JP2019201109A - 電解コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】電解質がリード端子の第１段差部や丸棒部に付着することを防止して、漏れ電流を抑制できる構造の電解コンデンサを提供する。【解決手段】電解コンデンサ１は、扁平部５ａ（６ａ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）と引出端子５ｆ（６ｆ）とを有するリード端子５（６）と、陽極箔２ｄと、陰極箔２ｃと、セパレータ２ｄとを備え、陽極箔２ｄと陰極箔２ｃとがセパレータ２ｄを介して巻回されてコンデンサ素子２が形成され、コンデンサ素子２に電解質２ｅが導入されており、且つ、リード端子５（６）が封口体３の貫通穴３ｃにそれぞれ挿通されている構成であり、リード端子５（６）は、第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）とに樹脂からなる絶縁膜７が形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、電解コンデンサ及びその製造方法に関する。

電解コンデンサは、陽極箔と陰極箔とにそれぞれ接合しているリード端子を備え、陽極箔と陰極箔とがセパレータを介して巻回されてコンデンサ素子が形成され、コンデンサ素子に電解質が導入されている構成である。

電解質には、液状電解質と固体電解質とがあり、固体電解質を用いた電解コンデンサは、液状電解質を用いた電解コンデンサに比べて、温度安定性に優れており、等価直列抵抗（Equivalent Series Resistance：略称はＥＳＲ）が小さい等の特長がある。固体電解質としては、導電性高分子や有機半導体等が挙げられる。

リード端子は、陽極箔と陰極箔とにそれぞれ接合される扁平部と、第１段差部と、丸棒部と、第２段差部と、引出端子とからなる。

電解コンデンサは、構造上、リード端子間やリード端子と電解質との間の漏れ電流が課題となっている。

従来、封口体を有する構造の電解コンデンサにおいて、リード端子の塑性変形による化成被膜の亀裂に起因する漏れ電流を抑制することを課題として、リード端子の扁平部における、棒状部と二次化成領域との間の中間領域に、ディスペンサーによって、アクリル樹脂を塗布して絶縁性樹脂被膜で被覆するとともに、棒状部には絶縁性樹脂被膜で被覆しない構造が提案されている（特許文献１：特開２０１８−０２２８７８号公報）。

また、注型樹脂によって封止する構造の電解コンデンサにおいて、素子側からはみ出た有機半導体がリード端子のボス部に付着することに起因する漏れ電流を抑制することを課題として、リード端子のボス部に、筆によって、シリコーン樹脂を塗布する方法が提案されている（特許文献２：特開昭６１−００１０１１号公報）。

特開２０１８−０２２８７８号公報 特開昭６１−００１０１１号公報

しかし、電解コンデンサの製造プロセスにおいて、電解質を導入する際に、電解質がリード端子の第１段差部や丸棒部に付着することがあり、電解質がリード端子の第１段差部や丸棒部に付着すると電解コンデンサの特性に影響する虞があることが発明者によって新たに究明された。特に、電解質が導電性高分子化合物から形成された固体電解質の場合、導電性高分子化合物の飛散等によって、電解質がリード端子の第１段差部や丸棒部に付着すると、電解コンデンサの漏れ電流が大きくなる。

さらに、電解コンデンサにおける封口体の線膨張係数は、リード端子の線膨張係数よりも遥かに大きいので、例えばリード端子を半田付けする際に、加熱によって封口体がリード端子よりも膨張して、リード端子の丸棒部や第1段差部と封口体の貫通穴とに隙間が生じることがあり、リード端子にストレスがかかった場合に漏れ電流が大きくなることがある。また、リード端子の丸棒部や第1段差部に導電性高分子化合物からなる固体電解質が付着していると、半田付け等の加熱による封口体の膨張などのストレスにより、漏れ電流が大きくなる。

上記の課題に対して、特許文献１は、リード端子の塑性変形による化成被膜の亀裂に起因する漏れ電流にのみ着目しており、封口体からのストレスにより漏れ電流が大きくなることは想定されていない。また、特許文献２は、注型樹脂によって封止するものであり、封口体からのストレスにより漏れ電流が大きくなることは想定されていない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされ、電解質がリード端子の第１段差部や丸棒部に付着することを防止して、漏れ電流を抑制できる構造の電解コンデンサを提供することを目的とする。

一実施形態として、以下に開示するような解決手段により、前記課題を解決する。

本発明の電解コンデンサは、扁平部と第１段差部と丸棒部と引出端子とを有するリード端子を備え、前記リード端子が陽極箔と陰極箔とにそれぞれ接合され前記陽極箔と前記陰極箔とがセパレータを介して巻回されてコンデンサ素子が形成され、前記コンデンサ素子に電解質が導入されており、且つ、前記リード端子が封口体の貫通穴にそれぞれ挿通されている構成であり、前記リード端子は、前記第１段差部と前記丸棒部とに樹脂からなる絶縁膜が形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、半田付け等の加熱によって、リード端子の第1段差部や丸棒部と封口体の貫通穴とに隙間が生じた場合でも、樹脂からなる絶縁膜によって、漏れ電流を抑制できる。

本発明に係る絶縁膜は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、又はその他既知の樹脂からなる。

本発明に係る絶縁膜は、リード端子の所定箇所に形成されており、第１段差部と丸棒部とに形成されている。ここで、上記絶縁膜は、リード端子の扁平部における、陽極箔または陰極箔との接合部には形成されておらず、当該接合部よりも第１段差部に近い位置の端部に延設していることが好ましい。なお、上記絶縁膜は、リード端子の引出端子には形成されていない。

本発明の電解コンデンサの製造方法は、扁平部と第１段差部と丸棒部と引出端子とを有しているリード端子における、前記第１段差部と前記丸棒部とに、樹脂を塗布することで絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップ、を有することを特徴とする。

この構成によれば、予め、リード端子の所定箇所に樹脂からなる絶縁膜を形成することで、導電性高分子化合物の飛散等によって、電解質がリード端子の第１段差部や丸棒部に付着することを防止でき、漏れ電流を抑制できる。

本発明の電解コンデンサ及びその製造方法によれば、予め、リード端子の所定箇所に樹脂からなる絶縁膜を形成するので、一例として、製造プロセスにおいて、コンデンサ素子に電解質を導入する際に、電解質がリード端子の第１段差部や丸棒部に付着することを防止できる。また、電解コンデンサを基板等に半田付けする際の加熱によって、リード端子の第1段差部や丸棒部と封口体の貫通穴とに僅かな空隙が生じた場合でもリード端子の所定箇所に樹脂からなる絶縁膜が形成されているので電解質が付着することに起因する漏れ電流を抑制できる。したがって、動作が長期的に安定する構造の電解コンデンサが実現できる。

