロセスのいずれかによって堆積されたコバルトである、請求項７に記載の方法。
前記金属層が銅を含む、請求項１に記載の方法。
前記フィーチャが、コンタクト、ビア、及びラインから選択された開孔である、請求項１に記載の方法。
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することが、水酸化カリウム溶液に前記シリコン基板の前記裏側を暴露すること、及び、銅を含有する溶液に前記金属シード層を暴露することを含む、請求項１に記載の方法。
基板上に材料を堆積させるための方法であって、
シリコン基板に形成されたフィーチャの少なくとも１つの側壁と底面とを覆って、酸化物層を堆積させることであって、前記シリコン基板が、
前記フィーチャを取り囲む、表面上に前記酸化物層が配置されているフィールド領域と、
裏側とを備え、前記フィーチャは前記フィールド領域から前記裏側に向かって延在する、酸化物層を堆積させることと、
前記シリコン基板の一部分を露出させるために、前記フィーチャの前記底面から前記酸化物層の一部分を選択的に除去することであって、前記酸化物層の少なくとも一部分が、前記少なくとも１つの側壁に残る、選択的に除去することと、
前記フィーチャの底面の前記シリコン基板が露出した前記一部分に、金属シード層を堆積させることと、
前記酸化物層の前記少なくとも１つの側壁に残っている前記一部分の上に、バリア層を形成することと、
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することとを含む、方法。
前記バリア層が、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、又は窒化タングステン―シリコン（ＷＳｉＮ）を含む、請求項１３に記載の方法。
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することが、フッ化水素酸溶液を含む湿式接触液に前記シリコン基板の前記裏側を暴露すること、及び、銅を含有する溶液に前記金属シード層を暴露することを含む、請求項１４に記載の方法。