JP2019192928A5

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Publication number: JP2019192928A5
Application number: JP2019110331A
Authority: JP
Filing date: 2019-06-13
Publication date: 2020-02-06
Anticipated expiration: 2038-01-18

Claims

オリゴアニリン化合物と、
電子受容性ドーパントと、
ＳｉＯ_２を含む、金属酸化物ナノ粒子と、
溶媒と、を含み、
前記溶媒が有機溶媒のみからなり、且つ、グリコール系溶媒を含み、
前記グリコール系溶媒が、グリコールジエーテル、グリコールエステルエーテル、グリコールジエステル、グリコールモノエーテル及びグリコールからなる群から選ばれる少なくとも１種を含み、
前記金属酸化物ナノ粒子が、前記溶媒に分散している、電荷輸送性ワニス。
前記グリコール系溶媒が、式（Ｇ）で表される有機溶媒である請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
Ｒ ^１ −Ｏ−（Ｒ−Ｏ） _ｎ −Ｒ ^２（Ｇ）
（式中、それぞれのＲは、各々独立に、直鎖状Ｃ _２ −Ｃ _４非置換アルキレン基であり、Ｒ ^１及びＲ ^２は、各々独立に、水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状Ｃ _１ −Ｃ _８非置換アルキル基、又は直鎖状若しくは分岐状Ｃ _１ −Ｃ _８非置換脂肪族アシル基であり、ｎは、１〜６の整数である。）
前記Ｒが、エチレン基又はトリエチレン基である請求項２記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ ^１及びＲ ^２が、各々独立に、直鎖状Ｃ _１ −Ｃ _４非置換アルキル基である請求項２又は３記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ ^１及びＲ ^２が、各々独立に、メチル基又はｎ−ブチル基である請求項４記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ ^１及びＲ ^２が、各々独立に、直鎖状又は分岐状Ｃ _２ −Ｃ _６非置換脂肪族アシル基である請求項２記載又は３記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ ^１及びＲ ^２が、各々独立に、直鎖状Ｃ _２ −Ｃ _４非置換アシル基である請求項６記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ ^１及びＲ ^２が、各々独立に、アセチル基又はプロピオニル基である請求項７記載の電荷輸送性ワニス。
前記ｎは、１〜４の整数である請求項２〜８のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
前記グリコール系溶媒が、グリコールジエーテル、グリコールモノエーテル及びグリコールからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
前記グリコール系溶媒が、少なくとも１種のグリコールジエーテル及び少なくとも１種のグリコールを含む請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
前記グリコール系溶媒が、エチレングリコールジエーテル、ジエチレングリコールジエーテル、プロピレングリコールジエーテル、ジプロピレングリコールジエーテル、エチレングリコールモノエーテルアセタート及びプロピレングリコールモノエーテルアセタートからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
前記グリコール系溶媒が、
エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、プロピレングリコール、
１，３−オクチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１,３−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、
エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、
プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、
２−エトキシエチルアセタート、２−ブトキシエチルアセタート、
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
エチレングリコールジアセテート、
トリエチレングリコールジアセテート、
プロピレングリコールジアセタート、
エチレングリコールモノプロピルエーテル、
エチレングリコールモノヘキシルエーテル、
プロピレングリコールモノブチルエーテル、
ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
プロピレングリコールモノプロピルエーテル、
ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、
トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、
トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、及び
ポリプロピレングリコール
からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
前記オリゴアニリン化合物の平均分子量が、２００〜５０００である請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電荷輸送性ワニス。
前記オリゴアニリン化合物及び前記電子受容性ドーパントが、前記有機溶媒に溶解している請求項１〜１４のいずれか一項に記載の電荷輸送性ワニス。
前記金属酸化物ナノ粒子の一次粒子の平均粒径が、５００ｎｍ以下である、請求項１〜１５のいずれか１記載の電荷輸送性ワニス。
有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層または正孔輸送層形成用である、請求項１〜１６のいずれか１記載の電荷輸送性ワニス。
前記オリゴアニリン化合物が、式（１）若しくは式（１′）で表されるオリゴアニリン化合物又はこれらの酸化体であるキノンジイミン化合物より選択される少なくとも１種である、請求項１〜１７のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。