図１は本発明の実施形態の電解コンデンサの概略構造を示す部分断面図である。 図２は本実施形態の電解コンデンサをケース開口側から見た概略の図である。 図３Ａはリード端子の概略の正面図であり、図３Ｂはリード端子の概略の側面図である。 図４Ａは本実施形態に係る絶縁膜が形成されたリード端子の概略の正面図であり、図４Ｂは本実施形態に係る絶縁膜が形成されたリード端子の概略の側面図である。 図５は本実施形態に係るリード端子を陽極箔に接合した状態の図である。 図６は本実施形態の電解コンデンサにおける陽極箔とセパレータと陰極箔とを重ね合わせて巻回している状態の図である。 図７Ａは本実施形態の電解コンデンサにおける化成処理の準備段階の図であり、図７Ｂは本実施形態の電解コンデンサにおける化成処理における浸漬状態の図であり、図７Ｃは本実施形態の電解コンデンサにおける化成処理をした後の引き上げ状態の図である。 図８Ａは本実施形態の電解コンデンサにおける分散液を充填する準備段階の図であり、図８Ｂは本実施形態の電解コンデンサにおける分散液を充填する際の浸漬状態の図であり、図８Ｃは本実施形態の電解コンデンサにおける分散液を充填した後の引き上げ状態の図である。 図９Ａは本実施形態の電解コンデンサにおける水溶性高分子化合物を導入する準備段階の図であり、図９Ｂは本実施形態の電解コンデンサにおける水溶性高分子化合物を導入する際の浸漬状態の図であり、図９Ｃは本実施形態の電解コンデンサにおける水溶性高分子化合物を導入した後の引き上げ状態の図である。 図１０Ａは本実施形態の電解コンデンサにおけるリード端子の丸棒部を封口体の貫通穴に嵌合する準備段階の図であり、図１０Ｂは本実施形態の電解コンデンサにおけるリード端子の丸棒部を封口体の貫通穴に嵌合する際の組み付け状態の図であり、図１０Ｃは本実施形態の電解コンデンサにおける嵌合状態の図である。 図１１は本実施形態の電解コンデンサの製造手順を示すフローチャート図である。 図１２は本実施形態の電解コンデンサにおけるコンデンサ素子の要部を模式的に示す図である。 実施例の電解コンデンサと比較品とについて、エージング時の漏れ電流値の挙動を示すグラフ図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図１は、本実施形態の電解コンデンサ１の例を示す概略図であり、部分断面図である。図２は、電解コンデンサ１をケース４の開口側から見た概略の図である。電解コンデンサ１は、巻回型で、電解質２ｅが導入されているコンデンサ素子２と、リード端子５及びリード端子６と、貫通穴３ｃが形成された封口体３と、コンデンサ素子２と封口体３とが収納されている有底形状のケース４とを備える。

ここで、電解コンデンサ１の各部の位置関係を説明し易くするため、図中にＸ，Ｙ，Ｚの矢印で向きを示している。電解コンデンサ１を実際に使用する際には、これらの向きに限定されず、どのような向きで使用しても支障ない。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

図１の例では、ケース４の開口側の側面に横絞り部４ｂが形成され、なお且つ、開口端部４ａが曲げられている。ケース４の開口側は、コンデンサ素子２が配設されておらず、図２に示すように、封口体３の第１面３ａの一部や、リード端子５（６）の引出端子５ｆ（６ｆ）が露出している。封口体３は、ケース４の横絞り部４ｂと開口端部４ａとによって支持固定されている。リード端子５（６）は、丸棒部５ｄ（６ｄ）が封口体３の貫通穴３ｃに嵌合しており、封口体３によって支持固定されている。

ケース４は有底筒状であり、アルミニウム等の金属からなる。封口体３は、水分の浸入や酸化皮膜修復物質の飛散を防止するために高気密性を有し、ケース４の内側形状に合わせた略円柱形状となっている。そして、第1面３ａと第２面３ｂとには、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）が各々挿通される貫通穴３ｃが２個所に形成されている。ここで、第1面３ａと第２面３ｂとは互いに逆向きとなっており、第1面３ａを上面とした場合、第２面３ｂは下面となる。

封口体３は、絶縁性ゴム組成物からなる。一例として、封口体３は、イソブチレン・イソプレンゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、フッ素ゴム、又はその他既知のエラストマーからなる。

先ず、本実施形態に係るコンデンサ素子２について概略の説明をする。なお、コンデンサ素子２の詳細な説明については後述する。図１２は、本実施形態の電解コンデンサ１におけるコンデンサ素子２の要部を模式的に示す図である。陽極箔２ａと陰極箔２ｃとはアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁金属から形成されている。陽極箔２ａの表面は、エッチング処理により粗面化された後、化成処理によって酸化皮膜２ｂが形成されている。陰極箔２ｃの表面は、陽極箔２ａと同様にエッチング処理により粗面化された後、自然酸化皮膜２ｈが形成されている。陽極箔２ａと陰極箔２ｃとは、一例として、アルミニウムからなる。

陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間にはセパレータ２ｄが配設されている。セパレータ２ｄは、導電性の高分子や水溶性の高分子と化学的に馴染み易いセルロース繊維、または、耐熱性に優れたナイロン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の合成樹脂で形成されたものが適用される。セパレータ２ｄは、一例として、耐熱性セルロース紙である。

本実施形態は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な、電解液、水溶性高分子化合物、又はその他既知の酸化皮膜修復物質をコンデンサ素子２に導入することができる。

ここでは、導電性高分子化合物からなる電解質２ｅがコンデンサ素子２に導入されている。また、水溶性高分子化合物１３がコンデンサ素子２に含浸されている。水溶性高分子化合物１３は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂおよび陰極箔２ｃの酸化皮膜２ｈを修復可能な水分を保持しているので、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復できる。

一例として、電解質２ｅは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（４−スチレンスルホン酸）をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリピロール（ＰＰｙ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリチオフェン（ＰＴ）、又はその他既知の導電性高分子化合物である。

前記導電性化合物は、導電性高分子分散液または導電性高分子溶液のいずれかないしは両方から形成された導電性高分子化合物であることが好ましい。これによれば、高耐電圧化が可能となり、一例として、耐電圧を１００[Ｖ]まで高めることができる。

電解質２ｅは、ポリスチレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸のいずれか１種以上をドーパントとした導電性高分子化合物であることが好ましい。これによれば、導電性が安定する。

コンデンサ素子２は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能なポリアルキレンオキサイド、水溶性シリコーン若しくは分岐ポリエーテル又はこれらの誘導体からなる酸化皮膜修復物質を１種以上含有していることが好ましい。これらは酸素原子を多く有し、高い酸化力を有するため、電解コンデンサ１を長時間使用した場合に、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂに欠損が生じた場合でも高い酸化力を欠損部の修復に使用できるため、漏れ電流を抑制することができる。