（式中、
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、ｔ−ブトキシカルボニル基、またはベンジルオキシカルボニル基を示し、
Ｒ^３〜Ｒ^３４は、それぞれ独立して水素原子、水酸基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、スルホン基またはハロゲン原子を示し、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して１以上の整数であり、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。）

（式中、
Ｒ^３５、Ｒ^３６及びＲ^３７は、それぞれ独立して水素原子、非置換もしくは置換の一価炭化水素基又はオルガノオキシ基を示し、
Ｌ及びＭは、それぞれ独立して一般式（６）又は（７）で表される二価の基であり、
Ｒ^３８〜Ｒ^４５は、それぞれ独立して水素原子、水酸基、非置換もしくは置換の一価炭化水素基又はオルガノオキシ基、アシル基、又はスルホン酸基であり、
ｘ及びｙは、それぞれ独立して１以上の整数であり、ｘ+ｙ≦２０を満足する。）
前記Ｒ^１およびＲ^２が、それぞれ独立して水素原子またはｔ−ブトキシカルボニル基であり、
前記Ｒ^３〜Ｒ^３４が、それぞれ独立して水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、またはハロゲン原子であり、
前記ｍおよびｎが、それぞれ独立して１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦１０を満足する、請求項１８記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ^３〜Ｒ^３４が、それぞれ独立して水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、またはハロゲン原子であり、
ｍおよびｎが、それぞれ独立して１以上の整数で、ｍ＋ｎ≦５を満足する、請求項１８または１９記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ^３〜Ｒ^３４における一価炭化水素基が、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、または置換もしくは非置換アリールアミノ基である、請求項１９記載の電荷輸送性ワニス。
前記ハロゲン原子がフッ素原子である、請求項１９記載の電荷輸送性ワニス。
前記Ｒ^３〜Ｒ^３４がすべて水素原子である、請求項１８記載の電荷輸送性ワニス。
前記電子受容性ドーパント物質が、アリールスルホン酸化合物、ヘテロポリ酸化合物、長周期型周期表の第１３族に属する元素を含むイオン化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜２３のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
前記電子受容性ドーパント物質が、ヘテロポリ酸化合物、式（２）で表されるアリールスルホン酸誘導体、式（５ａ）で表されるアニオンとその対カチオンからなるイオン化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜２４のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。

〔式中、
Ｘは、Ｏ、ＳまたはＮＨを表し、
Ａは、Ｘおよびｎ個の（ＳＯ_３Ｈ）基以外の置換基を有していてもよいナフタレン環またはアントラセン環を表し、
Ｂは、非置換もしくは置換の炭化水素基、１，３，５−トリアジン基、または非置換もしくは置換の下記式（３）もしくは（４）

で示される基（式中、Ｗ^１およびＷ^２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）基、Ｓ（Ｏ_２）基、または非置換もしくは置換基が結合したＮ、Ｓｉ、Ｐ、Ｐ（Ｏ）基を示す。
Ｗ^１は単結合でもよい。Ｒ^４６〜Ｒ^５９はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表す。）を表し、
ｎは、Ａに結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｎ≦４を満たす整数であり、
ｑは、ＢとＸとの結合数を示し、１≦ｑを満たす整数である。〕

（式中、
Ｅは長周期型周期表の第１３族または１５族に属する元素を表し
Ａｒ^１〜Ａｒ^４は、各々独立に、置換基を有しても良い芳香族炭化水素基又は置換基を有しても良い芳香族複素環基を表わす。）
請求項１〜２５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させる工程を含む、電荷輸送性薄膜の製造方法。
請求項２６記載の製造方法により電荷輸送性薄膜を製造する工程を含む、電子デバイスの製造方法。
請求項２６記載の製造方法により電荷輸送性薄膜を製造する工程を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。