水溶性高分子化合物１３がポリアルキレンオキサイドの場合には、その分子量は１００以上かつ１０００以下であることが好ましい。分子量が１００よりも小さい場合には封口体３を透過して外部に飛散し易くなる傾向がある。一方、分子量が１０００よりも大きい場合には低温での等価直列抵抗（ＥＳＲ）が大きくなる傾向がある。

水溶性高分子化合物１３が水溶性シリコーン、分岐ポリエーテル、ポリアルキレンオキサイドの誘導体、水溶性シリコーンの誘導体、又は分岐ポリエーテルの誘導体の場合には、その分子量が２００以上かつ３０００以下であることが好ましい。分子量が２００よりも小さい場合には封口体３を透過して外部に飛散し易くなる傾向がある。一方、分子量が３０００よりも大きい場合には低温での等価直列抵抗（ＥＳＲ）が大きくなる傾向がある。

コンデンサ素子２は、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、スルホン基、アミド基、またはリン酸エステル基からなる親水性の官能基を持つ、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を１種以上含有していることが好ましい。これにより、主鎖に水素結合を発現する結合鎖を含む水溶性高分子化合物１３が安定して得られる。

コンデンサ素子２は、分子量の異なる２種以上の水溶性高分子化合物の混合体からなる、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な酸化皮膜修復物質を含有していることが好ましい。

ここで、電解コンデンサ１に水溶性高分子化合物１３が溶解した水溶性高分子溶液を含有させる場合、低温における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低くするという観点からは、分子量の小さい水溶性高分子化合物を用いるのが好ましい。分子量の大きい高分子は１０[℃]以下の低温で凝固が始まるため、凝固が始まる時に固体電解質のネットワークを破壊して電解コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増大を引き起こす虞がある。一方、分子量の小さい水溶性高分子化合物は分子量の大きい水溶性高分子化合物よりも凝固点が低いことから、分子量の小さい水溶性高分子化合物を用いた電解コンデンサ１を１０[℃]以下の低温状態においたときに水溶性高分子化合物が凝固しにくくなり、微粒子状の導電性高分子化合物からなる固体電解質のネットワークが破壊され難くなる。従って、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高くなることを抑制できるとともに、低温での特性安定性に優れた電解コンデンサ１となる。その反面、分子量の小さい水溶性高分子化合物は、封口体３を透過しやすい性質があるため、単独でこれを用いたのでは、水溶性高分子溶液を長期にわたり保持しにくくなることがある。

そこで、本実施形態は、水溶性高分子化合物１３として、分子量の異なる２種類以上の水溶性高分子化合物を用いる。これにより、分子量の小さい水溶性高分子化合物と、当該分子量の小さい水溶性高分子化合物よりも分子量の大きい水溶性高分子化合物とを混合して用いることにより、低温時の凝固ストレスを緩和することで低温における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低くできる効果と水溶性高分子溶液が封口体３を透過して外部に飛散しにくくなるという効果が両方共に可能となり、その結果、本実施形態は、低温特性が良好であり、かつ、長寿命の電解コンデンサ１となる。

一例として、電解質２ｅは、微粒子状の導電性高分子からなる。ここで、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、１[ｎｍ]以上かつ３００[ｎｍ]以下である。導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径が１[ｎｍ]未満である場合には、微粒子状の導電性高分子化合物を作製するのが困難となる場合がある。一方、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径が３００[ｎｍ]よりも大きい場合には、陽極箔２ａ表面のエッチングピット（凹部）に導電性高分子化合物２ｅを導入するのが困難となる場合がある。このような観点から言えば、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２[ｎｍ]以上であることがより好ましく、３[ｎｍ]以上であることがより一層好ましい。また、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２００[ｎｍ]以下であることがより好ましく、１００[ｎｍ]以下であることがより一層好ましい。

図３Ａはリード端子５（６）の概略の正面図であり、図３Ｂはリード端子５（６）の概略の側面図である。リード端子５（６）は、扁平部５ａ（６ａ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）と第２段差部５ｅ（６ｅ）と引出端子５ｆ（６ｆ）とが連なって一体化している構造体である。

陽極箔２ａとリード端子５とは、扁平部５ａにおける接合部５ｂで電気接続される。同様に、陰極箔２ｃとリード端子６とは扁平部６ａにおける接合部６で電気接続される。リード端子５の引出端子５ｆの長さは、リード端子６の引出端子６ｆの長さよりも長くなっており、これにより、極性を容易に視認できる。リード端子５とリード端子６とは、引出端子５ｆと引出端子６ｆとの長さの違いを除くと、同じ構造である。リード端子５（６）の構造について、以下に説明する。

リード端子５（６）における扁平部５ａ（６ａ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）とは、一例として、アルミニウムからなり、プレス加工によって成形される。なお、図３Ａの例では、正面視において、扁平部５ａ（６ａ）のＹ方向の幅が、丸棒部５ｄ（６ｄ）の外径よりも大きくなっているが、この例に限定されない。例えば、正面視において、扁平部５ａ（６ａ）のＹ方向の幅と、丸棒部５ｄ（６ｄ）の外径とが、ほぼ同じ場合がある。

リード端子５（６）における引出端子５ｆ（６ｆ）は、一例として、錫めっきされた銅被覆鋼線（ＣＰ線）からなる。これにより、基板等への半田付けが容易となる。なお、引出端子５ｆ（６ｆ）は、丸ピンとする場合や角ピンとする場合がある。

引出端子５ｆ（６ｆ）は、一例として、第２段差部５ｅ（６ｅ）に既知の溶接技術によって溶接される。扁平部５ａ（６ａ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）とは、一例として、ホウ酸やアジピン酸等を含む既知の化成液によって予め化成処理されて、酸化皮膜が形成されている。ここで、本実施形態は、絶縁性樹脂からなる絶縁膜７が形成されているものであるから、化成処理された酸化皮膜が形成されているもの、並びに、金属の酸化によって酸化皮膜が形成されているものとは、両者の構造は本質的に相違する。

図４Ａは本実施形態に係る絶縁膜７が形成されたリード端子５（６）の概略の正面図であり、図４Ｂは絶縁膜７が形成されたリード端子５（６）の概略の側面図である。絶縁膜７は、丸棒部５ｄ（６ｄ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）とに形成されている。それに加えて、絶縁膜７は、第１段差部５ｃ（６ｃ）から延設しており、扁平部５ａ（６ａ）における接合部５ｂ（６ｂ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）との間の端部５ｇ（６ｇ）に形成されている。

本実施形態は、リード端子５（６）における絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１は、丸棒部５ｄ（６ｄ）、第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び端部５ｇ（６ｇ）である。この構成により、電解質２ｅが丸棒部５ｄ（６ｄ）、第１段差部５ｃ（６ｃ）、並びに端部５ｇ（６ｇ）に付着することを防止できる。

電解コンデンサ１の使用に際して、一例として、リード端子５（６）を半田付けする。半田付け方式には、リフロー炉等を使用するリフロー方式、又は、半田槽等を使用するフロー方式があり、若しくは、半田ごてを使用する方法がある。

ゴムの線膨張係数は、鋼の線膨張係数の５倍〜２０倍ある。したがって、封口体３の線膨張係数は、リード端子５（６）の線膨張係数よりも遥かに大きい。このため、リード端子５（６）の半田付けの際に、加熱によって封口体３がリード端子５（６）よりも膨張して、封口体３の貫通穴３ｃにおける、第１段差部５ｃ（６ｃ）と封口体３との間や、丸棒部５ｄ（６ｄ）と封口体３との間に隙間が生じる。

本実施形態のリード端子５（６）は、少なくとも封口体３と接する部分に絶縁膜７が形成されていることが好ましい。この構成によれば、リード端子５（６）の封口体３と接する部分に絶縁膜７が形成されているので、外力が加わった際に、絶縁膜７の緩衝作用により第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）へのストレスが生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。

例えば、丸棒部５ｄ（６ｄ）の封口体３と接する部分に絶縁膜７が形成されているとともに、第１段差部５ｃ（６ｃ）の封口体３と接する部分に絶縁膜７が形成されている場合がある。例えば、丸棒部５ｄ（６ｄ）の全周に亘って絶縁膜７が形成されているとともに、第１段差部５ｃ（６ｃ）の封口体３と接する部分に絶縁膜７が形成されている場合がある。例えば、丸棒部５ｄ（６ｄ）の全周に亘って絶縁膜７が形成されているとともに、第１段差部５ｃ（６ｃ）の全周に亘って絶縁膜７が形成されている場合がある。上記に加えて、扁平部５ａ（６ａ）における接合部５ｂ（６ｂ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）との間の端部５ｇ（６ｇ）に絶縁膜７が形成されている場合がある。すなわち、本実施形態のリード端子５（６）は、第１段差部５ｃ（６ｃ）の外周の一部ないしは全部に樹脂からなる絶縁膜７が形成されているとともに、丸棒部５ｄ（６ｄ）の外周の一部ないしは全部に樹脂からなる絶縁膜７が形成されている構成となっている。

絶縁膜７を構成する絶縁性樹脂のＡＳＴＭ Ｄ６３８に準拠する引張試験にて試験片が示す引張破断伸度が小さすぎると、絶縁膜７が、外力によるストレスを受けた場合にクラックが生じやすくなってしまう。そこで、本実施形態は、ＡＳＴＭＤ６３８に準拠する引張試験にて試験片が示す引張破断伸度が２[％]以上の絶縁性樹脂からなる絶縁膜７にする。この構成によれば、絶縁膜７に外力が加わってストレスが生じた場合においても、絶縁膜７にクラックが生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。本実施形態は、上記引張破断伸度は、好ましくは１５[％]以上であり、より好ましくは５０[％]以上であり、さらに好ましくは２００[％]以上である。なお、ＡＳＴＭ Ｄ６３８と基本的には同様の規格であるＩＳＯ５２７またはＪＩＳＫ７１６１に対応させて引張破断伸度を規定することも可能である。

本実施形態の絶縁膜７は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂からなることが好ましい。この構成によれば、これら樹脂の線膨張係数が、ゴムと鋼との中間レベルの線膨張係数を有しているので、半田付け等の加熱によって封口体３が膨張した場合でも、樹脂からなる絶縁膜７によって、封口体３の貫通穴３ｃにおける、第１段差部５ｃ（６ｃ）と封口体３との間や、丸棒部５ｄ（６ｄ）と封口体３との間に隙間が生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。

本実施形態の絶縁膜７は、熱可塑性樹脂からなることが好ましい。この構成によれば、製造時の熱処理、若しくは、使用時のリフロー、フロー、半田付け、又は熱衝撃等により封口体３が膨張した場合でも、絶縁膜７が軟化し融着して固着状態となるので、絶縁膜７の緩衝作用により第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）へのストレスが生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。

本実施形態は、リード端子５（６）は、封口体３の貫通穴３ｃに挿通されており、樹脂からなる絶縁膜７は、リード端子５（６）と封口体３とに、固着または融着していることが好ましい。この構成によれば、製造時の熱処理、若しくは、使用時のリフロー、フロー、半田付け、又は熱衝撃等を経ることで、絶縁膜７が軟化し、封口体３の貫通穴３ｃにおける、第１段差部５ｃ（６ｃ）と封口体３との間や、丸棒部５ｄ（６ｄ）と封口体３との間に生じる隙間を塞ぎ、その後、融着して固着状態となる。したがって、使用時に漏れ電流が大きくなることを防止でき、繰り返し熱衝撃等が加わった場合でも、その都度、絶縁膜７が軟化し、融着して固着状態となるので、漏れ電流の抑制効果が持続する。

特に、微粒子状の導電性高分子からなる電解質２ｅは、サイズがナノメートルオーダーとなっているため、従来の電解コンデンサでは想定外であった微小なサイズの電解質２ｅの微量のリード端子５（６）への付着についても考慮する必要がある。本実施形態によれば、リード端子５（６）の第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）とには、絶縁膜７が予め形成されている。よって、製造プロセスにおいて、微量な電解質２ｅであっても、第１段差部５ｃ（６ｃ）、並びに、丸棒部５ｄ（６ｄ）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止することができ、漏れ電流を抑制できる。

本実施形態は、樹脂からなる絶縁膜７は、融点が６０[℃]以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、熱処理を除く、製造時の温度域では、絶縁膜７が第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）に固着状態となっているので、第１段差部５ｃ（６ｃ）並びに丸棒部５ｄ（６ｄ）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。

本実施形態は、樹脂からなる絶縁膜７は、融点が１２５[℃]以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、使用時の温度域で、絶縁膜７が第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）に固着状態となっているので、第１段差部５ｃ（６ｃ）並びに丸棒部５ｄ（６ｄ）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。

本実施形態は、樹脂からなる絶縁膜７は、融点が１５０[℃]以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、電解コンデンサ１の使用時に電流が重畳され発熱している場合においても、絶縁膜７が第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）に固着状態となっているので、第１段差部５ｃ（６ｃ）並びに丸棒部５ｄ（６ｄ）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。

本実施形態は、樹脂からなる絶縁膜７は、融点が２６０[℃]以下の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、リード端子５（６）の半田付けとして、例えば、ピーク温度が２６０[℃]のリフローを実施すると、絶縁膜７が軟化し、その後、融着して固着状態となるので、第１段差部５ｃ（６ｃ）並びに丸棒部５ｄ（６ｄ）と、封口体３の貫通穴３ｃとに隙間が生じることを防止でき、緩衝作用により第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）へのストレスが生じ難くなるとともに、漏れ電流の抑制効果が持続する。

本実施形態は、樹脂からなる絶縁膜７は、結晶性樹脂からなることが好ましい。これによれば、温度が−２０[℃]を下回る低温域、温度が−２０[℃]以上かつ１００[℃]以下の温度域、及び温度が１００[℃]を超える高温域に亘る広範囲の温度域で、絶縁膜７が第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）に固着状態となっているので、第１段差部５ｃ（６ｃ）並びに丸棒部５ｄ（６ｄ）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。上記に加えて、結晶性樹脂は、耐薬品性に優れているので、特に、化成処理等の製造過程で使用される薬品と接触する場合や、電解質導入等の製造過程での酸化皮膜修復物質等と接触する場合においても、絶縁膜７による漏れ電流の抑制効果が持続する。そして、結晶性樹脂は、外力が繰り返し加わることによる歪みや摩耗に対する強度が高いので、製造時や使用時にリード端子５（６）にストレスが加わる場合や、封口体３の膨張・収縮等の変形によってストレスが加わる場合においても、絶縁膜７による漏れ電流の抑制効果が持続する。

本実施形態は、樹脂からなる絶縁膜７は、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のいずれか１種以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、耐熱性に優れた絶縁膜７となる。

樹脂からなる絶縁膜７は、特に、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ）、又はテトラフルオロエチレン・エチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）が好ましい。これによれば、耐熱性及び耐薬品性に優れた絶縁膜７となる。

絶縁性で熱可塑性樹脂からなる絶縁膜７は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、スチレン・アクリロニトリル共重合体（ＡＳ）、スチレン・ブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ＡＢＳ）、ポリエチレン（ＰＥ）、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、変成アクリル（ＭＳ）、酢酸セルロース（ＣＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）、三フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）、四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン共重合（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン・エチレン共重合（ＥＴＦＥ）、又はポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）が挙げられる。

絶縁性で熱可塑性樹脂からなる絶縁膜７は、特に、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン共重合（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン・エチレン共重合（ＥＴＦＥ）が好ましい。これによれば、リード端子５（６）の曲げ等のストレスに対する追従性及び耐薬品性に優れた絶縁膜７となる。

絶縁膜７は、その厚さが薄いほど貫通穴３ｃとの嵌合が容易となる。一方、絶縁膜７は、その厚さが薄すぎると、外力によるストレスを受けやすくなってしまう。そこで、本実施形態は、絶縁膜７の厚さを０．１[μｍ]以上にする。絶縁膜７の厚さは、好ましくは１[μｍ]以上であり、より好ましくは３[μｍ]以上である。

絶縁膜７は、その厚さが厚いほど強度が高くなる。一方、絶縁膜７は、その厚さが厚すぎると、貫通穴３ｃとの嵌合の容易性が低下してしまう。そこで、本実施形態は、絶縁膜７の厚さを５００[μｍ]以下にする。絶縁膜７の厚さは、好ましくは１００[μｍ]以下であり、より好ましくは５０[μｍ]以下である。

続いて、本発明に係る電解コンデンサ１の製造方法について、以下に説明する。

図１１は、電解コンデンサ１の製造手順を示すフローチャート図である。電解コンデンサ１は、一例として、図１１に示すとおり、絶縁膜形成ステップＳ１、接合ステップＳ２、素子形成ステップＳ３、導入ステップＳ４、嵌合ステップＳ５、封口ステップＳ６、エージングステップＳ７の順に製造される。

なお、電解コンデンサ１の製造手順は、上記の手順に限定されず、上記以外に、絶縁膜形成ステップＳ１と接合ステップＳ２との順序を入れ替えることが可能であり、また、上記以外に、素子形成ステップＳ３の後に、絶縁膜形成ステップＳ１を設けることが可能である。そして、上記以外に、導入ステップＳ４と嵌合ステップＳ５との順序を入れ替えることが可能である。さらに、上記以外に、エージングステップＳ７の後に、封口ステップＳ６を設けることが可能であり、また、エージングステップＳ７の後に、嵌合ステップＳ５および封口ステップＳ６を設けることが可能である。

本実施形態は、絶縁膜形成ステップＳ１における塗布方法は、転写法、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法、バーコート法、又はその他既知の塗布方法、若しくはこれら塗布方法の組み合わせが適用できる。

絶縁膜形成ステップＳ１は、一例として、熱可塑性樹脂が溶解している樹脂溶液を、リード端子５（６）の所定範囲に塗布することで、第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）と端部５ｇ（６ｇ）とに絶縁膜７を形成する。

図４Ａと図４Ｂとに示すように、絶縁膜形成ステップＳ１は、少なくともリード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）とに、絶縁膜７を形成する。また、扁平部５ａ（６ａ）における接合部５ｂ（６ｂ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）との間の端部５ｇ（６ｇ）にも絶縁膜７を形成する。

接合ステップＳ２は、一例として、図５に示すように、接合部５ｂと陽極箔２ａとを重ね合わせて、針等で所定箇所を突き通して、出来たバリ部分をプレス加工して接続部２ｆを形成し、接続部２ｆによって接合部５ｂと陽極箔２ａとを接合する。同様に、接合部６ｂと陰極箔２ｃとを接合する。

ここで、リード端子５（６）において、絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１は、陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）と重ならない範囲となっていることが好ましい。これによれば、接合部５ｂ（６ｂ）と陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）とを密着でき、リード端子５（６）と陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）との間の抵抗値を抑えることができる。

素子形成ステップＳ３は、一例として、図６に示すように、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間にセパレータ２ｄを挟んで両電極箔を隔離した状態とし、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとをセパレータ２ｄを介して巻回して円筒形状とする。そして、テープまたはフィルム等を円筒形状の外周部に貼り付けて巻回状態を保持する（不図示）。その後、図７Ａ〜図７Ｃに示すように、化成処理を行う。

素子形成ステップＳ３における化成処理は、一例として、図７Ａに示すように、化成液１１を入れた化成液槽５１を準備する。次に、図７Ｂに示すように、化成処理前段階のコンデンサ素子２ｉを化成液槽５１内の化成液１１に浸漬するとともに、引出端子５ｆと化成液１１との間に所定電圧を所定時間印加する。一例として、１００[Ｖ]の電圧を、５[分]印加して、陽極箔２ａの端部に存在する酸化皮膜欠損部及び表面に存在することがある酸化皮膜欠損部を修復する（不図示）。そして、化成液槽５１から引き上げて、乾燥し、化成処理された状態のコンデンサ素子２ｊにする。

化成液１１は、例えば、アジピン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、グルタル酸アンモニウム、アゼライン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、セバシン酸アンモニウム、ピメリン酸アンモニウム、スベリン酸アンモニウム等の水溶液が挙げられる。

導入ステップＳ４は、化成処理された状態のコンデンサ素子２ｊに電解質２ｅを導入する。一例として、電解質２ｅとして導電性高分子化合物を導入する第１導入処理を行い、その後、電解質２ｅとして導電性高分子化合物が導入された状態のコンデンサ素子２に、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な水溶性高分子化合物１３を導入する第２導入処理を行う。

導入ステップＳ４における第１導入処理は、一例として、図８Ａに示すように、分散液１２を入れた分散液槽５２を準備する。次に、図８Ｂに示すように、化成処理された状態のコンデンサ素子２ｊを分散液槽５２内の分散液１２に浸漬する。そして、分散液槽５２から引き上げて、乾燥し、第１導入処理された状態のコンデンサ素子２ｋにする。

本実施形態は、電解質２ｅは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（４−スチレンスルホン酸）をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリピロール（ＰＰｙ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリチオフェン（ＰＴ）、又はその他既知の微粒子状の導電性高分子化合物からなる。

微粒子状の導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、一例として、１[ｎｍ]以上３００[ｎｍ]以下である。導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径が１[ｎｍ]未満である場合には、微粒子状の導電性高分子化合物を作製するのが困難となる場合がある。一方、導電性高分子化合物の平均粒子径が３００[ｎｍ]よりも大きい場合には、陽極箔２ａ表面のエッチングピット（凹部）に導電性高分子化合物２ｅを導入するのが困難となる場合がある。このような観点から言えば、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２[ｎｍ]以上であることがより好ましく、また、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、３[ｎｍ]以上であることがより一層好ましい。そして、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２００[ｎｍ]以下であることがより好ましく、また、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、１００[ｎｍ]以下であることがより一層好ましい。

上述のとおり、本実施形態は、導入ステップＳ４の前段階で、少なくともリード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）とに、樹脂からなる絶縁膜７を形成する。これにより、導入ステップＳ４の第1導入処理において、電解質２ｅがリード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）や第１段差部５ｃ（６ｃ）に付着することを防止でき、漏れ電流を抑制できる。

本実施形態は、リード端子５（６）において、絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１は、封口体３の厚さＨ１の０．１倍以上かつ２．５倍以下である。絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１が封口体３の厚さＨ１の０．１倍よりも小さい場合には、リード端子５（６）の半田付け時において封口体３の熱膨張によるストレス等の影響で漏れ電流が大きくなる可能性がある。一方、絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１が封口体３の厚さＨ１の２．５倍よりも大きい場合には、リード端子５（６）と陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）との間の抵抗値が大きくなることでコンデンサ特性に影響する可能性がある。このような観点から言えば、絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１は封口体３の厚さＨ１の０．３倍以上であることが好ましく、また、絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１は封口体３の厚さＨ１の０．５倍以上であることがより好ましい。そして、絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１は封口体３の厚さＨ１の２．０倍以下であることが好ましく、また、絶縁膜７が形成される範囲Ｗ１は封口体３の厚さＨ１の１．５倍以下であることがより好ましい。

本実施形態は、高分子分散液１２における電解質２ｅの濃度は、一例として、０．１[ｖｏｌ％]以上かつ１０[ｖｏｌ％]以下である。電解質２ｅの濃度が０．１[ｖｏｌ％]よりも低い場合には、電解質２ｅの量が少なく、所望のコンデンサ特性を発揮できない可能性がある。一方、電解質２ｅの濃度が１０[ｖｏｌ％]よりも高い場合には、分散液１２に電解質２ｅが均質に分散しない可能性がある。このような観点から言えば、電解質２ｅの濃度は、１[ｖｏｌ％]以上であることが好ましく、また、電解質２ｅの濃度は、２[ｖｏｌ％]以上であることがより好ましい。そして、電解質２ｅの濃度は、７[ｖｏｌ％]以下であることが好ましく、また、電解質２ｅの濃度は、３[ｖｏｌ％]以下であることがより好ましい。

導入ステップＳ４における第２導入処理は、一例として、図９Ａに示すように、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な水溶性高分子化合物１３を入れた溶液槽５３を準備する。次に、図９Ｂに示すように、第１導入処理された状態のコンデンサ素子２ｋを溶液槽５３内の水溶性高分子化合物１３に浸漬する。そして、溶液槽５３から引き上げて、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２にする。

本実施形態は、コンデンサ素子２は、微粒子状の導電性高分子化合物からなる電解質２ｅを含んでいる。尚且つ、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な水溶性高分子化合物１３がコンデンサ素子２に含浸している。

本実施形態は、コンデンサ素子２は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能なポリアルキレンオキサイド、水溶性シリコーン若しくは分岐ポリエーテル又はこれらの誘導体からなる酸化皮膜修復物質を１種以上含有していることが好ましい。これらの水溶性高分子化合物は酸素原子を多く有し、高い酸化力を有するため、電解コンデンサ１を長時間使用した場合においても、その高い酸化力によって、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂの欠損部を修復するので、漏れ電流を抑制できる。

嵌合ステップＳ５は、一例として、図１０Ａに示すように、ケース４と封口体３とを準備する。次に、図１０Ｂに示すように、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２をケース４に収納するとともに、リード端子５（６）において、絶縁膜７が形成された丸棒部５ｄ（６ｄ）及び第１段差部５ｃ（６ｃ）を、封口体３の貫通穴３ｃに嵌合する。これにより、図１０Ｃに示すように、嵌合状態となる。

なお、電解コンデンサ１の製造手順は、上記の手順に限定されず、上記以外に、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２をケース４に収納した後で、リード端子５（６）において、絶縁膜７が形成された丸棒部５ｄ（６ｄ）及び第１段差部５ｃ（６ｃ）を、封口体３の貫通穴３ｃに嵌合する場合がある。また、上記以外に、リード端子５（６）において、絶縁膜７が形成された丸棒部５ｄ（６ｄ）及び第１段差部５ｃ（６ｃ）を、封口体３の貫通穴３ｃに嵌合した後で、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２をケース４に収納する場合がある。

封口ステップＳ６は、一例として、ケース４の開口側にカシメ加工を施して、ケース４の開口側の側面に横絞り部４ｂを形成し、尚且つ、開口端部４ａを曲げる。このカシメ加工によって、図１に示すように、封口体３を、ケース４の横絞り部４ｂと開口端部４ａとによって支持固定する。つまり、本実施形態は、封口体３とコンデンサ素子２とは、有底形状のケース４に収納されており、封口体３は、ケース４の開口側の成形加工によって支持固定されている。

エージングステップＳ７は、ケース４の開口側が封口体３とリード端子５（６）とによって封口された後に、外装スリーブをケース４に取り付ける等して、外装スリーブを熱加工するとともに、エージング処理を行う。エージング処理は、高温条件下で所定時間、電圧印加を行い、水溶性高分子化合物１３の酸化皮膜修復作用を用いて、陽極箔２ａの接続部２ｆや断面等の金属地金部分と酸化皮膜２ｂの弱い部分を再化成する。これにより、漏れ電流を安定させる。また、エージング処理には、予期しない初期不良の除去といったデバッキング効果もある。

上述した本実施形態の製造方法によって、実施例１として示す電解コンデンサ１を以下のとおり試作した。また、実施例１の試作と並行して、リード端子５（６）における絶縁膜７の条件を変更した比較例１〜３として示す比較用電解コンデンサを試作した。そして、実施例１、比較例１、比較例２、比較例３について、エージング時の漏れ電流の挙動を測定し評価した。さらに、リフローの前・後での漏れ電流の挙動を測定し評価した。

[実施例１]
リード端子５（６）における、丸棒部５ｄ（６ｄ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と端部５ｇ（６ｇ）とに、絶縁性樹脂であるポリプロピレンを塗布して絶縁膜７を形成した。そして、リード端子５の扁平部５ａにおける接合部５ｂと、エッチング処理を施して誘電体酸化皮膜２ｂを形成したアルミニウム箔からなる陽極箔２ａとを電気接続するためにカシメ接合した。また、リード端子６の扁平部６ａにおける接合部６ｂと、エッチング処理を施したアルミニウム箔からなる陰極箔２ｃとを電気接続するためにカシメ接合した。

次に、接合部５ｂを接合した陽極箔２ａと、接合部６ｂを接合した陰極箔２ｃとの間にセパレータ２ｄを介在させて巻回することにより、巻回形のコンデンサ素子２を形成した。

次に、コンデンサ素子２を化成液層中のアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬するとともに、陽極２ａ側のリード端子５と化成液の間に１００[Ｖ]の電圧を５[分]印加して、陽極箔２ａの端部に存在する酸化皮膜欠損部及び陽極箔２ａ表面の酸化皮膜欠損部を修復し、その後、１０５[℃]の温度で５[分]乾燥した。

次に、コンデンサ素子２における、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間の空隙に、微粒子状の導電性高分子化合物からなる固体電解質２ｅを導入した。固体電解質２ｅの導入工程においては、固体電解質２ｅを溶媒に分散させた固体電解質分散液１２を空隙に充填した後、溶媒を除去することにより、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間の空隙に固体電解質２ｅを導入した。

次に、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間の空隙に、液体状の水溶性高分子化合物１３を、固体電解質２ｅを取り囲むように導入した。

そして、イソブチレン・イソプレンゴムからなる封口体３を用いて、コンデンサ素子２のリード端子５（６）における、絶縁膜７が形成された丸棒部５ｄ（６ｄ）及び第１段差部５ｃ（６ｃ）を、封口体３の貫通穴３ｃに嵌合するとともに、コンデンサ素子２を金属ケース４に挿入し、その後、金属ケース４の開口端近傍にカシメ加工を施し、封口体３を支持固定した。

そして、約８５[℃]の温度で、所定電圧を６０[分]印加することでエージング処理を行って、電解コンデンサ１を作製した。

[比較例１]
リード端子５（６）における、丸棒部５ｄ（６ｄ）のみに、ポリプロピレンを塗布して絶縁膜７を形成した。それ以外は、実施例１と同様の製造条件で比較例１の電解コンデンサを作製した。

[比較例２]
リード端子５（６）における、第１段差部５ｃ（６ｃ）と端部５ｇ（６ｇ）のみに、ポリプロピレンを塗布して絶縁膜７を形成した。それ以外は、実施例１と同様の製造条件で比較例２の電解コンデンサを作製した。

[比較例３]
絶縁膜７を形成しない状態のリード端子５（６）を用いた。それ以外は、実施例１と同様の製造条件で比較例３の電解コンデンサを作製した。

上記のように作製した実施例１と、比較例１、比較例２、並びに比較例３の各電解コンデンサについて、エージング時の漏れ電流を測定した。図１３は、各電解コンデンサにおける、エージング時の漏れ電流の挙動を示すグラフ図である。グラフ図の縦軸は漏れ電流値[μＡ]であり、グラフ図の横軸は時間[秒]である。

図１３に示すように、実施例１は、エージング処理中の漏れ電流の急峻な変動（ノイズ）は見られず、良好な漏れ電流の減衰挙動を示した。一方、比較例１〜３は、いずれも、エージング処理中の漏れ電流の急峻な変動（ノイズ）が多発しており、漏れ電流が減衰するまでの時間が非常に長い。このような漏れ電流のノイズや減衰挙動の悪さが短絡故障や固体電解質２ｅの劣化等を引き起こす要因であると考えられる。

図１３の結果から、実施例１のように、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）とに、絶縁性樹脂を塗布して絶縁膜７を形成することで固体電解質２ｅの付着を防止でき、その結果、漏れ電流波形におけるノイズや減衰挙動の悪さを大幅に改善できたものと考えられる。

次に、作製した各電解コンデンサについて、一般的な半田付け条件に合わせて、ピーク温度が２６０[℃]で時間が１０[秒]のリフローを合計２回、実施した。そして、リフロー前とリフロー後とで、漏れ電流値を測定した。表１にその結果を示す。

表１に示すように、比較例１〜３はリフロー後の漏れ電流が大きく、リフロー前の９〜１２倍程度だった。一方、実施例１はリフロー後の漏れ電流がリフロー前の２．５倍程度であり、比較例１〜３に比べて、リフローによる漏れ電流の増大が大幅に抑制されていた。

表１の結果から、実施例１のように、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）とに、熱可塑性樹脂を塗布して絶縁膜７を形成することで、リフローの際の熱により絶縁膜７が軟化し融着して固着状態となり、これにより、貫通穴３ｃと第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び貫通穴３ｃと丸棒部５ｄ（６ｄ）との間の隙間を塞いで互いに密着した固着状態となっているものと考えられる。その結果、貫通穴３ｃと第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び貫通穴３ｃと丸棒部５ｄ（６ｄ）との間に隙間が生じることを防止でき、緩衝作用により第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）へのストレスが生じ難くなるとともに、漏れ電流の抑制効果が持続するものと考えられる。

本発明は、上述の実施例に限定されることなく、本発明を逸脱しない範囲において種々変更が可能である。一例として、上述の実施例では、転写法によって、絶縁膜７を形成したが、この例に限定されない。絶縁膜７の形成は、例えば、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法、バーコート法、又はその他既知の塗布方法が適用可能である。

また、上述の実施例では、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間の空隙に、酸化皮膜修復物質として、水溶性高分子化合物１３を導入したが、この例に限定されない。例えば、酸化皮膜修復物質として、電解液を導入する場合がある。なお、酸化皮膜修復物質を導入しない場合もある。

また、上述の実施例では、製品化後に、リード端子５（６）を半田付けする際の加熱によって絶縁膜７が軟化し融着して固着状態となることにより、貫通穴３ｃと第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び貫通穴３ｃと丸棒部５ｄ（６ｄ）との間の隙間を塞いで互いに密着した固着状態となっている、としたが、この例に限定されない。例えば、製造過程における、外装スリーブをケース４に取り付ける際の加熱によって絶縁膜７が軟化し融着して固着状態となるようにすることで、使用時に、貫通穴３ｃと第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び貫通穴３ｃと丸棒部５ｄ（６ｄ）との間に隙間が出来ないようにする場合があり、また例えば、エージングステップＳ７における、エージング処理の際の加熱によって絶縁膜７が軟化し融着して固着状態となるようにすることで、使用時に、貫通穴３ｃと第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び貫通穴３ｃと丸棒部５ｄ（６ｄ）との間に隙間が出来ないようにする場合がある。そして、製造時の熱処理、若しくは、使用時のリフロー、フロー、半田付け、又は熱衝撃等によって、絶縁膜７が軟化し融着して固着状態となるので、漏れ電流の抑制効果が持続する。

１ 電解コンデンサ
２ コンデンサ素子
２ａ 陽極箔
２ｂ 酸化皮膜
２ｃ 陰極箔
２ｄ セパレータ
２ｅ 電解質（導電性高分子化合物）
２ｆ 接続部
２ｈ 酸化皮膜
３ 封口体
３ａ 第１面
３ｂ 第２面
３ｃ 貫通穴
４ ケース
５、６ リード端子
５ａ、６ａ 扁平部
５ｂ、６ｂ 接合部
５ｃ、６ｃ 第１段差部
５ｄ、６ｄ 丸棒部
５ｅ、６ｅ 第２段差部
５ｆ、６ｆ 引出端子
５ｇ、６ｇ 端部
７ 絶縁膜
１１ 化成液
１２ 分散液
１３ 水溶性高分子化合物

本発明の電解コンデンサは、扁平部と第１段差部と丸棒部と引出端子とを有するリード端子を備え、前記リード端子が陽極箔と陰極箔とにそれぞれ接合され前記陽極箔と前記陰極箔とがセパレータを介して巻回されてコンデンサ素子が形成され、前記コンデンサ素子に電解質として導電性高分子化合物が導入されており、前記リード端子が封口体の貫通穴にそれぞれ挿通されており、前記リード端子における前記第１段差部と前記丸棒部とに樹脂からなる絶縁膜が形成されており、且つ、前記コンデンサ素子は、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、スルホン基、アミド基、またはリン酸エステル基からなる親水性の官能基を持つ、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を１種以上含有しており、且つ、前記樹脂からなる絶縁膜は、前記リード端子の前記第１段差部における、少なくとも前記封口体と接する部分に形成されているとともに、前記リード端子の前記丸棒部における、少なくとも前記封口体と接する部分に形成されている構成であって、
前記導電性高分子化合物は、導電性高分子分散液または導電性高分子溶液のいずれかないしは両方から形成された微粒子状のものであり、且つ、前記樹脂からなる絶縁膜は、融点が６０℃以上かつ２６０℃以下であるとともに、ピーク温度が２６０℃で時間が１０秒のリフローの際の熱により軟化し融着して固着状態となる性質の絶縁性樹脂からなるものであって、前記リフローの際の熱によって前記貫通穴と前記第１段差部、及び前記貫通穴と前記丸棒部との間の隙間を塞いで互いに密着した固着状態となるように前記リード端子の長手方向における前記樹脂からなる絶縁膜が形成される範囲を前記封口体の厚さの０．５倍以上かつ１．５倍以下としていることを特徴とする。
一例として、前記導電性高分子化合物の平均粒子径は、１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下である。一例として、前記樹脂からなる絶縁膜は、熱可塑性樹脂からなるものであって、前記リード端子の前記扁平部における、前記陽極箔または前記陰極箔との接合部には形成されておらず、前記接合部よりも前記第１段差部に近い位置の端部に延設している。

Claims (17)

1. 扁平部と第１段差部と丸棒部と引出端子とを有するリード端子を備え、前記リード端子が陽極箔と陰極箔とにそれぞれ接合され前記陽極箔と前記陰極箔とがセパレータを介して巻回されてコンデンサ素子が形成され、前記コンデンサ素子に電解質が導入されており、且つ、前記リード端子が封口体の貫通穴にそれぞれ挿通されている構成であり、
   前記リード端子は、前記第１段差部と前記丸棒部とに樹脂からなる絶縁膜が形成されていること
   を特徴とする電解コンデンサ。
2. 前記リード端子は、少なくとも前記封口体と接する部分に前記樹脂からなる絶縁膜が形成されていること
   を特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ。
3. 前記樹脂からなる絶縁膜は、引張破断伸度が２％以上の絶縁性樹脂からなること
   を特徴とする請求項１または２記載の電解コンデンサ。
4. 前記樹脂からなる絶縁膜は、熱可塑性樹脂からなること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
5. 前記樹脂からなる絶縁膜は、結晶性樹脂からなること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
6. 前記樹脂からなる絶縁膜は、融点が６０℃以上かつ２６０℃以下の絶縁性樹脂からなること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
7. 前記樹脂からなる絶縁膜は、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のいずれか１種以上の絶縁性樹脂からなること
   を特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
8. 前記電解質は、導電性高分子化合物であること
   を特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
9. 前記電解質は、導電性高分子分散液または導電性高分子溶液のいずれかないしは両方から形成された導電性高分子化合物であること
   を特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
10. 前記電解質は、ポリスチレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸のいずれか１種以上をドーパントとした導電性高分子化合物であること
    を特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
11. 前記コンデンサ素子は、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を含有していること
    を特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
12. 前記コンデンサ素子は、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な水溶性高分子化合物を含有していること
    を特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
13. 前記コンデンサ素子は、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能なポリアルキレンオキサイド、水溶性シリコーン若しくは分岐ポリエーテル又はこれらの誘導体からなる酸化皮膜修復物質を１種以上含有していること
    を特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
14. 前記コンデンサ素子は、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、スルホン基、アミド基、またはリン酸エステル基からなる親水性の官能基を持つ、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を１種以上含有していること
    を特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
15. 前記コンデンサ素子は、分子量の異なる２種以上の水溶性高分子化合物の混合体からなる、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を含有していること
    を特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
16. 前記封口体と前記コンデンサ素子とは、有底形状のケースに収納されており、
    前記封口体は、前記ケースの開口側の成形加工によって支持固定されていること
    を特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
17. 扁平部と第１段差部と丸棒部と引出端子とを有しているリード端子における、前記第１段差部と前記丸棒部とに、樹脂を塗布することで絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップ、を有すること
    を特徴とする電解コンデンサの製造方法。